JP2002256138A - 難燃性エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハロゲン系化合物やリン系難燃剤を使用する
ことなしに優れた難燃性を有する難燃性エポキシ樹脂組
成物、およびそれを用いた半導体封止材料を提供する。 【解決手段】１分子内に少なくとも２個のエポキシ基を
有する非ハロゲン化エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤
（Ｂ）、炭酸塩（Ｃ）及び金属水酸化物（Ｄ）を必須成
分とするエポキシ樹脂組成物、また、前記難燃性エポキ
シ樹脂組成物と充填剤とで基本的に構成される半導体封
止材料。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハロゲン系化合物
やリン系難燃剤を使用することなしに優れた難燃性を示
す、難燃性エポキシ樹脂組成物、及びそれを用いた半導
体封止材料、更には、半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体等の電子封止材料として、金属や
無機物との接着性が良いエポキシ樹脂組成物が用いられ
ているが、近年、火災に対する安全性を確保するため難
燃性が付与されている。エポキシ樹脂組成物の難燃化に
は、従来、臭素化エポキシ樹脂などのハロゲン系化合物
を用いるのが一般的であった。

【０００３】これらのハロゲン系化合物は高度な難燃性
を有するが、芳香族臭素化合物は熱分解によって腐食性
の臭素や臭化水素を遊離する等の環境上の安全性、ま
た、臭素を含有する老朽廃材やゴミ処理などが問題視さ
れている。

【０００４】このような現状から種々の代替難燃剤が検
討されてきているが、その一つに金属水酸化物がある。
特に水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムは環境対
応の点から注目されているが、これらを単独で用いた場
合には、充分な難燃性を得るためには多量に添加せねば
ならず、樹脂組成物の硬化性や強度等の劣化を招いてし
まう。従って成形性、信頼性において半導体の封止用途
の厳しい要求に耐えるものではない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ハロゲン系
化合物やリン系難燃剤を添加することなく、半導体装置
の特性を悪化させずに、且つ、高度な難燃性を有する難
燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体封止材
料並びに半導体装置を提供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、エポキシ
樹脂組成物として炭酸塩及び金属水酸化物を用い、より
少量の添加で半導体封止材料としての信頼性を低下させ
ることなく、難燃性を著しく向上させることができるこ
とを見いだし、本発明を完成するに至った。

【０００７】即ち、本発明は、次の（１）〜（７）項に
記載の難燃性エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料及び
半導体装置を提供する。

【０００８】（１）１分子内に少なくとも２個のエポキ
シ基を有する非ハロゲン化エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤
（Ｂ）、一般式（１）で表される炭酸塩（Ｃ）、及び一
般式（２）で表される金属水酸化物（Ｄ）を必須成分と
する難燃性エポキシ樹脂組成物である。

【０００９】

【化３】 （式（１）において、Ｍ₁、Ｍ₂は金属元素であり、それ
ぞれ同一であっても異なってもよい。ａ，ｂ，ｃ，ｄ，
ｎ₁＞０、ｎ₂，ｎ₃≧０である。[（Ｍ₁）_a（ＣＯ ₃）_b]
の繰り返し単位において、Ｍ₁は同種であっても異種で
あってもよい。[（Ｍ₂）_c（ＯＨ）_d]の繰り返し単位に
おいて、Ｍ₂は同種であっても異種であってもよい。）

【００１０】

【化４】 （式（２）において、Ｍは金属元素であり、ａ，ｂ，ｎ
₁，ｎ₂＞０である。[Ｍ_aＯ_b]の繰り返し単位において、
Ｍは同種であっても異種であってもよい。）

【００１１】（２）硬化剤（Ｂ）が、好ましくは、１分
子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する化
合物である前記（１）項に記載の難燃性エポキシ樹脂組
成物である。

【００１２】（３）一般式（１）で表される炭酸塩の金
属元素Ｍ₁、Ｍ₂が、好ましくは、IA、IIA、IIIA、IVA、
VA、VIA、VIIA、VIII、IB、及びIIB族の金属原子、及び
アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲル
マニウム、スズ、鉛、並びにビスマスからなる群より選
ばれ、更に好ましくは、マグネシウム、コバルト、亜
鉛、銅、ニッケル、鉄及びマンガンからなる群より選ば
れ、特に好ましくは、マンガンであることを特徴とする
前記（１）又は（２）項に記載の難燃性エポキシ樹脂組
成物である。

