JPS61143464A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS61143464A JPS61143464A JP26538184A JP26538184A JPS61143464A JP S61143464 A JPS61143464 A JP S61143464A JP 26538184 A JP26538184 A JP 26538184A JP 26538184 A JP26538184 A JP 26538184A JP S61143464 A JPS61143464 A JP S61143464A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- antimony
- resin
- composition
- brominated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物に関するも
のである。
のである。
近年、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子を安価に封止する
ために、セラミック封止や金属封止に代わシ、熱硬化性
樹脂成形材料を用いて、樹脂封止する方法が行なわれる
ようになった。また、封止用成形材料としては、低圧成
形用エポキシ樹脂成形材料が最も一般的に用いられてい
る。この樹脂封止化に伴ない、封止樹脂の信頼性の向上
は強く要求され、また信頼性評価そのものも非常に厳し
いものとなってきた。例えば、２００℃１０００ｈｒと
いった高温長時間放置にもエポキシ樹脂組成物は耐、す
ることを求められている。この高温保管時の特性の劣化
要因として、現在難燃剤として一般化されているハロゲ
ン化エポキシ樹脂が問題となっている。ハロゲン化エポ
キシ樹脂が高温にさらされた場合、ハロゲン化合物が離
脱しやす（、Ａ／、回路を腐食するためである。しかし
、難燃剤の入っていない組成物は工業性・産業上の有用
性が極めて乏しいものであシ、現在エポキシ樹脂組成物
の離燃剤として一般化されている臭素化エポキシ樹脂／
三酸化アンチモン系難燃剤の検討は非常に重要である。
ために、セラミック封止や金属封止に代わシ、熱硬化性
樹脂成形材料を用いて、樹脂封止する方法が行なわれる
ようになった。また、封止用成形材料としては、低圧成
形用エポキシ樹脂成形材料が最も一般的に用いられてい
る。この樹脂封止化に伴ない、封止樹脂の信頼性の向上
は強く要求され、また信頼性評価そのものも非常に厳し
いものとなってきた。例えば、２００℃１０００ｈｒと
いった高温長時間放置にもエポキシ樹脂組成物は耐、す
ることを求められている。この高温保管時の特性の劣化
要因として、現在難燃剤として一般化されているハロゲ
ン化エポキシ樹脂が問題となっている。ハロゲン化エポ
キシ樹脂が高温にさらされた場合、ハロゲン化合物が離
脱しやす（、Ａ／、回路を腐食するためである。しかし
、難燃剤の入っていない組成物は工業性・産業上の有用
性が極めて乏しいものであシ、現在エポキシ樹脂組成物
の離燃剤として一般化されている臭素化エポキシ樹脂／
三酸化アンチモン系難燃剤の検討は非常に重要である。
そこで本発明者らは、エポキシ樹脂組成物を高温に保管
した時に、分解発生する臭素化合物を低減化させること
に着目し研究した結果、臭素化樹脂と酸化アンチモンと
の添加量の調整によシ耐熱性の飛躍的な向上に効果があ
ることを見出し、。
した時に、分解発生する臭素化合物を低減化させること
に着目し研究した結果、臭素化樹脂と酸化アンチモンと
の添加量の調整によシ耐熱性の飛躍的な向上に効果があ
ることを見出し、。
本研究を完成するに至りたものである。
即ち、本発明は、組成物中の臭素含量をａ重ｉｎｓ、ア
ンチモン含量を５重量％とするとき、ｂ≦３．５、ｂ≧
３ａ、ｂ≧−７ａ＋５を満足する臭素化樹脂と酸化アン
チモンとの配合よりなることを特徴とする半導体封止用
エポキシ樹脂組成物に関するものである。エポキシ樹脂
組成物は、一般にエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、
充填材、表面処理剤等よシ構成される。
ンチモン含量を５重量％とするとき、ｂ≦３．５、ｂ≧
３ａ、ｂ≧−７ａ＋５を満足する臭素化樹脂と酸化アン
チモンとの配合よりなることを特徴とする半導体封止用
エポキシ樹脂組成物に関するものである。エポキシ樹脂
組成物は、一般にエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、
充填材、表面処理剤等よシ構成される。
エポキシ樹脂とは、ビスフェノール型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂等エポキシを有するもの全般をいい
