KR20040063386A - 연마용 실리카입자 및 연마재 - Google Patents

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Abstract

스크래치(상처)의 발생을 억제하여, 기판표면을 평탄하게 연마하기 위한 실리카입자로서, 평균입자지름이 5∼300nm의 범위에 있고, 탄소함유량이 0.5∼5중량%이며, 10% 압축탄성율이 500∼3000kgf/mm2의 범위에 있다. 실리카입자 중의 탄소의 함유량이 0.5중량% 미만인 경우는, 예를 들면 탄소원인 알콕시잔기가 없고, 실록산결합이 진행하여, 입자가 딱딱하고, 이 때문에 연마속도는 빠르지만 스크래치가 잔존하거나, 새롭게 생성하여, 연마면의 평활성이 불충분해진다. 한편, 탄소 함유량이 5중량%를 넘으면, 알콕시잔기가 많아져, 이 때문에 입자는 비교적 부드럽고, 충분한 연마속도를 얻을 수 없다.

Description

연마용 실리카입자 및 연마재{SILICA PARTICLES FOR POLISHING AND POLISHING AGENT}
본 발명은, 기판의 평탄화를 위해, 특히 반도체 집적회로에 있어서의 금속배선층의 형성 등에 유용한 연마용 실리카입자 및 해당 연마용 입자를 포함하여 이루어지는 연마재에 관한 것이다.
컴퓨터, 각종 전자기기에는 각종 집적회로가 사용되고 있으며, 이들의 소형화, 고성능화에 따라 회로의 고밀도화와 고성능화가 요구되고 있다.
이 중에서, 예를 들면 반도체 집적회로는, 종래, 반도체 집적회로의 집적도(集積度)를 높이기 위해서 다층배선이 사용되고 있으며, 이러한 다층배선은, 통상, 실리콘 등의 기판상에, 제 1 절연막으로서 열산화막을 형성한 후, 알루미늄막 등으로 이루어지는 제 1 배선층을 형성하고, 이 위에 CVD법 혹은 플라즈마 CVD법 등에 따라서, 실리카막, 질화규소막 등의 층간절연막을 피착시키고, 이 층간절연막상에, 해당 층간절연막을 평탄화하기 위한 실리카절연막을 SOG법에 의해 형성하여, 이 실리카절연막상에 필요에 따라 더욱 제 2 절연막을 피착시킨 후, 제 2 배선층을 형성함으로써 제조되고 있다.
상기 알루미늄막으로 이루어지는 배선은, 다층배선을 형성할 때의 스퍼터링시에 알루미늄 등의 배선이 산화되어 저항치가 증대하여 도전불량을 일으키는 경우가 있었다. 또한, 배선폭을 작게 할 수 없기 때문에 보다 고밀도의 집적회로를 형성하는 데에는 한계가 있었다. 또한, 근래 클록선이나 데이터버스선과 같은 장거리배선에서는, 칩 사이즈의 증대에 따라 배선저항이 증대하여 전기신호의 전파지연시간(RC지연시간=저항 ×용량)의 증대가 문제가 되고 있다. 이 때문에 배선을 보다 낮은 저항의 재료로 대체하여 나갈 필요가 생기고 있다.
종래의 Al이나 Al합금에 의한 배선 대신에 Cu배선을 하는 것도 제안되어 있으며, 예를 들면, 기판상의 절연막에 미리 배선 홈을 형성한 후, 전해도금법, CVD법 등에 의해 Cu배선을 형성하는 방법이 공지이다.
이 구리 등의 배선패턴형성에 있어서는, 드라이 에치 프로세스에 의한 가공이 곤란하기 때문에, 화학기계연마방법(이하, CMP라고 하는 경우도 있다)을 사용한 다마신(damascene) 프로세스가 적용되고 있으며, 기판상의 절연막에 미리 배선홈을 형성하여, 전해도금법이나 CVD법 등에 의해 구리를 배선홈에 매립한 후, CMP에 의해 상단면을 연마하고, 평탄화하여 배선을 형성하고 있다. 예를 들면, 실리콘웨이퍼 등의 기재(基材) 상에 배선층간막(절연막)을 성막(成膜)하고, 그 배선층간막(절연막)상에 금속배선용의 홈 패턴을 형성하고, 필요에 따라 스퍼터링법 등에 의해서 TaN 등의 배리어 메탈층을 형성하고, 계속해서 금속배선용 구리를 CVD법 등에 의해 성막한다. 여기서, TaN 등의 배리어 메탈층을 형성한 경우에는 층간절연막에의 구리나 불순물 등의 확산이나 침식에 따른 층간절연막의 절연성의 저하 등을 방지할수 있고, 또한 층간절연막과 구리의 접착성을 높일 수 있다.
이어서, 홈 내 이외에 성막된 불필요한 구리 및 배리어 메탈(희생층이라고 하는 경우가 있다)을 CMP에 의해 연마하여 제거함과 동시에 상부 표면을 가능한 한 평탄화하여, 홈 내에만 금속막을 남기고 구리의 배선·회로패턴을 형성한다.