【００１３】（４）一般式（２）で表される金属水酸化
物の金属元素Ｍが、好ましくは、IA、IIA、IIIA、IVA、
VA、VIA、VIIA、VIII、IB、及びIIB族の金属原子、ホウ
素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、
ゲルマニウム、スズ、鉛、並びにビスマスからなる群よ
り選ばれ、更に好ましくは、アルミニウム、マグネシウ
ム、カルシウム、モリブデン、亜鉛、ニッケル、パラジ
ウム、銅、鉄、チタン及びホウ素からなる群より選ばれ
ることを特徴とする前記（１）〜（３）項のいずれか１
項に記載の難燃性エポキシ樹脂組成物である。

【００１４】（５）炭酸塩（Ｃ）が、炭酸マンガンで、
金属水酸化物（Ｄ）が、水酸化アルミニウムであること
を特徴とする前記（１）〜（４）項のいずれか１項に記
載の難燃性エポキシ樹脂組成物である。

【００１５】（６）前記（１）〜（５）項のいずれか１
項に記載の難燃性エポキシ樹脂組成物と充填剤とで基本
的に構成される半導体封止材料である。

【００１６】（７）前記（６）項に記載の半導体封止材
料の硬化物で封止された半導体装置である。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の難燃性エポキシ樹脂組成
物、及びそれを用いた半導体封止材料は、ハロゲン化エ
ポキシ樹脂などのハロゲン系化合物やリン系難燃剤を使
用せず、炭酸塩（Ｃ）及び金属水酸化物（Ｄ）を添加す
ることによって、半導体装置の特性を損なうことなく、
難燃性を付与することを骨子とする。

【００１８】本発明に用いる１分子内に少なくとも２個
のエポキシ基を有する非ハロゲン化エポキシ樹脂（Ａ）
としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェ
ノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹
脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、芳香族アミンおよび複
素環式窒素塩基から導かれるN-グリシジル化合物、例え
ば、N,N-ジグリシジルアニリン、 トリグリシジルイソ
シアヌレート、N,N,N',N'-テトラグリシジル-ビス（p-
アミノフェニル）-メタン等が例示されるが、特に、こ
れらに限定されるものではない。これらは、１種類の単
独で、又は２種類以上を組み合わせて用いることができ
る。

【００１９】ただし、本発明が、ハロゲン系化合物を用
いない樹脂組成物を目的とする以上、臭素化ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂や臭素化ノボラック型エポキシ樹
脂などの、ハロゲン化エポキシ樹脂は除外するが、エポ
キシ樹脂の製造工程上、エピクロルヒドリンを起源とす
る通常のエポキシ樹脂に含まれる塩素は、やむを得ず混
入することになる。ただし、その量は当業者に公知のレ
ベルであり、加水分解性塩素にて数百ppmのオーダーで
ある。

【００２０】本発明に用いる硬化剤（Ｂ）は、当業者に
おいてエポキシ樹脂に用いる公知のものは、全て用いる
ことができる。特に、エチレンジアミン、トリメチレン
ジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジ
アミンなどのC₂〜C₂₀の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェ
ニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレ
ンジアミン、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、4,4'-ジ
アミノジフェニルプロパン、4,4'-ジアミノジフェニル
エーテル、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、4,4'-ジ
アミノジシクロヘキサン、ビス（4-アミノフェニル）フ
ェニルメタン、1,5-ジアミノナフタレン、メタキシレン
ジアミン、パラキシレンジアミン、1,1-ビス（4-アミノ
フェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミドなどのア
ミノ類、アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテル
レゾール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert
-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノール
ノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、ポ
リパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレン、フェ
ノールアラルキル樹脂などのフェノール樹脂や酸無水物
などが例示されるが、特にこれらに限定されるものでは
ない。

