KR20040036454A - 반도체 제조에 사용되는 베이킹 장치 - Google Patents

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Abstract

기판이 놓여지고, 상기 기판을 가열하는 플레이트를 포함하는 베이킹 장치가 개시되어 있다. 상기 베이킹 장치는 챔버 및 상기 챔버 내부에 마련되는 플레이트를 포함한다. 상기 챔버는 개폐가 가능한 도어를 갖는다. 그리고, 상기 플레이트는 가열 부재와 냉각 부재를 갖는다. 이에 따라, 상기 가열 부재를 사용하여 베이킹에 따른 가열을 실시한다. 그리고, 상기 챔버 내의 온도가 공정 온도보다 낮은 온도로 설정되면, 상기 도어를 개방시키는 자연 냉각과 상기 냉각 부재를 사용하여 상기 가열 부재를 냉각시키는 강제 냉각을 함께 실시함으로서 상기 챔버 내의 온도를 하강시킨다.

Description

반도체 제조에 사용되는 베이킹 장치{apparatus for baking a substrate in a semiconductor fabricating}
본 발명은 반도체 제조를 위한 베이킹 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조에서 기판이 놓여지고, 상기 기판을 가열하는 플레이트(plate)를 포함하는 베이킹 장치에 관한 것이다.
최근, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응함으로서, 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 때문에 사진 식각 공정 등과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.
상기 사진 식각 기술은 잘 알려져 있는 바와 같이, 크게 코팅, 노광, 현상 그리고 베이킹(baking) 등을 포함한다.
구체적으로, 먼저, 절연막 또는 도전막 등과 같은 박막들을 갖는 기판 상에 자외선이나 X-선과 같은 광(光)을 조사하면 알칼리성 용액에 대해 용해도 변화가 일어나게 되는 유기층인 포토레지스트를 코팅하여 포토레지스트막을 형성한다. 상기 기판을 1차 베이킹하여 상기 포토레지스트막에 존재하는 솔벤트(solvent)를 제거한다. 그리고, 상기 포토레지스트막의 상부에 선택적으로 광을 조사할 수 있도록 패터닝된 패턴 마스크를 개재하여 상기 포토레지스트막의 선택적인 부분을 노광시킨다. 상기 노광이 이루어진 포토레지스트막을 2차 베이킹하여 현상에 의해 형성될 포토레지스트 패턴의 프로파일(profile) 개선한다. 상기 노광 및 2차 베이킹이 이루어진 포토레지스트막을 현상하여 용해도가 큰 부분(포지티브형 포토레지스트의 경우, 노광된 부분)은 제거하고 용해도가 작은 부분은 남겨 포토레지스트 패턴을 형성한다.
상기 1차 베이킹 및 2차 베이킹을 실시하는 장치에 대한 예들은 미합중국 특허 6,002,108호(issued to Yoshioka), 미합중국 특허 5,885,353호(issued to Strodtbeck et al.) 등에 개시되어 있다.
상기 베이킹 장치는 챔버 및 기판이 놓여지는 플레이트를 갖는다. 그리고, 상기 플레이트에는 가열 부재가 마련되고, 상기 가열 부재에 의해 상기 기판이 가열되는 구성을 갖는다. 그리고, 상기 가열을 실시한 후, 상기 가열을 진행하지 않을 경우에는 자연 냉각 방식에 의해 상기 플레이트 및 챔버 내의 온도를 하강시킨다. 즉, 상기 가열 부재의 가열 작동을 중단시키는 것이다.
그러나, 상기 가열 작동의 중단에 의한 온도 하강은 다소 시간이 많이 걸리는 단점이 있다. 예를 들면, 현재의 반도체 제조에서 상기 베이킹 장치의 챔버 온도를 110℃ 정도에서 90℃ 정도로 하강시키는데 약 40분 정도의 시간이 걸린다.
따라서, 종래의 베이킹 장치는 온도를 하강시켜야 할 경우 시간이 많이 소요된다는 단점을 가짐으로서 반도체 장치의 제조에 따른 생산성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 온도의 하강을 보다 신속하게 실시하기 위한 베이킹 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이킹 장치을 갖는 사진 식각 설비를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 베이킹 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 3은 도 2에 마련되는 플레이트를 나타내는 개략적인 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 코팅 장치 12 : 현상 장치
14 : 베이킹 장치 16 : 로봇암
140 : 플레이트 142 : 가열 부재
144 : 냉각 부재 W : 기판
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 개폐가 가능한 도어를 갖는 챔버; 및
상기 챔버 내에 마련되고, 기판이 놓여지고, 가열 부재 및 냉각 부재를 갖는플레이트를 포함으로서, 상기 챔버 내의 온도가 공정 온도보다 낮은 온도로 설정되면, 상기 도어를 개방시키는 자연 냉각과 상기 냉각 부재를 사용하여 상기 가열 부재를 냉각시키는 강제 냉각을 함께 실시함으로서 상기 챔버 내의 온도를 하강시킨다.
이와 같이, 본 발명에 의하면 자연 냉각 뿐만 아니라 강제 냉각을 동시에 실시함으로서 보다 신속하게 챔버 및 플레이트의 온도를 하강시킬 수 있다. 따라서, 반도체 제조에 사용되는 베이킹 장치에 자연 냉각 및 강제 냉각을 동시에 실시하는 부재들을 마련함으로서 보다 신속하게 온도를 하강시킬 수 있다. 즉, 신속한 온도 하강을 요구하는 부재에 보다 적극적으로 활용할 수 있는 것이다. 또한, 상기 베이킹 장치 뿐만 아니라 가열 및 냉각을 순환적으로 실시하는 장치에 상기 부재들을 적용할 경우 보다 장치의 운용을 보다 효율적으로 실시할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이킹 장치을 갖는 사진 식각 설비를 개략적으로 나타낸다.
도 1을 참조하면, 상기 사진 식각 설비는 코팅 장치(10), 노광 장치(도시되지 않음), 현상 장치(12), 베이킹 장치(14) 및 각 장치들 사이에서 기판의 이송을 담당하는 로봇암(16) 등을 포함한다. 이에 따라, 상기 설비를 사용하는 일련의 공정을 실시함으로서 사진 식각 공정을 달성할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 베이킹 장치를 개략적으로 나타내고, 도3은 도 2에 마련되는 플레이트를 개략적으로 나타낸다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 베이킹 장치(14)는 챔버(141) 및 챔버(141) 내에 마련되는 플레이트(140)를 포함한다. 이에 따라, 플레이트(140)에 기판(W)을 올려놓고, 기판(W)을 가열시킴으로서 베이킹이 달성된다.
여기서, 상기 챔버(141)는 개폐가 가능한 도어(도시되지 않음, 셔터를 포함함)를 갖는다. 여기서, 상기 도어는 일반적인 캐비넛의 도어와 같은 구성을 갖는다. 따라서, 상기 도어의 개방에 의해 챔버(141) 내부로 기판(W)의 이송이 가능하고, 상기 도어의 폐쇄에 베이킹 공정을 수행할 때 챔버(141) 내부의 공정 조건을 일정하게 유지할 수 있다. 그리고, 상기 플레이트(140)는 가열 부재(142) 및 냉각 부재(144)를 갖는다. 상기 가열 부재(141)는 상기 플레이트(140) 상에 놓여지는 기판(W)을 가열하기 위한 부재이고, 상기 냉각 부재(144)는 상기 가열 부재(142)의 온도를 강제적으로 하강시키기 위한 부재이다. 이때, 상기 냉각 부재(144)는 물을 사용한 수냉식 방식으로 이루어지고, 상기 가열 부재(142)의 근방을 둘러싸는 냉각 라인의 구성을 갖는다.
이에 따라, 상기 챔버(141) 내의 온도가 공정 온도보다 낮은 온도로 설정되면, 상기 도어를 개방시키는 자연 냉각과 상기 냉각 부재(144)를 사용하여 상기 가열 부재(142)를 냉각시키는 강제 냉각을 함께 실시함으로서 상기 챔버(141) 내의 온도를 하강시킨다. 따라서, 상기 챔버(141) 및 플레이트(140)의 온도를 보다 효율적으로 하강시킬 수 있다.
여기서, 상기 실시예의 베이킹 장치(14)는 사진 식각 공정에서 실시하는 것으로 한정하지만, 이와 유사한 구성을 갖는 즉, 챔버(141) 및 플레이트(140)를 포함하는 베이킹 장치에 대해서는 상기 실시예의 구성을 모두 적용할 수 있음은 당업자에게 있어서 자명하다.
이하, 상기 베이킹 장치(14)를 사용하여 포토레지스트 패턴의 형성을 위한 사진 식각 공정에서 포토레지스트막에 존재하는 솔벤트(solvent)를 제거하기 위한 베이킹 방법에 대하여 살펴보기로 한다.
먼저, 포토레지스트막을 도포한 기판을 상기 베이킹 장치(14)의 챔버(141)로 이송시킨다. 그리고, 상기 기판을 베이킹 장치(14)의 플레이트(140) 상에 올려놓는다. 이에 따라, 상기 플레이트(140)의 가열 부재(142)에 의해 상기 기판은 가열된다. 따라서, 상기 기판 상에 도포된 포토레지스트막에 존재하는 솔벤트가 제거된다. 그리고, 베이킹이 완료된 기판을 상기 챔버(141)로부터 꺼낸다. 여기서, 필요에 따라 상기 배이킹 장치(14)의 온도를 하강시킬 경우가 발생한다. 즉, 상기 챔버(141) 내의 온도가 공정 온도보다 낮은 온도로 설정되는 것이다. 이와 같이, 상기 챔버(141) 내의 온도가 공정 온도보다 낮은 온도로 설정될 경우, 챔버(141)의 도어를 개방시킨다. 아울러, 상기 가열 부재(142)의 가열 작동을 중단시키고, 상기 냉각 부재(144)를 사용하여 상기 가열 부재(142)를 냉각시킨다. 즉, 상기 도어의 개방에 의한 자연 냉각 및 냉각 부재(144)에 의한 강제 냉각을 동시에 실시한다. 따라서, 보다 신속하게 상기 챔버(141) 및 플레이트(140)의 온도를 하강시킬 수 있다.
실제로, 반도체 제조에서 상기 베이킹 장치의 챔버 온도를 110℃ 정도에서90℃ 정도로 하강시키는데 약 7분 정도의 시간이 걸린다. 여기서, 상기 도어의 개방을 실시할 경우에는 110℃ 정도에서 90℃ 정도로 하강시키는데 약 15분 정도의 시간이 걸린다.
이와 같이, 도어의 개방에 의한 자연 냉각 및 냉각 부재에 의한 강제 냉각을 동시에 실시함으로서 보다 신속하게 온도를 하강시킬 수 있다.
위에서 언급한 바와 같이, 상기 챔버 및 플레이트를 포함하는 베이킹 장치에 대해서는 상기 실시예의 구성을 모두 적용할 수 있음은 당업자에게 있어서 자명한 것으로서, 플레이트를 가열하여 온도를 조정하기 위한 장치에 모두 적용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 자연 냉각 및 강제 냉각을 동시에 실시함으로서 보다 신속하게 챔버 및 플레이트의 온도를 하강시킨다. 따라서, 상기 온도의 하강에 따른 시간을 단축시킬 수 있다. 때문에, 베이킹 장치의 운용을 보다 효율적으로 실시할 수 있고, 반도체 장치의 제조에 따른 생산성을 확보할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

  1. 개폐가 가능한 도어를 갖는 챔버; 및
    상기 챔버 내에 마련되고, 기판이 놓여지고, 가열 부재 및 냉각 부재를 갖는 플레이트를 포함으로서,
    상기 챔버 내의 온도가 공정 온도보다 낮은 온도로 설정되면, 상기 도어를 개방시키는 자연 냉각과 상기 냉각 부재를 사용하여 상기 가열 부재를 냉각시키는 강제 냉각을 함께 실시함으로서 상기 챔버 내의 온도를 하강시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 베이킹 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가열 부재를 냉각시킬 때 상기 가열 부재는 가열 작동을 중단하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 베이킹 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 냉각 부재는 냉각 라인을 포함하고, 상기 냉각 라인이 상기 가열 부재의 근방을 둘러싸는 형태로 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 베이킹 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 냉각 부재는 수냉식 방식으로 냉각을 실시하는 것을 특지응로 하는 반도체 제조에 사용되는 베이킹 장치.
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KR100793171B1 (ko) * 2006-08-30 2008-01-10 세메스 주식회사 베이크 공정 장치 및 상기 베이크 공정 장치에 구비되는 가열판의 냉각 방법
KR102099103B1 (ko) * 2018-10-15 2020-04-09 세메스 주식회사 가열 플레이트 냉각 방법 및 기판 처리 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100793171B1 (ko) * 2006-08-30 2008-01-10 세메스 주식회사 베이크 공정 장치 및 상기 베이크 공정 장치에 구비되는 가열판의 냉각 방법
KR102099103B1 (ko) * 2018-10-15 2020-04-09 세메스 주식회사 가열 플레이트 냉각 방법 및 기판 처리 장치
CN111048445A (zh) * 2018-10-15 2020-04-21 细美事有限公司 加热板冷却方法及基板处理装置
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