、硬化剤とはフェノールノボラック類、酸無水物類、ア
ミン類等エポキシ樹脂と架橋反応するもの全般をいい、
硬化促進剤とは、イミダゾール類、第３級アミン類、ホ
スフィン化合物、有機アルミニウム化合物等エポキシ樹
脂と硬化剤の架橋反応触媒となるもの全般をいう。
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂等エポキシを有するもの全般をいい
、硬化剤とはフェノールノボラック類、酸無水物類、ア
ミン類等エポキシ樹脂と架橋反応するもの全般をいい、
硬化促進剤とは、イミダゾール類、第３級アミン類、ホ
スフィン化合物、有機アルミニウム化合物等エポキシ樹
脂と硬化剤の架橋反応触媒となるもの全般をいう。
無機質充填材とは、シリカ、クレー、マイカ、ガラス、
アスベスト等のこと、表面処理剤とは、シランカップリ
ング剤、チタンカップリング剤等の充填材改質剤のこと
をいう。
アスベスト等のこと、表面処理剤とは、シランカップリ
ング剤、チタンカップリング剤等の充填材改質剤のこと
をいう。
本発明で用いる臭素化樹脂とは、臭素化ビスフェノール
型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、臭素化フェノール樹脂等臭素を含有する樹脂全
般をいう。
型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、臭素化フェノール樹脂等臭素を含有する樹脂全
般をいう。
酸化アンチモンとは、三酸化アンチモン四酸化アンチモ
ン五酸化アンチモン等のことをいう。
ン五酸化アンチモン等のことをいう。
最後に、；ンピエーターのＩＣ部品等の封入成形材料と
して用いるときは、エポキシ樹脂はクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、硬化剤はフェノールノボラック、充
填材はシリカを使用することが望ましい。ＩＣ部用とし
て要求される耐熱性及び耐湿性の水準は他用途に比べは
るかに厳しいからである。
して用いるときは、エポキシ樹脂はクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、硬化剤はフェノールノボラック、充
填材はシリカを使用することが望ましい。ＩＣ部用とし
て要求される耐熱性及び耐湿性の水準は他用途に比べは
るかに厳しいからである。
また、本発明において臭素量及びアンチモン量を限定し
た理由は、この数値範囲外では、得られる半導体装置の
耐熱性が不良となると共に１難燃性、耐湿性、成形性の
劣化を招くからである。
た理由は、この数値範囲外では、得られる半導体装置の
耐熱性が不良となると共に１難燃性、耐湿性、成形性の
劣化を招くからである。
本発明は上記のように、高温保管時発生する臭素化合物
を抑制したエポキシ樹脂組成物を提供するものであシ、
本発明のエポキシ樹脂組成物で封止したＩＣ１ＬＳＩは
従来のものに比べて信頼性、特に耐熱性が極めて優れる
という特徴を持つ。即チ、ＩＣ−ＬＳＩのプラスチック
化をさらに促進させるものであ、り、ＩＣ，ＬＳＩの汎
用化に寄与する効果は非常に大きいものがある。
を抑制したエポキシ樹脂組成物を提供するものであシ、
本発明のエポキシ樹脂組成物で封止したＩＣ１ＬＳＩは
従来のものに比べて信頼性、特に耐熱性が極めて優れる
という特徴を持つ。即チ、ＩＣ−ＬＳＩのプラスチック
化をさらに促進させるものであ、り、ＩＣ，ＬＳＩの汎
用化に寄与する効果は非常に大きいものがある。
以下、半導体封止用成形材料での検討例で説明する。実
施例及び比較例で用いた原料は次の通りである。又、配
合における部は全て重量部である。
施例及び比較例で用いた原料は次の通りである。又、配
合における部は全て重量部である。
実施例１〜２及び比較例３〜６
エボキシ樹脂：住友化学 ＥＳＣＮ−１９５ＸＬ硬 化
剤：日本化薬 ＰＮ−１００ 硬化促進剤：住友化学 スミキエアＤ 充 填 材：龍森 溶融シリカ 表面処理剤：信越化学工業 離 型 剤： ヘキストワックスジャパン へキス
トワックスＯＰ 臭素化樹脂：大日本インキ エピクロン−１５２酸化ア
ンチモン：住友金属鉱山 二酸化アンチモンエポキシ樹
脂とフェノール樹脂をエポキシ基／フェノール性水醗基
＝１／１（モル比）の比率で合計が３０部になるよう仕
込む。さらに触媒０．２部、充填材７０部、表面処理剤
０．３部、離型剤０．３部、臭素化エポキシ樹脂、二酸
化アンチモンを加え混合後、コニーダーを用い混練し、
冷却後粉砕して粉末組成物とした。こめ組成物を用いて
、アルミ模擬素子を封止したテスト用ＩＣを得た。得ら
れた半導体装置の耐熱性試験結果を第１表に示す。
剤：日本化薬 ＰＮ−１００ 硬化促進剤：住友化学 スミキエアＤ 充 填 材：龍森 溶融シリカ 表面処理剤：信越化学工業 離 型 剤： ヘキストワックスジャパン へキス