CMP는, 일반적으로 회전기구를 가진 원형 플래튼상에 연마 패드를 탑재하고, 연마 패드의 중심 상부로부터 연마재를 적하공급한 상태에서 피연마재를 회전시켜, 가중을 걸면서 연마 패드에 접촉시킴에 따라, 공면(共面)의 상부부분의 구리 및 배리어 메탈을 연마하여 제거하는 것이다.
피연마재의 표면에는 바탕의 절연막에 형성한 배선용의 홈 패턴에 기인한 단차(요철)가 존재하기 때문에, 주로 볼록부를 연마제거하면서 공면까지 연마하여, 평탄한 연마면으로 하는 것이 요구되고 있다.
CMP에서 사용되는 연마재는, 통상, 실리카, 알루미나 등의 금속산화물로 이루어지는 평균입자지름이 200nm 정도인 둥근 형상의 연마용 입자와, 배선·회로용 금속의 연마속도를 빠르게 하기 위한 산화제, 유기산 등의 첨가제 및 순수한 물 등의 용매로 구성되어 있다.
그러나, 종래의 실리카, 알루미나 등의 연마용 입자에 의한 연마로는, 연마 후, 피연마재의 표면에 상처, 선 등의 스크래치가 잔존하거나, 새롭게 생성된다고 하는 문제가 있었다.
일본 특개평 9-324174호 공보에는, 스크래치의 발생을 억제하기 위한 연마용 입자로서, 유기폴리머골격과, 해당 유기폴리머골격 중의 적어도 1개의 탄소원자에규소원자가 직접 화학결합한 유기규소를 분자 내에 가진 폴리실록산골격을 포함하고, 해당 폴리실록산골격을 구성하는 SiO2의 양이 25중량% 이상인 유기질 무기질 복합체입자가 개시되어 있다.
상기 유기질 무기질 복합체입자는, 폴리실록산골격을 가진 SiO2의 함유량에 의해 입자의 경도가 틀리고, 유기폴리머함유량이 많고 SiO2의 함유량이 적은 경우에는 스크래치의 발생은 적지만 연마속도가 늦어진다. 반대로, 유기폴리머함유량이 적고 SiO2의 함유량이 많은 경우에는 연마속도가 빨라지지만 스크래치가 발생하기 쉬운 경향이 있다. 그러나, 스크래치가 발생하지 않는 범위에서 SiO2함유량을 많게 하여도, 충분한 연마속도를 얻을 수 없다고 하는 점이 애로가 되고 있다.
본 발명은, 상기 소위 스크래치의 발생을 억제하고, 충분한 연마속도로써 기판표면을 평탄하게 연마할 수 있는 연마용 입자 및 해당 연마용 입자를 포함하여 이루어지는 연마재를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
본 발명의 연마용 실리카입자는, 평균입자지름이 5∼300nm의 범위에 있고, 탄소함유량이 0.5∼5중량%인 것을 특징으로 하는 것이다.
상기 연마용 실리카입자는, 10% 압축탄성율이 500∼3000kgf/mm2의 범위에 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 연마용 실리카입자의 Na함유량은, Na로서 100ppm이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 연마재는, 상기 연마용 실리카입자를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
[연마용 입자]
본 발명에 관한 연마용 실리카입자의 평균입자지름은, 요구되는 연마속도, 연마정밀도 등에 따라 다르지만, 5∼300nm, 특히 10∼200nm의 범위에 있는 것이 바람직하다. 평균입자지름이 5nm 미만인 경우는, 실리카입자 분산액의 안정성이 불충분해지는 경향이 있고, 또한 입자지름이 지나치게 작아서 충분한 연마속도를 얻을 수 없다. 평균입자지름이 300nm를 넘으면, 기판 또는 절연막의 종류에 따라 다르지만 상처(스크래치)가 잔존하여, 충분한 평활성을 얻을 수 없는 경우가 있다.
연마용 실리카입자 중의 탄소의 함유량은 0.5∼5중량%, 특히 0.7∼4중량%의 범위에 있는 것이 바람직하다. 탄소함유량이 0.5중량% 미만의 경우는, 예를 들면 탄소원인 알콕시잔기가 없고, 실록산결합이 진행하여, 입자가 딱딱하고(탄성율이 높고), 이 때문에 연마속도는 빠르지만 스크래치가 잔존하거나, 새롭게 생성하여, 연마면의 평활성이 불충분해진다. 한편, 탄소함유량이 5중량%를 넘으면, 알콕시잔기가 많아지고, 이 때문에 입자는 비교적 부드럽고(탄성율이 낮고), 충분한 연마속도를 얻을 수 없다.
연마용 실리카입자는, 10% 압축탄성율이 500∼3000kgf/mm2, 더욱 600∼ 2000kgf/mm2의 범위에 있는 것이 바람직하다. 10% 압축탄성율이 500kgf/mm2미만인경우는, 입자가 비교적 부드럽고, 이 때문에 충분한 연마속도를 얻을 수 없다. 10% 압축탄성율이 3000kgf/mm2를 넘으면, 입자가 지나치게 딱딱하여, 연마속도는 빠르지만 스크래치가 잔존하거나 새롭게 생성하여, 연마면의 평활성이 불충분해진다.
