JP4070572B2 - 研磨用シリカ粒子および研磨材 - Google Patents
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Description
【発明の技術分野】
本発明は、基板の平坦化のため、特に半導体集積回路における金属配線層の形成等において有用なる研磨用シリカ粒子および該研磨用粒子を含んでなる研磨材に関する。
【0002】
【発明の技術的背景】
コンピューター、各種電子機器には各種の集積回路が用いられており、これらの小型化、高性能化に伴い回路の高密度化と高性能化が求められている。
この中で、例えば半導体集積回路は、従来、半導体集積回路の集積度を高めるために多層配線が用いられており、このような多層配線は、通常、シリコンなどの基板上に、第1絶縁膜としての熱酸化膜を形成した後、アルミニウム膜などからなる第1配線層を形成し、この上にCVD法あるいはプラズマCVD法等によって、シリカ膜、窒化ケイ素膜などの層間絶縁膜を被着させ、この層間絶縁膜上に、該層間絶縁膜を平坦化するためのシリカ絶縁膜をSOG法により形成し、このシリカ絶縁膜上に必要に応じてさらに第2絶縁膜を被着させた後、第2配線層を形成することによって、製造されている。
上記アルミニウム膜からなる配線は、多層配線を形成する際のスパッタリング時にアルミニウム等の配線が酸化されて抵抗値が増大して導電不良を起こすことがあった。また、配線幅を小さくすることができないためにより高密度の集積回路を形成するには限界があった。さらに、近年、クロック線やデータバス線のような長距離配線では、チップサイズ増大に伴い配線抵抗が増大し電気信号の伝播遅延時間(RC遅延時間=抵抗×容量)の増大が問題となっている。このため配線をより低抵抗の材料に置き換えていく必要が生じている。
【0003】
従来のAlやAl合金による配線に代えてCu配線を行うことも提案されており、例えば、基板上の絶縁膜に予め配線溝を形成した後、電解メッキ法、CVD法等によりCu配線を形成する方法が公知である。
この銅等の配線パターン形成においては、ドライエッチプロセスによる加工が困難なため、化学機械研磨方法(以下、CMPと言うこともある。)を用いたダマシンプロセスが適用されており、基板上の絶縁膜に予め配線溝を形成し、電解メッキ法やCVD法等により銅を配線溝に埋め込んだ後、CMPにより上端面を研磨し、平坦化して配線を形成している。例えば、シリコンウェハー等の基材上に配線層間膜(絶縁膜)を成膜し、その配線層間膜(絶縁膜)上に金属配線用の溝パターンを形成し、必要に応じてスパッタリング法などによってTaN等のバリアメタル層を形成し、ついで金属配線用の銅をCVD法等により成膜する。ここで、TaN等のバリアメタル層を設けた場合には層間絶縁膜への銅や不純物などの拡散や浸食に伴う層間絶縁膜の絶縁性の低下などを防止することができ、また層間絶縁膜と銅の接着性を高めることができる。
次いで、溝内以外に成膜された不要な銅及びバリアメタル(犠牲層ということがある。)をCMPにより研磨して除去するとともに上部表面を可能な限り平坦化して、溝内にのみ金属膜を残して銅の配線・回路パターンを形成する。
CMPは、一般的に回転機構を有する円形プラテン上に研磨パッドを搭載し、研磨パッドの中心上部から研磨材を滴下供給した状態で被研磨材を回転させ、加重を掛けながら研磨パッドに接触させることによって、共面の上部部分の銅及びバリアメタルを研磨して除去するものである。
被研磨材の表面には下地の絶縁膜に形成した配線用の溝パターンに起因した段差(凹凸)が存在するので、主に凸部を研磨除去しながら共面まで研磨し、平坦な研磨面とすることが求められている。
【0004】
CMPで使用される研磨材は、通常、シリカ、アルミナ等の金属酸化物からなる平均粒子径が200nm程度の球状の研磨用粒子と、配線・回路用金属の研磨速度を早めるための酸化剤、有機酸等の添加剤及び純水などの溶媒から構成されている。
上記従来のシリカ、アルミナなどの研磨用粒子による研磨では、研磨後、被研磨材の表面に傷、筋等のスクラッチが残存したり、新たに生成するという問題があった。この点に関しては、スクラッチの発生を抑えるための研磨用粒子として、有機ポリマー骨格と、該有機ポリマー骨格中の少なくとも1個の炭素原子にケイ素原子が直接化学結合した有機ケイ素を分子内に有するポリシロキサン骨格とを含み、該ポリシロキサン骨格を構成するSiO2 の量が25重量%以上である有機質無機質複合体粒子が公知である(例えば、特許文献1参照。)。
上記有機質無機質複合体粒子は、ポリシロキサン骨格を有するSiO2 の含有量によって粒子の硬さが異なり、有機ポリマー含有量が多くSiO2 の含有量が少ない場合にはスクラッチの発生は少ないものの研磨速度が遅くなる。逆に、有機ポリマー含有量が少なくSiO2 の含有量が多い場合には研磨速度が速くなるもののスクラッチが発生し易い傾向にある。しかしながら、スクラッチが発生しない範囲でSiO2 含有量を多くしても、十分な研磨速度が得られないという点が隘路となっている。
【0005】
【特許文献1】
特開平9−324174号公報(第2頁〔0003〕〜〔0005〕)
【0006】
【発明の目的】
本発明は、前記いわゆるスクラッチの発生を抑制し、十分な研磨速度を以て基板表面を平坦に研磨することのできる研磨用粒子および該研磨用粒子を含んでなる研磨材を提供することを目的とするものである。
【0007】
【発明の概要】
本発明の研磨用シリカ粒子は、平均粒子径が5〜300nmの範囲にあり、炭素含有量が0. 5〜5重量%であることを特徴とするものである。
前記研磨用シリカ粒子は、10%圧縮弾性率が500〜3000kgf/mm2 の範囲にあることが好ましい。また、前記研磨用シリカ粒子のNa含有量は、Naとして100ppm以下であることが好ましい。
本発明の研磨材は、前記研磨用シリカ粒子を含んでなることを特徴とする。
【0008】
【発明の具体的説明】
研磨用粒子
本発明に係る研磨用シリカ粒子の平均粒子径は、要求される研磨速度、研磨精度等によって異なるが、5〜300nm、特に10〜200nmの範囲にあることが好ましい。平均粒子径が5nm未満の場合は、シリカ粒子分散液の安定性が不充分となる傾向にあり、また粒子径が小さすぎて充分な研磨速度が得られない。平均粒子径が300nmを越えると、基板または絶縁膜の種類にもよるが傷(スクラッチ)が残存し、充分な平滑性が得られないことがある。
【0009】
研磨用シリカ粒子中の炭素の含有量は0. 5〜5重量%、特に0. 7〜4重量%の範囲にあることが好ましい。炭素含有量が0. 5重量%未満の場合は、例えば炭素源であるアルコキシ残基がなく、シロキサン結合が進行し、粒子は硬く(弾性率が高く)、このため研磨速度は速いもののスクラッチが残存したり、新たに生成し、研磨面の平滑性が不充分となる。一方、炭素含有量が5重量%を越えると、アルコキシ残基が多くなり、このため粒子は比較的柔らかく(弾性率が低く)、充分な研磨速度が得られない。
研磨用シリカ粒子は、10%圧縮弾性率が500〜3000kgf/mm2 、さらには600〜2000kgf/mm2 の範囲にあることが好ましい。10%圧縮弾性率が500kgf/mm2 未満の場合は、粒子が比較的柔らかく、このため充分な研磨速度が得られない。10%圧縮弾性率が3000kgf/mm2 を越えると、粒子が硬すぎて、研磨速度は速いもののスクラッチが残存したり新たに生成し、研磨面の平滑性が不充分となる。
【0010】
本発明で採用する10%圧縮弾性率の評価方法は次の通りである。
10%圧縮弾性率は、測定器として微小圧縮試験機(島津製作所製:MCTM−200)を用い、試料として粒子径がDである1個の微小粒子を用いて、試料に一定の負荷速度で荷重を負荷し、圧縮変位が粒子径の10%となるまで粒子を変形させ、10%変位時の荷重と圧縮変位(mm)を求め、粒径および求めた圧縮荷重、圧縮変位を次式に代入して計算によって求める。
K=(3/√2)×F×S-3/2×D-1/2
ここで、 K:10%圧縮弾性率(kgf/mm2 )
F:圧縮荷重(kgf)
S:圧縮変位(mm)
D:粒子径(mm) である。
【0011】