【００２１】本発明の半導体封止材料において用いる硬
化剤としては、耐湿性、信頼性等の点から、１分子内に
少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する化合物が
好ましく、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボ
ラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、
ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フ
ェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオ
キシスチレンなどのポリオキシスチレン、フェノールア
ラルキル樹脂等が例示される。

【００２２】本発明に用いる一般式（１）で表される炭
酸塩（Ｃ）を構成する金属元素の好ましい具体例として
は、周期表でIＡ、IIＡ、IIIＡ、IVＡ、VＡ、VIＡ、VII
Ａ、VIII、IＢ、及びIIＢ族の金属原子と、アルミニウ
ム、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、
スズ、鉛、ビスマスが挙げられ、これらの少なくとも１
種以上を用いることができる。また、これらの内、更に
好ましいのは、マグネシウム、コバルト、亜鉛、銅、ニ
ッケル、鉄、マンガンである。また、特に好ましいの
は、マンガンである。

【００２３】ここで前記各族の金属原子は、IＡ族がリ
チウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウ
ム、フランシウム、 IIＡ族がベリリウム、マグネシウ
ム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウ
ム、IIIＡ族がスカンジウム、イットリウム、ランタノ
イド、アクチノイド、IVＡ族がチタン、ジルコニウム、
ハフニウム、VＡ族がバナジウム、ニオブ、タンタル、V
IＡ族がクロム、モリブデン、タングステン、VIIＡ族が
マンガン、テクネチウム、レニウム、VIII族が鉄、ルテ
ニウム、オスミニウム、コバルト、ロジウム、イリジウ
ム、ニッケル、パラジウム、白金、 IB族が亜鉛、カド
ミウム、水銀、IIＢ族が銅、銀、金を表す。

【００２４】前記金属元素の内、更に好ましい金属原子
からなる炭酸塩の具体例としては、炭酸マグネシウム
（xMgCO₃yMg(OH)₂zH₂O）、炭酸銅（xCuCO₃yCu(OH)₂zH
₂O）、炭酸ニッケル（xNiCO₃yNi(OH)₂zH₂O）、炭酸コバ
ルト（xCoCO₃yCo(OH)₂zH₂O）、炭酸亜鉛（xZnCO₃yZn(O
H)₂zH₂O）、炭酸鉄（xFeCO₃yFe(OH)₂zH₂O）、炭酸マン
ガン（xMnCO₃yMn(OH)_nzH₂O）[x>0, y, z≧0であって、
互いに同一の値であってもよいし、異なる値であっても
よい。]などが挙げられ、これらの内、炭酸マンガンが
特に好ましい。

【００２５】本発明に用いる一般式（２）で表される金
属水酸化物（Ｄ）を構成する金属元素の好ましい具体例
としては、周期表で IA、IIA、IIIA、IVA、VA、 VIA、
VIIA、 VIII、IB、及びIIB族の金属原子、ホウ素、アル
ミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニ
ウム、スズ、鉛、ビスマスが挙げられ、これらの少なく
とも１種以上を用いることができる。また、これらの
内、更に好ましいのは、アルミニウム、マグネシウム、
カルシウム、モリブデン、亜鉛、ニッケル、パラジウ
ム、銅、鉄、チタンおよびホウ素である。

【００２６】ここで前記各族の金属原子は、IＡ族がリ
チウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウ
ム、フランシウム、 IIＡ族がベリリウム、マグネシウ
ム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウ
ム、IIIＡ族がスカンジウム、イットリウム、ランタノ
イド、アクチノイド、IVＡ族がチタン、ジルコニウム、
ハフニウム、VＡ族がバナジウム、ニオブ、タンタル、V
IＡ族がクロム、モリブデン、タングステン、VIIＡ族が
マンガン、テクネチウム、レニウム、VIII族が鉄、ルテ
ニウム、オスミニウム、コバルト、ロジウム、イリジウ
ム、ニッケル、パラジウム、白金、 IB族が亜鉛、カド
ミウム、水銀、IIＢ族が銅、銀、金を表す。

【００２７】前記金属原子の内、更に好ましい金属原子
からなる金属水酸化物の具体例としては、水酸化アルミ
ニウム 、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、モ
リブデン酸亜鉛 、硼酸亜鉛などが挙げられ、これらの
内、水酸化アルミニウムが特に好ましい。

【００２８】本発明に用いる炭酸塩（Ｃ）と金属水酸化
物（Ｄ）の組み合わせとしては、多数考えられるが、そ
の中でも、炭酸マンガンと水酸化アルミニウムを組み合
わせるのが特に好ましい。

【００２９】本発明に用いる充填剤としては、一般に半
導体封止材料に用いられているものであれば、特に制限
はなく、溶融破砕シリカ粉末、溶融球状シリカ粉末、結
晶シリカ粉末、２次凝集シリカ粉末等のシリカ粉末、ア
ルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タル
ク、クレー、マイカ、ガラス繊維などが挙げられる。中
でも、特に溶融球状シリカ粉末が好ましい。形状は限り
なく真球状であることが好ましく、又、粒子の大きさの
異なるものを混合することにより充填量を多くすること
ができる。

【００３０】本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封
止材料には、上記成分以外に、トリフェニルホスフィ
ン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウン
デセン、２−メチルイミダゾール等の硬化促進剤や、必
要に応じて、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン等のカップリング剤、カーボンブラック等の着色
剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力成
分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪もしくはそ
の金属塩類、パラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各
種添加剤を配合することができる。

【００３１】本発明において、非ハロゲン化エポキシ樹
脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）の配合割合としては、硬化剤
（Ｂ）に水酸基を有するフェノール樹脂等を用いる場
合、非ハロゲン化エポキシ樹脂（Ａ）のエポキシ当量に
対する硬化剤（Ｂ）の水酸基当量の割合が ０．５〜
２．０の範囲で配合することが好ましい。酸無水物の場
合は、酸無水物当量の割合が０．５〜１．５の範囲で配
合することが好ましい。

【００３２】炭酸塩（Ｃ）と金属水酸化物（Ｄ）の配合
量としては、非ハロゲン化エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤
（Ｂ）の和１００重量部に対して炭酸塩（Ｃ）が１５〜
６０重量部、金属水酸化物（Ｄ）が１５〜６０重量部の
割合で配合するのが好ましい。炭酸塩（Ｃ）と金属水酸
化物（Ｄ）の合計の割合が１０重量部未満では難燃効果
が小さく、１２０重量部を超えると流動性や硬化性の低
下する恐れがある。炭酸塩（Ｃ）と金属水酸化物（Ｄ）
の合計の割合としては、１０〜１００重量部が更に好ま
しい。

【００３３】半導体封止材料における充填材の配合量と
しては、炭酸塩（Ｃ）及び金属水酸化物（Ｄ）と合わせ
て、非ハロゲン化エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の
和１００重量部に対して１８６〜４９００重量部が好ま
しい。

【００３４】本発明の難燃性エポキシ樹脂組成物は、成
分（Ａ）〜（Ｄ）を、半導体封止材料は、更に、充填剤
を、また必要に応じて、それぞれ、その他の添加剤を、
任意の組成比に選択し、ミキサーなどにより、十分に均
一になるように混合した後、熱ロールによる混練、また
はコニーダなどによる混練処理を行った後、冷却、固化
させ、適当な大きさに粉砕することで、得ることができ
る。また、分散性を向上させるためにあらかじめエポキ
シ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）とを、予め、溶融して用い
てもよい。得られた半導体封止材料をトランスファー成
形、射出成形などによって半導体素子の封止に好適に用
いられる。

【００３５】本発明の難燃性エポキシ樹脂組成物は、ハ
ロゲン系化合物及びリン系難燃剤を添加することなく製
品の特性を悪化させずに、高度な難燃性を付与すること
が可能な、エポキシ樹脂組成物であり、半導体素子の封
止材料以外にも、電子部品や電機部品の封止材料、被膜
材料、絶縁材料、積層板、金属張り積層板などにも好適
に使用されるものである。