トワックスＯＰ 臭素化樹脂：大日本インキ エピクロン−１５２酸化ア
ンチモン：住友金属鉱山 二酸化アンチモンエポキシ樹
脂とフェノール樹脂をエポキシ基／フェノール性水醗基
＝１／１（モル比）の比率で合計が３０部になるよう仕
込む。さらに触媒０．２部、充填材７０部、表面処理剤
０．３部、離型剤０．３部、臭素化エポキシ樹脂、二酸
化アンチモンを加え混合後、コニーダーを用い混練し、
冷却後粉砕して粉末組成物とした。こめ組成物を用いて
、アルミ模擬素子を封止したテスト用ＩＣを得た。得ら
れた半導体装置の耐熱性試験結果を第１表に示す。
本発明による臭素化樹脂を酸化アンチモンとの添加量を
用いた場合、他の添加量のものく比べ極めて優れた耐熱
性を示すことが判った。
用いた場合、他の添加量のものく比べ極めて優れた耐熱
性を示すことが判った。
高温特性：テスト用ＩＣを２００℃１０００ｈｒ放置し
た時の不良数／テスト総数 耐湿性：テスト用ＩＣを１２０℃１００％の温湿度条件
で１０００時間放置した時の不良数／テスト総数
た時の不良数／テスト総数 耐湿性：テスト用ＩＣを１２０℃１００％の温湿度条件
で１０００時間放置した時の不良数／テスト総数
Claims (1)
- 組成物中の臭素含量をａ重量％、アンチモン含量をｂ重
量％とするとき、ｂ≦３．５、ｂ≧３ａ、ｂ≧−７ａ＋
５を満足する臭素化樹脂と酸化アンチモンとの配合より
なることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26538184A JPS61143464A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26538184A JPS61143464A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61143464A true JPS61143464A (ja) | 1986-07-01 |
| JPH032389B2 JPH032389B2 (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=17416388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26538184A Granted JPS61143464A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61143464A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437044A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-07 | Hitachi Ltd | Resin-sealed semiconductor device |
| US5104604A (en) * | 1989-10-05 | 1992-04-14 | Dexter Electronic Materials Div. Of Dexter Corp. | Flame retardant epoxy molding compound, method and encapsulated device method of encapsulating a semiconductor device with a flame retardant epoxy molding compound |
-
1984
- 1984-12-18 JP JP26538184A patent/JPS61143464A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437044A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-07 | Hitachi Ltd | Resin-sealed semiconductor device |
| US5104604A (en) * | 1989-10-05 | 1992-04-14 | Dexter Electronic Materials Div. Of Dexter Corp. | Flame retardant epoxy molding compound, method and encapsulated device method of encapsulating a semiconductor device with a flame retardant epoxy molding compound |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH032389B2 (ja) | 1991-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |