KR20040054523A - 카메라 모듈 - Google Patents

카메라 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20040054523A
KR20040054523A KR1020030092236A KR20030092236A KR20040054523A KR 20040054523 A KR20040054523 A KR 20040054523A KR 1020030092236 A KR1020030092236 A KR 1020030092236A KR 20030092236 A KR20030092236 A KR 20030092236A KR 20040054523 A KR20040054523 A KR 20040054523A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image sensor
camera module
sensor chip
filter member
filter
Prior art date
Application number
KR1020030092236A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100543854B1 (ko
Inventor
이께다오사무
Original Assignee
산요덴키가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 산요덴키가부시키가이샤 filed Critical 산요덴키가부시키가이샤
Publication of KR20040054523A publication Critical patent/KR20040054523A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100543854B1 publication Critical patent/KR100543854B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/54Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/55Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Blocking Light For Cameras (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

본 발명은 휴대 기기용 카메라 모듈을 칩 사이즈에 소형화하는 동시에, 제조 비용을 저감하는 것에 관한 것이다.
이미지 센서 칩(60)의 표면에는 광전 변환 소자인 CCD가 형성되고, 또한 이를 덮도록 IR 필터(90)가 접착재로 접합되어 있다. 이 IR 필터(90)는 칩 지지 기능에다가 필터 기능도 구비하고 있는 것이다. 이 IR 필터(90)는 유리재에 금속의 진공 증착을 행하거나 혹은 동의 입자를 혼입함으로써, 얻을 수 있어 필터 기능과 칩 지지 기능의 양방을 실현할 수 있다.

Description

카메라 모듈 {CAMERA MODULE}
본 발명은 카메라 모듈에 관한 것이며, 특히 휴대 전화 등의 휴대 기기에의 내장화에 적합한 소형의 카메라 모듈에 관한 것이다.
최근, 카메라 기능을 가진 휴대 전화가 보급되고 있다. 이러한 종류의 휴대 전화로서는 소형의 카메라 모듈이 내장화되어 있다. 도3은 그와 같은 카메라 모듈의 구조를 도시하는 단면도이다.
도3에 있어서, 부호 50은 경통, 51은 경통(50)에 조립된 렌즈, 52는 경통(50)의 경통구에 설치된 적외선 컷트용의 IR 필터이다. 또, 부호 60은 경통(50) 내의 공간에 수납되고, 또한 프린트 기판(70)과 전기적으로 접속된 이미지 센서 칩이다.
이미지 센서 칩(60)은 IR 필터(52) 및 렌즈(51)를 통해서 입사된 피사체로부터의 빛을 전기 신호로 변환한다. 이 이미지 센서 칩(60)에 있어서, 실리콘 칩(61)의 표면에 CCD가 형성되어 있고, 또한 얇은 실리콘 칩(61)을 지지하기 위한 지지 유리 기판(62)이 이 위에 접합되어 있다.
또한, 이미지 센서 칩(60)의 표면 주변에는 전극 패드(63A, 63B)가 형성되고, 실리콘 칩(61)의 측면으로부터 이면에 이르는 재배선(64A, 64B)이 형성되어 있다. 이 재배선(64A, 64B)은 실리콘 칩(61)의 이면에 접합된 유리 기판(65) 상에 연장되고, 이 유리 기판(65) 상에 연장된 재배선(64A, 64B)의 단부에 범프 전극(66A, 66B)이 형성되어 있다. 그리고, 이 범프 전극(66A, 66B)이 프린트 기판(70)에 접속되어 있다.
또한, 프린트 기판(70)의 이면에는 이미지 센서 칩(60)으로부터의 전기 신호를 받아, 이 신호에 소정의 화상 신호 처리를 실시하는 DSP(80)가 범프 전극(81A, 81B)을 거쳐서 접속되어 있다.
또, 이러한 종류의 카메라 모듈에 대해서는 특허 문헌 1 - 3에 기재되어 있다. 또한, 이면에 범프 전극이 설치된 칩 구조에 대해서는 특허 문헌 4에 기재되어 있다.
[특허 문헌 1]
일본 특허 공개 평9-61239호 공보
[특허 문헌 2]
일본 특허 공개 평11-261044호 공보
[특허 문헌 3]
일본 특허 출원 제2001-128072호 공보
[특허 문헌 4]
일본 특허 공표 제2002-512436호 공보
그러나, 상술한 카메라 모듈에서는 경통(50), 렌즈(51), IR 필터(52) 및 이미지 센서 칩(60)은 각각이 개별 부품이며, 이러한 개별 비품을 어셈블리하여 카메라 모듈을 조립하고 있었다. 그로 인해, 한층 더 소형화가 곤란하고, 제조 비용도 높다는 문제가 있었다.
도1은 본 발명의 실시 형태에 관한 카메라 모듈의 단면도.
도2는 본 발명의 실시 형태에 관한 카메라 모듈의 단면도.
도3은 종래예에 관한 카메라 모듈의 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
50 : 경통
51 : 렌즈
52 : 경통구
60, 100 : 이미지 센서 칩
61, 101 : 실리콘 칩
62 : 지지 유리 기판
63A, 63B, 103A, 103B : 전극 패드
64A, 64B : 재배선
65 : 유리 기판
66A, 66B, 81A, 81B : 범프 전극
70 : 프린트 기판
80 : DSP
90 : IR 필터
104A, 104B : 본딩 와이어
그래서 본 발명의 카메라 모듈은 소정의 파장 영역의 입사광을 컷트하기 위한 필터 부재를 이미지 센서 칩의 표면에 형성함으로써, 이미지 센서 칩과의 일체화를 도모하였다. 이에 의해, 필터 부재는 이미지 센서 칩의 제조 프로세스 중에서 일체 형성되게 되며, 소형화와 제조 비용의 삭감이 가능해진다.
다음에, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 도1은 이 카메라 모듈의 구조를 도시하는 단면도이다. 도1 중, 도3과 동일 구성 부분에는 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다.
이미지 센서 칩(60)의 표면에는 광전 변환 소자인 CCD가 형성되고, 더욱 이것을 덮도록 IR 필터(90)가 접착재로 접합되어 있다. 이 IR 필터(90)는, 도3에서 말하면, 얇은 실리콘 칩(61)을 지지하기 위한 지지 유리 기판(62)에 상당하는 것이지만, 칩 지지 기능에다가 필터 기능도 구비하고 있는 것이다. 바꿔 말하면, IR 필터(90)는 지지 유리 기판(62)을 겸하고 있다. 이 IR 필터(90)는 유리재에 금속의 진공 증착을 행하거나 혹은 동의 입자를 혼입함으로써 얻을 수 있다. 혹은, IR 필터(90)는 필터 기능을 부가하는 격자 구조를 갖도록 표면 가공된 플라스틱재를 이용해도 좋다. 이들에 의해, 필터 기능과 칩 지지 기능의 양방을 실현할 수 있다.
여기서, 유리재에 금속을 진공 증착하여 IR 필터(90)를 형성하는 경우에는, 이미지 센서 칩(60)의 표면에 유리재를 접합시키기 전에 진공 증착을 해도 좋고, 이미지 센서 칩(60)의 표면에 유리재를 접합시킨 후에 진공 증착을 해도 좋다.
또한, IR 필터(90)는 적외선 컷트 필터이지만, 이에 한정되지 않으며 이미지 센서 칩(60)이 적외선 이미지 센서 칩인 경우에는, 적외선 패스 필터(적외선 이외의 파장 영역을 컷트)라도 좋다.
또, 지지 기판으로서의 기능이 불필요한 경우라도, 반도체의 웨이퍼 프로세스 공정으로 웨이퍼 상에 IR 필터(90)를 형성함으로써, 제조 비용의 삭감은 가능하다. 예를 들어, CCD가 형성된 웨이퍼 상에 CVD법으로 실리콘 산화막(일종의 유리)을 형성하거나, SOG막(이것도 일종의 유리)을 도포 형성하고, 또한 이 실리콘 산화막 또는 SOG막을 화학 기계적 연마법(CMP) 등으로 평탄화한 후에 금속을 진공 증착하면, 각종의 필터[예를 들어, IR 필터(90)를 포함함]를 형성할 수 있다.
또한, 도1의 카메라 모듈의 이미지 센서 칩(60)은 이면 범프 전극(66A, 66B)을 이용하는 타입이지만, 도2와 같은 이미지 센서 칩(100)이라도 좋다. 즉, 이 이미지 센서 칩(100)은 표면에 CCD가 형성된 실리콘 칩(101)과, 이 실리콘 칩(101)의 표면을 덮도록 형성된 IR 필터(102)와, 그 표면 주변부에 형성된 전극 패드(103A, 103B)를 갖고 있고, 전극 패드(103A, 103B)와 프린트 기판이 본딩 와이어(104A, 104B)에 의해 접속되어 있다. IR 필터(102)는 전극 패드(103A, 103B)의 형성 후에 상술한 바와 같이 웨이퍼 프로세스 공정으로 형성되는 것이며, 전극 패드(103A, 103B) 상에 대해서는 IR 필터(102)가 제거되어 있는 구조이다.
본 발명에 따르면, 이미지 센서 칩의 표면을 덮는 필터 부재를 형성함으로써, 카메라 모듈의 소형화나 제조 비용을 저감할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.

Claims (7)

  1. 표면에 광전 변환 소자가 배치되고, 또한 상기 표면을 덮도록 형성되어 소정의 파장 영역의 입사광을 컷트하기 위한 필터 부재를 갖는 이미지 센서 칩과, 상기 이미지 센서 칩 상에 배치된 렌즈를 구비하는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 필터 부재는 상기 이미지 센서 칩의 지지 기판을 겸하고 있는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  3. 제1항에 있어서, 상기 필터 부재는 표면에 금속 증착된 유리재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  4. 제1항에 있어서, 상기 필터 부재는 필터 기능을 부가하는 격자 구조를 갖도록 표면 가공된 플라스틱재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  5. 제1항에 있어서, 상기 필터 부재는 동 입자가 도핑된 유리재 또는 플라스틱재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이미지 센서 칩은 그 표면의 다른 영역에 설치된 전극 패드를 갖는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  7. 제6항에 있어서, 상기 이미지 센서 칩은 상기 전극 패드에 접속된 외부 접속용 단자를 그 이면에 갖는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
KR1020030092236A 2002-12-18 2003-12-17 카메라 모듈 KR100543854B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002366275A JP2004200966A (ja) 2002-12-18 2002-12-18 カメラモジュール
JPJP-P-2002-00366275 2002-12-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040054523A true KR20040054523A (ko) 2004-06-25
KR100543854B1 KR100543854B1 (ko) 2006-01-23

Family

ID=32376260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030092236A KR100543854B1 (ko) 2002-12-18 2003-12-17 카메라 모듈

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20040165098A1 (ko)
EP (1) EP1432239A1 (ko)
JP (1) JP2004200966A (ko)
KR (1) KR100543854B1 (ko)
CN (1) CN1509061A (ko)
TW (1) TWI228906B (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4563709B2 (ja) * 2004-03-29 2010-10-13 富士通株式会社 フィルタ及び電子装置
US20070001094A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Micron Technology, Inc. Infrared filter for imagers
TWI386696B (zh) * 2005-10-07 2013-02-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 鏡頭模組
JP2007188909A (ja) * 2005-12-14 2007-07-26 Fujifilm Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP5427337B2 (ja) 2005-12-21 2014-02-26 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 半導体装置及びその製造方法、カメラモジュール
KR100772763B1 (ko) * 2006-06-29 2007-11-01 신익규 키패드 표면무늬 성형가공 방법
TWI383658B (zh) * 2006-08-18 2013-01-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 影像模組
EP2186337A4 (en) * 2007-08-08 2011-09-28 Tony Mayer NONTRETRO-REFLECTIVE NUMBER PLATE PICTURE SYSTEM
CN101498823B (zh) 2008-01-28 2011-03-30 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 相机模组
JP5264417B2 (ja) * 2008-11-04 2013-08-14 株式会社ツーソー カメラ用フィルタユニット
JP4391585B1 (ja) 2009-06-08 2009-12-24 新光電気工業株式会社 カメラモジュール及びその製造方法
US8101962B2 (en) * 2009-10-06 2012-01-24 Kuang Hong Precision Co., Ltd. Carrying structure of semiconductor
CN101741972B (zh) * 2009-10-15 2012-08-08 深圳桑菲消费通信有限公司 手机摄像头双程键控制系统及其识别方法
KR101148847B1 (ko) * 2010-06-29 2012-05-29 주식회사 지멤스 이미지센서 모듈, 이를 포함하는 영상장치 및 이미지센서 모듈 제조방법
JP2014241376A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 住友電気工業株式会社 イメージセンサ
US9851619B2 (en) * 2014-10-20 2017-12-26 Google Inc. Low z-height camera module with aspherical shape blue glass
US10750071B2 (en) * 2016-03-12 2020-08-18 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module with lens array arrangement, circuit board assembly, and image sensor and manufacturing method thereof
US10325952B2 (en) * 2017-07-07 2019-06-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
JP6232161B1 (ja) 2017-07-27 2017-11-15 日本板硝子株式会社 光学フィルタ
JP6267823B1 (ja) * 2017-07-27 2018-01-24 日本板硝子株式会社 光学フィルタ、カメラモジュール、及び情報端末

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6178160A (ja) * 1984-09-25 1986-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd カラ−固体撮像装置
JPS6365840A (ja) * 1986-04-04 1988-03-24 オリンパス光学工業株式会社 内視鏡
JP2563236Y2 (ja) * 1991-02-15 1998-02-18 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像装置
IL123207A0 (en) * 1998-02-06 1998-09-24 Shellcase Ltd Integrated circuit device
JP3270423B2 (ja) * 1998-06-22 2002-04-02 オリンパス光学工業株式会社 赤外吸収ガラス及びその作製方法
US6217796B1 (en) * 1998-11-17 2001-04-17 Nisshinbo Industries, Inc. Near infrared absorption composition
US6559439B1 (en) * 1999-12-15 2003-05-06 Olympus Optical Co., Ltd. Image taking lens unit with frame member for positioning lens and substrate
JP3762618B2 (ja) * 2000-06-19 2006-04-05 ペンタックス株式会社 電子カメラ
EP1180718A1 (fr) * 2000-08-11 2002-02-20 EM Microelectronic-Marin SA Appareil de prise d'images de petites dimensions, notamment appareil photographique ou caméra
JP2002156607A (ja) * 2000-11-16 2002-05-31 Victor Co Of Japan Ltd 撮像装置
JP2002231918A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
KR100410946B1 (ko) * 2001-05-16 2003-12-18 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈 및 그 제조 방법
JP2003244560A (ja) * 2002-02-21 2003-08-29 Seiko Precision Inc 固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1432239A1 (en) 2004-06-23
TWI228906B (en) 2005-03-01
CN1509061A (zh) 2004-06-30
TW200418309A (en) 2004-09-16
JP2004200966A (ja) 2004-07-15
US20040165098A1 (en) 2004-08-26
KR100543854B1 (ko) 2006-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100543854B1 (ko) 카메라 모듈
KR100577665B1 (ko) 카메라 모듈 및 그 제조 방법
US7948555B2 (en) Camera module and electronic apparatus having the same
KR100691711B1 (ko) 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 카메라 모듈
EP1441509A2 (en) Camera module and manufacturing method thereof
US20050099532A1 (en) Image pickup device and a manufacturing method thereof
US6943423B2 (en) Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof
KR100592368B1 (ko) 반도체 소자의 초박형 모듈 제조 방법
US7316937B2 (en) Method for manufacturing a solid-state image sensing device, such as a CCD
JP2004226872A (ja) カメラモジュール及びその製造方法
JP2003198897A (ja) 光モジュール、回路基板及び電子機器
WO2005041561A1 (en) Camera module and manufacturing method for such a camera module
JP2004229167A (ja) カメラモジュールの製造方法
JP2010213034A (ja) 撮像装置
JP2004233482A (ja) カメラモジュールの製造方法
KR100694469B1 (ko) 적외선 필터가 탑재된 이미지센서
EP1713126A1 (en) Image pickup device and a manufacturing method thereof
JP2004134875A (ja) 光モジュール及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2004233483A (ja) カメラモジュール
JP2006100859A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JPH1117997A (ja) 撮像装置
US20100044553A1 (en) Cmos image sensor package and camera module with same
JP2004296687A (ja) 撮像素子及びその製造方法、撮像モジュール並びに電子機器
JP2010219402A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee