KR20040036603A - 전자빔 장치 - Google Patents

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KR20040036603A KR1020030074060A KR20030074060A KR20040036603A KR 20040036603 A KR20040036603 A KR 20040036603A KR 1020030074060 A KR1020030074060 A KR 1020030074060A KR 20030074060 A KR20030074060 A KR 20030074060A KR 20040036603 A KR20040036603 A KR 20040036603A
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Abstract

전자 원 및 전자빔 조사부재를 포함하는 전자빔 장치에서, 전자를 통과하는 개구를 포함하는 전위 규정판을 전자원과 전자빔 조사부재 사이에 설치한다. 스페이서는 전자빔 조사부재와 전위 규정판 사이에 배치한다. 스페이서 부근에 있는 전위 규정판의 개구 중의 하나와 스페이서 간의 영역과 전자빔 조사부재 간의 거리는 D1로 주어지고, 스페이서 부근에 있는 전위 규정판의 한 쪽의 개구와 스페이서 부근에 있지 않은 전위 규정판의 다른 쪽의 개구간의 영역과 전자빔 조사부재 사이의 거리는 D2로 주어지는 경우에, D1 < D2를 만족하면, 전자 원으로부터 방출된 전자빔의 궤도의 어긋남을 억제함으로써, 고품위의 화상을 형성하는 것이 가능하다.

Description

전자빔 장치{ELECTRON BEAM APPARATUS}
본 발명은, 화상표시장치 등의 화상 형성 장치로 대표되는 전자빔 장치에 관한 것이다.
지금까지는, 열전자원과 냉음극 전자원의 2 종류의 전자방출 소자가 개시되어있다. 냉음극 전자원에는 전계방출형 소자(이하 FE형 소자로 칭함), 금속 / 절연층/ 금속형 소자(이하 MIM 소자로 칭함), 표면전도형 전자방출 소자(이하 SCE 소자로 칭함) 등이 포함된다.
발명자 등은 상기 전자방출 소자를 다수 배열한 전자원의 응용으로서, 평판형 화상표시장치에 대한 연구를 실시해 왔다. 외위기를 이용하는 이러한 박형의 화상표시장치에서는, 내 대기압 지지 구조체로서 스페이서를 이용하는 경우가 있다. 스페이서에 의해 외위기의 두께를 얇게 할 수 있다. 특히 대형의 장치의 경우에는,상기 스페이서는 장치의 중량 및 원재료 비용 저감에 유효하다. 가속전극의 고전위로부터 전자방출 소자의 구동전위를 전기적으로 분리하기 위해서는, 절연부재가 스페이서로 이용되고 있다.
스페이서를 이용한 평판형의 화상표시장치는, 예를 들면, EP 869530 호 공보(일본국 특개평10-334834호 공보)(특허문헌 1) 및 EP 725420호 공보(일본국 특개평 08-315723 호 공보)(특허 문헌 2)에 개시되어 있다.
그러나, 스페이서를 포함하는 전자방출 소자를 배치한 화상표시장치에 의하면, 다음의 문제가 발생된다. 즉, 절연부재로 구성되는 스페이서가 대전되고, 스페이서 부근의 전자궤도에 영향을 끼쳐서 발광 위치 변위를 일으킨다. 이것은, 예를 들면 화상표시장치의 경우, 스페이서 부근 화소의 발광 휘도 저하나 색 흐림(color blur) 등의 화상 열화의 원인이 된다.
스페이서의 대전의 원인은, 전자빔 피조사부인 전면판에 반사된 전자일 가능성이 있다. 절연성 스페이서에 대하여는, 2차전자 방출에 의해, 스페이서의 표면이 정대전 되는 것이 전자궤도 계산 및 실험결과로부터 추정 된다. 전자원 부근에서는, 전자의 운동에너지가 작기 때문에, 전기장에 의해, 그 궤도가 크게 왜곡될 수 있다. 전자가 형광체의 소망한 위치에 도달하는 경우에는, 스페이서의 특히 전자원 부근에서의 대전을 방지할 필요가 있다.
스페이서의 대전을 완화하기 위해서는, 스페이서 각각의 표면에 고저항 막을 형성하는 등의 아이디어가, 예를 들면, 상기 특허 문헌 1에 기재되어 있다.
그러나, 표시장치의 해상도를 향상시키기 위해 전자방출 소자중의 피치를 줄이는 경우에도, 충분한 효과를 얻을 수 없다. 또한, 종래 표시장치에서 문제가 되지 않았던 경미한 빔 변위가 표시화상 품질을 열화 시키는 경우도 있다.
본 발명은 종래 기술의 문제를 해결하기 위해 이루어진 것이다. 본 발명의 목적은 전자방출 소자로부터 방출되는 전자빔의 궤도의 어긋남을 억제함으로써, 고휘도로 고품위화상을 형성할 수 있는 화상형성장치 등의 전자빔 장치를 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명에 의한 전자빔 장치의 실시예 1을 도시하는 단면도.
도 2는 본 발명에 의한 실시예 1의 그리드의 예를 도시하는 도면.
도 3은 본 발명에 의한 전자빔 장치의 실시예 2를 도시하는 단면도. 도 4는 본 발명에 의한 실시예 2의 그리드의 예를 도시하는 도면.
도 5는 본 발명에 의한 전자빔 장치의 실시예 3을 도시하는 단면도. 도 6은 본 발명에 의한 전자빔 장치의 실시예 4를 도시하는 단면도.
도 7 본 발명에 의한 전자빔 장치의 실시예 5를 도시하는 단면도.
도 8은 본 발명에 의한 실시예 6의 그리드의 예를 도시하는 도면.
도 9는 본 발명에 이용된 화상형성 장치의 일 예를 도시하는 단면도.
도 10a 및 도 10b는 표면전도형 전자방출 소자의 전형적인 구성도.
도 11a 및 도 11b는 표면전도형 전자방출 소자의 제작방법의 처리단계를 도시한 도면.
도 12a 및 도 12b는 포밍 처리에 이용된 전형적인 파형도.
<간단한 부호에 대한 설명>
11: 이면판 12, 115: 전자방출영역
15: 그리드 16: 스페이서
17, 102: 전면판 20: 전자빔 궤도
21: 전자 통과구 31: 절연성 기판
32, 33: 소자전극 34: 전자방출 영역형성용 박막
100: 전자원 기판 101: 유리 기판
104: 형광체 105: 메탈 백
107: 냉음극 소자 108, 109:배선
112, 113: 소자전극
본 발명의 제 1측면에 의하면, 상기 스페이서에 관련한 과제를 해결하기 위해서, 전자방출 소자를 포함하는 전자원과; 상기 전자원과 대향하고 상기 전자방출 소자로부터 방출된 전자에 의해 조사되는 전자빔 조사부재와; 상기 전자원과 상기 전자빔 조사부재 사이에 배치되고 상기 전자방출 소자로부터 방출된 전자를 통과하는 복수개의 개구를 포함하는 전위규정판과; 상기 전자빔 조사부재와 상기 전위규정판 사이에 배치된 스페이서와; 를 포함하는 전자빔 장치로서, 상기 스페이서의 부근에 있는 상기 전위 규정판의 복수개의 개구중의 한쪽의 개구와 상기 스페이서 간의 영역과 상기 전자빔 조사부재 간의 거리를 D1로 하고, 상기 스페이서의 부근에 있는 상기 전위 규정판의 상기 한 쪽의 개구와 상기 스페이서의 부근에 있지 않은 상기 전위 규정판의 복수개의 개구중의 다른 쪽의 개구 간의 영역과 상기 전자빔조사 부재간의 거리를 D2로 하면, D1 < D2의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 전자빔 장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 제 2측면에 의하면, 전자방출 소자를 포함하는 전자원과; 상기 전자원과 대향하고 상기 전자방출 소자로부터 방출된 전자에 의해 조사되는 전자빔 조사부재와; 상기 전자원과 상기 전자빔 조사부재 사이에 배치되고 상기 전자방출 소자로부터 방출된 전자를 통과하는 복수개 의 개구를 포함하는 전위규정판과; 상기 전자원과 상기 전위규정판 사이에 배치된 스페이서와; 를 포함하는 전자빔 장치로서, 상기 스페이서의 부근에 있는 상기 전위 규정판의 복수개의 개구중의 한쪽의 개구와 상기 스페이서 간의 영역과 상기 전자방출 소자 사이의 거리를 D3로 하고, 상기 스페이서의 부근에 있는 상기 전위 규정판의 상기 한 쪽의 개구와 상기 스페이서의 부근에 있지 않은 상기 전위 규정판의 복수개의 개구중의 다른 쪽의 개구간의 영역과 상기 전자방출 소자간의 거리를 D4로 하면, D3 > D4의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 전자빔 장치를 제공한다.
또한, 상기 제 1측면에 의하면, 스페이서 부근에 있는 전위 규정판의 한 쪽의 개구와 스페이서 간의 영역의 두께가, 다른 영역의 두께보다 두꺼운 것이 그 바람직한 실시예이다. 그리고, 스페이서 부근에 있는 한 쪽 개구와 스페이서 사이에서, 전위 규정판은 전자빔 조사부재 측을 향하여 돌출하는 돌출부를 가진다.
또한, 상기 본 발명의 제 2측면에 의하면, 스페이서 부근에 있는 전위 규정판의 한 쪽의 개구와 스페이서 부근에 있지 않은 전위 규정판의 다른 한 쪽의 개구 간의 영역의 두께가, 다른 영역의 두께보다 두꺼운 것이 그 바람직한 실시예이다. 그리고, 스페이서 부근에 있는 개구와 스페이서 부근에 있지 않은 다른 개구 사이에서, 전위 규정판은 전자빔 조사부재 측을 향하여 돌출하는 돌출부를 가진다.
<바람직한 실시예의 상세한 설명>
본 발명에 의하면, 스페이서와의 위치 관계에 따라서 전위 규정판의 개구부 형태가 결정되고, 또한 전위 규정판의 전위를 적절하게 규정한다. 따라서, 스페이서로부터 기인하는 전자빔의 어긋남을 억제하여 고휘도 및 고품위 화상을 형성할 수 있는 화상 형성 장치 등의 전자빔 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 전자빔 장치에 대해서 대표적으로는 화상 형성 장치의 구조를 이용할 수 있다. 전자빔 장치에 대해서 이하의 구조를 이용하여도 된다.
(1) 화상 형성 장치는, 입력신호에 응답하여 전자방출 소자로부터 방출된 전자를 화상 형성 부재에 조사함으로써 화상을 형성하는 것이다. 특히, 상기 화상 형성 부재가 형광체인 화상표시장치를 구성할 수 있다.
(2) 상기 전자방출 소자에 대하여는, 복수의 행방향 배선과 복수의 열 방향 배선으로 매트릭스 배선된 복수의 냉음극 소자를 포함하는 단순 매트릭스 배치를 이용할 수 있다.
(3) 또한, 본 발명의 사상에 의하면, 전자 방출소자는 화상표시장치에 한정하는 것이 아니고, 따라서 감광성 드럼과 발광 다이오드 등으로 구성된 광 프린터의 발광다이오드 등의 대안의 발광원으로서 이용할 수도 있다. 또한 이 때, 상기와 같이 m 개의 행방향 배선과 n 개의 열방향 배선을 적절히 선택하는 경우에, 선형 발광원 뿐만 아니라, 2차원의 발광원으로서도 응용할 수 있다. 이 경우, 화상 형성 부재는 후술하는 실시예에서 이용되는 형광체 등에 직접 발광하는 물질에 한정하는 것이 아니다. 따라서, 전자의 대전에 의해 잠상 화상 형성된 부재를 이용할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 의하면, 예를 들면 전자현미경의 경우와 같이, 전자원으로부터 방출된 전자에 조사된 전자빔 조사부재가, 형광체 등의 화상형성부재 이외의 것인 경우에, 본 발명을 적용할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 전자빔 조사부재를 화상 형성 부재에 특정하지 않는 일반적인 전자빔 장치의 구조를 이용할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
이하에 설명한 각 실시예에서, 멀티 전자빔원을 이용한다. 상기 멀티 전빔원에는, 전극 사이의 전도성 미립자 막에 전자방출영역을 포함하는 타이프의 SCE 소자를 이용한다. N×M개(N=3072, M=1024)의 상기 타입의 표면전도형 전자방출 소자를, M 개의 행 방향 배선과 N 개의 열 방향 배선에 의해 매트릭스 배선(도 9 참조)을 한다. 또한, 전자방출 소자는 열전자원 및 냉음극 전자원이 될 수 있다는 것에 유의해야 한다. 냉음극 전자원의 경우에는, SCE 소자 이외에, 상기 설명한 바와 같이, 전계방출형 소자(이하 FE형 소자로 칭함), 금속/절연층/금속형 소자(이하 MIM 소자로 칭함), 또는 전자방출 영역용으로 카본 나노튜브를 이용한 소자 등을 이용할 수 있다.
<실시예 1>
도 1은 본 실시예에 의한 화상표시장치의 단면이고, 도 2는 전위 규정판(이하 그리드로 칭함)을 도시한다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 화상표시장치는 전자방출 소자가 매트릭스 위에 배치된 전자방출영역(12)을 각각 포함하는 이면판(11),전자 통과구(21)를 포함하는 그리드(15), 나중에 설명하는 바와 같이 판형상을 각각 포함하는 절연 스페이서(16), 도시하지 않은 형광체 및 메탈 백이 설치된 전면판(17)을 포함하고 있다. (20)은 전자빔 궤도를 나타낸다. 도 2에 도시된 그리드(15)에 대해서는, 용이하게 이해하기 위해 두께 방향의 크기를 확대하고 있다. 두 개의 스페이서 부분으로 구성된 각각의 스페이서(16)는 전면판 측 스페이서와 이면판 측 스페이서로 구성되고, 그리드(15) 사이에 끼워지도록 하는 구성으로 되어 있다.
본 실시예에서는 이용하지 않았지만, 스페이서 표면에 대전방지막(고저항막)을 형성하고, 또한 스페이서와 각 플레이트와의 사이에 접촉 부분에 전극막(저저항막)을 형성한다. 이 경우, 스페이서 각각은 유리 판 또는 세라믹판 등의 절연성 베이스, 절연성 베이스 부재의 각각의 주 표면에 형성된 대전방지용 고저항막 및 저저항막(전도성막)으로 구성될 수 있다. 상기 저저항막은 절연성 베이스 부재와 전면판의 내부(메탈 백) 사이의 접촉면 위, 절연성 베이스 부재와 이면판 사이의 표면(행방향 배선 또는 열방향 배선)과의 사이의 접촉면위 및 상기 접촉면과 접촉하는 표면영역 측 위에 형성된다. 대전방지 효과의 유지 및 누설전류에 의한 소비 전력 억제의 관점에서, 고저항막은 1O5[Ω/평방] 내지 1O12[Ω/평방]의 시트저항(면적저항율)을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 저저항막은 고저항막에 비해 충분히 낮은 저항값을 가질 수 있다. 저저항막의 재료는, Ni, Cr, Au, Mo, W, Pt, Ti, Al, Cu 또는 Pd 등의 금속; 그 금속들의 합금; Pd, Ag 또는 Au 등의 합금, RuO2등의금속산화물, Pd-Ag 등의 합금 및 유리기판으로 구성되는 인쇄도체; In2O3-SnO2등의 투명도체; 및 폴리 실리콘 등의 반도체 재료 등으로부터 적절히 선택된다.
도시하지 않은 외부전원으로부터 전면판(17) 상의 메탈 백에 가속전압 Va를 인가하고, 외부전원으로부터 그리드에 그리드 전압 Vg(=Va×d/h)를 인가한다.
또한, 이 그리드 전압 Vg(=Va×d/h)는, 전면판과 이면판 사이의 공간 거리에 의해 결정되는 전위와 대략 동일하다는 것에 유의해야한다.
전면판(17)과 이면판(11)과의 간의 간격 d(=1.6 mm)에 대해서, 의 스페이서 부근 이외의 그리드(15)의 영역을 그리드 영역의 두께 중심(두께 방향으로의 중심 위치)이 이면판(11)에서 0.8mm의 거리에 위치(h) 되도록 형성하였다. 스페이서의 부근 이외의 그리드 영역의 두께는 O.lmm로 설정한다. 스페이서가 배치되는 그리드의 영역은 전면판측에 O.1mm만큼 돌출하도록 두껍게 한다. 이와 같이, 스페이서의 부근에 있는 개구와 스페이서간의 그리드(전위 규정판)의 영역과 형광체 또는 메탈백(전자빔조사 부재)간의 거리(D1)는 스페이서의 부근에 있지 않은 개구와 스페이서 간의 그리드의 영역과 형광체 또는 메탈백 간의 거리(D2)보다 짧게 형성한다 (D1<D2). 스페이서의 부근에 있는 그리드의 개구 주위의 영역의 두께에 대해서, 스페이서의 부근에 있는 두께(d1)가 스페이서의 부근에 있지 않은 영역의 두께(d2)보다 두껍게 되고 또한, 스페이서의 부근에 있는 영역은 전자빔조사 부재 측에 대해서 두꺼워진다(d1>d2).
전자를 전자방출 영역으로부터 방출하여, 메탈 백에 가속전압(Va)을 인가하는 경우, 전자는 위쪽으로 안내되어 형광체와 충돌함으로써, 형광체를 발광시킨다. 이 때, 전면판과 충돌한 전자의 일부는 반사되고, 스페이서에 충돌하여, 그 결과 스페이서와 충돌한 전자는 대전된다. 그리드(15)는 그리드(15)보다도 이면판에 가까운 스페이서(16)의 영역(이하 하부 스페이서 영역이라고 하는 경우도 있음)에 반사된 전자의 입사를 방지하여, 하부스페이서 영역의 대전을 억제함으로써, 스페이서(16)의 부근에 있는 발광소자로부터의 전자궤도의 어긋남을 감소시키는 효과가 있다.
그리드(15)에 의해, 그리드(15)와 이면판(11) 사이의 영역에서 반사 된 다수의 전자가 차폐된다. 그러나, 그리드(15)와 전면판(17) 간의 영역에서 상기 반사된 전자는 대전된다. 전자의 운동에너지가 작은 이면판(11) 부근에서 대전이 감소하는 경우에, 전자궤도의 어긋남은 큰폭으로 감소한다. 그러나, 전면판(17)측(스페이서 상부)의 스페이서의 대전에 의해, 경미한 전자궤도의 어긋남이 발생한다. 상기 어긋남을 완화하기 위하여, 도 1에 도시된 바와 같이, 스페이서(16)의 부근에 있는 그리드(15)의 개구부의 전계를 왜곡되게 한다(등전위선을 점선으로 나타낸다). 보다 구체적으로는, 그리드 (15)의 스페이서 접촉 부분은 전면판측에 O.lmm의 두께로 돌출하도록 두껍게 한다
도 1을 참조하면서, 이 때의 전자빔 궤도의 상태를 설명한다.
먼저 전자원으로부터 방출된 전자는 개구부에 대략 수직방향으로 위쪽에 입사한다. 다음에 개구부 출구 부근에서는 그리드(15)의 두께의 차이에 의해 생성된 전계 분포에 의해, 전자는 스페이서로부터 멀어지도록 비상한다. 그 후 전면판 까지는, 전자 궤도는 스페이서 상부의 대전의 영향에 의해 스페이서에 접근하는 코스를 따른다. 그 결과, 전자는 소망한 위치에 도달한다.
그리드는 진공중에서 안정적으로 위치하고, 전기저항이 낮고, 선팽창 계수가 외위기를 구성하는 부재와 대략 동일하며, 전자 조사에 대해서 비교적 안정인 것이 바람직하다. 그리드의 재료는 구리, Ni 등의 금속 재료 및 합금 등이 바람직하다. 또한, 절연체 표면을 양도체로 피복된 부재를 이용하는 것이 가능하다. 본 실시예에서는, 그리드 재료로서 두께 0.1 mm의 50% Ni를 함유한 Fe-NI 합금이 사용된다.
또한, 전자 통과구(21)의 각각의 형상 및 사이즈에 대해서, 도 2에 도시한 바와 같이, 스페이서의 길이방향에 평행한 방향으로 0.4mm 폭을 각각 포함하는 슬릿을 형성한다. 전면판 측의 스페이서 접촉 위치에서 전면판측에 대해 돌출 형상이 되도록 두께 O.lmm의 두께 부분을 형성한다.
이들의 값은, 본 실시예의 경우에 매우 적합하고, 전자방출 소자 및 화상 형성 장치의 구조에 따라 적절히 변경된다.
다음에 본 실시예로 이용된 스페이서(16) 및 그리드(15)를 포함한 전자빔 장치의 제조방법을 설명한다.
각각의 스페이서(16)는 판형상을 채택한다. 각각의 판형상의 스페이서의 측면(주표면이 아닌 2개의 측면)을 이면판, 전면판 및 그리드와 접촉 시킨다. 스페이서의 재료로서, 유리, 세라믹 등의 절연성 재료를 이용한다. 대전방지 기능을 포함하는 스페이서는 상기 절연막에 고저항막을 형성해도 된다. 스페이서의 외형치수에 대해서, 길이 방향의 길이는 형광체 및 메탈 백을 형성하는 영역인 화상영역의 폭보다 다소 길게 한다. 스페이서를 구성하는 스페이서의 상부 및 하부를 형성한다, 상부 스페이서의 치수에 대해서는, 높이(도 1의 z 방향)는 0.65mm이고, 판 두께(도 1의 Y 방향)는 0.2mm 이다. 하부 스페이서의 치수에 대해서는, 높이는 0.75mm, 판두께는 0.2mm 이다.
다음에 그리드(15)에 대해서 화상표시 영역과 동일한 크기의 50% Fe및 50% Ni 합금 판을 형성한다. 0.4mm 폭을 각각 포함하는 슬릿을 통상의 패터닝 및 에칭에 의해 전자방출 소자의 피치와 동일한 피치로 형성한다. 또한, 전면판 측의 스페이서 접촉 위치에 두께 0.lmm 를 포함하는 50% Fe 및 50% Ni의 합금을 접착시킴으로써 전면판 측에 0.1mm 만큼 돌출하는 두께영역을 형성한다. 슬릿 형성 후에 그리드 (15)의 상부면 및 하부면에 도 1에 도시된 바와 같이 스페이서(16)를 고정한다.
스페이서(16)(하부 스페이서)는 화상 영역 외부에 블록형상의 스페이서 지지 부재를 이용하여 고정된다. 화상 영역 외부에 위치한 스페이서를 지지하는 스페이서 지지 부재인 경우, 전자의 운동에너지가 작고, 전자궤도가 전기장의 영향을 받기 쉬운 전자원 부근의 전기장의 왜곡을 작게 할 수 있었다.
표면전도형 전자방출 소자의 구성, 제조방법 및 특성에 대해서는, 예를 들면 상기 EP 869530호 공보에 개시되어 있다. 본 실시예에서, 그 구성, 제조방법 및 특성을 이용할 수 있다. 여기에서는 표면전도형 전자방출 소자의 구성 및 제조방법, 특성을 간략하게 설명한다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명에 의한 전형적인 표면전도형 전자방출 소자의 구성을 도시하는 도면이다. 도 10a 및 도 10b에서, 표면전도형 전자방출 소자는 절연성 기판(31), 소자 전극(32, 33), 소자전극(32, 33)이 접속되는 단부를 포함하는 전자방출 영역 형성용 박막(34) 및 전자방출 영역 형성용 박막(34)에 형성된 전자방출영역(35)을 포함한다.
본 실시예에서, 전자방출 영역(35)을 포함한 전자방출영역 형성용 박막(34)의 전자방출 영역(35)은 입자 크기 수 nm를 포함하는 전기전도성 입자 로 이루어진다. 전자방출 영역(35)를 포함한 전자방출영역 형성용 박막(34)의 전자방출 영역 (35) 이외의 영역은 미립자 막으로 구성된다. 또한, 여기서 말하는 미립자 막이란 복수의 미립자가 집합 한 막이며, 미립자가 개별적으로 분산한 상태뿐만 아니라, 미립자가 서로 인접 또는 서로 중첩된 상태(섬 형상도 포함)를 포함하는 미세구조의 막을 나타내는 것에 유의해야한다.
전자방출 영역을 포함한 전자방출 영역형성용 박막(34)의 구성 원자 또는 구성 분자의 구체적인 예는 Pd, Ru, Ag, Au, Ti, In, Cu, Cr, Fe, Zn, Sn, Ta, W, Pb등의 금속, PdO, SnO2, In2O3, PbO, Sb2O3등의 산화물, HfB2, ZrB2, LaB6, CeB6, YB4, GdB4등의 브롬화합물, TiC, ZrC, HfC, TaC, SiC, WC등의 탄화물, TiN, ZrN, HfN등의 질화물, Si, Ge 등의 반도체를 포함한다. 또한 상기 구체적 예는 카본, AgMg, NiCu, PbSn 등을 포함한다.
또한, 전자방출 영역 형성용 박막(34)의 형성방법은 진공증착법, 스퍼터링법, 화학 증착법, 분산 응용법, 디핑법, 스피너법(spinner method)등이 있다.
도 10a 및 도 10b에 도시한 표면전도형 전자방출 소자의 형성방법은 여러가지 기법이 있다. 그 방법의 일예를 도 11에 도시한다.
이하, 전자방출소자의 생성 방법을 설명한다. 또한, 이하의 설명은 단일의 소자의 형성방법에 관련된 것에 유의해야한다. 그러나, 이러한 방법은 본 발명의 실시예에 의한 전자원 기판의 제조방법에도 적용된다.
(1) 절연성 기판(31)을 세제, 순수 및 유기용제에 의해 충분히 세정한 후, 진공증착 기술 또는 포토리소그래피 기술에 의해 상기 절연성 기판 (31)의 표면 위에 소자 전극(32, 33)을 형성한다(도 11(a)). 소자 전극(32, 33)의 재료는 전기전도성을 포함하는 것이면 어떠한 것이어도 된다. 예를 들면, 니켈 금속이 있다. 소자 전극(32, 33)의 치수에 대해서, 예를 들면, 소자전극 간격(L)은 10㎛, 소자전극 길이(W)는 300㎛, 막두께(d1)는 100nm이다. 소자전극(32, 33)의 형성방법으로서, 후막인쇄법을 이용해도 된다. 인쇄법에 이용되는 재료는 유기금속 패이스트(MOD) 등이 있다.
(2) 절연성 기판(31) 위에 형성된 소자 전극(32)과 소자전극(33)과의 사이에, 유기금속용액을 도포한 다음에, 방치하여 유기금속 박막을 형성한다. 유기금속용액이란 Pd, Ru, Ag, Au, Ti, In, Cu, Cr, Fe, Zn, Sn, Ta, W, Pb 등의 금속을 주원소로 함유하는 유기 화합물의 용액이다. 이 후, 유기금속 박막을 소성을 위한 가열을 하여 리프트 오프(lifted off), 에칭 등에 의해 패터닝하여 전자방출 영역 형성용 박막(34)을 형성한다(도 11(b)).
(3) 계속해서, 포밍으로 불리는 통전 처리에 의해 소자전극(32)과 소자전극 (33) 간에 전압을 인가함으로써, 전자방출 영역 형성용 박막(34) 영역에 구조적 변화를 생성하는 전자방출 영역(35)이 형성된다(도 11(c)). 이 통전처리에 의해 전자방출 영역 형성용 박막(34)을 부분적으로 파괴, 변형 또는 변경되게 함으로써 변화된 구조를 포함하는 영역을 전자방출 영역(35)이라고 부른다. 상기 설명한 바와 같이, 전자방출 영역(35)은 금속미립자로 구성되어 있다.
포밍처리 중의 전압 파형을 도 12에 도시한다. 도 12a 및 도 12b에서, (T1)및 (T2)는 각각 전압 파형의 펄스 폭과 펄스간격을 나타낸다. (T1)을 1마이크로초 내지 10밀리초로 설정하고, T2를 10마이크로초 내지 100밀리초로 설정하며, 삼각파의 피크값(포밍시 피크 전압)은 약 4V 내지 10V로 설정한다. 포밍 처리는 진공 분위기에서 수십 초동안 적절히 행하였다.
상기 설명한 바와 같이, 전자방출 영역을 형성할 경우에, 소자전극 사이의 삼각파 펄스를 인가하여 포밍 처리를 한다, 소자전극 사이에 인가 하는 파형은 삼각파에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 구형파 등의 모든 소망한 파형을 이용해도 된다. 또한, 소망하는 파형의 피크값 및 펄스폭, 펄스간격 등에 대해서도 상기의 값에 한정하는 것이 아니다. 바람직한 전자방출 영역을 형성하는 경우, 소망한 값을 선택 할 수 있다.
본 실시예에서, 그리드 및 스페이서 이외의 부재에 대해서는, EP 869530호 공보(일본국 특개평10-334834호 공보)에 개시된 마찬가지 방법으로 생성한 표시패널을 이용한다. 도 9는 표시 패널의 개략도이다. 구조 전체를 이해하기 위해, 그리드 및 스페이서를 생략 한것에 유의 해야한다. 그리드(15) 및 스페이서(16)를 표시패널에 배치한다. 이 제작순서를 이하에 설명한다.
먼저, 미리 행방향 배선 전극(108), 열 방향 배선 전극(109), 전극 간 절연층(도시하지 않음) 및 표면전도형 방출소자의 소자(107)(소자전극 및 전기전도성 박막을 각각 포함함)를 형성한 기판(100)을, 이면판(유리 기판)(101)에 고정한다. 다음에, 상기와 같이 형성된 스페이서(이면판 측 스페이서)을 기판(100)의 행방향 배선(108) 위에 일정한 간격으로 행방향 배선(108)과 평행하게 고정하고, 그 후이면판측 스페이서에 그리드를 접합한다. 그 후, 내부 표면에 형광체(104)와 메탈 백(105)이 형성된 전면판(102)에 스페이서(전면판측 스페이서)을 접합한다. 기판 (100)의 1.6mm 위쪽에 전면판(102)이 측벽(106)을 개재하여 배치되고, 이면판 (101), 전면판(102), 측벽(106) 및 스페이서 중의 각 접합영역을 고정한다. 기판 (100)과 이면판(101) 사이의 접합부, 이면판(101)과 측벽(106) 사이의 접합부, 및 전면판(102)과 측벽(106) 사이의 접합부는 프릿 유리(도시하지 않음)를 이들 접합영역에 도포하고, 대기중에서 400℃ 내지 500℃로 10분 이상 소성함으로써 밀봉한다. 또한, 표시 패널의 내부를 배기한다, 이와 같이, 표시 패널을 완성한다.
완성한 화상표시장치(표시 패널)에서, 전자를 방출시키기 위해 외위기 외부의 단자를 통해서 도시하지 않은 신호 발생 수단으로부터 각 냉음극 소자(표면전도형 전자방출 소자)(107)에 주사신호 및 변조신호를 인가한다. 메탈 백(105)에 고압단자(Hv)를 통해서 고압을 인가하여 방출된 전자빔을 가속한다. 다음에, 형광체 (104)에 전자를 충돌시켜, 형광체(104)를 구성하는 각각의 색 형광체를 발광시키기 위해 여기시키고, 이에 의해 화상을 표시한다. 또한, 고압단자(Hv)에 대한 인가 전압(Va)은 10kV로 설정되고, 각 배선(108, 109)간의 인가 전압(Vf)은 14V로 설정되는 것에 유의해야 한다.
이 때, 스페이서에 가까운 위치에 있는 냉음극 소자(107)로부터의 방출된 전자에 의한 발광 스폿을 포함하는 발광 스폿 배열이 2차원 형상으로 일정한 간격으로 생성된다. 따라서, 선명하고 색 재현성이 바람직한 컬러화상을 표시 가능하다. 이것은 스페이서를 배치하는 경우에도 전자궤도에 영향을 미치는 전계의 왜곡은 발생하지 않았다 것을 나타내고 있다.
<실시예 2>
도 3은 본 실시예의 화상표시장치의 단면도이며, 도 4는 그리드를 도시한다. 두께 방향에서의 그리드의 구조는 실시예 1의 구조와 차이가 있다. 제조방법은 실시예 1과 마찬가지 방법을 이용할 수 있는 것에 유의해야 한다.
구체적 구성에 대해서는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 스페이서에 가장 가까운 각각의 개구의 먼쪽에 배치된 그리드(15)의 영역(스페이서의 부근에 있는 개구와 스페이서의 부근에 있지 않은 개구와의 사이의 그리드의 영역)을, O.1 mm 이면판에 돌출하도록 두껍게 한다. 따라서, 스페이서의 부근에 있는 개구와 스페이서 간의 그리드의 영역과 전자방출 소자 사이의 거리(D3)가 스페이서의 부근에 있는 개구와 스페이서의 부근에 있지 않은 개구 간의 그리드의 영역과 전자방출 소자 간의 거리(D4) 보다 크게된다(D3>D4). 이와 같이, 스페이서(16)의 부근에 있는 그리드(15)의 영역(개구)에서 전계를 왜곡되게 한다(등전위선을 점선으로 나타냄). 스페이서의 부근에 있는 그리드의 개구 주위의 영역의 두께에 대해서는, 스페이서의 부근에 있지 않은 영역의 두께(d4)가 스페이서의 부근에 있는 두께(d3) 보다 두껍고, 스페이서의 부근에 있지 않은 영역이 전자원(전자방출소자)측에 대해 두껍다 (d4>d3). 도 4에 도시된 그리드(15)에 대해서는, 이해하기 용이하게 두께 방향의 크기를 확대과장하고 있는 것에 유의해야 한다. 또한, 그리드의 전위는, 실시예 1과 마찬가지로, Vg (=Va ×h/d)로 설정한다.
이 때의 전자빔 궤도의 상태를 설명한다.
먼저 전자원으로부터 방출된 전자는, 수직 위방향으로 개구로 이동한다.
다음에 개구의 입구 부근에서는, 그리드(15)의 두께의 차이에 따라 생성된 전계 분포에 의해, 스페이서로부터 멀어지도록 전자가 이동한다. 그 이후 전면판까지는, 스페이서 대전의 영향에 의해 전자는 스페이서에 접근하는 경로를 따른다. 그 결과, 소망한 위치에 도달한다.
이 실시예에서는, 실시예 1과 마찬가지로, 스페이서에 가까운 위치에 있는 냉음극 소자(107)로부터의 방출된 전자에 기인한 발광 스폿을 포함하여 발광 스폿 배열이 2차원적으로 일정한 간격으로 형성된다. 따라서, 선명하고 바람직한 색 재현성을 포함하는 컬러 화상을 표시할 수 있다.
<실시예 3>
도 5는 본 실시예에 의한 화상표시장치의 단면도이다. 본 실시예의 그리드는 실시예 1과 실시예 2의 조합에 대응하는 구조를 가진다. 화상 표시장치는 실시예 1 및 실시예 2와 마찬가지 방법으로 제조할 수 있다.
보다 구체적으로는, 도 5에 도시된 바와 같이, 그리드(15)의 영역을 접촉하는 스페이서는 0.05mm 전면판 측에 돌출하도록 두껍게 한다. 또한, 그리드 15중 스페이서에 가장 가까운 각각의 개구(슬릿)의 스페이서에 먼 쪽(스페이서의 부근에 있는 개구와 스페이서의 부근에 있지 않은 개구 간의 그리드의 영역)에 배치된 그리드의 영역은 0.05mm 이면판 측에 돌출하도록 두껍게 된다. 따라서, 스페이서의 부근에 있는 개구와 스페이서 간의 그리드의 영역과 형광체 사이의 거리(D1)가 스페이서의 부근에 있는 개구와 스페이서의 부근에 있지 않은 개구 간의 그리드의 영역과 형광체 사이의 거리(D2) 보다 짧게된다(D1<D2). 또한, 스페이서의 부근에 있는 개구와 스페이서 간의 그리드의 영역과 전자방출 소자 사이의 거리(D3)가 스페이서의 부근에 있는 개구와 스페이서의 부근에 있지 않은 개구 사이의 그리드의 영역과 전자방출 소자 사이의 거리(D4) 보다 크게된다(D3>D4). 스페이서의 부근에 있는 개구 주위에 배치된 스페이서의 부근에 있는 그리드의 영역의 두께(d1)가, 전자빔조사 부재(형광체) 측의 스페이서 부근에 있지 않은 개구 주위의 두께(d5)보다 얇아지게 된다(d1>d5). 또한, 스페이서 부근에 있지 않은 영역의 두께(d4)가 전자원(전자방출 소자) 측에 대해서 두꺼워진다(d4>d5). 이와 같이, 스페이서(16)의 부근에 있는 그리드(15)의 영역(개구)에서 전계를 왜곡되게 한다(등전위선을 점선으로 나타냄).
이 때의 전자빔 궤도의 상태를 설명한다.
먼저 전자원으로부터 방출된 전자는, 수직 위방향으로 개구로 이동한다.
다음에 개구의 입구 부근에서는, 그리드(15)의 두께의 차이(상기 D3>D4)에 따라 생성된 전계 분포에 의해, 스페이서로부터 떨어지도록 전자가 이동한다. 또한, 다음에 개구의 출구 부근에서는, 그리드(15)의 두께의 차이(상기 D1<D2)에 따라 생성된 전계 분포에 의해, 스페이서로부터 멀어지도록 전자가 이동한다.
그 이후 전면판까지는, 스페이서 대전의 영향에 의해 전자는 스페이서에 접근하는 경로를 따른다. 그 결과, 소망한 위치에 도달한다.
본 실시예에 의하면, 그리드의 두께의 부분적인 변화를 최소화할 수 있다. 또한, 그리드 부분적인 두께의 차이의 증가에 기인하는 공간 전계강도의 증가를 억제함으로써, 방전에 대한 마진을 크게 얻을 수 있는 장점이 있다.
이 실시예에서는, 실시예 1과 마찬가지로, 스페이서에 가까운 위치에 있는 냉음극 소자(107)로부터의 방출된 전자에 기인한 발광 스폿을 포함하여 발광 스폿 배열이 2차원적으로 일정한 간격으로 형성된다. 따라서, 선명하고 바람직한 색 재현성을 포함하는 컬러 화상을 표시할 수 있다.
<실시예 4>
도 6은 본 실시예에 의한 화상표시장치의 단면도이다. 단면 구성은 실시예 2와 동일하다. 실시예 2와의 차이는, 그리드 15를, 도시하지 않은 외부전원을 이용하여 실시예 2와는 다른 값(전면판과 이면판 사이의 거리에 의해 결정되는 공간 전위와 대략 동일한 값과는 다른 값)의 전위에 의해 규정하고 있는 점이다. 그리드는, 실시예 1과 마찬가지 방법으로 형성할 수 있다.
구체적으로는, Vg를, Va×(h/d) 보다 크게 하여, 이른바 전자렌즈의 동작에 의해 전계를 왜곡되게 한다(도 6에, 점선으로 등전위면을 나타냄).
보다 구체적으로는, 도 6에 도시된 바와 같이, (1)스페이서의 부근에 있는 각각의 개구에서 스페이서에 먼쪽에 배치된 그리드(15)의 영역을 0.05mm 이면판 측에 돌출하도록 두껍게 하고, (2) D = 1.6mm, h = 0.8mm, Va = 10KV의 경우에, Vg 를 6KV로 설정함으로써, 스페이서(16)의 부근에 있는 그리드(15)의 영역(개구)에서의 전계가 왜곡된다.
이 때의 전자빔 궤도의 상태를 설명한다.
먼저 전자원으로부터 방출된 전자는, 수직 위방향으로 개구로 이동한다.
다음에 개구의 입구 부근에서는, 그리드(15)의 두께 및 전자렌즈의 동작의 차이에 따라 생성된 전계 분포에 의해, 스페이서로부터 떨어지도록 전자가 이동한다. 그 이후 전면판까지는, 스페이서 대전의 영향에 의해 전자는 스페이서에 접근하는 경로를 따른다. 그 결과, 소망한 위치에 도달한다.
본 실시예에 의하면, 그리드의 최대 두께를 최소화 할 수 있어서, 공간 전계를 최소화할 수 있다. 따라서, 전계의 증가에 기인하는 방전에 대한 마진을 크게 얻을 수 있는 장점이 있다.
이 실시예에서는, 실시예 1과 마찬가지로, 스페이서에 가까운 위치에 있는 냉음극 소자(107)로부터의 방출된 전자에 기인한 발광 스폿을 포함하여 발광 스폿 배열이 2차원적으로 일정한 간격으로 형성된다. 따라서, 선명하고 바람직한 색 재현성을 포함하는 컬러 화상을 표시할 수 있다.
<실시예 5>
도 7은 본 실시예에 의한 화상표시장치의 단면도이다(등전위선을 점선으로 나타냄). 실시예 1과 차이는, 그리드의 구성이다. 그러나, 실시예 1과 마찬가지 방법으로 화상표시장치를 제조할 수 있다.
구체적으로는, 실시예 1에서는 그리드의 두께를 변경한 구성을 이용하지만, 본 실시예에서는, 두께는 변경하지 않는다. 즉, 스페이서의 부근에 있는 개구와 스페이서 접촉 영역 사이의 그리드 영역을 전면판 측에 돌출하도록 그리드의 형상을 변경한다. 보다 상세하게는, 그리드의 영역을 굴절시켜(접어 구부려), 전면판 측에 돌출한 영역 구조를 얻음으로써 전계를 제어한다.
보다 구체적으로는, O.1mm 두께를 가지고 스페이서 접촉영역 부근에 있는 그리드의 영역을 다른 영역보다 더 전면판 측에 돌출하도록 굴절시켜 전면판 방향에 O.lmm 돌출한 형상으로 그리드를 형성한다.
그리드의 돌출된 영역 이외의 영역은 단일 판의 그리드를 슬릿 가공함으로써, 실시예 1과 마찬가지로 형성되고, 돌출 영역은 프레스 가공함으로써 형성된다.
상기 구성에서도, 실시예 1과 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
본 실시예에서는, 그리드(15)의 두께 방향의 가공처리가 불필요하므로, 코스트를 저감할 수 있다.
