JP3286976B2 - 難燃性エポキシ成形材料と、素子封入方法と、封入された素子 - Google Patents

難燃性エポキシ成形材料と、素子封入方法と、封入された素子

Info

Publication number
JP3286976B2
JP3286976B2 JP51758191A JP51758191A JP3286976B2 JP 3286976 B2 JP3286976 B2 JP 3286976B2 JP 51758191 A JP51758191 A JP 51758191A JP 51758191 A JP51758191 A JP 51758191A JP 3286976 B2 JP3286976 B2 JP 3286976B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
epoxy
molding material
molding
molding composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP51758191A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06508857A (ja
Inventor
ガロ，アントニー，エイ．
Original Assignee
デクスター エレクトロニック マテリアル デヴィジョン オブ デクスター コーポレション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by デクスター エレクトロニック マテリアル デヴィジョン オブ デクスター コーポレション filed Critical デクスター エレクトロニック マテリアル デヴィジョン オブ デクスター コーポレション
Publication of JPH06508857A publication Critical patent/JPH06508857A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3286976B2 publication Critical patent/JP3286976B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/30—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K13/00—Use of mixtures of ingredients not covered by one single of the preceding main groups, each of these compounds being essential
    • C08K13/02—Organic and inorganic ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K3/2279—Oxides; Hydroxides of metals of antimony
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Details Of Resistors (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、触媒と、離型
剤と、必要に応じて用いられる充填剤、着色剤およびカ
ップリング剤と、難燃化系とで構成される封入材料また
は封入材料（エンキャプスレーション組成物）を半導体
素子（デバイス）の周りで加熱硬化させることによって
半導体素子を封入する方法の改良に関するものである。
従来の技術 エポキシ樹脂化合物は半導体、集積回路（IC）、大規
模集積回路（LSI）、トランジスタおよびダイオード等
のデバイスまたはその他の電子部品の封入（エンキャプ
スレーション）に使用されている。これに用いられる封
入剤（エンキャプスラント）は一般にエポキシ樹脂と、
硬化剤（hardener）と、触媒と、離型剤と、必要に応じ
て用いられる充填剤と、必要に応じて用いられる着色剤
とで構成され、場合によってはさらにカップリング剤を
含んでいる。
これら成分の配合例はイケヤ（Ikeya）達のアメリカ
合衆国特許第4,710,796号、ハント（Hunt）達のアメリ
カ合衆国特許第4,282,135号およびアメリカ合衆国特許
第4,042,550号、さらにはこれら特許中で引用された参
照文献に記載されている。
最近の電子工業界では、これらのエポキシ成形材料に
難燃性が求められており、アンダーライターズ研究所
（UnderwritersLaboratory）の1/16″バー（bar）の94V
−０テストで測定した難燃度を高める添加剤として、ハ
ロゲン化物、遷移金属酸化物および水和アルミナを含む
添加剤が報告されている。しかし、これらの難燃性添加
剤は高温での封入剤と半導体素子との相溶性を損うとい
う欠点がある。
イケヤ（Ikeya）達のアメリカ合衆国特許第4,710,796
号にはエポキシ樹脂と、硬化剤と、有機ホスフィン化合
物と、少なくとも一種の酸化アンチモンとで構成される
半導体素子用封入樹脂が記載されている。
アメリカ合衆国特許第4,042,550号には、難燃化系中
に三酸化アンチモンまたは四酸化アンチモンとハロゲン
化物とを含む二次充填材を含んだエポキシアンハイドラ
イド成形材料が記載されている。
ハント（Hunt）達のアメリカ合衆国特許第4,282,136
号には、ハロゲン含有有機化合物と五酸化アンチモンと
で構成される相乗効果を有する難燃剤が記載されてい
る。この特許によると、この難燃系を用いた封入剤で半
導体素子を封入した場合には、三酸化アンチモンまたは
四酸化アンチモンを含んだ類似の成形材料に比較して、
高温での相溶性が良くなると記載されている。
しかし、従来のエポキシ成形材料はナトリウム含有比
率が高いため、電流の漏れが起こって半導体素子の性能
が低下するということは知られている〔モルツァン（Mo
ltzan）達の「集積回路用エポキシ封入材料の発展」、
ユーザの展望、高度エレクトロニクスおよびプロトロニ
クス技術、ACS Sym.シリーズ346、521頁、1986年９月７
〜12参照〕。
レイモンド（Raymond）は、Br含有量が高い（1.0％）
場合に乾燥熱信頼性の結果が悪いという事実に基づい
て、IC製造者は成形材料中のBrを低レベル（約0.6〜0.8
％）に保つ必要があるということを記載している。
結論として、従来の難燃剤は、難燃性および電子デバ
イスとの相溶性の点ではある程度満足がいくものである
が、相溶性、電子デバイス性能、コスト、低毒性の全て
の点で要求を満たす難燃性エポキシ成形材料に対する強
い要求が明らかに存在している。
発明が解決しようとする課題 従って、本発明の目的は改良された難燃性熱硬化性エ
ポキシ成形材料を提供することにある。
本発明の他の目的は半導体素子の改良された封入方法
を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は改良された封入半導体素子
を提供することにある。
本発明の上記およびその他の目的と本発明の利点は、
以下の説明および請求項がさらに明らかになるであろ
う。
課題を解決するための手段 前記本発明の目的は下記の（ａ）〜（ｆ）で構成され
る本発明の改良されたエポキシ成形材料によって達成さ
れる： （ａ） 成形材料の５〜25重量％のエポキシ樹脂、 （ｂ）成形材料の４〜20重量％のフェノールまたは置換
フェノールから誘導される硬化剤、 （ｃ） 上記のエポキシ樹脂と硬化剤とを反応させるの
に必要なエポキシ樹脂と硬化剤との合計重量に対して0.
1〜10重量％の量の触媒、 （ｄ） 硬化した成形材料を離型させるのに有効な、成
形材料の重量の0.01〜２重量％の離型剤、 （ｅ） 成形材料の重量の50〜85重量％の充填剤、およ
び （ｆ） 下記（１）〜（４）で構成される難燃系： （１） 成形材料の重量の0.4〜0.8重量％の五酸化ア
ンチモン、 （２） 五酸化アンチモンの重量の0.01〜10重量％の
ナトリウム、 （３） 成形材料の重量の少なくとも0.5重量％の臭
素を含む反応性有機化合物、および （４） 成形材料の重量の0.02〜4.0重量％の塩基性
水和炭酸マグネシウムアルミニウム。
実施の形態 本発明の改良方法で用いられる上記難燃化系は、従来
の成形材料よりも含有比率の低い五酸化アンチモンおよ
びナトリウムと、従来の成形材料よりもハロゲン含有比
率の高い有機化合物とによって構成されている。
従来の成形材料よりも有機化合物のハロゲン含有比率
を高くするとともに、従来の成形材料よりも五酸化アン
チモンおよびナトリウムの比率を低くし且つ塩基性酸化
マグネシウム化合物の比率を低くした本発明の改良され
た成形材料は、予想をはるかに超える極めて高い熱安定
性と信頼性を示す。
本発明はさらに、エポキシ樹脂と、硬化剤と、触媒
と、離型剤と、必要に応じて用いられる充填剤と、必要
に応じて用いられる着色剤と、必要に応じて用いられる
カップリング剤と、従来の成形材料に比べて比率の低い
五酸化アンチモンおよびナトリウムと、従来の成形材料
よりもハロゲン含有比率が高い有機化合物とによって構
成された難燃化系と、半導体素子の金属導線およびパッ
ドの腐食を減少させるために必要に応じて用いられる塩
基性酸化マグネシウム化合物とで構成される改良された
難燃性の熱硬化性エポキシ成形材料（コンパウンディン
グ）に関するものである。
本発明はさらに、従来の成形材料に比べて含有比率の
低い五酸化アンチモンおよびナトリウムと、従来の成形
材料よりもハロゲン含有比率が高い有機化合物とによっ
て構成される難燃化系と、半導体素子の金属導線および
パッドの腐食を減少させるために必要に応じて用いられ
る塩基性酸化マグネシウム化合物とで構成される難燃化
系を含む封入剤によって封入された半導体素子に関する
ものである。
上記３つのいずれの場合でも、ハロゲンを含む有機化
合物は別成分とすることもできるが、エポキシ樹脂また
は硬化剤の一部とするのが好ましい。このハロゲン含有
有機化合物は、硬化によってエポキシ樹脂および硬化剤
の生成物に化学的に組込まれるハロゲン含有有機化合物
あるいは潤滑剤または着色剤等の他の成分の一部とする
こともできる。
本明細書で使用する用語「エポキシ成形材料（コンパ
ウンディング）」とは２つ以上のオキシラン（oxiran
e）基を含む公知の任意のエポキシ樹脂を含むエポキシ
系成形材料を意味する。このエポキシ樹脂は一分子中に
２つ以上のエポキシ基を有し、グリシジルエーテル型の
もの、例えば例えばフェノールノボラック型、クレゾー
ルノボラック型のものや、グリシジル−エステル型のも
の、脂環式型のもの、複素環式型のものおよびハロゲン
化エポキシ樹脂が含まれる。これらのエポキシ樹脂は単
独または二種以上の樹脂の混合物として使用することが
できる。
本明細書で使用する「エポキシノボラック成形材料」
という用語には、エポキシ樹脂用の硬化剤として通常用
いられている任意のフェノールや置換フェノールから誘
導されるノボラック硬化剤が含まれ、例えば、フェノー
ルノボラックや、クレゾールノボラックが最も好まし
い。このエポキシノボラック成形材料は単独または二種
以上の混合物として使用することができる。
本明細書で使用する「触媒」という語は、本発明組成
物の硬化を促進するのに使用される硬化剤に適した触媒
を意味する。この触媒には塩基触媒および酸触媒が含ま
れ、ハロゲン化金属ルイス酸、例えば、三弗化硼素、塩
化第一錫、塩化亜鉛や、カルボン酸金属塩、例えば、オ
クタン酸第一錫や、アミン、例えばトリエチルアミン、
イミダゾール誘導体が含まれる。これらの触媒はエポキ
シ樹脂と硬化剤との合計重量に対して一般に約0.1〜5.0
重量％の量だけ使用される。
本明細書で使用する「離型剤」という用語は、硬化後
のエポキシ成形材料を金型から離型するのを助けるため
に一般に使用されている化合物を意味し、例えば、カル
ナウバワックス、モンタン酸エステルワックス、ポリエ
チレンワックス、ポリテトラフルオロエチレンワック
ス、グリセラルモノステアレート、ステアリン酸金属
塩、パラフィンワックス等が含まれる。
本明細書で使用する「充填剤」という用語は、通常の
充填剤を意味し、例えば、シリカ、炭酸カルシウム、珪
酸カルシウム、酸化アルミニウム、ガラス繊維、クレー
等が含まれる。好ましい充填剤はシリカまたはシリカを
主成分とした他の充填剤との混合物である。この充填剤
は一般に成形材料の重量に対して少なくとも50重量％使
用される。
本明細書で使用する「着色剤」という用語は、エポキ
シ成形材料で通常用いられている着色剤を意味し、例え
ば、カーボンブラック、顔料、染料等が含まれる。
本明細書で使用する「カップリング剤」という用語
は、成形材料のドライな（乾いた）電気的特性を向上さ
せるために用いられる公知のカップリング剤を意味す
る。このカップリング剤は式:R'Si（OR）３で特徴付け
られるシラン型のものにすることできる（ここで、R'は
アミノ、メルカプト、ビニル、エポキシまたはメタアク
ロオキシ等のオルガノ官能基を表し、ORは珪素に結合し
た加水分解可能なアルコキシ基を表す）。好ましいカッ
プイング剤はアメリカ合衆国特許第4,042,550号および
第3,849,187号に記載されている。これら特許の内容は
本明細書の一部を成す。
本明細書で使用する「ハロゲン含有有機化合物」とい
う用語は、一つの化合物またはその前駆体（例えばモノ
マー）をハロゲン化するか、ハロゲンが完全に除去され
ない反応によってハロゲン含有モノマーを付加する等に
よって得られる任意の出発原料から得られるハロゲンを
含む有機化合物を意味する。
難燃系で使用されるハロゲン含有有機化合物として好
ましいものは反応性のハロゲン含有有機化合物であり、
特に好ましいものはハロゲンとして塩素または臭素を含
むものである。例としては日本火薬により「Bren」の登
録商品名で市販されているブロモフェノール−フォルム
アルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル型のも
の、アメリカ合衆国特許第4,042,550号および第4,282,1
36号（これらの内容は本明細書の一部をなす）に記載さ
れているものがあり、ハロゲン化されたビスフェノール
ＡおよびビスフェノールＡの誘導体、例えばテトラブロ
モビスフェノールＡ、ハロゲン化樹脂のグリシジルエー
テル、例えばテトラブロモビスフェノールＡのジクリシ
ジルエーテル等が含まれる。
好ましいものはダウケミカル（Dow Chemical Corpora
tion）から商品名「安定な臭化クレゾールエポキシノボ
ラック（Stable Bromine Cresol Epoxy NOVOLAC）（718
42.00L型または71970.00型、製造番号RO544−91091−21
−１）で市販されているメタ臭素化クレゾールエポキシ
ノボラックである。これらはアメリカ合衆国特許第4,72
7,119号及び第4,731,423号に記載されている。
71842.00L型は下記の一般式で表される： 71970.00型は下記成分を含む： ジブロモテトラメチルビフェノールのジクリジジルエ
ーテル:0〜８％ トリブロモテトラメチルビフェノールのジグリジジル
エーテル （ケース番号108935−90−６）:8〜40％ テトラブロモテトラメチルビフェノールのジグリジジ
ルエーテル （ケース番号72436−58−９）:0〜２％ クレゾールとホルムアルデヒドとエピクロロヒドリン
との反応生成物 （ケース番号064425−89−４）:60〜90％ これらのハロゲン含有有機化合物は単独の添加剤とす
ることもできるが、成形材料中の有機成分、特にエポキ
シ樹脂または硬化剤中に含まれていてもよく、場合によ
っては潤滑剤、着色剤、充填剤（有機物の場合）等の他
の成分中に含まれていてもよい。
エポキシ樹脂の一部を成す反応性ハロゲン含有有機化
合物の例としてはメタ臭素クレゾールエポキシノボラッ
ク等のメタ臭素化フェノール類が挙げられる。
本明細書で用いる「五酸化アンチモン」という用語
は、入手可能な任意形態の五酸化アンチモンを意味す
る。使用可能な好ましい五酸化アンチモンはP.Q.社のニ
アコル（Nyacol）ディビジョンから市販されているニア
コル（Nyacol）A 1590であり、これはニアコル（Nyaco
l）A 1588LPのような従来製品の五酸化アンチモンのナ
トリウム含有率３〜４重量％に比較してナトリウムの含
有率が0.03〜0.06％と非常に低くなっている。
本明細書で用いる「酸化マグネシウム化合物」という
用語は、五酸化アンチモンの酸度を中和して、金属製半
導体素子の導電線およびパッド、特に２つの異なる金属
が互いに接触する領域での腐食を低下させることができ
る任意形態の金属酸化物を意味する。この酸化マグネシ
ウム化合物として好ましいものは、キョウワ化学工業か
ら「DHT−4A」の登録商品名で市販されているマグネシ
ウム炭酸アルミニウムである。
第Ｉ表は本発明の改良されたエポキシ成形材料をまと
めたものである。
この本発明の改良されたエポキシ成形材料は半導体素
子を封入するのに適している。
本発明の上記改良されたエポキシ成形材料は公知の任
意の方法で製造することができる。例えば、各成分を細
かく粉砕し、ドライブレンドし、加熱した差動ロールミ
ル（differencialroll mill）で濃縮（densification）
し、造粒する。一般には、各成分（またはその一部）の
微粉末を押出機のような配合装置中へ直接送って、粗原
料のプレミックスを作る。全成分の一部のみを最初に混
合した場合には、残りの成分は濃縮前または濃縮中に添
加する。
濃縮は予備成形機を用いて機械的に行うことができ、
微粉末の場合には複合ミルを用いて行うことができ、直
接供給される微粉末またはプレミックスの場合には押出
機または差動ミルで行うことができる。全成分の一部を
含むプレミックスまたは濃縮された形態（プレフォーム
や顆粒状等）のものを、それと同じ形態または別の形態
の残りの成分と一緒に、最終金型へ供給することもでき
る。
本発明の難燃性成形材料は２成分系または多成分系を
含めた任意の物理形態にすることができる。２成分系ま
たは多成分系の場合には、一方にエポキシ樹脂を入れ、
他方に硬化剤を入れる必要がある。エポキシ樹脂の触媒
による単独重合を防ぐために、触媒は硬化剤成分に入れ
るのが好ましい。
研究室規模での好ましい実施態様では、配合物のドラ
イ成分を予め微粉末に粉砕し、次いで、大きなプラスチ
ックの袋の中で混合する。液体成分（例、シランカップ
リング剤）をこのドライ成分に加え、混合物を手で混ぜ
る。次に、混合物を大きな２本のロールミル（一方のロ
ールは〜90℃に加熱し、他方のロールは水道水で冷却す
る）で処理して均一なシート（幅約6"×長さ24″）にす
る。このシートを冷却し、微粉末に粉砕する。
パイロットプラントおよび大量生産する場合の好まし
い態様は、ドライ成分を大きなホッパで混合し、液体成
分を均一に添加・ブレンドし、混合を続ける。得られた
混合物を押出（加熱する）して連続シートとし、冷却後
粉砕する。最終的に粉砕された粉末をそのまま用いるこ
ともできるし、あるいは予備成形機中で圧縮して所望の
形態および寸法のタブレット（プレフォーム）にするこ
ともできる。
この材料（コンパウド）に適当な温度と圧力を加えて
種々の物品に成形することができる。本発明の封入半導
体素子を作る場合の成形条件は、例えば、温度が約300
〜400゜F（約149〜204℃）、好ましくは約350〜375゜F
（約177〜191℃）で、圧力が400〜1,500psi（約28〜105
kg/cm2）で、時間が30〜120秒、好ましくは60〜90秒の
