KR200370463Y1 - 고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프 - Google Patents

Abstract

본 고안은 고밀도 평판형 발광다오이드 백색 조명 램프의 제작공정에 관한 것으로서 특히, 사파이어 기판위에 다수의 발광칩들이 배열되도록 청색 또는 자색 발광다이오드 적층 구조를 형성하고 일체형 회로를 통해 작은 체적공간상에 집적된 조명램프에 관한 것이다. 여기서 일체형 회로는 기존의 개별적 발광다이오드를 갖는 양 및 음 전극을 각각 금속배선으로 연결하는 것으로서 웨이퍼 상의 발광다이오드 칩 위에 형광물질을 도포하고 고밀도로 집적화 시킴으로써 고휘도 백색램프를 구현하는 고밀도 평판형 발광다이오드 조명램프에 관한 것이다.

이상에서와 같이 본 고안은 기존의 방식인 웨이퍼위에 증착된 발광다이오드칩을 개별적으로 분리하여 에폭시 밀봉제로 감싸 만든 인디케이터 램프를 다수 조립한 반도체 백색 전등의 가시조도가 미약한 문제점을 보완한 것으로 웨이퍼위에 발광다이오드를 증착한 다음 칩간의 금속배선으로 회로를 구성함으로써 웨이퍼가 고휘도 가시용 조도를 갖는 백색전등의 기능을 갖는 효과를 제공한다.

Description

고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프 {High density-flat pannel lamp of white light emitting diodes}

본 고안은 고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프에 관한 것으로서, 특히 사파이어 기판위에 청색 발광다이오드 적층 구조를 형성하고 일체형 회로를 통해 작은 체적공간상에 칩을 집적화하여 백색 조명램프의 기능을 갖는 것에 관한 것이다. 여기서 일체형 회로는 웨이퍼상의 개별적 발광다이오드의 양 및 음 전극을 각각 금속배선으로 연결하는 것으로서 웨이퍼 상의 발광다이오드 칩 위에 형광물질을 도포하고 고밀도로 집적화 시킴으로써 고휘도 백색램프를 구현하는 고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프에 관한 것이다.

백색 발광다이오드는 질화물계 청색 발광다이오드에 형광 물질을 도포하여 등색을 확보함으로써 청색과 등색을 조합하여 백색을 구현할 수 있다. 또한 기존의 방식은 웨이퍼에 증착된 발광 다이오드 회로를 개별 절단하여 조립한 형태이지만 본 발명에서는 기존의 발광다이오드를 증착한 웨이퍼를 개별절단을 하지 않고 웨이퍼로 백색전등의 기능을 수행하게 하는 것이다.

도1은 종래의 연질의 비닐 관(1)내에 발광다이오드(2) 램프를 내장, 배열한 구조(등록번호 20-0329080)의 개략도로서, 도1에서 도시한 바와 같이 기다란 PCB기판 위에 1열로 일정한 간격을 두고 발광 다이오드(2) 램프를 장착하여 상기 장착된 PCB기판(3)을 연질의 비닐 관(1)에 내장한 구조이다. 이 기술은 형광등이나 네온을 이용한 조명장치보다 전기적으로 안전하고 에너지 절감효가가 뛰어나지만 비닐관에 개별적으로 발광다이오드 램프를 내장하는데 따르는 그 제조 비용이 높다는 것과 램프가 개별적으로 산개해 있으므로 고밀도로 집적화된 발광다이오드보다 조도가낮다는 단점이 있다.

한편, 도2는 집합형 발광다이오드 램프(특허 10-0194845)의 개략도로서, 도2에서 도시한 바와 같이 삼원색의 발광다이오드 램프(4)를 적절히 배열하여 발광색을 혼합하여 백색을 구현하는 것을 특징으로 한다. 이 기술은 집합형 발광다이오드 램프형태를 취함으로써 도1보다는 조도가 우수하지만 삼원색의 발광다이오드 램프(4)를 조합한 형태이므로 선명한 백색을 구현하는 것이 어렵다.

한편, 도3은 현재 시장에 나와있는 종래의 발광 다이오드 램프의 실시 예로써 일반 백열전구와 모양이 흡사하나, 백열전구의 빛을 발산하는 필라멘트 부분이 몇 개의 발광 다이오드 칩으로 구성된 형태이다. 이 기술은 백열 전구보다 조도가 약하고 발광다이오드 램프를 하나 하나씩 작은 대체 전극판에 일일이 장착해야 되므로 실질적으로 대량생산에의 어려움이 있어 현실적이지 못하다는 결점이 있다.

