KR20040061495A - 비정질 실리콘의 결정화 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 소정의 베이스층상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘층을 선택적으로 비정질 실리콘층의 단면적이 줄어들다가 늘어나는 형태의 목을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘층이 선택적으로 제거된 부분을 절연층으로 형성하는 단계; 및레이저 스캔으로 상기 비정질 실리콘층을 상기 목으로부터 결정화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 제1항에 있어서,상기 베이스층은 글래스 기판인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 제1항에 있어서,상기 절연층은 실리콘산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 제1항에 있어서,상기 절연층은 실리콘의 결정 성장 블로커인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 제1항에 있어서,상기 목의 폭은 실리콘의 결정화시 형성되는 평균 그레인 사이즈와 동일하거나 작은 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 제1항에 있어서,상기 목은 다수개인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 소정의 베이스층상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층을 선택적으로 제거하여 제거된 부분의 단면적이 줄어들다가 늘어나는 형태의 목을 지닌 절연층 패턴을 형성하는 단계;상기 절연층이 선택적으로 제거된 부분을 비정질 실리콘층으로 형성하는 단계; 및레이저 스캔으로 상기 비정질 실리콘층을 상기 목으로부터 결정화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 제7항에 있어서,상기 절연층은 실리콘산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 제7항에 있어서,상기 절연층 패턴은 실리콘의 결정 성장 블로커인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 제7항에 있어서,상기 목의 폭은 실리콘의 결정화시 형성되는 평균 그레인 사이즈와 동일하거나 작은 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 제7항에 있어서,상기 목은 다수개인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
- 제7항에 있어서,상기 베이스층은 글래스 기판인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘의 결정화 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020020087762A KR100956459B1 (ko) | 2002-12-31 | 2002-12-31 | 비정질 실리콘의 결정화 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020020087762A KR100956459B1 (ko) | 2002-12-31 | 2002-12-31 | 비정질 실리콘의 결정화 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040061495A true KR20040061495A (ko) | 2004-07-07 |
KR100956459B1 KR100956459B1 (ko) | 2010-05-07 |
Family
ID=37353037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020087762A KR100956459B1 (ko) | 2002-12-31 | 2002-12-31 | 비정질 실리콘의 결정화 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100956459B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100818285B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2008-04-01 | 삼성전자주식회사 | 단결정 실리콘 로드 제조방법 |
KR101032347B1 (ko) * | 2007-10-29 | 2011-05-02 | 삼성전자주식회사 | 단결정 실리콘 로드 구조체 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001250775A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体基板及び半導体装置及び半導体基板の製造方法及び半導体基板の製造治具及び半導体装置の製造治具 |
KR100426210B1 (ko) * | 2000-11-11 | 2004-04-03 | 피티플러스(주) | 실리콘 박막 결정화 방법 |
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KR100818285B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2008-04-01 | 삼성전자주식회사 | 단결정 실리콘 로드 제조방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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