範囲である。
複数の成形キャビティーを有する金型を備えたトラン
スファー成形機等の任意の適当な成形装置を使用するこ
とができる。各成分間の比は大幅に変えることができ
る。一般に、エポキシ樹脂のノボラック硬化剤に対する
比率は、オキシラン：反応性ヒドロキシ基のモル比が約
0.8〜1.25となるようにする。同様に、エポキシ樹脂の
無水硬化剤に対する比率は、オキシラン：無水物当量の
比が1.0〜1.7、好ましくは1.11〜1.25となるようにす
る。
触媒の使用量は、一般に、所定の成形条件下でエポキ
シ成形材料を硬化するのに充分な量にする。0.1〜５重
量％（エポキシ樹脂および硬化剤の合成重量）の量で充
分である。
離型剤は金型からの離型を良くし、封入された半導体
素子の乾燥電気特性を良くするのに充分な量用いる。コ
ンパウンドの全重量に対して0.01〜２重量％、さらに好
ましくは0.02〜１重量％の量用いることができる。
充填剤の合計量は、コンパウンドの全重量に対して０
〜85重量％の範囲であり、好ましくは50重量％以上、よ
り好ましくは60〜85重量％である。また、シリカ充填剤
は全材料の60〜80重量％であるのが好ましい。
着色剤を用いる場合には、一般に、封入された素子を
所望の色、好ましくは黒にするのに充分な量用いる。コ
ンパウンド全体の重量に対し約0.1〜1.5％の量用いるこ
とができる。
カップリング剤、特にシランカップリング剤は、所望
の乾燥電気特性を与えるのに充分な量、好ましくは、コ
ンパウンドの全量の約0.05〜２重量％、さらに好ましく
は、約0.1〜1.5重量％用いられる。
得られたエポキシ成形材料は、公知の任意の方法を用
いて半導体素子を封入するのに使用することができる。
例えば、五酸化アンチモンを0.4〜0.8％含み、ナトリウ
ムの含有率が0.03〜0.06％（五酸化アンチモンの重量に
対して）で、有機化合物が率が約1.0〜1.8％の臭素を含
む本発明の改良されたエポキシ成形材料を試験デバイス
で成形したものはハント達のアメリカ合衆国特許第4,28
2,136号に開示の従来のコンパウンドと比較して予期し
得ない優れた高温安定性と信頼性とを示した。
五酸化アンチモンは高価で有毒であるので、本発明で
は五酸化アンチモンは低い比率で使用するのが望まし
い。
五酸化アンチモンの含有率が0.4〜0.8％で、ナトリウ
ムの含有率が0.03〜0.06％（過酸化アンチモンの重量に
対する）で、有機化合物中の臭素の含有率が約1.0〜1.8
％の本発明の改良されたエポキシ成形材料は優れた高温
貯蔵寿命試験結果を示す。この高温貯蔵寿命試験はデバ
イスの信頼性を評価するために半導体製造者が慣用的に
行っている試験であり、この高温貯蔵寿命試験では出力
電圧のパラメータの変化を測定する（半導体の貯蔵温度
を変えることもある）。この出力電圧はデバイスの接続
部の抵抗の大きさを反映する。
本発明の改良されたエポキシ成形材料は前記の半導体
デバイスの電圧出力レベルのパラメータ変化に起因する
故障を遅らせるか無くするのに有効である。本発明の改
良されたエポキシ成形材料で封入したモトローラ（Moto
rala）SN 7420を高温貯蔵寿命試験した。本発明の改良
されたエポキシ成形材料では（定電流16mA、400mV以
上）で200℃で880時間まで故障が見られず、（定電流16
mA、250mV以上）で200℃で418時間まで故障が見られな
かったが、DHT−4Aを含むまたは含まないBREN（登録商
標）を用いたサンプルでは（定電流16mA、400mV以上）
では200℃、 880時間で少なくとも27％が故障し（定電流16mA、150mV
以上）では200℃、418時間で少なくとも27％が故障し
た。
また、本発明の改良されたエポキシ成形材料は、出力
レベルを定電圧にして半導体貯蔵温度を変化させた時
に、DHT−4Aを含むまたは含まないBREN（登録商標）を
用いた他のサンプルよりも優れた高温貯蔵試験結果を示
した。この高温貯蔵試験ではアドヴァンスド マイクロ
デバイス（Advanced Micro Device）社の7400型TTLデ
バイスを本発明の改良されたエポキシ成形材料中に封入
した。185℃では本発明の改良されたエポキシ形成材料
が示す故障は1800時間後にわずか３％であるのに対し、
DHT−4Aを含むまたは含まないBREN（登録商標）を用い
た比較サンプルでは少なくとも98％が故障した。200℃
では本発明の改良されたエポキシ形成材料が示す故障は
404時間後でわずか１％であるのに対し、DHT−4Aを含む
または含まないBREN（登録商標）を用いた他の比較サン
プルでは少なくとも76％に故障が見られた。
本発明の改良されたエポキシ成形材料は0.8％以下の
五酸化アンチモンを含む。このことは、五酸化アンチモ
ンを高い比率（１％以上）で用いた方が相乗効果に優れ
た材料が得られるとする従来技術の教えからは特に驚く
べきことである。従来技術からは、約１％以上の五酸化
物を含むハロゲンを使用するとパラメータ故障の減少が
予想されることが教示されていた。従って成形材料の当
業者は0.8％以下の五酸化アンチモンを用いようとはし
なかった。
本発明で改良されたエポキシ成形材料は、臭素含有量
が1.0％以下でも1.0％以上でも優れた結果を示した。こ
の結果は、五酸化アンチモンの含有量が高いことが高温
信頼性に有利であり、臭素含有量が高いことは有害であ
るとする従来技術の教示からは予期されないことであ
る。従来技術からは臭素含有量を1.0％以上にすると乾
燥熱信頼性の結果が悪くなることが予想されるので、当
業者は、五酸化アンチモンを0.8％以下にし、臭素含有
量を約1.0％以上にすることは予測以外のことである。
電圧レベルの点では、五酸化アンチモン含み、塩基性
水和炭酸アルミニウムを含まない本発明の改良されたエ
ポキシ成形材料が優れた結果を示した。モトローラ（Mo
torola）SN7420デバイスをエポキシ成形材料で封入して
175℃で高温貯蔵寿命試験を実施した。DHT−4Aを含む化
合物は1342時間後に250mVの場合も400mVの場合も故障を
示さなかったのに対し、DHT−4Aを含まない化合物は134
2時間後に250mVでは少なくとも90％が故障し、400mVで
も70％以上が破損した。
本発明の改良されたエポキシ成形材料は、他のビスマ
ス含有材料（三酸化ビスマスまたは東亜合成化学工業社
から市販されている水和五酸化アンチモンと塩基性硝酸
塩の混合物IXE−600）の代わりに塩基性水和炭酸アルミ
ニウムマグネシウムを含んでいる。DHT−4A系はある種
の論理デバイスの電気信頼性を維持する点で他のビスマ
ス含有材料系より優れている。
本発明は上記成分に限定さるものではなく、難燃性を
損なうことのない上記以外の他の成分、有機物または無
機物を添加することができる。従って、三酸化アンチモ
ンおよび四酸化アンチモンも、合計量が五酸化アンチモ
ンの量よりも少ない範囲となる限り、上記条件で添加す
ることができる。
実施例 以下、本発明の改良されたエポキシ成形材料と、封入
方法と、封入されたデバイスとを実施例を用いてさらに
詳しく説明するが、本発明が以下の実施例に限定される
ものではない。なお、別の記載がない限り以下に示す部
は全て重量部である。
参考例Ａ〜Ｄ エポキシ封入剤を第２表に示した配合物Ａで製造し
た。
ここに示す４つのグループの配合物の違いは、三酸化
アンチモンまたは五酸化アンチモンが存在するかしない
か、および／または下記のどちらかの臭素化樹脂が存在
するか否かの点である。
結果は第２表に示してある。
実施例Ｅ、Ｉ、参考例Ｆ−Ｈ 五酸化アンチモンを含むサンプルをさらに５つ調製し
た。これら５つの配合物群は、塩基性水和炭酸マグネシ
ウムアルミニウムが存在するか否かと、各種臭素含有有
機化合物が存在するか否かの点で相違している。結果は
第３表にまとめてある。
実施例Ｊ 参考例Ａ〜Ｄで記載した４つの成形材料を乾燥条件で
の高温貯蔵寿命試験にかけた。24mAでの故障が500mV以
上の電圧出力レベルである電圧出力レベル変化を測定し
た試験の結果を第４表にまとめてある。この試験は参考
例Ａ〜Ｄの成形材料と市販の同種成形材料Ｓ−２、Ｓ−
１およびＮ−１について実施した。
第４表の結果から分かるように、高温貯蔵寿命を長く
する点では五酸化アンチモンのサンプル（参考例Ｄ）は
三酸化アンチモンサンプル（参考例Ａ、Ｂ及びＣ）より
はるかに優れている。
参考例Ｄは同種成形材料Ｓ−２、Ｓ−１及びＮ−１よ
りはるかに優れている。
実施例 Ｋ 実施例Ｅ、Ｉ、参考例Ｆ〜Ｈに記載した５つの材料と
同種材料Ｓ−２及びＮ−２について乾燥条件で高温貯蔵
寿命試験を実施した。24mAでの故障が500mV以上である
電圧出力レベル変化を測定した試験の結果を第５表にま
とめて示した。
実施例 Ｌ 実施例Ｅ、Ｉ、参考例Ｆ〜Ｈに記載した５つの材料と
同種材料Ｓ−２及びＮ−２とを、185℃及び175℃でベー
キングした後に乾燥条件で高温貯蔵寿命試験を行った。
結果は第６表にまとめて示した。
第５表及び第６表に示した試験のデータから分かるよ
うに、３成分（安定な臭化クレゾールエポキシノボラッ
ク、五酸化アンチモンおよび塩基性水和炭酸マグネシウ
ムアルミニウム）を一緒に使用した時にだけ最も優れた
結果が得られた。
特に、175℃で実施した高温貯蔵試験では電圧出力レ
ベルのパラメータシフトに大きな差はないが、185℃及
び200℃で実施した試験では安定な臭化クレゾールエポ
キシノボラック、五酸化アンチモン及び塩基性水和炭酸
マグネシウムアルミニウムを含むエポキシ成形材料で封
入したデバイスは長い貯蔵寿命を示すことが分かった。
実施例Ｉは同種材料Ｓ−２及びＮ−２よりはるかに優れ
ていることが証明された。
実施例 Ｍ 実施例Ｉについて信頼性試験を行った。この試験では
デバイスを連続して作動またはバイアスを加えながら乾
燥または湿潤環境で高温（例85〜125℃）よ曝し、ま
た、デバイスを−65℃〜＋150℃の間を2000回反転させ
た。いずれの試験でも明らかなデバイスの故障は見られ
なかった。
実施例Ｉの優れた性能は五酸化アンチモンの酸性の部
分的中和と塩基性のイオン変換可能な水和炭酸マグネシ
ウムアルミニウムによるハロゲン化物イオンレベルの減
少との両方によってデバイスの望ましくない腐食が防止
されたものと考えられる。
参考例Ｎ、実施例Ｏ 臭素化エポキシ樹脂（BREN（登録商標））を用いてさ
らに２つのサンプルを調製した。その２つの配合サンプ
ルの差は、三酸化アンチモンまたは五酸化アンチモンが
存在するか否か、および／または塩基性水和炭酸マグネ
シウムアルミニウム（DHT−4A）が存在するか否かの点
である。結果は第８表に示した。
実施例 Ｐ 参考例Ｎ、実施例Ｏに記載した２つの材料を乾燥条件
下で、高温貯蔵寿命試験した。175℃で時間を変えて材
料を貯蔵し、累積電圧出力／低状態レベル故障を記録し
た。結果は第９表に示す。
第９表の結果から、五酸化アンチモンとDHT−4Aとを
含む材料が選れた結果を示すことが分る。特に、638時
間後のVOL故障は五酸化アンチモンと水和炭酸マグネシ
ウムアルミニウムとを含む実施例Ｏの場合よりも参考例
Ｎの場合の方が著しく増加する。
参考例Ｑ、Ｓ、Ｔ、実施例Ｒ さらに４つのサンプルを調製した。これらの４つの配
合物は、全て五酸化アンチモンを含むが、臭素含有有機
化合物（BREN（登録商標）またはダウ（DOW）社の安定
な臭素型71842）が存在するか否かと、塩基性金属酸化
物（三酸化ビスマスまたはIXE−600）または酸化マグネ
シウム化合物（DHT−4A）が存在するか否かの点で違っ
ている。結果は第10表に示してある。
実施例 Ｕ 参考例Ｎ、Ｑ、Ｓ、Ｔ、実施例Ｏ、Ｒの６つの材料に
ついて、200℃で材料の貯蔵時間を変えて高温貯蔵寿命
試験を行い、累積電圧出力／低状態レベル故障を記録し
た。試験結果は、第11表にまとめて示した。
第11表の結果から分かるように、SN7420デバイスの高
温貯蔵寿命を長くする点では臭素化エポキシ樹脂（例え
ば、ダウ社の安定臭素型71842）と、五酸化アンチモン
と、水和炭酸マグネシウムアルミニウムとを含むデバイ
スがビスマス含有材料を含むデバイスよりも優れている
（実施例Ｒ対参考例ＳとＴ）。
この組み合わせた臭素化エポキシ樹脂BREN（登録商
標）含む配合と比較しても高温貯蔵寿命試験において優
れた性能を示している（実施例Ｒ対実施例Ｏと参考例
Ｑ）。
以上の実施例は本発明の改良された難燃性エポキシ成
形材料と、その封入方法と、封入されたデバイスの例を
示すためのもので、本発明がこれらに限定されるもので
はない。請求項に定義する本発明の範囲を逸脱しない範
囲でこれら実施例を種々変更することができるというこ
とは明らかである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (56)参考文献 特開 平１−206656（ＪＰ，Ａ) 米国特許4282136（ＵＳ，Ａ) 国際公開90／4854（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08L 63/00 - 63/10 C08G 59/62 C08K 3/16 C08K 3/22 C08K 3/26 H01L 23/29

Claims (24)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】下記の（ａ）〜（ｆ）で構成されるエポキ
    シ成形材料： （ａ） 成形材料の５〜25重量％のエポキシ樹脂、 （ｂ） 成形材料の４〜20重量％のフェノールまたは置
    換フェノールから誘導される硬化剤、 （ｃ） 上記のエポキシ樹脂と硬化剤とを反応させるの
    に必要なエポキシ樹脂と硬化剤との合計重量に対して0.
    1〜10重量％の量の触媒、 （ｄ） 硬化した成形材料を離型させるのに有効な、成
    形材料の重量の0.01〜２重量％の離型剤、 （ｅ） 成形材料の重量の50〜85重量％の充填剤、およ
    び （ｆ） 下記（１）〜（４）で構成される難燃系： （１） 成形材料の重量の0.4〜0.8重量％の五酸化アン
    チモン、 （２） 五酸化アンチモンの重量の0.01〜10重量％のナ
    トリウム、 （３） 成形材料の重量の少なくとも0.5重量％の臭素
    を含む反応性有機化合物、および （４） 成形材料の重量の0.02〜4.0重量％の塩基性水
    和炭酸マグネシウムアルミニウム。
  2. 【請求項２】エポキシ樹脂が成形材料の重量の10〜17重
    量％である請求項１に記載のエポキシ成形材料。
  3. 【請求項３】硬化剤がフェノールノボラック、マレイン
    系モノマーと少なくとも一つのアルキルスチレンモノマ
    ーとのポリ無水物およびこのポリ無水物とエポキシ樹脂
    とのプレポリマーからなる群の中から選択される請求項
    １に記載のエポキシ成形材料。
  4. 【請求項４】成形材料の少なくとも50重量％の無機充填
    際材と、４〜12重量％の硬化材とを含む請求項１に記載
    のエポキシ成形材料。
  5. 【請求項５】成形材料が60〜85重量％のシリカ充填剤を
    含む請求項１に記載のエポキシ成形材料。
  6. 【請求項６】無機充填剤がシリカを含む請求項１に記載
    のエポキシ成形材料。
  7. 【請求項７】成形材料がシランカップリング剤または着
    色剤を含む請求項１に記載のエポキシ成形材料。
  8. 【請求項８】臭素を含む反応性有機化合物がブロモフェ
    ノール−ホルムアルデヒドノボラック、ブロモフェノー
    ル−ホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジルエー
    テル、ブロモフェノール−エポキシノボラックおよびメ
    タ臭素化クレゾールエポキシノボラックからなる群の中
    から選択される請求項１に記載のエポキシ成形材料。
  9. 【請求項９】臭素を含む反応性有機化合物が上記エポキ
    シ樹脂の一部または上記のフェノールまたは置換フェノ
    ールから誘導される硬化剤の一部である請求項１に記載
    のエポキシ成形材料。
  10. 【請求項１０】臭素を含む反応性有機化合物が成形材料
    の重量の0.5〜2.2重量％の臭素を含む請求項１に記載の
    エポキシ成形材料。
  11. 【請求項１１】臭素を含む反応性有機化合物が成形材料
    の重量の0.5〜1.8重量％の臭素を含み、難燃系が五酸化
    アンチモンの重量の0.03〜0.06重量％のナトリウムと、
    成形材料の重量の0.40〜0.80重量％の五酸化アンチモン
    と、成形材料の重量の0.02〜3.20重量％の塩基性水和炭
    酸マグネシウムアルミニウムとを含む請求項１に記載の
    エポキシ成形材料。
  12. 【請求項１２】（１）熱硬化性エポキシ成形材料を加熱
    して液体状態とし、（２）この液体状態の熱硬化性エポ
    キシ成形材料で半導体デバイスを封入し、（３）封入さ
    れた半導体デバイスを冷却する工程を含む半導体デバイ
    スの封入方法において、 エポキシ成形材料が下記（ａ）〜（ｆ）で構成されるこ
    とを特徴とする方法： （ａ） 成形材料の５〜25重量％のエポキシ樹脂、 （ｂ） 成形材料の４〜20重量％のフェノールまたは置
    換フェノールから誘導される硬化剤、 （ｃ） 上記のエポキシ樹脂と硬化剤とを反応させるの
    に必要なエポキシ樹脂と硬化剤との合計重量に対して0.
    1〜10重量％の量の触媒、 （ｄ） 硬化した成形材料を離型させるのに有効な、成
    形材料の重量の0.01〜２重量％の離型剤、 （ｅ） 成形材料の重量の50〜85重量％の充填剤、およ
    び （ｆ） 下記（１）〜（４）で構成される難燃系： （１） 成形材料の重量の0.40〜0.80重量％の五酸化ア
    ンチモン、 （２） 五酸化アンチモンの重量の0.01〜10重量％のナ
    トリウム、 （３） 成形材料の重量の少なくとも0.5重量％の臭素
    を含む反応性有機化合物、および （４） 成形材料の重量の0.02〜4.0重量％の塩基性水
    和炭酸マグネシウムアルミニウム。
  13. 【請求項１３】エポキシ樹脂が成形材料の重量の10〜17
    重量％である請求項12に記載の方法。
  14. 【請求項１４】硬化剤がフェノールノボラック、マレイ
    ン系モノマーと少なくとも一つのアルキルスチレンモノ
    マーとのポリ無水物およびこのポリ無水物とエポキシ樹
    脂とのプレポリマーからなる群の中から選択される請求
    項12に記載の方法。
  15. 【請求項１５】成形材料の少なくとも50重量％の無機充
    填際材と、４〜12重量％の硬化剤とを含む請求項12に記
    載の方法。
  16. 【請求項１６】成形材料が60〜85重量％のシリカ充填剤
    を含む請求項12に記載の方法。
  17. 【請求項１７】無機充填剤がシリカを含む請求項12に記
    載の方法。
  18. 【請求項１８】成形材料がシランカップリング剤または
    着色剤を含む請求項12に記載の方法。
  19. 【請求項１９】臭素を含む反応性有機反応物がブロモフ
    ェノール−ホルムアルデヒドノボラック、ブロモフェノ
    ール−ホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジルエ
    ーテル、ブロモフェノール−エポキシノボラックおよび
    メタ臭素化クレゾールエポキシノボラックからなる群の
    中から選択される請求項12に記載の方法。
  20. 【請求項２０】臭素を含む反応性有機化合物が上記エポ
    キシ樹脂の一部または上記のフェノールまたは置換フェ
    ノールから誘導される硬化剤の一部である請求項12に記
    載の方法。
  21. 【請求項２１】臭素を含む反応性有機化合物が成形材料
    の重量の0.5〜2.2重量％の臭素を含む請求項12に記載の
    方法。
  22. 【請求項２２】臭素を含む反応性有機化合物が成形材料
    の重量の0.5〜1.8重量％の臭素を含み、難燃系が五酸化
    アンチモンの重量の0.03〜0.06重量％のナトリウムと、
    成形材料の重量の0.40〜0.80重量％の五酸化アンチモン
    と、成形材料の重量の0.02〜3.20重量％の塩基性水和炭
    酸マグネシウムアルミニウムとを含む請求項12に記載の
    方法。
  23. 【請求項２３】半導体デバイスが処理済みのシリコンウ
    ェファ、トランジスタ、ダイオード、集積回路から成る
    群の中から選択される請求項22に記載の方法。
  24. 【請求項２４】請求項12〜22のいずれか一項に記載の方
    法で封入されたことを特徴とする半導体デバイス。
JP51758191A 1990-09-28 1991-09-27 難燃性エポキシ成形材料と、素子封入方法と、封入された素子 Expired - Lifetime JP3286976B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US590,247 1990-09-28
US07/590,247 US5104604A (en) 1989-10-05 1990-09-28 Flame retardant epoxy molding compound, method and encapsulated device method of encapsulating a semiconductor device with a flame retardant epoxy molding compound
PCT/US1991/007346 WO1992006138A1 (en) 1990-09-28 1991-09-27 Flame retardant epoxy molding compound, method and encapsulated device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06508857A JPH06508857A (ja) 1994-10-06
JP3286976B2 true JP3286976B2 (ja) 2002-05-27