또한, 본 실시예의 돌출한 그리드 구조는 실시예 2 내지 실시예 4의 변경한 두께를 포함하는 영역으로 교체함으로써 적용하는 것이 가능하다. 그 경우도, 실시예 2 내지 실시예 4와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 실시예와 같은 돌출한 구조를, 실시예 1 내지 실시예 4를 조합함으로써 실시하는 것도 가능하다. 그 경우는 실시예 1 내지 실시예 4와 마찬가지의 효과를 얻고, 두께 및 굴절(접어 구부림)량을 감소시킬 수 있어 가공처리가 용이하다고 하는 이점이 있다.
<실시예 6>
본 실시예는, 스페이서가 실린더형상의 스페이서인 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하다. 화상표시장치는 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 제조할 수 있다.
도 8은 본 실시예에 의한 화상표시장치의 그리드 구성을 도시한다. X-Y 단면은 실시예 1의 도 1과 동일하다. 0.2mm의 직경을 포함하는 실린더형상의 유리를 스페이서로 이용했다. 도 8에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는, 실린더 형상의 스페이서에 대응하여 각각의 그리드 접촉 영역의 두께 부분도 실린더 형상이 된다.
실시예 1과 마찬가지로, 본 실시예에 의하면, 개구 부근의 전기장이 대전에 기인한 전자궤도의 외란을 보정함으로써, 소망한 위치에 빔을 형성할 수 있다.
또한, 본 실시예의 실린더형상의 스페이서는 실시예 2 내지 실시예 5의 스페이서에 대응하여 적용할 수 있으며, 실시예 2 내지 실시예 5와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있었다.
또한, 상기 실시예 1 내지 실시예 6에서는, 그리드가 슬릿 개구를 포함하는 예를 설명한다. 각자 전자방출 소자에 대응한 개별적인 개구부를 이용해도 된다.
지금까지 실시예를 참조하면서 본 발명을 상세하게 설명하였다. 본 발명의 본질은 "스페이서와 위치 관계에 따른 그리드 개구부 구조를 이용하고, 그리드 전위를 적절하게 규정함으로써 스페이서에 기인한 전자빔의 어긋남을 보정하는 것"이다.
따라서, 본 실시예에서는, 스페이서 대전 양의 측정, 전계 시뮬레이션 및 빔 위치의 측정에 의거하여 각종 파라미터를 결정한다.
따라서, 상기 그리드 개구 구조 및 규정 전위는 하나의 예일 뿐이며, 표시장치의 구성에 의해 적절하게 변경되는 것은 물론이다.
예를 들면, 실시예 1에서, 스페이서 표면이 부대전(負帶電)되는 구조의 경우에는, 그리드 개구의 보정 방향은 반대가 된다. 따라서, 스페이서 배치 영역은 이면판 측에 두껍게 할 필요가 있다. 또한, 대전량을 감소시키기 위해서는, 양극 (메탈 백)과 그리드 사이 및 전자원과 그리드 사이에 접속된 각각의 스페이서의 표면에 저항기막을 형성한다. 다음에, 극히 미미한 전류를 저항기 막에 흐르게 한다. 이와 같이, 스페이서의 표면 위의 대전량이 감소되는 구조를 이용할 수 있다. 이 경우에, 그리드 개구 주위의 영역의 두께 및 돌출한 치수를 적절하게 변경 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 전자방출 소자로부터 방출된 전자빔의 궤도의 어긋남을 억제함으로써 고품위의 화상을 형성할 수 있다.

Claims (6)

  1. 전자방출 소자를 포함하는 전자원과;
    상기 전자원과 대향하고 상기 전자방출 소자로부터 방출된 전자에 의해 조사되는 전자빔 조사부재와;
    상기 전자원과 상기 전자빔 조사부재 사이에 배치되고 상기 전자방출 소자로부터 방출된 전자를 통과하는 복수개의 개구를 포함하는 전위규정판과;
    상기 전자빔 조사부재와 상기 전위규정판 사이에 배치된 스페이서와;
    를 포함하는 전자빔 장치로서,
    상기 스페이서의 부근에 있는 상기 전위 규정판의 복수개의 개구중의한쪽의 개구와 상기 스페이서 간의 영역과 상기 전자빔 조사부재 간의 거리를 D1로 하고, 상기 스페이서의 부근에 있는 상기 전위 규정판의 상기 한 쪽의 개구와 상기 스페이서의 부근에 있지 않은 상기 전위 규정판의 복수 개의 개구중의 다른 쪽의 개구 간의 영역과 상기 전자빔조사 부재간의 거리를 D2로 하면, D1 < D2의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 전자빔 장치.
  2. 전자방출 소자를 포함하는 전자원과;
    상기 전자원과 대향하고 상기 전자방출 소자로부터 방출된 전자에 의해 조사되는 전자빔 조사부재와;
    상기 전자원과 상기 전자빔 조사부재 사이에 배치되고 상기 전자방출 소자로부터 방출된 전자를 통과하는 복수개의 개구를 포함하는 전위규정판과;
    상기 전자원과 상기 전위규정판 사이에 배치된 스페이서와;
    를 포함하는 전자빔 장치로서,
    상기 스페이서의 부근에 있는 상기 전위 규정판의 복수개의 개구중의 한 쪽의 개구와 상기 스페이서 간의 영역과 상기 전자방출 소자 간의 거리를 D3로 하고, 상기 스페이서의 부근에 있는 상기 전위 규정판의 상기 한 쪽의 개구와 상기 스페이서의 부근에 있지 않은 상기 전위 규정판의 복수 개의 개구중의 다른 쪽의 개구 간의 영역과 상기 전자방출 소자 간의 거리를 D4로 하면, D3 > D4의 관계를 충족시키는 것을 특징으로 하는 전자빔 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    스페이서 부근에 있는 전위 규정판의 한 쪽의 개구와 스페이서 간의 영역의 두께가, 다른 영역의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 전자빔 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    스페이서 부근에 있는 전위 규정판의 한 쪽의 개구와 스페이서 부근에 있지 않은 전위 규정판의 다른 한 쪽의 개구 간의 영역의 두께가, 다른 영역의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 전자빔 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    스페이서 부근에 있는 한 쪽 개구와 스페이서 사이에서, 전위 규정판이 전자빔 조사부재 측을 향하여 돌출하는 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    스페이서 부근에 있는 개구와 스페이서 부근에 있지 않은 다른 개구 사이에서, 전위 규정판이 전자빔 조사부재 측을 향하여 돌출하는 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 장치.
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