한편, 도4는 종래의 질화물계 반도체를 이용한 백색 발광다이오드를 제조하는 기술이 일본 니치아사의 국제특허 W10-1999-0021682호에 출원되어 있다. 도7에 도시된 바와같이 질화물계 반도체를 이용한 청색 발광 다이오드(5)와 형광물(6)을 도포한 형태의 백색 LED이다. 이러한 개별 LED를 회로판에 배열하여 조명용으로 사용하기에는 조도가 낮아 한계가 있으므며 실용화되는데 또한 제조비용이 놓아 휴대폰용 광원으로 사용되고 있는 실정이다. 또한, 현재의 백색 광원에 해당하는 형광등이나백열전구의 조도를 구현하기 위해서는 그 제조비용이 비효율적이다.

본 고안의 목적은 발광다이오드 램프를 기존의 인쇄회로기판(Printed Circuit Board : PCB)에 조립 제작하는 종래의 경우에 있어서 조명용 램프에 필요한 조도의 확보가 불가능하여 이를 효율적으로 개선하기 위한 것으로서, 반도체 웨이퍼상에 배열된 칩을 금속배선으로 연결함으로써 고밀도로 집적화된 칩을 갖는 고휘도의 광원을 얻는데 그 목적이 있다.

또한, 질화물 반도체를 이용한 황색 또는 자색 광소자를 금속배선한 다음 형광물질을 도포하여 고휘도 백색 램프를 확보하는 것을 특징으로 하는 고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프를 제공하는데 있다.

도 1은 종래의 연질의 비닐 관내에 발광다이오드 조명 램프를 배열한 개략도

도 2는 종래의 집합형 발광다이오드 조명 램프의 개략도

도 3은 종래의 발광 다이오드 백색 조명 램프의 개략도

도 4는 종래의 질화물계 반도체를 이용한 백색 발광 다이오드칩의 개략도

도 5는 종래의 형광등에서 파장에 따른 스펙트럼 조도를 나타낸 특성도

도 6은 종래의 백열전구에서 파장에 따른 스펙트럼 조도를 나타낸 특성도

도 7은 종래의 발광다이오드에서 파장에 따른 스펙트럼 조도를 나타낸 특성도

도 8은 본 고안의 고밀도 백색 발광다이오드 조명 램프의 개략도

도 9은 본 고안의 백색 발광다이오드 램프에 사용되는 한 개의 단위 칩에 대한 GaN계 청색 발광다이오드 박막구조의 내부단면도

도 10은 본 고안의 사파이어 기판 위에 증착 형성된 개별칩들을 일부분 확대한 개략 구조도

도 11은 본 고안의 백색 발광다이오드 램프의 칩의 제조공정에 대한 순서도

도 12는 본 고안의 도 11에서 N-GaN플라즈마 식각공정용 포토마스크 패턴 설계도

도 13은 본 고안의 도 11에서 투명전극 증착 공정용 포토마스크 패턴 설계도

도 14은 본 고안의 N형 금속 배선 형성용 포토마스크 패턴 설계도

도 15는 본 고안의 N형과 P형 금속 배선사이의 절연막용 포토마스크 패턴 설계도

도 16는 본 고안의 P형 전극과 금속 배선용 포토마스크 패턴 설계도

도 17은 본 고안의 회로표면 보호용 절연막 포토마스크 패턴 설계도

도 18은 본 고안에서 제작된 백색전등의 실물 사진도

*도면의 주요 부분에 사용된 부호의 설명*

1 : 연질의 비닐관 2 : 발광다이오드

3 : PCB기판 4 : 삼원색 발광다이오드 램프

5 : 청색 발광다이오드 6 : 형광물질

7 : 사파이어 기판 8 : N-형 금속 배선

9 : P-형 금속 배선 10 : 완충층

11 : N-GaN 층 12 : Undoped GaN

13 : 청색 발광 활성층 14 : P-AlGaN 클래딩층 및 p-GaN 층

15 : 투명전극 16 : 회로정열 키

17 : P-전극부(bump) 18 : 절연막

본 고안의 바람직한 실시예를 첨부 도면에 의거하여 상세히 설명하기로 한다.