Family

ID=24361469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51758191A Expired - Lifetime JP3286976B2 (ja) 1990-09-28 1991-09-27 難燃性エポキシ成形材料と、素子封入方法と、封入された素子

Country Status (8)

Country Link
US (2) US5104604A (ja)
EP (1) EP0552278B1 (ja)
JP (1) JP3286976B2 (ja)
AT (1) ATE140716T1 (ja)
DE (2) DE69121107T2 (ja)
ES (1) ES2059284T1 (ja)
GR (1) GR930300122T1 (ja)
WO (1) WO1992006138A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476716A (en) * 1988-10-17 1995-12-19 The Dexter Corporation Flame retardant epoxy molding compound, method and encapsulated device
DE69333484T2 (de) * 1992-09-24 2005-03-24 Novartis Ag Umgestaltete monoklonale Antikörper gegen ein Immunglobulinisotyp
GB9224854D0 (en) * 1992-11-27 1993-01-13 Ciba Geigy Ag Moulding process
EP0703613A3 (en) * 1994-09-26 1996-06-05 Motorola Inc Protection of electronic components in acidic and basic environments
JPH08302161A (ja) * 1995-05-10 1996-11-19 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂組成物及びその樹脂組成物をケミカルエッチングする方法
TW533224B (en) * 2000-05-25 2003-05-21 Ind Tech Res Inst Epoxy resin composition with non-halogen, non-phosphorus flame retardant
US7163973B2 (en) * 2002-08-08 2007-01-16 Henkel Corporation Composition of bulk filler and epoxy-clay nanocomposite
CA2924977C (en) * 2013-09-27 2021-11-09 Stora Enso Oyj A composition comprising lignin and epoxy compound for coating and method for the manufacturing thereof and use thereof
MY181374A (en) 2014-12-04 2020-12-21 Mitsubishi Chem Corp Tetramethylbiphenol type epoxy resin, epoxy resin composition, cured product, and semiconductor sealing material

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB751265A (en) * 1953-04-23 1956-06-27 Union Carbide & Carbon Corp Improvements in heat-stabilized polychlorotrifluoroethylene
US4024318A (en) * 1966-02-17 1977-05-17 Exxon Research And Engineering Company Metal-filled plastic material
ZA718662B (en) * 1971-02-12 1972-09-27 Cities Service Co Fire retardant compositions
BE792125A (fr) * 1971-12-27 1973-03-16 Petrow Henry G Sol colloidal d'oxyde d'antimoine, son procede de preparation et son utilisation
USRE31214E (en) * 1971-12-27 1983-04-19 Colloidal sol antimony pentaoxide flameproofing compositions
US3915926A (en) * 1972-03-10 1975-10-28 Gen Electric Flame retardant thermoplastic compositions
US3928277A (en) * 1972-06-06 1975-12-23 George L Wicker Moulding compositions
US3912792A (en) * 1972-08-04 1975-10-14 M & T Chemicals Inc Flame retardant compositions
US3950456A (en) * 1972-08-18 1976-04-13 Cities Service Company Flame-retardant composition
US3856890A (en) * 1973-05-23 1974-12-24 Nat Distillers Chem Corp Flame retardant compositions
US3983185A (en) * 1973-07-30 1976-09-28 Hooker Chemicals & Plastics Corporation Halogen containing polyester resins having improved smoke-resistance
US3920459A (en) * 1974-09-09 1975-11-18 Crown Zellerbach Corp Flameproof compositions
US4075154A (en) * 1974-11-29 1978-02-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Room-temperature curing organopolysiloxane compositions
US4155949A (en) * 1975-01-21 1979-05-22 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Fire retardant polycarbonate resin composition
US4006114A (en) * 1975-11-26 1977-02-01 Dart Industries Inc. Flame retardant polypropylene compositions
DE2703419B1 (de) * 1977-01-28 1978-02-02 Basf Ag Flammwidrig ausgeruestete polyamid- formmassen
US4278581A (en) * 1977-09-28 1981-07-14 Hitachi, Ltd. Mold binder material
US4339556A (en) * 1977-11-02 1982-07-13 Monsanto Company Flame retardant resin compositions
US4205142A (en) * 1977-11-02 1980-05-27 Monsanto Company Flame retardant resin compositions
US4282136A (en) * 1979-04-09 1981-08-04 Hunt Earl R Flame retardant epoxy molding compound method and encapsulated device
JPS57123249A (en) * 1981-01-26 1982-07-31 Toshiba Corp Epoxy resin molding compound
US4417018A (en) * 1981-05-25 1983-11-22 Teijin Limited Flame-retardant resin composition
CA1249095A (en) * 1982-08-25 1989-01-17 Giovanni Dozzi Self-extinguishing polycarbonate composition
US4421877A (en) * 1982-09-07 1983-12-20 Westinghouse Electric Corp. Flame-resistant aqueous epoxy impregnating compositions containing nonionic surface active agents
NL8204180A (nl) * 1982-10-29 1984-05-16 Gen Electric Polymeer-mengsel, daaruit gevormde voorwerpen.
US4529769A (en) * 1983-12-06 1985-07-16 Phillips Petroleum Company Poly(arylene sulfide) composition, molding method and article of manufacture
DE3401834A1 (de) * 1984-01-20 1985-07-25 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Flammgeschuetzte thermoplastische formmasse
US4544688A (en) * 1984-05-29 1985-10-01 Union Carbide Corp. Metal-containing phenolic coating compositions
JPS6153321A (ja) * 1984-08-23 1986-03-17 Toshiba Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置
JPS61126175A (ja) * 1984-11-22 1986-06-13 Sumitomo Chem Co Ltd フタロシアニン化合物およびそれを用いて染色または捺染する方法
JPS61138619A (ja) * 1984-12-10 1986-06-26 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS61143464A (ja) * 1984-12-18 1986-07-01 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS61162514A (ja) * 1985-01-09 1986-07-23 Hitachi Ltd 成形用難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いて封止された電子部品
JPS61174270A (ja) * 1985-01-29 1986-08-05 Kyowa Chem Ind Co Ltd 耐発錆性ないし耐着色性賦与剤
JPS61276851A (ja) * 1985-05-31 1986-12-06 Nitto Electric Ind Co Ltd エポキシ樹脂組成物
IL76434A0 (en) * 1985-09-20 1986-01-31 Bromine Compounds Ltd Flame retardant polymer compositions
US4668719A (en) * 1985-09-23 1987-05-26 Toagosei Chemical Industry Co., Ltd. Insulating protective material
JPS62212422A (ja) * 1986-03-14 1987-09-18 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂組成物
US4743044A (en) * 1987-01-21 1988-05-10 Bellotti Patent Registration Company Dual axle stabilizing device
US5154976A (en) * 1988-10-17 1992-10-13 Dexter Corporation Flame retardant epoxy molding compound, method and encapsulated device
US5041254A (en) * 1988-10-17 1991-08-20 Dexter Corporation Method of encapsulating a semiconductor device with a flame retardant epoxy molding compound

Also Published As

Publication number Publication date
US5420178A (en) 1995-05-30
ATE140716T1 (de) 1996-08-15
DE69121107D1 (de) 1996-08-29
US5104604A (en) 1992-04-14
WO1992006138A1 (en) 1992-04-16
EP0552278A4 (en) 1993-05-19
ES2059284T1 (es) 1994-11-16
DE552278T1 (de) 1994-02-03
DE69121107T2 (de) 1997-02-06
EP0552278B1 (en) 1996-07-24
EP0552278A1 (en) 1993-07-28
GR930300122T1 (en) 1993-12-30
JPH06508857A (ja) 1994-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1622976B1 (en) Flame-retardant molding compositions
US5413861A (en) Semiconductor device encapsulated with a flame retardant epoxy molding compound
US5476716A (en) Flame retardant epoxy molding compound, method and encapsulated device
JP3286976B2 (ja) 難燃性エポキシ成形材料と、素子封入方法と、封入された素子
JP2711917B2 (ja) 臭素化エポキシ化合物及び半導体封止用難燃化エポキシ樹脂組成物
US5041254A (en) Method of encapsulating a semiconductor device with a flame retardant epoxy molding compound
JPH09241483A (ja) エポキシ樹脂組成物
KR100781042B1 (ko) 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
JP2501143B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
US5154976A (en) Flame retardant epoxy molding compound, method and encapsulated device
JP2002241587A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2938080B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3072099B1 (ja) 封止用樹脂組成物および半導体封止装置
JP3064636B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2002256138A (ja) 難燃性エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料及び半導体装置
JP2574434B2 (ja) 半導体装置
JPH05175373A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH07173373A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2001192535A (ja) 封止用樹脂組成物および半導体封止装置
JP2007191649A (ja) 難燃性樹脂組成物とその製造方法並びに成形硬化体、封止体
JP2000143774A (ja) 液状封止用樹脂組成物
JP2001220493A (ja) 封止用樹脂組成物および半導体封止装置
JP2002220515A (ja) 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置
JP2003176335A (ja) エポキシ樹脂組成物並びにこれを用いた半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080315

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090315

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100315

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315

Year of fee payment: 9

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120315

Year of fee payment: 10