JP2000281872A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JP2000281872A JP2000281872A JP11093833A JP9383399A JP2000281872A JP 2000281872 A JP2000281872 A JP 2000281872A JP 11093833 A JP11093833 A JP 11093833A JP 9383399 A JP9383399 A JP 9383399A JP 2000281872 A JP2000281872 A JP 2000281872A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性に優れた
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、全エポ
キシ樹脂組成物中に０．１〜５重量％のゼオライト、無
機充填材、硬化促進剤、及び赤燐の表面を水酸化アルミ
ニウムで被覆した後、更にその表面をフェノール樹脂で
被覆した赤燐系難燃剤を必須成分とするエポキシ樹脂組
成物。
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、全エポ
キシ樹脂組成物中に０．１〜５重量％のゼオライト、無
機充填材、硬化促進剤、及び赤燐の表面を水酸化アルミ
ニウムで被覆した後、更にその表面をフェノール樹脂で
被覆した赤燐系難燃剤を必須成分とするエポキシ樹脂組
成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高温保管特性、耐
湿信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物、及びこれを用い
て半導体素子を封止してなる半導体装置に関するもので
ある。
湿信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物、及びこれを用い
て半導体素子を封止してなる半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の封
止には、エポキシ樹脂組成物（以下、樹脂組成物とい
う）を用いた低圧封入法が一般に用いられている。この
樹脂組成物には難燃性が要求されており、通常、難燃剤
として臭素化合物と酸化アンチモンとが配合されてい
る。しかしながら、この樹脂組成物で封止された半導体
装置を高温下で保管した場合、これらの難燃剤成分から
熱分解した臭素化物が遊離し、半導体素子の接合部を腐
食し、装置の信頼性を損なうことが知られており、難燃
剤として臭素化合物と酸化アンチモンを用いなくとも、
難燃グレードＶ−０を達成できる樹脂組成物が要求され
ている。このように、半導体装置を高温下（例えば１８
５℃等）に放置した後の半導体素子の接合部（ボンディ
ングパッド部）の耐腐食性のことをを高温保管特性とい
い、この高温保管特性を改善する手法としては、五酸化
二アンチモンを使用する方法（特開昭５５−１４６９５
０号公報）や、酸化アンチモンと有機ホスフィンとを組
み合わせる方法（特開昭６１−５３３２１号公報）等が
検討され、効果が確認されているが、最近の半導体装置
に対する高温保管特性の高い要求レベルには到達してい
ない。又、赤燐系難燃剤を使用する方法が非常に有効で
あることが最近の報文等で紹介されているが、チップに
保護膜が施されていない素子を用いた半導体装置や、ガ
ラス転移温度が試験温度よりも低い樹脂組成物系など、
耐湿性が極端に弱い分野へ適用した場合は要求を完全に
満たしておらず、更なる改良が求められている。即ち、
難燃剤として臭素化合物と酸化アンチモンを用いなくと
も、難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性に優れたエポキ
シ樹脂組成物が要求されている。
止には、エポキシ樹脂組成物（以下、樹脂組成物とい
う）を用いた低圧封入法が一般に用いられている。この
樹脂組成物には難燃性が要求されており、通常、難燃剤
として臭素化合物と酸化アンチモンとが配合されてい
る。しかしながら、この樹脂組成物で封止された半導体
装置を高温下で保管した場合、これらの難燃剤成分から
熱分解した臭素化物が遊離し、半導体素子の接合部を腐
食し、装置の信頼性を損なうことが知られており、難燃
剤として臭素化合物と酸化アンチモンを用いなくとも、
難燃グレードＶ−０を達成できる樹脂組成物が要求され
ている。このように、半導体装置を高温下（例えば１８
５℃等）に放置した後の半導体素子の接合部（ボンディ
ングパッド部）の耐腐食性のことをを高温保管特性とい
い、この高温保管特性を改善する手法としては、五酸化
二アンチモンを使用する方法（特開昭５５−１４６９５
０号公報）や、酸化アンチモンと有機ホスフィンとを組
み合わせる方法（特開昭６１−５３３２１号公報）等が
検討され、効果が確認されているが、最近の半導体装置
に対する高温保管特性の高い要求レベルには到達してい
ない。又、赤燐系難燃剤を使用する方法が非常に有効で
あることが最近の報文等で紹介されているが、チップに
保護膜が施されていない素子を用いた半導体装置や、ガ
ラス転移温度が試験温度よりも低い樹脂組成物系など、
耐湿性が極端に弱い分野へ適用した場合は要求を完全に
満たしておらず、更なる改良が求められている。即ち、
難燃剤として臭素化合物と酸化アンチモンを用いなくと
も、難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性に優れたエポキ
シ樹脂組成物が要求されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、難燃性、高
温保管特性、耐湿信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物、
及びこれを用いた半導体装置を提供するものである。
温保管特性、耐湿信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物、
及びこれを用いた半導体装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）全エポキシ樹脂
組成物中に０．１〜５重量％のゼオライト、（Ｄ）無機
充填材、（Ｅ）硬化促進剤、及び（Ｆ）赤燐の表面を水
酸化アルミニウムで被覆した後、更にその表面をフェノ
ール樹脂で被覆した赤燐系難燃剤を必須成分とし、特
に、ゼオライトの平均粒径が１０〜１００μｍ、ＢＥＴ
法による比表面積が８００〜３５００ｍ2／ｇであり、
赤燐系難燃剤が、平均粒径１〜７０μｍ、最大粒径１５
０μｍ以下であり、且つ赤燐系難燃剤中の赤燐の含有量
が６０〜９５重量％であるエポキシ樹脂組成物、及びこ
れを用いた半導体装置である。
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）全エポキシ樹脂
組成物中に０．１〜５重量％のゼオライト、（Ｄ）無機
充填材、（Ｅ）硬化促進剤、及び（Ｆ）赤燐の表面を水
酸化アルミニウムで被覆した後、更にその表面をフェノ
ール樹脂で被覆した赤燐系難燃剤を必須成分とし、特
に、ゼオライトの平均粒径が１０〜１００μｍ、ＢＥＴ
法による比表面積が８００〜３５００ｍ2／ｇであり、
赤燐系難燃剤が、平均粒径１〜７０μｍ、最大粒径１５
０μｍ以下であり、且つ赤燐系難燃剤中の赤燐の含有量
が６０〜９５重量％であるエポキシ樹脂組成物、及びこ
れを用いた半導体装置である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ樹脂は、
分子中にエポキシ基を有するものであれば特に限定しな
いが、例えば、オルソクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェ
ノールメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキ
シ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポ
キシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられ、こ
れらは単独でも混合して用いてもよい。樹脂組成物の硬
化性を考えると、エポキシ当量は１５０〜３００が望ま
しい。
分子中にエポキシ基を有するものであれば特に限定しな
いが、例えば、オルソクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェ
ノールメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキ
シ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポ
キシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられ、こ
れらは単独でも混合して用いてもよい。樹脂組成物の硬
化性を考えると、エポキシ当量は１５０〜３００が望ま
しい。
【０００６】本発明に用いるフェノール樹脂は、分子中
にフェノール性水酸基を有するのもであれば特に限定し
ないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノー
ルアラルキル樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、及び
これらの変性樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合
して用いてもよい。樹脂組成物の硬化性を考えると、水
酸基当量は８０〜２５０が望ましい。
にフェノール性水酸基を有するのもであれば特に限定し
ないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノー
ルアラルキル樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、及び
これらの変性樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合
して用いてもよい。樹脂組成物の硬化性を考えると、水
酸基当量は８０〜２５０が望ましい。
【０００７】本発明に用いるゼオライトは、広く工業的
に用いられるものであれば特に限定しない。又、平均粒
径１０〜１００μｍ、ＢＥＴ法による比表面積８００〜
３５００ｍ2／ｇのものが好ましい。平均粒径が１０μ
ｍ未満だと流動性の低下を招き、１００μｍを越えると
成形時に金型ゲート部を塞ぎ、未充填不良が発生するお
それがある。又、比表面積が８００ｍ2／ｇ未満だと充
分な耐湿信頼性を得るために必要な吸着効果がなく、３