이 바람직한 실시예를 통해 본 고안의 목적, 특징 및 이점을 보다 잘 이해할 수 있게 된다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 고안에 의한 고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도4는 일본 니치아사의 형광 백색 발광 다이오드(phosphor White LED)구조로서 질화물계 반도체를 이용한 청색 발광 다이오드(5) 위에 형광물(6)을 도포하여 백색 조명을 구현한다. 상기의 도1, 도3은 도4의 일본 Nichia Phosphor White LED구조를 사용하였으며 본 고안도 백색을 구현하기 위하여 도4의 LED구조를 사용하는 것을 그 특징으로 한다.

도5는 형광등의 조도를 파장으로 나타낸 특성도로서 형광등의 발광파장의 영역은 300nm대의 단파장을 형성하게 된다. 이 파장은 자외선 영역의 파장으로 형광등의 형광물질을 자극하여 물질고유의 특성 파장을 갖는 빛이 나오게 된다. 하지만 형광물질은 자외선을 완벽하게 차단할수 없으므로 가시광선과 함께 자외선이 나오게 된다. 이 자외선 중에 UV-B라는 자외선은 매우 강한 에너지를 가지고 있어 피부에 노출되는 경우 피부손상을 가져온다.

한편, 도6는 백열전구의 조도를 파장으로 나타낸 특성도로서 백열전구는 장파장인 적외선 영역의 파장을 형성하므로 도4에서 제시한 형광등의 자외선 파장으로 인한 인체에 해가 없지만, 백열전구는 뜨거운 적외선 영역의 열을 내기 때문에 과열에 의한 전기화재의 위험도가 높고, 고휘도의 백색을 구현하기가 어렵다.

도7는 발광다이오드 램프의 조도를 파장으로 나타낸 특성도로서 발광다이오드 램프는 형광등과 백열전구의 중간대 파장인 가시광선 영역의 파장을 갖고 있기 때문에 인체에 해가 없으며, 다량의 열을 발산하지 않기 때문에 전력손실이 적고, 고휘도의 백색을 구현하는데 용이하게 된다.

도8은 본 고안에서 구현하려는 고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프에 관한 것으로 사파이어기판 위에 발광다이오드 칩을 구성하여 칩과 칩 사이를 금속 배선을 통한 일체형 회로로 구성한 개략도이다. 특히, 종래의 개별 칩 발광다이오드 램프와는 달리 개별 칩으로 분리(cutting)하지 않고 사파이어 웨이퍼 위에 패턴화된 회로 자체가 발광다이오드 램프가 된다.

도 9는 본 고안의 백색 발광다이오드 조명램프에 사용되는 한 개의 칩에 대한 GaN계 청색 발광다이오드 박막구조의 내부단면도에 대한 실시예이다. 사파이어 기판(7) 위에 유기금속화합물 화학 기상증착방법(MOCVD)을 이용하여 제일 먼저 560℃의 온도에서 GaN 완충층(10)을 300Å 두께로 증착한다. 이 GaN 완충층은 1100℃의 고온에서 성장하는 GaN 에피층의 성장시 발생하는 박막형성 자유에너지(nucleation free energy)를 낮추므로써 에피층 성장시 3차원적인 성장보다는 2차원적인 횡방향 결정성장을 촉진시켜 전위 및 결합경계 등의 결함밀도가 낮은 GaN 에피층을 성장시키는 역할을 한다. 사파이어 기판위에 GaN 완충층을 성장시킨 후 순차적으로 그 위에 Si 도핑된 n-GaN층(11)을 1100℃의 온도에서 2.5 ~ 4㎛의 두께로 성장시키고, 다시 그 위에 도핑이 되지 않은 GaN(12)층을 1100℃에서 100~150Å으로 성장한다. 또한, 상기 층 위에 청색 발광 활성층(13)으로 InGaN/GaN 다중 양자 우물 구조(multi-quantum well structure)를 790℃에서 20/80Å 두께로 4~5주기로 성장시키며, 그 위에 Mg이 도핑된 AlGaN층을 전자운반자의 이동을 활성층 한곳에 모이도록 막는 장벽의 클레딩층을 150~200Å 두께로 1100℃에서 성장한 다음 Mg이 도핑된 GaN오믹층(14)을 1000~2000Å두께로 같은 온도에서 성장한다. 또한 자색 발광다이오드 구조를 실시예로 하는 경우, InGaN/GaN 양자우물구조 대신 AlGaN/GaN 양자우물구조를 성장시킴으로써 형광물질과의 색변환에 따른 연색성(color rendering)을 높일 수 있다.

상기의 박막을 증착한 다음 포토마스크를 이용하여 포토 공정을 수행한 다음 n-GaN층(11)이 표면에 노출되도록 플라즈마 식각 공정을 수행하게 된다. 또한, 이러한 식각 공정을 완성한 다음 p-GaN층(14) 위에 Ni/Au 금속 박막층을 전자빔 금속 증착장비를 이용하여 60/80Å의 투명 금속 박막층(15)을 형성하고, 그 위에 p-형 전극(9)을 Ni/Au 금속으로 증착 형성한다. 한편, n-형 전극(8)은 Ti/Al 금속으로 증착 형성한다.

도10은 사파이어 기판 위에 증착 형성된 개별칩들을 일부분 확대한 개략도이다. 칩 한개의 크기는 350㎛x350㎛이다. 2인치 웨이퍼 내에 18000 ~ 22000개, 또는 3인치 웨이퍼 내에 30000 ~ 35000개의 발광다이오드 칩들이 고밀도로 집적되어 있다. 도10에서 보는 바와 같이 수만개의 칩들이 일정한 구조를 가지고 집적되어 있어 매우 밝은 휘도를 내게 된다.

한편, 도11은 발광다이오드 백색 조명램프의 칩 제조공정에 대한 순서도이다. 먼저사파이어 기판(7) 위에 발광 다이오드 광소자용 다층 박막을 증착하기 위하여 사파이어 기판(7)위에 존재하는 유기물 잔사, 산화물 잔사, 금속 오염, 먼지 등을 제거하기 위하여 세정공정을 수행한다. 사파이어 기판의 세정 공정 이후 MOCVD장비를 이용하여 사파이어 기판(7) 위에 도 9에서와 같은 GaN계 에피박막을 성장한다.

이러한 GaN계 청색 발광다이오드 박막 구조를 성장시킨 다음, P-GaN(14)층을 550℃에서 열처리하여 전기적으로 활성화 시킨 다음, n-형의 금속 배선(8)을 형성하기 위하여 먼저 SiO₂마스크 패턴층을 형성하고 플라즈마 식각 공정을 통해 N-GaN층(11)을 노출시킨다. 에피식각된 기판에 먼저 SiO₂마스크 막을 제거한 다음 P-GaN표면에 투명전극(15) Ni/Au금속층을 60/80Å 두께로 증착시킨다. 그리고 포토레지스트로 한정시킨 노출된 n-전극 접촉층에 전자빔 증착 공정을 통해 Ti/Al 금속을 0.1/4~5㎛의 두께로 증착한다. 포토 공정으로 n-형 금속 전극 배선(8)을 패턴화 한 다음 SiO₂절연막으로 n-형 배선(8)을 절연시킨다. 여기서 n-형 금속 배선(8)을 하기 위해 식각을 하는 이유는 사파이어 기판(7)이 절연체이기 때문에 배면 접촉이 곤란하므로 한 쪽 측면을 식각하여 n-형 금속(8)을 증착시킨다.

P-형 금속 배선(9)을 형성하기 위하여 먼저 p-GaN(14)/투명 전극(15)층의 절연막을 제거하여 노출시킨다. 이어서 전자빔 금속증착공정을 통해 Ni/Au 금속막을 0.1/4-5㎛ 두께로 형성한다. 다시 개별 소자의 p-형 전극부와 배선부분(9)을 포토공정을 통해 패턴화한 다음, 절연막을 증착한다. 또한, 램프의 전압 인가 부분인 P형(9) 및 n-형 전극패드(bump)(8)부의 절연막을 패턴화하여 제거함으로써 청색 발광 램프를 제작할 수 있으며 최종적으로 상기 램프 위에 형광층을 도포하여 고밀도 평판형 발광다이오드 백색 조명램프를 제작할 수 있다.

형광층은 형광 물체가 에너지를 흡수하여 또 다른 파장의 빛을 방출하는 것으로 가시광선 영역의 파장대인 360 ~ 830 ㎛의 파장을 발광한다. 형광체는 일반적으로 형광모체와 활성이온으로 구성되어 전도대와 충만대 사이의 불연속적 에너지 준위를 만들어 에너지를 변환하는 것이다. 여기서 활성이온의 역할은 발광과정에 에너지 준위를 결정하여 발광색을 결정하여 발광효율에 영향을 미친다. 형광체를 크게 나누면 스토크 천이과정(Stoke`s shift Process)과 반 스토크 천이과정(Anti-Stoke`s Process)으로 나눌 수 있다. 전자는 일반적인 형광체로 높은 에너지에 의해 형광체를 여기한 후 낮은 에너지로 발광하는 것이고, 후자는 이와는 반대로 낮은 에너지를 흡수하여 더욱 높은 에너지 상태로 방출하는 것이나 주로 전자의 경우 사용된다. 또한 형광체 도포에 있어서 주가 되는 형광 물체인 Y₃Al₅O₁₂, (Y_0.8Gd_0.2)₃Al₅O₁₂을 제조하는 과정은 고순도 Y₂O₃, Al₂O₃, Gd₂O₃와 활성제인 Bi₂O₃, Ceo₂를 아세톤에서 50분간 혼합하여 분말을 직경 12 mm인 원형 mold에 50분간 아세톤에서 혼합한다. 위의 과정을 통해 제조된 시편을 대기 분위기에서 승온속도 5℃/min 으로 하여 1200℃에서 2시간과 1300℃에서 3시간 유지하여 소성한다.

도 12는 청색 발광다이오드 칩을 n-형 금속배선(8)을 하기 위해 칩의 n-GaN층(11)이 노출될 때까지 플라즈마 식각 공정을 하고 난 후의 칩의 개략도이다. 이 과정을수행하기 위해서 먼저 GaN계 LED에피박막을 형성한 기판(7) 전체에 SiO₂절연막을 성장시킨 다음, 에피박막을 패턴에 따라 플라즈마 식각 공정을 수행하여 일정면적의 사각 발광부분을 패턴화 한다. 이때 칩의 간격 설정을 위해 십자형 패턴(16)들을 칩 25개마다 삽입한다. 또한 발광다이오드 칩의 전기 공급을 위한 n-형 전극부를 형성하기 위하여 하방향으로 n-GaN층이 노출 될때까지 플라즈마 식각을 수행한다.

도 13은 투명 전극(15) 배선 마스크의 개략도이다. 도 12의 과정이 수행된 기판위에 투명전극(15) Ni/Au 금속층을 60/80Å 두께로 증착 형성하고 식각공정에서의 패턴보다 면적이 다소 적은 사각 투명전극을 패턴화 한다. 이 과정에서 투명전극은 p-GaN층의 칩 보다 투명마스크를 작게함으로써 n-GaN층과의 접촉을 방지한다.

도 14는 n-형 금속 배선(8) 마스크의 개략도이다. 칩 주위의 n-GaN층에 60㎛의 넓이로 n-형 금속배선을 칩 전체에 n-형 Ti/Al 금속 막을 증착한 다음, 포토 공정을 수행하여 n-형 금속 배선(8)층을 패턴화한다. 이때 금속 배선의 두께를 통로의 n-접촉층의 통로보다 작게함으로써 n-형 금속이 칩의 p-GaN층에 접촉하지 않게 한다.

도 15는 p-형 금속 배선(9)을 하기위해 n-형 금속배선과의 절연층을 삽입하고 투명 전극(15)을 노출시키는 공정의 마스크에 대한 개략도이다. n-형 금속 배선(8) 공정 후 칩 위에 p-형 금속 배선(9)과 전극을 증착하면 전기적으로 합선이 일어나므로n-형 금속 배선(8) 위에 SiO₂로 구성된 절연막을 증착시킨다. 또한 절연막위에 p-형 금속 배선(9)을 증착하고 또한 투명전극 층위에 전극용금속이 접촉되도록 하기위해 칩 정중앙에 직경 90㎛의 크기의 구명(17)으로 포토레지스트 공정을 통해 절연막을 제거하여 투명전극(15)을 노출시킨다.

