KR20040007247A - 엑스레이 검출 배열 소자를 제작하는 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (26)
- 캐퍼시터 지역과 트랜지스터 지역을 가지는 기판을 제공하고;상기 트랜지스터 지역 내에서 게이트 전극을 가지는, 가로 방향으로 연장된 게이트 회선을 상기 기판에 형성하며;상기 게이트 회선, 게이트 전극 및 기판 위에 게이트 절연층을 형성하고;상기 트랜지스터 지역 내에서 게이트 절연층 위에 반도체 섬을 형성하며;상기 게이트 절연층 위에 세로 방향으로 연장된 데이터 회선 및 공통 회선을 형성하고, 박막 트랜지스터(TFT) 구조를 형성하기 위하여 상기 반도체 섬 위에 드레인 전극 및 소스 전극을 형성하되, 상기 드레인 전극은 데이터 회선과 전기적으로 연결되며;상기 캐퍼시터 지역 내에서 게이트 절연층 위에 제1 전도층을 형성하여, 공통 회선을 감싸고;상기 게이트 절연층, 제1 전도층, TFT 구조, 데이터 회선 및 게이트 회선 위에 등각의 패시베이션층을 형성하며;상기 소스 전극의 표면을 노출시키기 위하여 패시베이션층을 뚫는 제1 관통홀을 형성하고;상기 패시베이션층 위에 평탄화층을 형성하고, 제1 관통홀을 채우며;상기 평탄화층을 뚫는 제2 관통홀 및 제3 관통홀을 형성하여, 제2 관통홀은 소스 전극의 표면을 최소한 노출시키고, 제3 관통홀은 캐퍼시터 지역 내에서 패시베이션층의 표면을 노출시키고; 그리고상기 평탄화층의 일부 위에 등각의 제2 전도층을 형성하고, 상기 소스 전극과 전기적으로 연결하는 것;을 포함하며,충전 캐퍼시터 구조는, 상기 캐퍼시터 지역 내에서 제1 전도층, 패시베이션층 및 제2 전도층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 게이트 회선은 금속인 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 게이트 절연층은 SiO2, SiNx, 또는 SiON인 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기의 반도체 섬을 형성하는 것은,상기 게이트 절연층 위에 비결정성 실리콘층을 형성하고;상기 비결정성 실리콘층 위에 불순물이 첨가된 비결정성 실리콘층을 형성하며; 그리고상기 트랜지스터 지역 내에서 반도체 섬을 형성하기 위하여 상기 비결정성 실리콘층과 불순물이 첨가된 비결정성 실리콘층의 일부를 제거하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제4항에 있어서,상기 공통 회선, 데이터 회선 및 TFT 구조를 형성한 후에,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 마스크로서 이용하여, 비결정성 실리콘층의 표면을 노출시키기 위하여 불순물이 첨가된 비결정성 실리콘층의 일부를 제거하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 공통 회선, 데이터 회선, 소스 전극 및 드레인 전극은 포토리소그래피에 의하여 동시에 규정되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 전도층은 산화 인듐 주석(ITO) 또는 산화 인듐 아연(IZO)이며, 하부 전극 또는 화소 전극으로서 역할을 하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 패시베이션층은 유전체인 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제8항에 있어서,상기 패시베이션층은 SiNx인 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 평탄화층은 회전 방식 유리(SOG) 또는 유기층인 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2 전도층은 산화 인듐 주석(ITO) 또는 산화 인듐 아연(IZO)이며, 상부 전극 또는 충전 컬렉터 전극으로서 역할을 하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 게이트 회선은, 게이트 전극으로서 역할을 하는 튀어나온 부분을 트랜지스터 지역 내에 가지는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 트랜지스터 지역 내에 위치하는 게이트 회선이 게이트 전극으로서 역할을 하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 캐퍼시터 지역과 트랜지스터 지역을 가지는 기판을 제공하고;상기 트랜지스터 지역 내에서 게이트 전극을 가지는, 가로 방향으로 연장된 게이트 회선을 상기 기판에 형성하며;상기 게이트 회선, 게이트 전극 및 기판 위에 게이트 절연층을 형성하고;상기 게이트 절연층 위에 반도체 섬을 형성하며;상기 반도체 섬 위에 제1 전도층을 형성하고;회색 톤 포토리소그래피를 이용하여, 제1 반도체 섬 위에 세로 방향으로 연장된 공통 회선을 형성하기 위하여, 또한 제2 반도체 섬에 소스전극, 드레인 전극 및 세로 방향으로 연장된 데이터 회선을 형성하여 박막 트랜지스터(TFT) 구조를 형성하기 위하여, 반도체층 및 제1 전도층의 일부를 제거하고, 상기 드레인 전극은 데이터 회선과 전기적으로 연결되며;상기 캐퍼시터 지역 내에서 게이트 절연층 위에 제2 전도층을 형성하여, 공통 회선을 감싸고;상기 게이트 절연층, 제2 전도층, TFT 구조, 데이터 회선 및 게이트 회선 위에 등각의 패시베이션층을 형성하며;상기 소스 전극의 표면을 노출시키기 위하여 패시베이션층을 뚫는 제1 관통홀을 형성하고;상기 패시베이션층 위에 평탄화층을 형성하고, 제1 관통홀을 채우며;상기 평탄화층을 뚫는 제2 관통홀 및 제3 관통홀을 형성하여, 제2 관통홀은 소스 전극의 표면을 최소한 노출시키고, 제3 관통홀은 캐퍼시터 지역 내에서 패시베이션층의 표면을 노출시키고; 그리고상기 평탄화층의 일부 위에 등각의 제3 전도층을 형성하고, 상기 소스 전극과 전기적으로 연결하는 것;을 포함하며,충전 캐퍼시터 구조는 상기 캐퍼시터 지역 내에서 제2 전도층, 패시베이션층 및 제3 전도층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제14항에 있어서,상기 게이트 회선은 금속인 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제14항에 있어서,상기 게이트 절연층은 SiO2, SiNx, 또는 SiON인 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제14항에 있어서,상기 제1 전도층은 금속인 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
- 제14항에 있어서,상기의 반도체층을 형성하는 것은,상기 게이트 절연층 위에 비결정성 실리콘층을 형성하고;상기 비결정성 실리콘층 위에 불순물이 첨가된 비결정성 실리콘층을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출 배열을 제작하는 방법.
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