５００ｍ2／ｇを越えると流動性の低下を招くおそれが
ある。ゼオライトの配合量としては、全樹脂組成物中に
０．１〜５重量％が好ましい。０．１重量％未満だと高
温保管特性に対する効果が少なく、５重量％を越えると
封止材料特性として必要不可欠な難燃性が満足されず、
又、流動性が低下するので好ましくない。
に用いられるものであれば特に限定しない。又、平均粒
径１０〜１００μｍ、ＢＥＴ法による比表面積８００〜
３５００ｍ2／ｇのものが好ましい。平均粒径が１０μ
ｍ未満だと流動性の低下を招き、１００μｍを越えると
成形時に金型ゲート部を塞ぎ、未充填不良が発生するお
それがある。又、比表面積が８００ｍ2／ｇ未満だと充
分な耐湿信頼性を得るために必要な吸着効果がなく、３
５００ｍ2／ｇを越えると流動性の低下を招くおそれが
ある。ゼオライトの配合量としては、全樹脂組成物中に
０．１〜５重量％が好ましい。０．１重量％未満だと高
温保管特性に対する効果が少なく、５重量％を越えると
封止材料特性として必要不可欠な難燃性が満足されず、
又、流動性が低下するので好ましくない。
【０００８】本発明に用いる無機充填材の種類には特に
制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使
用することができる。例えば、溶融破砕シリカ粉末、溶
融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ、チタン
ホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラ
ス繊維等が挙げられる。
制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使
用することができる。例えば、溶融破砕シリカ粉末、溶
融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ、チタン
ホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラ
ス繊維等が挙げられる。
【０００９】本発明に用いる硬化促進剤は、エポキシ樹
脂とフェノール樹脂の反応を促進できるものであれば特
に限定しないが、例えば、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリブチルアミン等の
アミン化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニ
ルホスフォニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機
リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾー
ル化合物等が挙げられ、これらは単独でも混合して用い
てもよい。
脂とフェノール樹脂の反応を促進できるものであれば特
に限定しないが、例えば、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７、トリブチルアミン等の
アミン化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニ
ルホスフォニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機
リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾー
ル化合物等が挙げられ、これらは単独でも混合して用い
てもよい。
【００１０】本発明に用いる赤燐系難燃剤には、赤燐の
表面を水酸化アルミニウムで被覆した後、更にその表面
をフェノール樹脂で被覆したものである。被覆に用いる
水酸化アルミニウム及びフェノール樹脂は、一般に使用
されているものであれば何でもよく、特に制限されるも
のではない。被覆の方法についても何ら制限を加えるも
のではないが、被覆の均一性の点から、液相中で硫酸ア
ルミニウムや硝酸アルミニウム等を還元して水酸化アル
ミニウムに変化させることで赤燐を被覆し、更にレゾー
ル樹脂溶液中で酸を用い、生成したフェノール樹脂で被
覆し、乾燥する方法が最も好ましい。赤燐系難燃剤中の
赤燐の含有量としては、６０〜９５重量％がより好まし
い。赤燐の含有量が６０重量％未満だと難燃性を得るた
めに赤燐系難燃剤を樹脂組成物中に多量に配合する必要
があり、９５重量％を越えると赤燐の安定性が低下する
おそれがある。又、赤燐系難燃剤は平均粒径が１〜７０
μｍ、最大粒径が１５０μｍ以下のものが好ましい。平
均粒径が１μｍ未満だと樹脂組成物の流動性の低下を招
き、７０μｍを越えると赤燐系難燃剤の分散が悪化する
ために難燃剤としての効果が現れなくなるので好ましく
ない。又、最大粒径が１５０μｍを越えると半導体装置
の充填性に問題が生じる。赤燐系難燃剤の配合量として
は全樹脂組成物中に０．５〜５重量％が好ましく、０．
５重量％未満では充分な難燃性が得られず、５重量％を
越えると赤燐が逆に樹脂成分の燃焼を助けてしまい充分
な難燃性が得られず、又、加速試験としての高温高湿処
理中に、発生するリン酸イオンのために耐湿信頼性が低
下するので好ましくない。赤燐系難燃剤としては、例え
ば燐化学工業(株)のノーバレッド、ノーバエクセル等が
あり、市場から簡単に入手することができる。赤燐系難
燃剤、ゼオライトは各々高温保管特性を向上させる添加
剤であるが、両者を併用することにより、理由は定かで
ないが相乗効果として、各々を単独で用いた場合に比
べ、高温保管特性も改良され、耐湿性が格段に向上す
る。
表面を水酸化アルミニウムで被覆した後、更にその表面
をフェノール樹脂で被覆したものである。被覆に用いる
水酸化アルミニウム及びフェノール樹脂は、一般に使用
されているものであれば何でもよく、特に制限されるも
のではない。被覆の方法についても何ら制限を加えるも
のではないが、被覆の均一性の点から、液相中で硫酸ア
ルミニウムや硝酸アルミニウム等を還元して水酸化アル
ミニウムに変化させることで赤燐を被覆し、更にレゾー
ル樹脂溶液中で酸を用い、生成したフェノール樹脂で被
覆し、乾燥する方法が最も好ましい。赤燐系難燃剤中の
赤燐の含有量としては、６０〜９５重量％がより好まし
い。赤燐の含有量が６０重量％未満だと難燃性を得るた
めに赤燐系難燃剤を樹脂組成物中に多量に配合する必要
があり、９５重量％を越えると赤燐の安定性が低下する
おそれがある。又、赤燐系難燃剤は平均粒径が１〜７０
μｍ、最大粒径が１５０μｍ以下のものが好ましい。平
均粒径が１μｍ未満だと樹脂組成物の流動性の低下を招
き、７０μｍを越えると赤燐系難燃剤の分散が悪化する
ために難燃剤としての効果が現れなくなるので好ましく
ない。又、最大粒径が１５０μｍを越えると半導体装置
の充填性に問題が生じる。赤燐系難燃剤の配合量として
は全樹脂組成物中に０．５〜５重量％が好ましく、０．
５重量％未満では充分な難燃性が得られず、５重量％を
越えると赤燐が逆に樹脂成分の燃焼を助けてしまい充分
な難燃性が得られず、又、加速試験としての高温高湿処
理中に、発生するリン酸イオンのために耐湿信頼性が低
下するので好ましくない。赤燐系難燃剤としては、例え
ば燐化学工業(株)のノーバレッド、ノーバエクセル等が
あり、市場から簡単に入手することができる。赤燐系難
燃剤、ゼオライトは各々高温保管特性を向上させる添加
剤であるが、両者を併用することにより、理由は定かで
ないが相乗効果として、各々を単独で用いた場合に比
べ、高温保管特性も改良され、耐湿性が格段に向上す
る。
【００１１】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｆ）成
分の他、難燃助剤、シランカップリング剤、着色剤、天
然ワックスや合成ワックス等の離型剤、シリコーンオイ
ル等の低応力成分等の種々の添加剤を適宜添加して使用
しても差し支えない。本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｆ）成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用いて
常温混合し、ロール、押出機等の混練機で混練し、冷却
後粉砕して得られる。本発明の樹脂組成物を用いて、半
導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造する
には、トランスファーモールド、コンプレッションモー
ルド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成
形すればよい。
分の他、難燃助剤、シランカップリング剤、着色剤、天
然ワックスや合成ワックス等の離型剤、シリコーンオイ
ル等の低応力成分等の種々の添加剤を適宜添加して使用
しても差し支えない。本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｆ）成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用いて
常温混合し、ロール、押出機等の混練機で混練し、冷却
後粉砕して得られる。本発明の樹脂組成物を用いて、半
導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造する
には、トランスファーモールド、コンプレッションモー
ルド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成
形すればよい。
【００１２】
【実施例】以下に、実施例を挙げて説明するが、本発明
はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
配合割合は重量部とする。先ず、実施例及び比較例で用
いた原料を示す。 エポキシ樹脂Ａ（住友化学工業（株）・製ＥＳＣＮ−１
９５ＬＡ、軟化点６５℃、エポキシ当量２００） エポキシ樹脂Ｂ（油化シェルエポキシ（株）・製ＹＸ−
４０００、融点１０５℃、エポキシ当量１９５） フェノールノボラック樹脂（軟化点９０℃、水酸基当量
１０４） ゼオライト（東ソー（株）・ゼオラムＦ−９、平均粒径
１０オングストローム、ＢＥＴ法による比表面積３２０
０ｍ2／ｇ） 無機充填材（溶融破砕シリカ、平均粒径１３μｍ） 硬化促進剤（１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウ
ンデセン−７、以下ＤＢＵという） 赤燐系難燃剤（燐化学工業（株）・製ノーバエクセルＳ
Ｔ１４０、赤燐含有量９３重量％、平均粒径３０μｍ、
最大粒径１１０μｍ） シランカップリング剤 カーボンブラック カルナバワックス
はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
配合割合は重量部とする。先ず、実施例及び比較例で用
いた原料を示す。 エポキシ樹脂Ａ（住友化学工業（株）・製ＥＳＣＮ−１
９５ＬＡ、軟化点６５℃、エポキシ当量２００） エポキシ樹脂Ｂ（油化シェルエポキシ（株）・製ＹＸ−
４０００、融点１０５℃、エポキシ当量１９５） フェノールノボラック樹脂（軟化点９０℃、水酸基当量
１０４） ゼオライト（東ソー（株）・ゼオラムＦ−９、平均粒径
１０オングストローム、ＢＥＴ法による比表面積３２０
０ｍ2／ｇ） 無機充填材（溶融破砕シリカ、平均粒径１３μｍ） 硬化促進剤（１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウ
ンデセン−７、以下ＤＢＵという） 赤燐系難燃剤（燐化学工業（株）・製ノーバエクセルＳ
Ｔ１４０、赤燐含有量９３重量％、平均粒径３０μｍ、
最大粒径１１０μｍ） シランカップリング剤 カーボンブラック カルナバワックス
【００１３】 実施例１ エポキシ樹脂Ａ １００重量部 フェノールノボラック樹脂 ６０重量部 ゼオライト １０重量部 溶融破砕シリカ ７００重量部 ＤＢＵ ２重量部 赤燐系難燃剤 １５重量部 シランカップリング剤 ５重量部 カーボンブラック ３重量部 カルナバワックス ５重量部 をミキサーで混合後、１００℃で二軸ロールを用いて混
練し、冷却混合後粉砕し、樹脂組成物とした。得られた
樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示
す。
練し、冷却混合後粉砕し、樹脂組成物とした。得られた
樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示
す。
【００１４】評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注
入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で測定した。単
位はｃｍ。 難燃性：ＵＬ−９４に準拠し、テストピース厚１／８ｉ
ｎｃｈで測定した。 高温保管特性：低圧トランスファー成形機を用いて、金
型温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分
で１６ｐＤＩＰ（パッケージ幅３００ｍｉｌｓ）を成形
し、１７５℃、８時間のポストキュアを行い、１０個の
パッケージを得た。得られたパッケージを１８５℃に保
管し、常温でパッケージの配線の電気抵抗値を調べた。
５００時間まで試験し、初期抵抗値の１．２倍以上の抵
抗値を示したものを不良と判定した。不良の生じたパッ
ケージがｎ個であるとき、ｎ／１０と表示した。 耐湿信頼性：低圧トランスファー成形機を用いて、金型
温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で
１６ｐＤＩＰ（パッケージ幅３００ｍｉｌｓ）を成形
し、１７５℃、８時間のポストキュアを行い、１０個の
パッケージを得た。チップは保護膜を施していないアル
ミ配線がむき出しのものを用いた。得られたパッケージ
を１２５℃、２．３気圧の高温高湿槽に５．５Ｖの電圧
を印加したまま保管し、２００時間まで試験した後、導
通試験を行った。１端子でも導通しないものを不良と判
定した。不良の生じたパッケージがｎ個であるとき、ｎ
／１０と表示した。
ラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注
入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で測定した。単
位はｃｍ。 難燃性：ＵＬ−９４に準拠し、テストピース厚１／８ｉ
ｎｃｈで測定した。 高温保管特性：低圧トランスファー成形機を用いて、金
型温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分
で１６ｐＤＩＰ（パッケージ幅３００ｍｉｌｓ）を成形
し、１７５℃、８時間のポストキュアを行い、１０個の
パッケージを得た。得られたパッケージを１８５℃に保
管し、常温でパッケージの配線の電気抵抗値を調べた。
５００時間まで試験し、初期抵抗値の１．２倍以上の抵
抗値を示したものを不良と判定した。不良の生じたパッ
ケージがｎ個であるとき、ｎ／１０と表示した。 耐湿信頼性：低圧トランスファー成形機を用いて、金型
温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で
１６ｐＤＩＰ（パッケージ幅３００ｍｉｌｓ）を成形
し、１７５℃、８時間のポストキュアを行い、１０個の
パッケージを得た。チップは保護膜を施していないアル
ミ配線がむき出しのものを用いた。得られたパッケージ
を１２５℃、２．３気圧の高温高湿槽に５．５Ｖの電圧
を印加したまま保管し、２００時間まで試験した後、導
通試験を行った。１端子でも導通しないものを不良と判
定した。不良の生じたパッケージがｎ個であるとき、ｎ
／１０と表示した。
【００１５】実施例２〜４ 表１の配合に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を
得、実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示
す。 比較例１〜６ 表２の配合に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を
得、実施例１と同様にして評価した。結果を表２に示
す。
得、実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示
す。 比較例１〜６ 表２の配合に従い、実施例１と同様にして樹脂組成物を
得、実施例１と同様にして評価した。結果を表２に示
す。
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【発明の効果】本発明に従うと、難燃性、高温保管特
性、耐湿信頼性に極めて優れた半導体装置を得ることが
できる。
性、耐湿信頼性に極めて優れた半導体装置を得ることが
できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 9/02 Ｃ０８Ｋ 9/02 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC03X CC04X CC06X CC27X CD02W CD03W CD05W CD06W CD07W DA059 DE137 DE147 DJ006 DJ017 DJ037 DJ047 DL007 EN028 EU098 EU118 EW138 EW178 EZ008 FB079 FB269 FD017 FD139 FD14X FD158 FD160 GQ05 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB18 EB19 EC01 EC03 EC14 EC20
Claims (4)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）全エポキシ樹脂組成物中に０．１〜５重量
％のゼオライト、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）硬化促進
剤、及び（Ｆ）赤燐の表面を水酸化アルミニウムで被覆
した後、更にその表面をフェノール樹脂で被覆した赤燐
系難燃剤を必須成分とすることを特徴とするエポキシ樹
脂組成物。 - 【請求項２】 ゼオライトが、平均粒径１０〜１００μ
ｍ、ＢＥＴ法による比表面積８００〜３５００ｍ2／ｇ
である請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 赤燐系難燃剤が、平均粒径１〜７０μ
ｍ、最大粒径１５０μｍ以下であり、且つ赤燐系難燃剤
中の赤燐の含有量が６０〜９５重量％である請求項１、
又は２記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】 請求項１、２、又は３記載のエポキシ樹
脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11093833A JP2000281872A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11093833A JP2000281872A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000281872A true JP2000281872A (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=14093401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11093833A Pending JP2000281872A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000281872A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002338932A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Sony Chem Corp | 接着剤 |
| JP2006274186A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US8315031B2 (en) | 2007-10-12 | 2012-11-20 | Panasonic Corporation | Case mold type capacitor |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP11093833A patent/JP2000281872A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002338932A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Sony Chem Corp | 接着剤 |
| JP2006274186A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US8315031B2 (en) | 2007-10-12 | 2012-11-20 | Panasonic Corporation | Case mold type capacitor |
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