도 16는 p-형 전극 및 금속 배선(9) 마스크에 대한 개략도이다. 도 15의 공정 이후 확보한 원형 패턴에 p-형 Ni/Au 전극부(17)를 금속 배선(9)와 함께 동시에 증착한 다음, 포토 공정을 수행하여 p-형 Ni/Au 전극과 금속배선 증착 부분을 패턴화한다. 상기 p-형 Ni/Au 전극과 금속배선(9) 공정을 수행한 다음, SiO₂로 구성된 절연보호막을 칩 전체에 증착 피복시킨다.

도 17은 칩에 외부로부터 전류의 공급로를 확보하기 위해 부분 절연막을 제거한 마스크의 개략도이다. p-형 전극부(9) 위에 절연막 한층이 존재하게 되고 n-형 전극부(8) 위에 두층의 절연막이 존재하므로 이 절연막들을 제거하기 위해서 포토 공정을 수행하여 사파이어 기판의 가장자리 부분에 유도된 p-형과 n-형 전극부를 확보한다.

도 18는 백색 발광다이오드 램프의 시작품의 사진도이다. 본 고안의 고밀도 백색 램프를 통해 고휘도의 조명 램프를 구현할 수 있다.

이상에서와 같이 본 실시 예에서는 고밀도 평판형 발광다이오드 램프의 제작공정을 수행함으로써 공간효율성과 고휘도 및 시장경쟁성을 확보할 수 있는 조명용 백색 발광다이오드 램프의 제작이 가능하다.

또한 본 고안이 당 업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다. N-형 금속배선과 p-형 금속배선사이에 병렬연결뿐만 아니라, 국소적 형태의 직렬연결을 포함하는 직병렬연결등 광소자램프에 필요한 금속배선의 칩 집적화 원천 기술이 그 핵심이다.

이와 같은 변형된 실시 예들은 본 고안의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며 이와 같은 변형된 실시 예들은 본 고안의 첨부된 특허 청구범위 안에 속한다 해야 할 것이다.

상술한 설명으로부터 본 고안의 고밀도 평판형 발광다이오드 백색램프의 제작공정은 종래의 PCB기판을 이용하여 제작하는데 따르는 공간활용도의 저하 문제를 해결하고, 고밀도 집적화시켜 기존의 개별 발광다이오드 칩의 광속저하를 개선 할 수있으며, 상기 고안을 통하여 고밀도 집적화시킴으로써 실용가능한 고휘도 백색램프를 구현할 수 있게 된다.

그리고 기존의 웨이퍼에 증착시킨 칩을 개별절단하는 작업을 거치지 않고 웨이퍼 자체가 하나의 칩이 됨으로써 램프의 제작 공정을 대폭 축소시켜 발광다이오드 백색램프의 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다.

또한 본 고안의 고밀도 평판형 백색 발광다이오드 램프를 사용할 경우 인체에 해로운 UV-B자외선 파장이 나오지 않기 때문에 자연친화적이며 저전력 절전형 백색조명을 구현 할 수 있다.

Claims (3)

1. 발광다이오드 램프에 있어서, 사파이어기판위에 GaN 완충층, n-형 GaN 오믹접촉층, undoped GaN층, InGaN/GaN 다중양자우물 발광활성층, p-형 AlGaN 클래딩층, p-형 GaN 오믹접촉층의 적층구조 형태를 갖으며,

   n-형 GaN 오믹접촉층 위에 형성된 n-형전극 금속배선과 p-형 GaN층 위에 형성된 Ni/Au 투명전극층, n-형 금속배선층을 보호하는 SiO2절연막과,

   상기 절연막의 부분식각 구멍을 통해 연결된 p-형 전극과 절연막위에 형성된 금속배선과 다시 SiO2절연막의 피복층을 갖는 것을 특징으로 하는 고밀도 평판형 발광다이오드 램프.
2. 제 1항에 있어서, 램프 금속배선은 칩간 연결방식이 병렬 또는 직병렬 혼합형태로 배열된 것을 특징으로 하는 고밀도 평판형 발광다이오드 램프.
3. 제 1항에 있어서, 칩 전극은 상기 발광다이오드 칩의 n-형전극이 n-형 오믹접촉층을 형성하기 위해 칩둘레를 사각형태로 감싸는 구조를 갖으며, p-형 전극은 사각이나 원형의 점 형태로 투명전극이 형성된 발광층 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 고밀도 평판형 발광다이오드 램프.