【００３６】

【実施例】以下、実施例により本発明を詳しく説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００３７】（実施例１）球状溶融シリカ（平均粒径２
０μm、最大粒径７５μm）７８．５重量部、炭酸マグネ
シウム（トクヤマ製ＴＴ）３重量部及び水酸化アルミニ
ウム（平均粒径１４μm、最大粒径８０μm ）３重量
部、ビフェニル型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ社
製、商品名YX-4000H、エポキシ当量195g/eq)７．６重量
部、フェノールアラルキル樹脂（三井化学製、商品名XL
-225、水酸基当量175g/eq）６．８重量部、トリフェニ
ルホスフィン０．３重量部、離型剤（天然カルナバワッ
クス）０．３重量部、着色剤（カーボンブラック）０．
２重量部、及びシランカップリング剤０．３重量部を配
合し、熱ロールを用いて混練して、冷却した後粉砕し
て、半導体封止用成形材料を得た。

【００３８】上記で得た成形材料について、流動性及び
硬化性、その硬化物の難燃性及び信頼性を測定した。そ
れぞれの評価方法を以下に示す。 （１）流動性は、スパイラルフロー（ｃｍ）にて評価
し、EMMI規格に準じた金型を使用し、トランスファー成
形機により、金型温度１７５℃、注入圧力６．８６ＭＰ
ａ（70kgf/cm²）の条件で測定した。得られた測定値は
大きい方が、流動性が良い。 （２）硬化性は、トランスファー成形機により、金型温
度１７５℃、１２０秒間成形時の成形品のバーコール硬
度で評価した。 （３）難燃性は、 ＵＬ９４規格に従い垂直法により評
価した。難燃性測定用試験片（厚み１．６ｍｍ）は金型
温度１７５℃で３分間成形した後、試験片を１７５℃で
８時間の後硬化を行った。 （４）信頼性は、難燃性測定用試験片と同様な成形条件
によって、アルミ模擬素子を搭載したモニターＩＣ（16
pDIP）を成形し、これを１２１℃、相対湿度１００％の
環境で１０００時間放置した後の不良（チップシフト
等）数によって評価した。

【００３９】（実施例２〜５）実施例１に用いた炭酸マ
グネシウム及び水酸化アルミニウム合計６重量部に代
え、炭酸ニッケル(関東化学製試薬特級) 、炭酸マンガ
ン(日本化学産業製C2-SP)、水酸化マグネシウム(協和化
学製キスマ５Ｅ)、硼酸亜鉛(ボラックス製Firebrake Z
B) 、また溶融シリカを、表１に従って配合した以外
は、実施例１と同様にして、成形材料を調製し、スパイ
ラルフロー、硬化性、難燃性、及び信頼性を評価した。

【００４０】実施例１〜５の配合組成と評価結果を表１
に示す。

【表１】

【００４１】（比較例１〜７）実施例１に用いた炭酸マ
グネシウム及び水酸化アルミニウムに換えて、クレジル
ジフェニルホスフェート（大八化学（株）製、商品名CD
P）、トリフェニルホスフィンオキシド（大八化学
（株）製、商品名TPP）を用い、各成分を表２に従って
配合した以外は、実施例１と同様にして、成形材料を調
製し、スパイラルフロー、硬化性、難燃性、及び信頼性
を評価した。

【００４２】比較例１〜７の配合組成と評価結果を表２
に示す。

【表２】

【００４３】表１及び表２から、実施例１〜５は、耐燃
性、信頼性試験とも良好であった。中でも実施例３はス
パイラルフローや硬化性、信頼性で特性の低下がより少
なかった。従来の例である比較例で、比較例１は難燃性
ＵＬ９４Ｖ−０であったが信頼性試験で劣る結果であっ
た。比較例２〜４はいずれの結果も満足するものではな
かった。比較例５では炭酸マンガン及び水酸化アルミニ
ウムの配合量をそれぞれ１重量％未満にすると、難燃性
ＵＬ９４Ｖ−０に到達しなかった。比較例６では炭酸マ
ンガン及び水酸化アルミニウムの配合量がそれぞれ１５
重量部を超えるものであり、難燃性ＵＬ９４Ｖ−０であ
ったがスパイラルフローや硬化性の値が大きく低下し、
同時に信頼性も低下した。比較例７は難燃剤を全く添加
しないものであり、信頼性は高かったが燃焼試験は規格
外であった。

【００４４】

【発明の効果】本発明の難燃性エポキシ樹脂組成物及び
それを用いた半導体封止材料は、ハロゲン系化合物やリ
ン系難燃剤を添加することなく、半導体装置の特性を悪
化させずに、且つ、高い難燃性（ＵＬ９４Ｖ−０）を示
し、半導体用材料として信頼性が優れる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 BC12X CC04X CC05X CC07X CD04W CD05W CD06W CD11W CD13W CD14W CE00X DE058 DE068 DE078 DE088 DE098 DE108 DE118 DE138 DE148 DE158 DE267 DE277 DE287 DK008 EN036 EN076 EN126 ET006 FD010 FD090 FD137 FD138 FD14X FD146 FD150 FD160 GJ02 GQ01 4J036 AA01 DA01 FA03 FB01 FB06 FB07 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EB02 EB03 EB07 EB13 EC20

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 １分子内に少なくとも２個のエポキシ基
   を有する非ハロゲン化エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤
   （Ｂ）、一般式（１）で表される炭酸塩（Ｃ）、及び一
   般式（２）で表される金属水酸化物（Ｄ）を必須成分と
   する難燃性エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式（１）において、Ｍ₁、Ｍ₂は金属元素であり、それ
   ぞれ同一であっても異なってもよい。ａ，ｂ，ｃ，ｄ，
   ｎ₁＞０、ｎ₂，ｎ₃≧０である。[（Ｍ₁）_a（ＣＯ ₃）_b]
   の繰り返し単位において、Ｍ₁は同種であっても異種で
   あってもよい。 [（Ｍ₂）_c（ＯＨ）_d]の繰り返し単位に
   おいて、Ｍ₂は同種であっても異種であってもよい。） 【化２】 （式（２）において、Ｍは金属元素であり、ａ，ｂ，ｎ
   ₁，ｎ₂＞０である。 [Ｍ _a Ｏ_b]の繰り返し単位におい
   て、Ｍは同種であっても異種であってもよい。）
2. 【請求項２】 硬化剤（Ｂ）が、１分子内に少なくとも
   ２個のフェノール性水酸基を有する化合物である請求項
   １記載の難燃性エポキシ樹脂組成物。
3. 【請求項３】 一般式（１）で表される炭酸塩の金属元
   素Ｍ₁、Ｍ₂が、IA、IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、V
   III、IB、及びIIB族の金属原子、及びアルミニウム、ガ
   リウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、スズ、
   鉛、並びにビスマスからなる群より選ばれることを特徴
   とする請求項１又は２記載の難燃性エポキシ樹脂組成
   物。
4. 【請求項４】 一般式（１）で表される炭酸塩の金属元
   素Ｍ₁、Ｍ₂が、マグネシウム、コバルト、亜鉛、銅、ニ
   ッケル、鉄及びマンガンからなる群より選ばれることを
   特徴とする請求項３記載の難燃性エポキシ樹脂組成物。
5. 【請求項５】 一般式（１）で表される炭酸塩の金属元
   素Ｍ₁、Ｍ₂が、マンガンであることを特徴とする請求項
   ４記載の難燃性エポキシ樹脂組成物。
6. 【請求項６】 一般式（２）で表される金属水酸化物の
   金属元素Ｍが、IA、IIA、IIIA、IVA、VA、VIA、VIIA、V
   III、IB、及びIIB族の金属原子、ホウ素、アルミニウ
   ム、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、
   スズ、鉛、並びにビスマスからなる群より選ばれること
   を特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の難
   燃性エポキシ樹脂組成物。
7. 【請求項７】 一般式（２）で表される金属水酸化物の
   金属元素Ｍが、アルミニウム、マグネシウム、カルシウ
   ム、モリブデン、亜鉛、ニッケル、パラジウム、銅、
   鉄、チタンおよびホウ素からなる群より選ばれることを
   特徴とする請求項６記載の難燃性エポキシ樹脂組成物。
8. 【請求項８】 炭酸塩（Ｃ）が、炭酸マンガンで、金属
   水酸化物（Ｄ）が、水酸化アルミニウムであることを特
   徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の難燃性
   エポキシ樹脂組成物。
9. 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の
   難燃性エポキシ樹脂組成物と充填剤とで基本的に構成さ
   れる半導体封止材料。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の半導体封止材料の硬化
    物で封止された半導体装置。