본 발명에서 채용하는 10% 압축탄성율의 평가방법은 다음과 같다. 10% 압축탄성율은, 측정기로서 미소압축시험기(시마즈세이사쿠쇼제: MCTM-200)를 사용하고, 시료로서 입자지름이 D인 1개의 미소입자를 사용하고, 시료에 일정한 부하속도로 하중을 부하하여, 압축변위가 입자지름의 10%가 될 때까지 입자를 변형시켜, 10% 변위시의 하중과 압축변위(mm)를 구하여, 입자지름 및 구한 압축하중, 압축변위를 다음 식에 대입하여 계산하여 구한다.
K = (3/) ×F ×S-3/2×D-1/2
여기서, K: 10% 압축탄성율(kgf/mm2)
F: 압축하중(kgf)
S: 압축변위(mm)
D: 입자지름(mm)이다.
또, 본 발명에 관한 연마용 실리카입자의 입자지름 범위는 5∼300nm로 작아서, 상기 측정기로는 측정하는 것이 곤란하고, 측정할 수 있다고 해도 정밀도가 나오지 않을 우려가 있다. 그래서, 후술하는 실시예에서는, 특별히 입자지름을 크게 하는 것 이외에는 연마용 실리카입자와 같은 조건으로 조제하여, 105℃에서 24시간 건조한 입자로 입자지름이 2∼3㎛의 범위에 있는 입자를 10개 선택하고, 이에 대하여 측정한 값의 평균치를 연마용 실리카입자의 10% 압축탄성율의 값으로서 사용하였다.
상기 연마용 실리카입자중의 Na함유량은 SiO2중에 Na로서 100ppm 이하, 바람직하게는 50ppm 이하, 특히 바람직하게는 20ppm 이하인 것이 바람직하다. Na함유량이 100ppm을 넘으면, 실리카입자를 사용하여 연마한 기판에 Na가 잔존하여, 이 Na가 반도체기판에 형성된 회로의 절연불량을 일으키거나 회로가 단락하는 경우가 있고, 절연용으로 형성한 막(절연막)의 유전율이 저하하여 금속배선에 임피던스가 증대하여, 응답속도가 늦어져, 소비전력의 증대 등이 일어나는 경우가 있다. 또한, Na이온이 이동(확산)하여, 사용조건이나 사용이 장기간에 걸친 경우에 상기 불량을 생기게 하는 경우가 있다.
[연마용 실리카입자의 제조]
본 발명의 연마용 실리카입자의 제조방법으로서는, 상기한 탄소함유량으로서, 바람직하게는 소정의 10% 압축탄성율을 가진 입자를 얻을 수 있으면 각별한 제한은 없다. 특히, 본원출원인이 일본 특개평 11-61043호 공보에서 개시한 짧은 섬유형상 실리카를 얻는 도중 행한 공정으로 얻어지고, 평균입자지름이 5∼300nm의 범위에 있는 단(單)분산 실리카입자의 제조방법이 바람직하다.
또한, 일본 특개평9-59384호 공보에 개시한 폴리오르가노실록산 미립자의 제조방법과 같이 하여 얻어지는 평균입자지름이 5∼300nm의 범위에 있는 입자의 제조방법도 바람직하게 사용할 수 있다.
이하에 구체적인 연마용 실리카입자의 제조방법을 예시한다.
연마용 실리카입자는, 하기 일반식[1]로 나타내는 알콕시실란의 1종 또는 2종 이상을 가수분해한 후, 필요에 따라 150℃ 이하의 온도로 수열(水熱)처리하여 얻어진다.
XnSi(OR)4-n···[1]
식중, X는 수소원자, 불소원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 아릴기 또는 비닐기를 나타내고, R은 수소원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 아릴기 또는 비닐기를 나타내고, n은 0∼3의 정수이다.
일반식[1]로 나타내는 알콕시실란으로서는, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라부톡시실란, 테트라옥틸실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리이소프로폭시실란, 옥틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 트리메톡시실란, 트리에톡시실란, 트리이소프로폭시실란, 플루오로트리메톡시실란, 플루오로트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디메톡시실란, 디에톡시실란, 디플루오로디메톡시실란, 디플루오로디에톡시실란, 트리플루오로메틸트리메톡시실란, 트리플루오로메틸트리에톡시실란 등을 들 수 있다.
이러한 알콕시실란의 가수분해는, 물, 유기용매 및 촉매의 존재 하에서 이루어진다.
유기용매로서는, 알콜류, 케톤류, 에테르류, 에스테르류 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알콜류, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 등의 글리콜에테르류, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜 등의 글리콜류, 초산메틸, 초산에틸, 유산메틸, 유산에틸 등의 에스테르류가 사용된다.