なお、本発明に係る研磨用シリカ粒子の粒子径範囲は5〜300nmと小さく、上記測定器では測定することが困難であり、測定できたとしても精度が出ないおそれがある。そこで、後述する実施例では、特別に粒子径を大きくする以外は研磨用シリカ粒子と同条件で調製し、105℃で24時間乾燥した粒子で粒子径が2〜3μmの範囲にある粒子を10個選択し、これについて測定した値の平均値を研磨用シリカ粒子の10%圧縮弾性率の値として用いた。
【0012】
上記研磨用シリカ粒子中のNa含有量はSiO2 中にNaとして100ppm以下、好ましくは50ppm以下、特に好ましくは20ppm以下であることが望ましい。Na含有量が100ppmを越えると、シリカ粒子を用いて研磨した基板にNaが残存し、このNaが半導体基板に形成された回路の絶縁不良を起こしたり回路が短絡することがあり、絶縁用に設けた膜(絶縁膜)の誘電率が低下し金属配線にインピーダンスが増大し、応答速度の遅れ、消費電力の増大等が起きることがある。また、Naイオンが移動(拡散)し、使用条件や使用が長期にわたった場合に前記不具合を生じることがある。
【0013】
研磨用シリカ粒子の調製
本発明の研磨用シリカ粒子の製造方法としては、前記した炭素含有量であって、好ましくは所定の10%圧縮弾性率を有する粒子が得られれば格別の制限はない。特に、本願出願人が特開平11−61043号公報として開示した短繊維状シリカを得る途中行程で得られ、平均粒子径が5〜300nmの範囲にある単分散シリカ粒子の製造方法は好適である。
また、特開平9−59384号公報に開示したポリオルガノシロキサン微粒子の製造方法と同様にして得られる平均粒子径が5〜300nmの範囲にある粒子の製造方法も好適に用いることができる。
【0014】
以下に具体的な研磨用シリカ粒子の製造方法を例示する。
研磨用シリカ粒子は、下記一般式[1] で表されるアルコキシシランの1種または2種以上を加水分解した後、必要に応じて150℃以下の温度で水熱処理して得られる。
Xn Si(OR)4-n ・・・[1]
式中、Xは水素原子、フッ素原子、炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を示し、Rは水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を示し、n は0〜3の整数である。
一般式[1] で表されるアルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラオクチルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリイソプロポキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジメトキシシラン、ジエトキシシラン、ジフルオロジメトキシシラン、ジフルオロジエトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシランなどが挙げられる。
【0015】
このようなアルコキシシランの加水分解は、水、有機溶媒および触媒の存在下に行われる。
有機溶媒としては、アルコール類、ケトン類、エーテル類、エステル類などが挙げられ、より具体的には、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピレングリコールモノプロピルエーテルなどのグリコールエーテル類、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコールなどのグリコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類が用いられる。
【0016】
触媒としては、アンモニア、アミン、アルカリ金属水素化物、第4級アンモニウム化合物、アミン系カップリング剤など、塩基性を示す化合物が用いられる。なお、触媒としてアルカリ金属水素化物を用いることもできるが、前記アルコキシシランのアルコキシ基の加水分解を促進し、このため得られる粒子中に残存アルコキシ基(炭素)が減少し10%圧縮弾性率が5000kgf/mm2 を越えて高くなり、研磨速度は高いもののスクラッチが発生することがあり、さらにNaの含有量が高くなる問題がある。
上記アルコキシシランの加水分解に必要な水の量は、アルコキシシランを構成するSi−OR基1モル当たり0. 5〜50モル、好ましくは1〜25モルとなるような量であることが望ましい。また触媒は、アルコキシシラン1モル当たり、0. 005〜1モル、好ましくは0. 01〜0. 8モルとなるように添加されていることが望ましい。
【0017】
上記アルコキシシランの加水分解は、通常、常圧下で、使用する溶媒の沸点以下の温度、好ましくは沸点より5〜10℃程度低い温度で行われるが、オートクレーブなどの耐熱耐圧容器を用いる場合には、この温度よりもさらに高い温度で行うこともできる。
上記のような条件で加水分解すると、アルコキシシランの重縮合が三次元的に進行し、5〜300nmの粒径を有する研磨用シリカ粒子を得ることができる。また、得られた粒子の存在下で再び前記アルコキシシランを加水分解するとよりより大きな、あるいは粒子径分布の均一な研磨用シリカ粒子を得ることができる。
【0018】
さらに、必要に応じて、生成したシリカ粒子を150℃以下の温度で水熱処理することができる。この水熱処理を行うことによって所望の炭素含有量に低下させたり、所望の10%圧縮弾性率に高めることができる。
上記水熱処理温度が150℃を越えると、特に250℃を越えると、共存するアンモニア等の濃度にもよるが、単分散粒子でなく粒子が数個以上2次元に連結した短繊維状シリカ粒子が得られることがある。このような短繊維状シリカ粒子を研磨材として用いるとスクラッチが発生することがあるが、一方でディッシング(過研磨)を抑制することができる。
【0019】
研磨材
本発明に係る研磨材は、前記した研磨用シリカ粒子が分散媒に分散したものである。
分散媒としては通常、水を用いるが、必要に応じてメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等のアルコール類を用いることができ、他にエーテル類、エステル類、ケトン類など水溶性の有機溶媒を用いることができる。
研磨材中の研磨用シリカ粒子の濃度は2〜50重量%、さらには5〜30重量%の範囲にあることが好ましい。濃度が2重量%未満の場合は、基材や絶縁膜の種類によっては濃度が低すぎて研磨速度が遅く生産性が問題となることがある。シリカ粒子の濃度が50重量%を越えると研磨材の安定性が不充分となり、研磨速度や研磨効率がさらに向上することもなく、また研磨処理のために分散液を供給する工程で乾燥物が生成して付着することがあり傷(スクラッチ)発生の原因となることがある。
【0020】
本発明の研磨材には、被研磨材の種類によっても異なるが、必要に応じて従来公知の過酸化水素、過酢酸、過酸化尿素などおよびこれらの混合物を添加して用いることができる。このような過酸化水素等を添加して用いると被研磨材が金属の場合には効果的に研磨速度を向上させることができる。
また、必要に応じて硫酸、硝酸、リン酸、フッ酸等の酸、あるいはこれら酸のナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩およびこれらの混合物などを添加して用いることができる。この場合、複数種の材質の被研磨材を研磨する際に、特定成分の被研磨材の研磨速度を速めたり、遅くすることによって、最終的に平坦な研磨面を得ることができる。
その他の添加剤として、例えば、金属被研磨材表面に不動態層あるいは溶解抑制層を形成して基材の浸食を防止するためにイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾールなどを用いることができる。
また、上記不動態層を攪乱するためにクエン酸、乳酸、酢酸、シュウ酸、フタル酸、クエン酸等の有機酸あるいはこれらの有機酸塩などの錯体形成材を用いることもできる。
研磨材スラリーの分散性や安定性を向上させるためにカチオン系、アニオン系、ノニオン系、両性系の界面活性剤を適宜選択して添加することができる。
さらに、上記各添加剤の効果を高めるためなどに必要に応じて酸または塩基を添加して研磨材スラリーのpHを調節することができる。
【0021】
【発明の効果】
本発明によれば、研磨用シリカ粒子が所定量の炭素を含み弾性を有しているので、この研磨用粒子を含んでなる研磨材は研磨速度を調節することが容易であると共に、スクラッチ(傷)が発生することがなく、基板表面を極めて平坦にかつ平滑に研磨することができる。さらに、このシリカ粒子はNaを実質的に含まないので研磨した半導体基板や酸化膜表面にNaが付着することがなく、このため基板の平坦化、特に半導体集積回路における金属配線層の形成等において特に有用である。
【0022】
【実施例1】
研磨用シリカ粒子(A)の製造
純水139. 1gとメタノール169. 9gとを混合した混合溶媒を60℃に保持し、これにテトラエトキシシラン(多摩化学(株)製:エチルシリケート28、SiO2 =28重量%)の水−メタノール溶液(水/メタノール(重量比:2/8)混合溶媒2450gにテトラエトキシシランを532. 5g溶解したもの)2982. 5gおよび濃度0. 25重量%のアンモニア水596. 4g(触媒/アルコキシシランのモル比=0. 034)を同時に20時間かけて添加した。添加終了後、さらにこの温度で3時間熟成した。その後、限外濾過膜で未反応のテトラエトキシシラン、メタノール、アンモニアをほぼ完全に除去し、両イオン交換樹脂で精製し、ついで限外濾過膜で濃縮し、固形分濃度20重量%の研磨用シリカ粒子(A)の分散液を得た。研磨用シリカ粒子(A)の平均粒子径、炭素含有量、Na含有量を測定し、結果を表1に示した。
【0023】
10%圧縮弾性率測定用粒子(A ' )の調製
純水139. 1gとメタノール169. 9gとを混合した混合溶媒を60℃に保持し、これに前記実施例1と同じ組成のテトラエトキシシランの水−メタノール溶液298. 3g(実施例1の1/10量) と0. 25重量%のアンモニア水59. 6g(実施例1の1/10量) を一度に添加して10時間攪拌を続けてシード粒子を調合した。10時間後、残りのテトラエトキシシランの水−メタノール混合溶液2684. 3gと0. 25重量%のアンモニア水536. 8gを18時間かけて添加した。添加終了後、さらにこの温度で3時間熟成した。その後、限外濾過膜で未反応のテトラエトキシシラン、メタノール、アンモニアをほぼ完全に除去し、両イオン交換樹脂で精製し、ついで限外濾過膜で濃縮し、固形分濃度20重量%の10%圧縮弾性率測定用粒子(A' )の分散液を得た。ついで、分散液を遠心分離し、105℃で一晩乾燥し、粒子径が2〜3μmの粒子について10%圧縮弾性率を測定し、結果を表1に示した。
【0024】
研磨
(1)研磨材
研磨用シリカ粒子(A)の分散液500gに、濃度30重量%の過酸化水素水333g、蓚酸アンモニウム5gおよび水162gを混合して、粒子濃度10重量%、過酸化水素10重量%、蓚酸アンモニウム0. 5重量%の研磨材(A)を調製した。
(2)研磨用基板
絶縁膜として、窒化ケイ素からなる絶縁膜(厚さ0. 2μm)の表面に、シリカからなる絶縁膜(厚さ0. 4μm)が積層され、さらに窒化ケイ素からなる絶縁膜(厚さ0. 2μm)が順次形成されたシリコンウェーハー(8インチウェーハー)基板上にポジ型フォトレジストを塗布し、0. 3μmのラインアンドスペースの露光処理を行った。次いでテトラメチルアンモニウムハイドライド(TMAH)の現像液で露光部分を除去した。次に、CF4 とCHF3 の混合ガスを用いて、下層の絶縁膜にパターンを形成した後、O2 プラズマによりレジストを除去し、幅(WC )が0. 3μmで、深さが0. 6μmの配線溝を形成した。この配線溝を形成した基板にCVD法で薄層の銅(Cu)の成膜をし、さらに電界メッキ法で成膜を行い絶縁膜上の銅層(犠牲層)の合計の厚さが0. 2μmの銅の成膜を行い、研磨用基板を準備した。
【0025】
(3)研磨試験
研磨用基板を用い、研磨装置(ナノファクター(株)製:NF300)にセットし、基板加重5psi、テーブル回転速度50rpm、スピンドル速度60rpmで、上記研磨材(A)を60ml/分の速度で絶縁膜上の犠牲層(厚さ0.2μm)が無くなるまで研磨を行った。このときの研磨所要時間は92秒であり、研磨速度を表1に示した。また、研磨表面を観察し、表面の平滑性を以下の基準で評価し、結果を表1に示した。
○:小さなスクラッチが僅かに認められた。
△:小さなスクラッチが広範囲に認められた。
×:大きなスクラッチが点在して認められた。
【0026】
【実施例2】
研磨用シリカ粒子(B)の製造および研磨
実施例1において、メタノールの代わりにエタノールを用いた以外は実施例1と同様にして、固形分濃度20重量%の研磨用シリカ粒子(B)の分散液を得た。
研磨用粒子(B)の分散液を用いた以外は実施例1と同様にして研磨材(B)を調製した。
ついで、実施例1で用いたと同様の研磨用基板を同様に研磨したところ、研磨所要時間は86秒であった。
10%圧縮弾性率測定用粒子(B ' )の調製
実施例1の10%圧縮弾性率測定用粒子(A' )の調製において、メタノールの代わりにエタノールを用いた以外は同様にして10%圧縮弾性率測定用粒子(B' )を調製した。
【0027】
【実施例3】
研磨用シリカ粒子(C)の製造および研磨
実施例1において、濃度0. 25重量%のアンモニア水596. 4gの代わりに濃度0. 06重量%のアンモニア水596. 4g(触媒/アルコキシシランのモル比=0. 0082)を用いた以外は実施例1と同様にして、固形分濃度20重量%の研磨用粒子(C)の分散液を得た。
研磨用粒子(C)の分散液を用いた以外は実施例1と同様にして研磨材(C)を調製した。
ついで、実施例1で用いたと同様の研磨用基板を同様に研磨したところ、研磨所要時間は120秒であった。
10%圧縮弾性率測定用粒子(C ' )の調製
実施例1の10%圧縮弾性率測定用粒子(A' )の調製において、0. 25重量%のアンモニア水の代わりに0. 06重量%のアンモニア水を用いた以外は同様にして10%圧縮弾性率測定用粒子(C' )を調製した。
【0028】
【実施例4】
研磨用シリカ粒子(D)の製造および研磨
純水139. 1gとメタノール169. 9gとを混合した混合溶媒を60℃に保持し、これにテトラエトキシシラン(多摩化学(株)製:エチルシリケート28、SiO2 =28重量%)479. 3gとメチルトリメトキシシラン(信越化学(株)製:SiO2 =44重量%)34. 7gの混合物の水−メタノール溶液(水/メタノール(重量比:2/8)混合溶媒2450gに溶解したもの)2964gおよび濃度0. 25重量%のアンモニア水596. 4g(触媒/アルコキシシランのモル比=0. 034)を同時に20時間かけて添加した。添加終了後、さらにこの温度で3時間熟成した。その後、限外濾過膜で未反応のテトラエトキシシラン、メタノール、アンモニアをほぼ完全に除去し、両イオン交換樹脂で精製し、ついで限外濾過膜で濃縮し、固形分濃度20重量%の研磨用シリカ粒子(D)の分散液を得た。
研磨用粒子(D)の分散液を用いた以外は実施例1と同様にして研磨材(D)を調製した。
ついで、実施例1で用いたと同様の研磨用基板を同様に研磨したところ、研磨所要時間は144秒であった。
【0029】
10%圧縮弾性率測定用粒子(D ' )の調製
実施例1の10%圧縮弾性率測定用粒子(A' )の調製において、シード粒子の調製時にテトラエトキシシランの水−メタノール混合溶媒の代わりに、研磨用シリカ粒子(D)の製造におけると同組成のテトラエトキシシランとメチルトリメトキシシランの混合物の水−メタノール混合溶媒に溶解させた溶液の1/10量、および0. 25重量%のアンモニア水の1/10量を一度に添加し、10時間撹拌をし、実施例1と同様にしてシード粒子を調合した。その後、残りのテトラエトキシシランとメチルトリメトキシシランの混合物の水−メタノールの混合溶液および0. 25重量%のアンモニア水を18時間かけて添加した。添加終了後、さらにこの温度で3時間熟成した。その後、限外濾過膜で未反応のテトラエトキシシラン、メタノール、アンモニアをほぼ完全に除去し、両イオン交換樹脂で精製し、ついで限外濾過膜で濃縮し、固形分濃度20重量%の10%圧縮弾性率測定用粒子(D' )の分散液を得た。
【0030】
【比較例1】
研磨用シリカ粒子(E)の製造および研磨
シリカゾル(触媒化成工業(株)製:カタロイドSI−50、平均粒子径25nm、SiO2 =48重量%)をSiO2 濃度20重量%に希釈して、研磨用粒子(E)の分散液を得た。
研磨用粒子(E)の分散液を用いた以外は実施例1と同様にして研磨材(E)を調製した。
ついで、実施例1で用いたと同様の研磨用基板を同様に研磨したところ、研磨所要時間は86秒であった。
【0031】
10%圧縮弾性率測定用粒子(E ' )の調製
シリカゾル(触媒化成工業(株)製:カタロイドSI−50、平均粒子径25nm、SiO2 =48重量%)20.8gをSiO2 濃度1. 5重量%に希釈し、これにNaOH水溶液を添加してpHを10. 5に、温度を85℃に調整した。これに希釈水硝子をイオン交換樹脂で脱アルカリして得た酸性珪酸液(pH2. 2、SiO2 =4. 7重量%)1500gを10時間で添加し、その後1時間熟成した。得られたシリカ粒子分散液の一部をSiO2 濃度1. 5重量%に希釈し、これにNaOH水溶液を添加してpH10. 5、温度85℃の分散液667gを調製した。これに酸性珪酸液(pH2. 2、SiO2 濃度4. 7重量%)1500gを20時間で添加し、その後1時間熟成した。この操作をさらに3回目から6回目まで繰り返し、酸性珪酸液(pH2. 2、SiO2 濃度4. 7重量%)1500gの添加時間を30時間、40時間、50時間、60時間で添加し、その後1時間熟成した。ついで、限外濾過膜にてシリカ粒子分散液のpHが10となるまで洗浄して10%圧縮弾性率測定用粒子(E' )の分散液を得た。
【0032】
【比較例2】
研磨用シリカ粒子(F)の製造および研磨
実施例1において、濃度0. 25重量%のアンモニア水596. 4gの代わりに濃度0. 59重量%のNaOH水溶液596. 4g(触媒/アルコキシシランのモル比=0. 034)を用いた以外は実施例1と同様にして、固形分濃度20重量%の研磨用シリカ粒子(F)の分散液を得た。
研磨用粒子(F)の分散液を用いた以外は実施例1と同様にして研磨材(F)を調製した。
ついで、実施例1で用いたと同様の研磨用基板を同様に研磨したところ、研磨所要時間は86秒であった。
10%圧縮弾性率測定用粒子(F ' )の調製
実施例1の10%圧縮弾性率測定用粒子(A' )の調製において、濃度0. 25重量%のアンモニア水の代わりに濃度0. 59重量%のNaOH水溶液を用いた以外は同様にして10%圧縮弾性率測定用粒子(F' )を調製した。
【0033】
【比較例3】
研磨用シリカ粒子(G)の製造および研磨
純水139. 1gとメタノール169. 9gとを混合した混合溶媒を60℃に保持し、これにテトラエトキシシラン(多摩化学(株)製:エチルシリケート28、SiO2 =28重量%)の水−メタノール溶液(水/メタノール(重量比:2/8)混合溶媒2450gにテトラエトキシシランを532. 5g溶解したもの)2982. 5gおよび濃度0. 25重量%のアンモニア水596. 4g(触媒/アルコキシシランのモル比=0. 034)を同時に20時間かけて添加した。添加終了後、さらにこの温度で3時間熟成した。その後、限外濾過膜で未反応のテトラエトキシシラン、メタノール、アンモニアをほぼ完全に除去し、純水を添加してシリカ濃度1重量%に調整した。
ついで、220℃のオートクレーブ中で10時間水熱処理を行った。水熱処理後、両イオン交換樹脂で精製し、ついで限外濾過膜で濃縮し、固形分濃度20重量%の研磨用シリカ粒子(G)の分散液を得た。
研磨用粒子(G)の分散液を用いた以外は実施例1と同様にして研磨材(G)を調製した。
ついで、実施例1で用いたと同様の研磨用基板を同様に研磨したところ、研磨所要時間は92秒であった。
10%圧縮弾性率測定用粒子(G ' )の調製
実施例1と同様にして、固形分濃度20重量%の10%圧縮弾性率測定用粒子(A' )の分散液を得、これに純水を添加してシリカ濃度1重量%に調整した。ついで、220℃のオートクレーブ中で15時間水熱処理を行った。水熱処理後、両イオン交換樹脂で精製し、ついで限外濾過膜で濃縮し、固形分濃度20重量%の研磨用シリカ粒子(G' )の分散液を得た。
【0034】
【比較例4】
研磨用シリカ粒子(H)の製造
実施例1において、メタノール169. 9gの代わりにエタノール/イソプロパノール(重量比:8/2)混合溶媒169. 9gを用い、また、水−メタノール(重量比:2/8)混合溶媒2450gの代わりに水/エタノール/イソプロパノール(重量比:2/6. 4/1. 6)混合溶媒2450gを用いた以外は同様にして、固形分濃度20重量%の研磨用シリカ粒子(H)の分散液を得た。
研磨用粒子(H)の分散液を用いた以外は実施例1と同様にして研磨材(H)を調製した。
ついで、実施例1で用いたと同様の研磨用基板を同様に研磨した。このときの研磨速度を表1に示す。
10%圧縮弾性率測定用粒子(H ' )の調製
実施例1の10%圧縮弾性率測定用粒子(A' )の調製において、上記同様メターノールの代わりにエタノール/イソプロパノール(重量比:8/2)混合溶媒を用いた以外は同様にして固形分濃度20重量%の10%圧縮弾性率測定用粒子(H' )の分散液を得た。
【0035】
【比較例5】
研磨用シリカ粒子(I)の製造
実施例1において、テトラエトキシシラン532. 5gの代わりに、テトラメトキシシラン302. 9gとγ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン141. 2gの混合物を用いた以外は同様にして、固形分濃度20重量%の研磨用シリカ粒子(I)の分散液を得た。
研磨用粒子(I)の分散液を用いた以外は実施例1と同様にして研磨材(I)を調製した。
ついで、実施例1で用いたと同様の研磨用基板を同様に研磨した。このときの研磨速度を表1に示す。
10%圧縮弾性率測定用粒子(I ' )の調製
実施例1の10%圧縮弾性率測定用粒子(A' )の調製において、テトラエトキシシラン53. 3gの代わりに、テトラメトキシシラン30. 3gとγ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン14. 1gとの混合物を用いた以外は同様にして、固形分濃度20重量%の10%圧縮弾性率測定用粒子(I' )の分散液を得た。
【0036】
【比較例6】
研磨用シリカ粒子(J)の製造
実施例1において、テトラエトキシシラン532. 5gの代わりに、テトラメトキシシラン190. 3gとγ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン170. 3gの混合物を用いた以外は同様にして、固形分濃度20重量%の研磨用シリカ粒子(J)の分散液を得た。
研磨用粒子(J)の分散液を用いた以外は実施例1と同様にして研磨材(J)を調製した。
ついで、実施例1で用いたと同様の研磨用基板を同様に研磨した。このときの研磨速度を表1に示す。
10%圧縮弾性率測定用粒子(J ' )の調製
実施例1の10%圧縮弾性率測定用粒子(A' )の調製において、テトラエトキシシラン53. 3gの代わりに、テトラメトキシシラン19.0gとγ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン17. 0gとの混合物を用いた以外は同様にして、固形分濃度20重量%の10%圧縮弾性率測定用粒子(J' )の分散液を得た。
【0037】
【表1】
Claims (4)
- 平均粒子径5〜300nmの三次元的重縮合構造からなる研磨用シリカ粒子であって、該シリカ粒子中にアルコキシ残基を有し、炭素含有量が0. 5〜5重量%であることを特徴とする研磨用シリカ粒子。
- 10%圧縮弾性率が500〜3000kgf/mm2 の範囲にあることを特徴とする請求項1記載の研磨用シリカ粒子。
- Na含有量がNaとして100ppm以下である請求項1または請求項2記載の研磨用シリカ粒子。
- 請求項1〜請求項3いずれか記載の研磨用シリカ粒子を含んでなる研磨材。
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