촉매로서는, 암모니아, 아민, 알칼리금속수소화물, 제4급 암모늄화합물, 아민계 커플링제 등, 염기성을 나타내는 화합물이 사용된다. 또, 촉매로서 알칼리금속수소화물을 사용할 수도 있지만, 상기 알콕시실란의 알콕시기의 가수분해를 촉진하고, 이 때문에 얻어지는 입자 중에 잔존하는 알콕시기(탄소)가 감소하여 10% 압축탄성율이 5000kgf/mm2를 넘어서 높아져, 연마속도는 빠르지만 스크래치가 발생하는 경우가 있고, 더욱 Na의 함유량이 높아지는 문제가 있다.
상기 알콕시실란의 가수분해에 필요한 물의 양은, 알콕시실란을 구성하는 Si-OR기 1몰당 0.5∼50몰, 바람직하게는 1∼25몰이 되도록 하는 양인 것이 바람직하다. 또한 촉매는, 알콕시실란 1몰당, 0.005∼1몰, 바람직하게는 0.01∼0.8몰이 되도록 첨가되어 있는 것이 바람직하다.
상기 알콕시실란의 가수분해는, 통상, 상압(常壓)하에서, 사용하는 용매의 비점 이하의 온도, 바람직하게는 비점보다 5∼10℃ 정도 낮은 온도로 행하여지지만, 오토클레이브 등의 내열내압용기를 사용하는 경우에는, 이 온도보다도 더욱 높은 온도로 할 수도 있다.
상기와 같은 조건으로 가수분해하면, 알콕시실란의 중축합이 3차원적으로 진행하여, 5∼300nm의 입자지름을 가진 연마용 실리카입자를 얻을 수 있다. 또한, 얻어진 입자의 존재 하에서 다시 상기 알콕시실란을 가수분해하면 보다 큰, 혹은 입자지름분포가 균일한 연마용 실리카입자를 얻을 수 있다.
또, 필요에 따라, 생성한 실리카입자를 150℃ 이하의 온도로 수열처리할 수 있다. 이 수열처리를 함에 따라 원하는 탄소함유량으로 저하시키거나, 원하는 10% 압축탄성율로 높일 수 있다.
상기 수열처리온도가 150℃를 넘으면, 특히 250℃를 넘으면, 공존하는 암모니아 등의 농도에 따라서도 다르지만, 단(單)분산입자가 아니라 입자가 수개 이상 2차원으로 연결한 짧은 섬유형상 실리카입자를 얻을 수 있는 경우가 있다. 이러한 짧은 섬유형상 실리카입자를 연마재로서 사용하면스크래치가 발생하는 경우가 있지만, 한편으로 디싱(과연마)을 억제할 수 있다.
[연마재]
본 발명에 관한 연마재는, 상기한 연마용 실리카입자가 분산매에 분산한 것이다. 분산매로서는 통상, 물을 사용하지만, 필요에 따라 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜 등의 알콜류를 사용할 수 있고, 그 외에 에테르류, 에스테르류, 케톤류 등의 수용성의 유기용매를 사용할 수 있다.
연마재 중의 연마용 실리카입자의 농도는 2∼50중량%, 더욱 5∼30중량%의 범위에 있는 것이 바람직하다. 농도가 2중량% 미만의 경우는, 기재나 절연막의 종류에 따라서는 농도가 지나치게 낮아서 연마속도가 느려 생산성이 문제가 되는 경우가 있다. 실리카입자의 농도가 50중량%를 넘으면 연마재의 안정성이 불충분해져, 연마속도나 연마효율이 더욱 향상하지도 않고, 또한 연마처리를 위해 분산액을 공급하는 공정에서 건조물이 생성하여 부착하는 경우가 있어 상처(스크래치)발생의 원인이 되는 경우가 있다.
본 발명의 연마재에는, 피연마재의 종류에 따라서도 다르지만, 필요에 따라 종래 공지의 과산화수소, 과초산, 과산화요소 등 및 이들의 혼합물을 첨가하여 사용할 수 있다. 이러한 과산화수소 등을 첨가하여 사용하면 피연마재가 금속인 경우에는 효과적으로 연마속도를 향상시킬 수 있다.
또한, 필요에 따라 황산, 질산, 인산, 불산 등의 산, 혹은 이들 산의 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염 및 이들의 혼합물 등을 첨가하여 사용할 수 있다. 이 경우, 복수종의 재질의 피연마재를 연마할 때에, 특정성분의 피연마재의 연마속도를 빠르게 하거나, 느리게 함으로써, 최종적으로 평탄한 연마면을 얻을 수 있다.
그 밖의 첨가제로서, 예를 들면, 금속피연마재 표면에 부동태층(不動態層) 혹은 용해억제층을 형성하여 기재의 침식을 방지하기 위해서 이미다졸, 벤조트리아졸, 벤조티아졸 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기 부동태층을 교란하기 위해서 구연산, 유산, 초산, 옥살산, 프탈산, 구연산 등의 유기산 혹은 이들 유기산염 등의 착체형성재를 사용할 수도 있다.
연마재 슬러리의 분산성이나 안정성을 향상시키기 위해서 카티온계, 아니온계, 노니온계, 양성계의 계면활성제를 적절히 선택하여 첨가할 수가 있다.
또한, 상기 각 첨가제의 효과를 높이기 위해 필요에 따라 산 또는 염기를 첨가하여 연마재 슬러리의 pH를 조절할 수가 있다.
본 발명에 의하면, 연마용 실리카입자가 소정량의 탄소를 포함하여 탄성을 가지고 있으므로, 이 연마용 입자를 포함하여 이루어지는 연마재는 연마속도를 조절하는 것이 용이한 동시에, 스크래치(상처)가 발생하지 않고, 기판 표면을 매우 평탄하게 또한 평활하게 연마할 수 있다. 또한, 이 실리카입자는 Na를 실질적으로 포함하지 않기 때문에 연마한 반도체기판이나 산화막 표면에 Na가 부착하는 일이 없고, 이 때문에 기판의 평탄화, 특히 반도체집적회로에 있어서의 금속배선층의 형성 등에 있어서 특히 유용하다.
[실시예 1]
연마용 실리카입자(A)의 제조
순수한 물 139.1g과 메탄올 169.9g을 혼합한 혼합용매를 60℃로 유지하고, 여기에 테트라에톡시실란(다마가가쿠(주)제: 에틸실리케이트28, SiO2= 28중량%)의 물-메탄올용매(물/메탄올(중량비2/8)혼합용매 2450g에 테트라에톡시실란을 532.5g 용해한 것) 2982.5g 및 농도 0.25중량%의 암모니아수 596.4g(촉매/알콕시실란의 몰비=0.034)를 동시에 20시간에 걸쳐 첨가하였다. 첨가종료후, 이 온도에서 3시간 더 숙성하였다. 그 후, 한외여과막으로 반응하지 않은 테트라에톡시실란, 메탄올, 암모니아를 거의 완전히 제거하여, 양(兩)이온교환수지로 정제하고, 이어서 한외여과막으로 농축하여, 고형분농도 20중량%의 연마용 실리카입자(A)의 분산액을 얻었다. 연마용 실리카입자(A)의 평균입자지름, 탄소함유량, Na함유량을 측정하여, 결과를 표 1에 나타내었다.
10% 압축탄성율 측정용 입자(A')의 조제
순수한 물 139.1g과 메탄올 169.9g을 혼합한 혼합용매를 60℃로 유지하고, 여기에 상기 실시예 1과 같은 조성의 테트라에톡시실란의 물-메탄올용매 298.3g(실시예 1의 1/10량)과 0.25중량%의 암모니아수 59.6g(실시예 1의 1/10량)을 한번에 첨가하여 10시간 교반을 계속하여 시드입자를 조합하였다. 10시간 후, 나머지 테트라에톡시실란의 물-메탄올혼합용매 2684.3g과 0.25중량%의 암모니아수 536.8g을 18시간에 걸쳐 첨가하였다. 첨가종료후, 이 온도에서 3시간 더 숙성하였다. 그 후, 한외여과막으로 미반응의 테트라에톡시실란, 메탄올, 암모니아를 거의 완전히 제거하여, 양이온교환수지로 정제하고, 이어서 한외여과막으로 농축하여, 고형분농도 20중량%의 10% 압축탄성율 측정용입자(A')의 분산액을 얻었다. 이어서, 분산액을 원심분리하여, 105℃에서 밤새 건조하여, 입자지름이 2∼3㎛인 입자에 대하여 10% 압축탄성율을 측정하여, 결과를 표 1에 나타내었다.
연마
(1) 연마재
연마용 실리카입자(A)의 분산액 500g에, 농도 30중량%의 과산화수소수 333g, 수산암모늄 5g 및 물 162g을 혼합하여, 입자농도 10중량%, 과산화수소 10중량%, 수산암모늄 0.5중량%의 연마재(A)를 조제하였다.
(2) 연마용 기판
절연막으로서, 질화규소로 이루어지는 절연막(두께 0.2㎛)의 표면에, 실리카로 이루어지는 절연막(두께 0.4㎛)이 적층되고, 더욱 질화규소로 이루어지는 절연막(두께 0.2㎛)이 차례로 형성된 실리콘웨이퍼(8인치 웨이퍼) 기판상에 포지형 포토레지스트를 도포하고, 0.3㎛의 라인 언더 스페이스의 노광처리를 하였다. 이어서 테트라메틸암모늄히드라이드(TMAH)의 현상액으로 노광부분을 제거하였다. 다음에, CF4와 CHF3의 혼합가스를 사용하여, 하층의 절연막에 패턴을 형성한 후, O2플라즈마에 의해 레지스트를 제거하여, 폭(Wc)이 0.3㎛이고, 깊이가 0.6㎛인 배선 홈을 형성하였다. 이 배선 홈을 형성한 기판에 CVD법으로 얇은 층의 구리(Cu)의 성막을 하고, 전계도금법으로 더욱 성막하여 절연막상의 구리층(희생층)의 합계의 두께가 0.2㎛인 동의 성막을 행하여, 연마용 기판을 준비하였다.
(3) 연마시험
연마용 기판을 사용하여, 연마장치(나노팩터(주)제: NF300)에 세트하고, 기판가중 5psi, 테이블 회전속도 50rpm, 스핀들속도 60rpm이고, 상기 연마재(A)를 60ml/분의 속도로 절연막상의 희생층(두께 0.2㎛)이 없어질 때까지 연마를 하였다. 이 때의 연마소요시간은 92초이고, 연마속도를 표 1에 나타내었다. 또한, 연마표면을 관찰하여, 표면의 평활성을 이하의 기준으로 평가하여, 결과를 표 1에 나타내었다.
: 작은 스크래치가 약간 인정되었다.
△: 작은 스크래치가 광범위하게 인정되었다.
: 큰 스크래치가 점재하여 인정되었다.
[실시예 2]
연마용 실리카입자(B)의 제조 및 연마
실시예 1에 있어서, 메탄올 대신에 에탄올을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여, 고형분농도 20중량%의 연마용 실리카입자(B)의 분산액을 얻었다. 연마용입자(B)의 분산액을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 연마재(B)를 조제하였다. 이어서, 실시예 1에서 사용한 것과 같은 연마용 기판을 마찬가지로 연마한 바, 연마소요시간은 86초였다.
10% 압축탄성율 측정용 입자(B')의 조제
실시예 1의 10% 압축탄성율 측정용 입자(A')의 조제에 있어서, 메탄올 대신에 에탄올을 사용한 것 이외에는 마찬가지로 하여 10% 압축탄성율 측정용 입자(B')를 조제하였다.
[실시예 3]
연마용 실리카입자(C)의 제조 및 연마
실시예 1에 있어서, 농도 0.25중량%의 암모니아수 596.4g 대신에 농도 0.06중량%의 암모니아수 596.4g(촉매/알콕시실란의 몰비=0.0082)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여, 고형분농도 20중량%의 연마용입자(C)의 분산액을 얻었다. 연마용 입자(C)의 분산액을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 연마재(C)를 조제하였다. 이어서, 실시예 1에서 사용한 것과 같은 연마용 기판을 마찬가지로연마한 바, 연마소요시간은 120초였다.
10% 압축탄성율 측정용 입자(C')의 조제
실시예 1의 10% 압축탄성율 측정용 입자(A')의 조제에 있어서, 0.25중량%의 암모니아수 대신에 0.06중량%의 암모니아수를 사용한 것 이외에는 마찬가지로 하여 10% 압축탄성율 측정용 입자(C')를 조제하였다.
[실시예 4]
연마용 실리카입자(D)의 제조 및 연마
순수한 물 139.1g과 메탄올 169.9g을 혼합한 혼합용매를 60℃로 유지하여, 여기에 테트라에톡시실란(다마가가쿠(주)제: 에틸실리케이트28, SiO2= 28중량%) 479.3g과 메틸트리메톡시실란(신에츠가가쿠(주)제: SiO2=44중량%) 34.7g의 혼합물을 물-메탄올용매(물/메탄올(중량비2/8) 혼합용매 2450g에 용해한 것) 2964g 및 농도 0.25중량%의 암모니아수 596.4g(촉매/알콕시실란의 몰비=0.034)를 동시에 20시간에 걸쳐 첨가하였다. 첨가종료후, 이 온도에서 3시간 더 숙성하였다. 그 후, 한외여과막으로 반응하지 않은 테트라에톡시실란, 메탄올, 암모니아를 거의 완전히 제거하여, 양(兩)이온교환수지로 정제하고, 이어서 한외여과막으로 농축하여, 고형분농도 20중량%의 연마용 실리카입자(D)의 분산액을 얻었다.
연마용 입자(D)의 분산액을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 연마재(D)를 조제하였다. 이어서, 실시예 1에서 사용한 것과 같은 연마용 기판을 마찬가지로 연마한 바, 연마소요시간은 144초였다.
10% 압축탄성율 측정용 입자(D')의 조제
실시예 1의 10% 압축탄성율 측정용 입자(A')의 조제에 있어서, 시드입자의 조제시에 테트라에톡시실란의 물-메탄올 혼합용매 대신에, 연마용 실리카입자(D)의 제조에 있어서와 동일 조성의 테트라에톡시실란과 메틸트리메톡시실란의 혼합물의 물-메탄올 혼합용매에 용해시킨 용액의 1/10량, 및 0.25중량%의 암모니아수의 1/10량을 한번에 첨가하고, 10시간 교반하여, 실시예 1과 같이 하여 시드입자를 조합하였다. 그 후, 나머지 테트라에톡시실란과 메틸트리메톡시실란의 혼합물의 물-메탄올의 혼합용액 및 0.25중량%의 암모니아수를 18시간에 걸쳐 첨가하였다. 첨가종료후, 이 온도에서 3시간 더 숙성하였다. 그 후, 한외여과막으로 반응하지 않은 테트라에톡시실란, 메탄올, 암모니아를 거의 완전히 제거하여, 양(兩)이온교환수지로 정제하고, 이어서 한외여과막으로 농축하여, 고형분농도 20중량%의 10% 압축탄성율 측정용 입자(D')의 분산액을 얻었다.
[비교예 1]
연마용 실리카입자(E)의 제조 및 연마
실리카졸(쇼쿠바이가가쿠고교(주)제: 카탈로이드SI-50, 평균입자지름 25nm, SiO2=48중량%)을 SiO2농도 20중량%으로 희석하여, 연마용 입자(E)의 분산액을 얻었다. 연마용 입자(E)의 분산액을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 연마재 (E)를 조제하였다. 이어서, 실시예 1에서 사용한 것과 같은 연마용 기판을 마찬가지로 연마한 바, 연마소요시간은 86초였다.
10% 압축탄성율 측정용 입자(E')의 조제
실리카졸(쇼쿠바이가가쿠공업(주)제: 카탈로이드SI-50, 평균입자지름 25nm, SiO2=48중량%) 20.8g을 SiO2농도 1.5중량%으로 희석하여, 여기에 NaOH수용액을 첨가하여 pH를 10.5로, 온도를 85℃로 조정하였다. 여기에 희석물유리를 이온교환수지로 탈(脫)알칼리하여 얻은 산성규산액(pH2.2, SiO2=4.7중량%) 1500g을 10시간에 첨가하고, 그 후 1시간 숙성하였다. 얻어진 실리카입자 분산액의 일부를 SiO2농도 1.5중량%으로 희석하고, 여기에 NaOH수용액을 첨가하여 pH 10.5, 온도 85℃의 분산액 667g을 조제하였다. 여기에 산성규산액(pH 2.2, SiO2농도 4.7중량%) 1500g을 20시간에 첨가하고, 그 후 1시간 숙성하였다. 이 조작을 더욱 3회째부터 6회째까지 반복하고, 산성규산액(pH 2.2, SiO2농도 4.7중량%) 1500g의 첨가시간을 30시간, 40시간, 50시간, 60시간으로 첨가하여, 그 후 1시간 숙성하였다. 이어서, 한외여과막으로써 실리카입자 분산액의 pH가 10이 될 때까지 세정하여 10% 압축탄성율 측정용 입자(E')의 분산액을 얻었다.
[비교예 2]
연마용 실리카입자(F)의 제조 및 연마
실시예 1에 있어서, 농도 0.25중량%의 암모니아수 596.4g 대신에 농도 0.59중량%의 NaOH수용액 596.4g(촉매/알콕시실란의 몰비=0.034)를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여, 고형분농도 20중량%의 연마용 실리카입자(F)의 분산액을 얻었다. 연마용 입자(F)의 분산액을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 연마재(F)를 조제하였다. 이어서, 실시예 1에서 사용한 것과 같은 연마용 기판을 마찬가지로 연마한 바, 연마소요시간은 86초였다.
10% 압축탄성율 측정용 입자(F')의 조제
실시예 1의 10% 압축탄성율 측정용 입자(A')의 조제에 있어서, 농도 0.25중량%의 암모니아수 대신에 농도 0.59중량%의 NaOH수용액을 사용한 것 이외에는 마찬가지로 하여 10% 압축탄성율 측정용 입자(F')를 조제하였다.
[비교예 3]
연마용 실리카입자(G)의 제조 및 연마
순수한 물 139.1g과 메탄올 169.9g을 혼합한 혼합용매를 60℃로 유지하고, 여기에 테트라에톡시실란(다마가가쿠(주)제: 에틸실리케이트28, SiO2= 28중량%)의 물-메탄올용매(물/메탄올(중량비2/8)혼합용매 2450g에 테트라에톡시실란을 532.5g 용해한 것) 2982.5g 및 농도 0.25중량%의 암모니아수 596.4g(촉매/알콕시실란의 몰비=0.034)을 동시에 20시간에 걸쳐 첨가하였다. 첨가종료후, 이 온도에서 3시간 더 숙성하였다. 그 후, 한외여과막으로 반응하지 않은 테트라에톡시실란, 메탄올, 암모니아제를 거의 완전히 제거하고, 순수한 물을 첨가하여 실리카농도 1중량%로 조정하였다.
이어서, 220℃의 오토클레이브속에서 10시간 수열처리를 하였다. 수열처리후, 양(兩)이온교환수지로 정제하고, 계속해서 한외여과막으로 농축하여, 고형분농도 20중량%의 연마용 실리카입자(G)의 분산액을 얻었다.
연마용 입자(G)의 분산액을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 연마재(G)를 조제하였다. 이어서, 실시예 1에서 사용한 것과 같은 연마용 기판을 마찬가지로 연마한 바, 연마소요시간은 92초였다.
10% 압축탄성율 측정용 입자(G')의 조제
실시예 1과 같이 하여, 고형분농도 20중량%의 10% 압축탄성율 측정용 입자(A')의 분산액을 얻어, 여기에 순수한 물을 첨가하여 실리카농도 1중량%로 조정하였다. 이어서, 220℃의 오토클레이브속에서 15시간 수열처리를 하였다. 수열처리후, 양(兩)이온교환수지로 정제하고, 계속해서 한외여과막으로 농축하여, 고형분농도 20중량%의 연마용 실리카입자(G')의 분산액을 얻었다.
[비교예 4]
연마용 실리카입자(H)의 제조
실시예 1에 있어서, 메탄올 169.9g 대신에 에탄올/이소프로판올(중량비:8/2) 혼합용매 169.9g을 사용하고, 또, 물-에탄올(중량비:2/8) 혼합용매 2450g 대신에 물/에탄올/이소프로판올(중량비:2/6.4/1.6) 혼합용매 2450g을 사용한 것 이외에는 마찬가지로 하여, 고형분농도 20중량%의 연마용 실리카입자(H)의 분산액을 얻었다.
연마용 입자(H)의 분산액을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 연마재(H)를 조제하였다. 이어서, 실시예 1에서 사용한 것과 같은 연마용 기판을 마찬가지로 연마하였다. 이 때의 연마속도를 표 1에 나타낸다.
10% 압축탄성율 측정용 입자(H')의 조제
실시예 1의 10% 압축탄성율 측정용 입자(A')의 조제에 있어서, 상기와 같은 메탄올 대신에 에탄올/이소프로판올(중량비:8/2) 혼합용매를 사용한 것 이외에는 마찬가지로 하여 고형분농도 20중량%의 10% 압축탄성율 측정용 입자(H')의 분산액을 얻었다.
[비교예 5]
연마용 실리카입자(I)의 제조
실시예 1에 있어서, 테트라에톡시실란 532.5g 대신에 테트라메톡시실란 302.9g과 γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란 141.2g의 혼합물을 사용한 것 이외에는 같이 하여, 고형분농도 20중량%의 연마용 실리카입자(I)의 분산액을 얻었다.
연마용 입자(I)의 분산액을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 연마재(I)를 조제하였다. 이어서, 실시예 1에서 사용한 것과 같은 연마용 기판을 마찬가지로 연마하였다. 이 때의 연마속도를 표 1에 나타낸다.
10% 압축탄성율 측정용 입자(I')의 조제
실시예 1의 10% 압축탄성율 측정용 입자(A')의 조제에 있어서, 테트라에톡시실란 53.3g 대신에, 테트라메톡시실란 30.3g과 γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란 14.1g과의 혼합물을 사용한 것 이외에는 마찬가지로 하여, 고형분농도 20중량%의 10% 압축탄성율 측정용 입자(I')의 분산액을 얻었다.
[비교예 6]
연마용 실리카입자(J)의 제조
실시예 1에 있어서, 테트라에톡시실란 532.5g 대신에, 테트라메톡시실란190.3g과 γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란 170.3g의 혼합물을 사용한 것 이외에는 마찬가지로 하여, 고형분농도 20중량%의 연마용 실리카입자(J)의 분산액을 얻었다.
연마용 입자(J)의 분산액을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 연마재(J)를 조제하였다. 이어서, 실시예 1에서 사용한 것과 같은 연마용 기판을 마찬가지로 연마하였다. 이 때의 연마속도를 표 1에 나타낸다.
10% 압축탄성율 측정용 입자(J')의 조제
실시예 1의 10% 압축탄성율 측정용 입자(A')의 조제에 있어서, 테트라에톡시실란 53.3g 대신에, 테트라메톡시실란 19.0g과 γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란 17.0g과의 혼합물을 사용한 것 이외에는 마찬가지로 하여, 고형분농도 20중량%의 10% 압축탄성율 측정용 입자(J')의 분산액을 얻었다.
표 1
연마용 실리카입자 연마결과
평균 탄소 Na 10% 연마속도 평활성
입자지름 함유량 함유량 압축탄성율
(nm) (wt%) (ppm) (kgf/mm2) (nm/min)
실시예 1 25 1.1 0.1 2300 130
실시예 2 40 1.2 0.5 2200 140
실시예 3 18 1.1 0.3 2200 100
실시예 4 20 3.1 0.2 1700 90
비교예 1 25 ＜0.1 4200 4200 140
비교예 2 20 0.2 1900 3800 140
비교예 3 20 0.3 0.5 3700 130
비교예 4 48 5.2 0.3 1600 80 △
비교예 5 38 19.0 0.2 1100 70 △
비교예 6 29 9.4 0.5 450 50 △
본 발명은, 소위 스크래치의 발생을 억제하고, 충분한 연마속도로써 기판표면을 평탄하게 연마할 수 있는 연마용 입자 및 해당 연마용 입자를 포함하여 이루어지는 연마재를 제공하는 효과를 갖는다.

Claims (4)

  1. 탄소함유량이 0.5∼5중량%인 것을 특징으로 하는 평균입자지름 5∼300nm의 연마용 실리카입자.
  2. 제 1 항에 있어서, 10% 압축탄성율이 500∼3000kgf/mm2의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 연마용 실리카입자.
  3. 제 2 항에 있어서, Na함유량이 Na로서 100ppm 이하인 연마용 실리카입자.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항중의 어느 한 항에 기재된 연마용 실리카입자를 포함하여 이루어지는 연마재.
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JP2000256008A (ja) * 1999-03-08 2000-09-19 Tokuyama Corp 疎水性煙霧シリカ及びその製造方法
JP4306951B2 (ja) * 2000-11-07 2009-08-05 電気化学工業株式会社 表面処理された微細球状シリカ粉末および樹脂組成物
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