KR20030087942A - 처리방법 및 처리장치 - Google Patents

Abstract

먼저 처리되는 기판의 처리조건으로 설정되는 제 1 처리부인 열처리유니트와, 다음에 처리되는 기판의 처리조건으로 설정되는 적어도 1개의 제 2 처리부인 보조열처리유니트를 준비하여, 먼저 처리되는 기판을 제 1 처리부로 반송하여 처리하고 있는 동안에, 제 2 처리부를 다음에 처리되는 기판의 처리조건으로 설정하여 대기시키고, 제 1 처리부에서의 처리가 종료한 후, 다음에 처리되는 기판을 제 2 처리부로 처리하고, 제 2 처리부에서 처리하는 동안, 제 1 처리부를, 제 2 처리부와 같은 처리조건으로 변경하여 다음에 처리되는 기판을 처리하고, 제 2 처리부에서의 처리가 종료한 후, 제 2 처리부를, 더욱 다음에 처리되는 기판의 처리조건으로 변경하여 대기시켜, 복수의 기판의 처리를 연속하여 한다.

Description

처리방법 및 처리장치{PROCESSING METHOD AND PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 처리방법 및 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 예를 들면 액정표시장치(LCD) 유리기판이나 반도체 웨이퍼 등의 복수의 피처리체를 다른 처리조건으로 연속하여 처리하는 처리방법 및 처리장치에 관한 것이다.

일반적으로, LCD 제조에 있어서는, 피처리체인 LCD 유리기판(이하에 LCD 기판이라고 한다)에, 반도체 웨이퍼의 제조 프로세스와 마찬가지로, 소정의 막을 성막한 후, 포토레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 회로패턴에 대응하여 레지스트막을 노광하여 이것을 현상처리한다고 하는 소위 포토리소그래피기술에 의해 회로패턴을 형성하고 있다.

상기 포토리소그래피기술에서는, 피처리체인 LCD 기판은 일반적으로, 세정처리가 실시된 후, 탈수베이크처리가 실시되고, 이어서 어드히젼(소수화)처리가 실시되어, 그 후, 냉각처리된 후, LCD 기판은 도포장치로 반송되어 레지스트도포가 이루어진다. 레지스트가 도포된 LCD 기판은 다음에, 열처리유니트로 반송되어, 열처리(프리베이크처리)되며, 레지스트내의 수분이 증발된다. 다음에, LCD 기판은 노광장치로 반송되어 노광처리된 후, 현상장치로 반송되어 현상처리된 후, 열처리장치로 반송되어, 열처리(포스트베이크처리)된다고 하는 일련의 처리를 거쳐 레지스트층에 소정의 회로패턴을 형성한다.

또한, 상기 포토리소그래피기술의 처리공정에서, LCD 기판의 표면에 다른 종류의 레지스트막이나 절연막 등이 도포되는 경우가 있기 때문에, 도포장치에 다른 종류의 처리액공급 노즐을 배치하여, 목적에 따라 소정의 처리액 공급노즐로부터 예를 들어 레지스트막용 혹은 절연막(평탄화막)용 등의 처리액을 LCD 기판에 공급하여 얇은 막을 형성하고 있다.

이 경우, 처리액의 종류나 막두께 등의 차이에 따라 도포후의 열처리의 온도조건이 다르기 때문에, 다른 온도조건하에서 열처리를 할 필요가 있다. 따라서, 예를 들어, 먼저 처리하는 로트의 LCD 기판의 처리가 종료한 후, 다음에 처리하는 로트의 LCD 기판의 처리를 하는 경우, 2대의 열처리장치를 준비해 두거나, 혹은 1대의 열처리장치의 온도를 바꾸어 로트마다의 처리를 한다.

그러나, 2대의 열처리장치를 준비하는 것은, 장치전체가 대형이 되는 동시에, 설비비가 많이 든다고 하는 문제가 있었다. 특히, 근래, 대형화하는 경향에 있는 LCD 기판의 제조공정에서는 장치전체가 현저히 대형화한다. 이에 대하여, 1대의 열처리장치를 전환하여 사용하는 방법에서는, 장치의 소형화가 도모되지만, 처리온도를 바꾸어 처리에 공급되는 온도로 설정할 때까지 많은 시간을 요하여, 처리능력이 현저히 저하한다고 하는 문제가 있었다.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 장치의 소형화를 유지할 수 있는 동시에, 다른 종류의 처리조건에서도 복수의 피처리체를 연속하여 처리할 수 있도록 하는 처리방법 및 처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관한 처리방법은, (a)복수의 피처리체를 처리하는 제 1 처리부에서의 해당 처리조건을 제 1 처리조건으로 설정하는 공정과, (b)상기 공정(a)의 후, 상기 피처리체중 제 1 피처리체를 상기 제 1 처리부에서 상기 제 1 처리조건으로 처리하는 공정과, (c)상기 피처리체를 처리하는 제 2 처리부에서의 해당 처리조건을 상기 제 1 처리조건과는 다른 제 2 처리조건으로 설정하는 공정과, (d)상기 공정(c)의 후, 상기 피처리체중 제 2 피처리체를 상기 제 2 처리부에서 상기 제 2 처리조건으로 처리하는 공정과, (e)상기 공정(b)의 후로서, 또한 상기 공정(d)의 도중에, 상기 제 1 처리부에서의 처리의 조건을 상기 제 2 처리조건으로 변경하여 설정하는 공정과, (f)상기 공정(e)의 후, 상기 피처리체중 제 3 피처리체를 상기 제 1 처리부에서 상기 제 2 처리조건으로 처리하는 공정을 구비한다.

본 발명에서는, 공정(e)에 있어서, 제 1 처리부에서 제 1 피처리체를 처리한 후로서, 상기 제 2 처리부에서 제 2 피처리체를 처리하고 있는 도중에, 제 1 처리부에서 제 2 처리조건으로 변경하여 설정하고 있다. 이러한 처리를 반복함으로써 다른 종류의 처리조건에 있어서도 복수의 피처리체를 연속하여 처리할 수 있다. 즉, 예를 들어 제 2 처리부에서 제 2 피처리체를 처리한 후(공정(d)의 후)로서, 상기 제 1 처리부에서 제 3 피처리체를 처리하고 있는 도중에(공정(f)의 도중에), 제 2 처리부의 처리조건을 제 3 처리조건으로 변경하여 설정하면 된다. 이 경우, 제 3 처리조건은 제 2 처리조건과는 다르다. 그러나 반드시 제 1 처리조건과는 다르지 않아도 된다. 이렇게 해서, 장치의 수를 늘리는 것을 극력 억제함으로써 장치의 소형화를 유지할 수 있는 동시에, 다른 종류의 처리조건에 있어서도 복수의 피처리체를 연속하여 처리할 수 있다.

본 발명에 있어서, 예를 들어 공정(c)는 공정(a)의 도중(또는 동시), 공정 (a)의 후, 또는 공정(b)의 도중에 행할 수 있다. 또한 제 1, 제 2, 제 3 피처리체는 각각 다른 대상물인 것을 의미한다.

본 발명의 한 형태에서는, 상기 공정(c)는 상기 공정(b)의 도중에 행한다. 이와 같이 제 2 처리조건을 매우 늦게 설정함으로써, 에너지의 낭비를 방지할 수 있다. 제 2 처리부에서의 처리가 가열처리인 경우에는 특히 효과적이다.

본 발명의 한 형태에서는, (g)상기 공정(b)는 상기 제 1 피처리체를 제 1 로트에 포함되는 피처리체로서 처리하는 공정을 가지며, (h)상기 공정(d) 및 상기 공정(f)는 상기 제 2 및 제 3 피처리체를, 상기 제 1 로트의 다음에 처리되는 제 2로트에 포함되는 피처리체로서 각각 처리하는 공정을 가진다. 로트란, 본 발명에서는, 제 1 로트에 포함되는 복수의 피처리체중 1개 또는 2개 이상의 피처리체를 제 1 처리부로 처리한다. 그리고 제 1 다음에 처리되는 제 2 로트에 포함되는 복수의 피처리체 중 1개 또는 2개 이상을 제 2 처리부로 처리한다. 더욱이 제 1 처리부에서의 처리가 종료하고 나서, 제 2 로트에 포함되는 복수의 피처리체중 1개 또는 그 이상을 제 1 처리부로 처리한다. 이와 같이 본 발명에서는 로트단위로 피처리체를 처리하는 경우에 매우 효과적이다.

본 발명의 한 형태에서는, 상기 제 1 처리부는 상기 피처리체를 처리하는 제 1 처리유니트와 제 2 처리유니트를 가지며, 상기 공정(e)는, (i)상기 제 1 처리유니트에서의 처리조건을 상기 제 2 처리조건으로 변경하여 설정하는 공정과, (j)상기 공정(i)의 후, 제 2 처리유니트를 상기 제 2 처리조건으로 변경하여 설정하는 공정을 가지며, 상기 공정(f)는, (k)상기 공정(i)의 후, 상기 제 1 처리유니트로 복수의 상기 제 3 피처리체중의 제 4 피처리체를 처리하는 공정과, (l)상기 공정 (j)의 후, 상기 제 2 처리유니트로 상기 제 3 피처리체중의 제 5 피처리체를 처리하는 공정을 가진다. 이에 따라, 복수의 피처리체를 동시에 처리하여 스루풋을 높이면서, 다른 종류의 처리조건에 있어서도 복수의 피처리체를 연속하여 처리할 수 있다.

본 발명의 한 형태에서는, 상기 공정(a)의 앞에, 상기 제 2 처리부에서의 처리조건을 상기 제 2 처리조건으로 설정한 후 해당 2의 처리조건으로 상기 피처리체를 처리할 수 있는 상태로 할 때까지 요하는 시간을 기억하는 공정과, 기억된 상기시간에 근거하여 상기 공정(e)을 행하는 것으로, 늦어도 상기 공정(b)가 종료하는 시간까지 상기 제 1 처리부에서 제 2 처리조건으로 상기 피처리체를 처리할 수 있는 상태로 하는 공정을 더욱 구비한다. 이와 같이 제 2 처리부에서 제 2 처리조건으로 설정한 후에 제 2 처리부로 처리할 수 있을 때까지 요하는 시간을 미리 기억해 둠으로써 예를 들면 제 2 처리조건을 매우 늦게 설정할 수 있다. 에너지의 낭비를 방지할 수 있다. 제 2 처리부에서의 처리가 가열처리인 경우에는 특히 효과적이다.

본 발명의 한 형태에서는, 상기 공정(a)는 상기 제 1 처리조건으로서 제 1 온도조건을 설정하는 공정을 가지는 동시에, 상기 공정(b)는 상기 제 1 온도조건으로 상기 피처리체를 열처리하는 공정을 가지며, 상기 공정(c) 및 상기 공정(e)는 상기 제 2 처리조건으로서 제 2 온도조건을 설정하는 공정을 가진 동시에, 상기 공정(d) 및 상기 공정(f)는 상기 제 2 온도조건으로 상기 피처리체를 열처리하는 공정을 가진다.

본 발명에 관한 처리장치는, 적어도 제 1 처리조건 및 해당 제 1 처리조건과는 다른 제 2 처리조건으로 복수의 피처리체를 처리할 수 있는 제 1 처리부와, 적어도 상기 제 2 처리조건으로 상기 피처리체를 처리할 수 있는 제 2 처리부와, 상기 제 2 피처리체의 상기 제 2 처리부에서의 처리중에서 상기 제 1 처리부에서 상기 제 1 처리조건으로 상기 피처리체중 제 1 피처리체의 처리가 종료한 후, 상기 제 1 처리부의 처리조건을 상기 제 2 처리조건으로 변경하여 설정하고, 해당 제 1 처리부에서 상기 제 2 처리조건으로 상기 피처리체중 제 3 피처리체를 처리시키도록 제어하는 제어수단을 구비한다.

본 발명에서는, 상기와 같은 제어수단을 구비한 것에 의해 다른 종류의 처리조건에 있어서도 복수의 피처리체를 연속하여 처리할 수 있다. 즉, 예를 들어 제 2 처리부에서 제 2 피처리체를 처리한 후로서, 상기 제 1 처리부에서 제 3 피처리체를 처리하고 있는 도중에, 예를 들면 제 2 처리부에서의 처리조건을 3의 처리조건으로 설정하도록 제어하면 좋다. 이 경우, 제 3 처리조건은 제 2 처리조건과는 다르다. 그러나 반드시 제 1 처리조건과는 다르지 않아도 좋다. 이렇게 해서, 장치의 수를 늘리는 것을 극력 억제함으로써 장치의 소형화를 유지할 수 있는 동시에, 다른 종류의 처리조건에 있어서도 복수의 피처리체를 연속하여 처리할 수 있다.

본 발명의 한 형태에서는, 상기 제 1 피처리체는 제 1 로트에 포함되고, 상기 제 2 및 제 3 피처리체는 상기 제 1 로트의 다음에 처리되는 제 2 로트에 포함된다.

본 발명의 한 형태에서는, 상기 제 1 처리부는 상기 제 1 및 제 2 처리조건을 각각 제 1, 제 2 온도조건으로서 상기 피처리체에 대하여 열처리하는 제 1 열처리장치를 가지며, 상기 제 2 처리부는 상기 제 2 처리조건을 상기 제 2 온도조건으로서 상기 피처리체에 대하여 열처리하는 제 2 열처리장치를 가진다.

본 발명의 한 형태에서는, 상기 제 1 열처리장치와 상기 제 2 열처리장치가 상하방향으로 배치되고, 적어도 상기 제 1 열처리장치와 상기 제 2 열처리장치의 사이에서 피처리체를 반송하는 반송기구를 더욱 구비하고, 상기 제어수단은 상기제 1 또는 제 2 중 아래쪽에 배치된 열처리장치로부터 상기 피처리체를 차례로 반송해 나가도록 지령을 보내는 수단을 구비한다. 아래쪽에 낮은 온도의 열이 흐르고 위쪽에 높은 온도의 열이 흐르기 때문에, 반송기구에서 아래쪽의 열처리장치로부터 순서대로 반송시켜 차례로 열처리를 함으로써, 열에너지를 낭비하지 않고 효율적으로 처리할 수 있다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 처리방법은, 다른 처리조건으로 처리를 실시하는 복수의 피처리체를 연속하여 처리하는 처리방법으로서, 먼저 처리되는 피처리체의 처리조건으로 설정되는 제 1 처리부와, 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 설정되는 적어도 1개의 제 2 처리부를 준비하는 동시에, 제 1 처리부 및 제 2 처리부의 처리조건을 변경할 수 있게 하여, 먼저 처리되는 상기 피처리체를 상기 제 1 처리부로 반송하여 처리하고 있는 동안, 상기 제 2 처리부를, 다음에 처리되는 상기 피처리체의 처리조건으로 설정하여 대기시키고, 상기 제 1 처리부에서의 처리가 종료한 후, 다음에 처리되는 상기 피처리체를 상기 제 2 처리부로 반송하여 처리하고, 상기 제 2 처리부에서 처리하는 동안에, 상기 제 1 처리부를, 상기 제 2 처리부와 같은 처리조건으로 변경하여 처리조건이 변경된 제 1 처리부에 다음에 처리되는 상기 피처리체를 반송하여, 처리를 실시하고, 상기 제 2 처리부에서의 처리가 종료한 후, 제 2 처리부를, 더욱 다음에 처리되는 상기 피처리체의 처리조건으로 변경하여 대기시키고, 이하와 마찬가지로, 상기 제 1 처리부와 제 2 처리부의 처리조건을, 다음에 처리되는 상기 피처리체의 처리조건으로 변경하여, 복수의 피처리체의 처리를 연속하여 행한다.

본 발명에 있어서, 상기 제 1 처리부를 복수의 처리유니트로서 형성하고, 각 처리유니트를 차례로, 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 변경시키는 동시에, 변경된 처리유니트에 차례로, 다음에 처리되는 피처리체를 반송하여 처리를 하도록 하는 쪽이 바람직하다.

또한, 상기 제 1 처리부 및 제 2 처리부를 예를 들어, 피처리체에 소정의 온도조건으로 열처리를 실시하는 열처리부로 할 수 있다.

또한, 본 발명의 처리장치는, 청구항 7에 기재된 처리방법을 구현화하는 것으로, 다른 처리조건으로 처리를 실시하는 복수의 피처리체를 연속하여 처리하는 처리장치로서, 피처리체의 반입·반출부와, 각각 상기 피처리체의 다른 처리조건으로 설정할 수 있는 제 1 처리부 및 적어도 1개의 제 2 처리부로 이루어지는 처리부와, 상기 반입·반출부와 처리부의 사이에서 상기 피처리체를 주고 받으며 반송하는 반송수단과, 먼저 처리되는 상기 피처리체가 상기 제 1 처리부에서 처리되고 있는 동안, 상기 제 2 처리부를 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 설정하여, 제 1 처리부에서의 피처리체의 처리가 종료한 후, 피처리체를 제 2 처리부로 반송하는 지령을 상기 반송수단에 보내는 동시에, 제 1 처리부의 처리조건을 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 변경설정하는 제어수단을 구비한다.

본 발명에 있어서, 상기 제 1 처리부가 복수의 처리유니트를 구비하고, 상기 제어수단이 각 처리유니트를 차례로 변경설정할 수 있도록 제어하는 제어수단인 쪽이 바람직하다.

또한, 상기 제 1 처리부 및 제 2 처리부를, 피처리체에 소정의 온도조건으로열처리를 실시하는 열처리장치로서 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 제 1 및 제 2 처리부는 피처리체를 얹어 놓는 재치대와, 상기 재치대를 가열하는 가열수단과, 상기 재치대를 냉각하는 냉각수단과, 상기 재치대의 온도를 검출하는 온도검출수단과, 상기 온도검출수단으로부터의 검출신호, 혹은, 미리 설정된 피처리체의 처리개시 또는 처리종료의 신호에 기초하여 상기 가열수단 또는 냉각수단을 제어하는 제어수단을 구비하는 쪽이 바람직하다.

청구항 8, 15에 기재된 발명에 의하면, 먼저 처리되는 피처리체를 제 1 처리부로 반송하여 처리하고 있는 동안, 제 2 처리부를, 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 설정하여 대기시키고, 제 1 처리부에서의 처리가 종료한 후, 다음에 처리되는 피처리체를 제 2 처리부로 반송하여 처리할 수 있다. 또한, 제 2 처리부에서 처리하는 동안에, 제 1 처리부를, 제 2 처리부와 같은 처리조건으로 변경하고, 처리조건이 변경된 제 1 처리부에 다음에 처리되는 피처리체를 반송하여, 처리를 실시할 수 있다. 더욱, 제 2 처리부에서의 처리가 종료한 후, 제 2 처리부를, 더욱 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 변경하여 대기시키고, 이하와 같이, 제 1 처리부와 제 2 처리부의 처리조건을, 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 변경하여, 복수의 피처리체의 처리를 연속하여 행할 수 있다. 따라서, 다른 처리조건의 복수의 피처리체를 연속하여 처리할 수 있다. 따라서, 제 2 처리부가 적어도 1개 존재하는 것만으로, 다른 처리조건의 복수의 피처리체를 연속하여 처리할 수가 있다.

청구항 9, 16, 17에 기재된 발명에 의하면, 제 1 처리부를 복수의 처리유니트로서 형성하여 각 처리유니트를 차례로, 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 변경시키는 동시에, 변경된 처리유니트에 차례로, 다음에 처리되는 피처리체를 반송하여 처리를 할 수 있기 때문에, 실제로 처리되는 피처리체의 복수를 동시에 처리할 수 있어, 더욱 처리효율의 향상을 도모할 수 있다.

청구항 10, 14, 15에 기재된 발명에 의하면, 제 1 처리부 및 제 2 처리부를, 피처리체에 소정의 온도조건으로 열처리를 실시하는 열처리부로 함으로써, 다른 열처리조건의 복수의 피처리체를 연속하여 열처리할 수 있다.

본 발명의 더 큰 특징과 이점은, 첨부한 도면 및 발명의 실시형태의 설명을 참작함으로써 한층 명백해진다.

도 1은 본 발명에 관한 처리장치를 조립한 LCD 유리기판의 레지스트도포현상처리시스템을 나타내는 사시도이다.

도 2는 상기 레지스트도포현상처리시스템의 개략평면도이다.

도 3은 상기 레지스트도포현상처리시스템에 있어서의 레지스트도포현상장치의 레지스트처리유니트의 내부를 나타내는 평면도이다.

도 4는 상기 레지스트도포현상장치의 제 1 열적처리유니트섹션을 나타내는 측면도이다.

도 5는 상기 레지스트도포현상장치의 제 2 열적처리유니트섹션을 나타내는 측면도이다.

도 6은 상기 레지스트도포현상장치의 제 3 열적처리유니트섹션을 나타내는 측면도이다.

도 7은 본 발명에 관한 열처리장치의 주요부를 나타내는 단면도이다.

도 8은 본 발명에 관한 처리방법의 공정의 일례를 나타내는 블록도이다.

도 9는 다른 실시형태에 관한 처리방법의 공정을 나타내는 블록도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 카세트스테이션(반입·반출부) 2 : 처리스테이션(처리부)

23 : 레지스트처리유니트 24 : 현상처리유니트

26∼28 : 제 1∼제 3 열처리유니트 섹션

36 : 제 2 반송장치(반송수단) 39 : 제 3 반송장치(반송수단)

70a∼70c : 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(열처리유니트, 제 1 처리부)

70s : 보조프리베이크 유니트(보조열처리유니트, 제 2 처리부)

80 : 열처리장치 86a : 노즐부

87 : 냉각가스공급원 88 : 냉각장치

G : 기판(피처리체) H : 히터(가열수단)

P : 플레이트(재치대) TS : 온도센서(온도검출수단)

V1, V2 : 개폐밸브

이하에, 본 발명의 실시형태를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명에 관한 처리장치를 조립한 LCD 유리기판의 레지스트도포현상처리 시스템을 나타내는 사시도, 도 2는 레지스트도포현상처리 시스템의 개략평면도이다.

상기 레지스트도포현상처리 시스템(100)은 피처리체인 복수의 LCD 유리기판 (G)[이하에 기판(G)이라고 한다]을 수용하는 카세트(C)를 얹어 놓는 카세트 스테이션(1)(반입·반출부)과, 기판(G)에 레지스트도포 및 현상을 포함한 일련의 처리를 실시하기 위한 복수의 처리유니트를 구비한 처리스테이션(2)(처리부)과, 노광장치 (4)와의 사이에서 기판(G)을 주고 받기 위한 인터페이스 스테이션(3)(인터페이스부)를 구비하고 있고, 처리스테이션(2)의 양 끝단에 각각 카세트 스테이션(1) 및인터페이스 스테이션(3)이 배치되어 있다. 한편, 도 1 및 도 2에 있어서, 레지스트도포현상처리 시스템(100)의 길이 방향을 X방향, 수평면상에 있어 X방향과 직교하는 방향을 Y방향으로 하고, 수직면상에 있어 X, Y방향과 직교하는 방향을 Z방향으로 한다.

카세트 스테이션(1)은 카세트(C)와 처리스테이션(2)과의 사이에서 LCD 기판 (G)을 반입·반출하기 위한 반송장치(11)를 구비하고 있으며, 이 카세트 스테이션 (1)에 있어서 외부에 대한 카세트(C)의 반입·반출이 이루어진다. 또한, 반송장치 (11)는 반송아암(11a)을 가지며, 카세트(C)의 배열설치방향인 Y방향을 따라서 설치된 반송로(10) 위를 이동할 수 있고, 반송아암(11a)에 의해서 카세트(C)와 처리스테이션(2)의 사이에서 기판(G)의 반입·반출이 이루어지도록 되어 있다.

처리스테이션(2)은 기본적으로 X방향으로 이어지는 기판(G) 반송용의 평행한 2열의 반송라인(A,B)을 가지고 있으며, 반송라인(A)을 따라 카세트 스테이션(1)측에서 인터페이스 스테이션(3)을 향하여 스크러브 세정처리유니트(21)(SCR), 제 1 열적처리유니트 섹션(26), 레지스트처리유니트(23) 및 제 2 열적처리유니트 섹션 (27)이 배열되어 있다. 또한, 반송라인(B)을 따라 인터페이스 스테이션(3)측에서 카세트 스테이션(1)을 향하여 제 2 열적처리유니트 섹션(27), 현상처리 유니트 (24)(DEV), i선 UV조사유니트(25)(i-UV) 및 제 3 열적처리유니트(28)가 배열되어 있다. 스크러브세정처리유니트(21)(SCR) 상의 일부에는 엑시머 UV 조사유니트(22) (e-UV)가 설치된다. 또, 엑시머 UV 조사유니트(22)(e-UV)는 스크러버세정에 앞서 기판(G)의 유기물을 제거하기 위해서 설치되고, i선 UV 조사유니트(25)(i-UV)는 현상의 탈색처리를 하기 위해서 설치된다.

상기 스크러브세정처리유니트(21)(SCR)는 그 중에서 기판(G)이 종래와 같이 회전되는 일없이 대략 수평으로 반송되면서 세정처리 및 건조처리를 하도록 되어 있다.

상기 현상처리유니트(24)(DEV)도 그 중에서 기판(G)이 회전되지 않고, 대략 수평으로 반송되면서 현상액 도포, 현상후의 현상액세정, 및 건조처리를 하도록 되어 있다. 또, 이들 스크러브 세정처리유니트(21)(SCR) 및 현상처리유니트(24) (DEV)에서는, 기판(G)의 반송은 예를 들면 롤러반송 또는 벨트반송에 의해 이루어지고, 기판(G)의 반입구 및 반출구는 마주보는 짧은 변에 설치된다. 또한, i선 UV 조사유니트(25)(i-UV)에의 기판(G)의 반송은 현상처리유니트(24)(DEV)의 반송기구와 같은 기구에 의해 연속하여 이루어진다.

레지스트처리유니트(23)는 도 3의 그 내부의 평면도에 나타낸 바와 같이, 컵(50)내에서 기판(G)을 스핀척(51)에 의해 회전시키면서 도시하지 않은 노즐로부터 레지스트액을 적하시켜 도포하는 레지스트도포처리장치(23a)(CT), 기판(G) 상에 형성된 레지스트막을 감압용기(52)내에서 감압건조하는 감압건조장치(23b)(VD), 및 스테이지(54)에 놓여진 기판(G)의 네 변을 스캔할 수 있는 용제토출헤드(53)에 의해 기판(G)의 둘레가장자리에 부착한 여분의 레지스트를 제거하는 둘레가장자리 레지스트제거장치(23c)(ER)가 그 순서대로 배치되어 있다.

이와 같이 구성되는 레지스트처리유니트(23)에 있어서, 가이드레일(55)에 가이드되어 이동하는 한 쌍의 전용아암(56)에 의해 기판(G)이 이들 사이를 대략 수평으로 반송된다. 이 레지스트처리유니트(23)는 마주 보는 짧은 변에 기판(G)의 반입구(57) 및 반출구(58)가 설치되어 있으며, 가이드레일(55)은 이들 반입구(57) 및 반출구(58)로부터 바깥쪽으로 이어져 서브아암(56)에 의해 기판(G)을 주고 받을 수 있도록 되어 있다.

제 1 열적처리유니트 섹션(26)은 기판(G)에 열적처리를 실시하는 열적처리유니트가 적층되어 구성된 2개의 열적처리유니트블록(31,32)(TB)을 가지고 있으며, 열적처리 유니트블록(31)(TB)은 스크러브세정처리유니트(21)(SCR)측에 설치되고, 열적처리 유니트블록(32)(TB)은 레지스트처리유니트(23)측에 설치된다. 그리고, 이들 2개의 열적처리유니트블록(31,32)(TB)의 사이에 제 1 반송장치(33)(반송수단)가 설치된다. 열적처리유니트블록(31)(TB)은 도 4의 측면도에 나타낸 바와 같이, 아래에서부터 차례로 기판(G)을 주고받는 패스유니트(61)(PASS), 기판(G)에 대하여 탈수베이크처리를 하는 2개의 탈수베이크유니트(62,63)(DHP), 기판(G)에 대하여 소수화처리를 실시하는 어드히젼처리유니트(64)(AD)의 4단으로 적층되어 구성되어 있다.

또한, 열적처리유니트블록(32)(TB)은 아래에서부터 차례로 기판(G)을 주고받는 패스유니트(65)(PASS), 기판(G)을 냉각하는 2개의 쿨링유니트(66,67)(COL), 기판(G)에 대하여 소수화처리를 실시하는 어드히젼처리유니트(68)(AD)의 4단으로 적층되어 구성되어 있다.

제 1 반송장치(33)는 패스유니트(61)(PASS)를 통한 스크러브 세정처리유니트 (21)(SCR)로부터의 기판(G)을 받아들이고, 상기 열적처리 유니트사이의 기판(G)의반입·반출, 및 패스유니트(65)(PASS)를 통한 레지스트처리유니트(23)로 기판(G)을 주고받도록 구성되어 있다.

이 경우, 제 1 반송장치(33)는 상하로 이어지는 가이드레일(91)과, 가이드레일을 따라 승강하는 승강대(92)와, 승강대(92)상에 수평의 θ방향으로 선회할 수 있게 설치된 베이스대(93)와, 베이스대(93) 위를 전진후퇴할 수 있도록 설치되며, 기판(G)을 유지하는 기판유지아암(94)을 구비하고 있다. 그리고, 승강대(92)의 승강은 모터(95)의 구동에 의해서 작동하는 도시하지 않은 승강기구 예를 들면 볼나사기구 혹은 실린더기구 등에 의해서 이루어지고, 베이스대(93)의 선회는 모터(96)에 의해서 이루어지며, 기판유지아암(94)의 전후동작은 모터(97)에 의해서 구동하는 이동기구(도시하지 않음)에 의해서 이루어진다. 제 1 반송장치(33)는 이동시에 상하동작, 전후동작, 선회동작 할 수 있도록 설치되므로, 열적처리유니트블록 (31, 32)(TB)의 어느 쪽 유니트에도 억세스할 수 있다.

한편, 제 2 열적처리유니트 섹션(27)은 기판(G)에 열적처리를 실시하는 열적처리유니트가 적층하여 구성된, 본 발명에 관한 처리방법(장치)을 적용한 2개의 열적처리유니트블록(34,35)(TB)을 가지고 있으며, 열적처리유니트블록(34)(TB)는 레지스트처리유니트(23)측에 설치되고, 열적처리유니트블록(35)(TB)은 현상처리유니트(24)(DEV)측에 설치된다. 그리고, 이들 2개의 열적처리유니트블록(34,35)(TB)의 사이에, 반송수단인 제 2 반송장치(36)가 설치된다.

이 경우, 열적처리유니트블록(34)(TB)은 도 5의 측면도에 나타낸 바와 같이, 아래에서부터 차례로 기판(G)을 주고받는 패스유니트(69)(PASS), 기판(G)에 대하여프리베이크처리를 하는 3개의 열처리유니트인 프리베이크 유니트[70c(HP3),70b (HP2),70a(HP1)]와, 1개의 보조열처리유니트인 보조프리베이크유니트 (70s)(HPS)의 5단으로 적층되어 구성되어 있다. 여기서, 열적처리유니트(34)(TB)에, 3개의 프리베이크 유니트(70a,70b,70c)(HP1,HP2,HP3)와, 1개의 보조프리베이크 유니트(70s) (HPS)를 적층하여 설치한 이유는 먼저 열처리되는 로트의 기판(G)을 프리베이크 유니트(70a,70b,70c)(HP1,HP2,HP3)[이하에 제 1, 제 2, 제 3 프리베이크 유니트 (70a ,70b,70c)라고 한다]로 열처리하고 있는 동안, 보조프리베이크 유니트(70s) (HPS)를 다음에 열처리되는 로트의 기판(G)의 열처리온도로 설정하여 대기시켜 두고, 먼저 열처리되는 로트의 기판(G)의 열처리가 종료한 후, 다음에 처리되는 로트의 기판(G)을 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)로 열처리할 수 있도록 하기 위해서이다.

또한, 열적처리유니트블록(35)(TB)은 아래에서부터 차례로 기판(G)을 주고받는 패스유니트(71)(PASS), 기판(G)을 냉각하는 쿨링유니트(72)(COL), 기판(G)에 대하여 프리베이크처리를 하는 2개의 프리베이크 유니트(70e,70d)(HP5,HP4)의 4단으로 적층되어 구성되어 있다.

제 2 반송장치(36)는 패스유니트(69)(PASS)를 통한 레지스트처리유니트(23)로부터의 기판(G)을 주고받고, 상기 열적처리유니트사이의 기판(G)의 반입·반출, 패스유니트(71)(PASS)를 통한 현상처리유니트(24)(DEV)에의 기판(G)의 주고받음, 및 후술하는 인터페이스 스테이션(3)의 기판주고 받음부인 익스텐션·쿨링스테이지 (44)(EXT·COL)에 대한 기판(G)의 주고받음 및 받아들임을 하도록 구성되어 있다. 또, 제 2 반송장치(36)는 제 1 반송장치(33)와 같은 구조를 가지고 있으므로, 동일부분에는 동일부호를 붙여 설명은 생략한다. 이 제 2 반송장치(36)는 열적처리유니트블록(34,35)의 어느 쪽 유니트에도 억세스할 수 있다.

상기와 같이 구성되는 제 2 열적처리유니트 섹션(27)에 있어서, 프리베이크 유니트(70a∼70e)와, 보조프리베이크 유니트(70s)에는, 같은 구조를 가진 열처리장치가 배열설치되어 있다. 이하에, 프리베이크유니트(70a)를 대표로 들어, 열처리장치에 대하여 상세하게 설명한다.

상기 열처리장치(80)는 도 7에 나타낸 바와 같이, 제 2 반송장치(36)에 의해서 반송되는 기판(G)을 얹어 놓는 재치대인 플레이트(P)와, 이 플레이트(P)의 하부 및 주위를 둘러싸는 하부용기(81a)와, 플레이트(P)의 주위 및 상부를 둘러싸는 덮개체(81b)로 이루어지는 처리용기(81)를 구비하고 있다.

이 경우, 처리용기(81)는 방형상의 덮개체(81b) 및 하부용기(81a)로 이루어지는 예를 들면 대략 방형통형상으로 형성되어 있으며, 덮개체(81b)가 하부용기 (81a)의 측벽의 안쪽에 들어가 내부에 밀폐된 공간을 형성하도록 구성되어 있다. 덮개체(81b)는 측부가 지지아암(82)에 의해 지지되며 도시하지 않은 승강기구에 의해 승강자유롭게 구성되어 있다.

덮개체(81b)의 중앙에는, 배기관(83)에 접속된 배기구(81c)가 설치되어 있으며, 이 배기구(81c)의 주위에는 복수의 가스공급구멍(81d)이 예를 들면 덮개체 (81b)의 주변방향에 형성되어 있다. 또한 덮개체(81b)의 정수리부는 안쪽에서 보면, 바깥측에서 중심부를 향하여 점차 높아지도록 완만하게 경사져 있으며, 이 경사부(81e)의 바깥가장자리부에는 복수의 가스공급구멍(81d)이 덮개체(81b)의 주변방향에 형성되어 있다. 또한, 덮개체(81b)의 정수리부에는, 질소가스나 아르곤가스 등의 불활성가스를 퍼지가스로서 공급하기 위한 가스공급관(84)이 접속되어 있다.

하부용기(81a)는 안쪽을 향하여 돌출한 단차부(81f)가 형성되어 있으며, 이 단차부(81f) 위에는, 예를 들어 알루미늄이나 세라믹으로 이루어진 예컨대 방형판형상의 플레이트(P)가, 해당 플레이트(P)의 둘레가장자리영역을 단차부(81f)에 의해 유지되도록 설치된다.

이러한 플레이트(P)의 표면에는, 기판(G)을 플레이트(P)에서 예를 들어 0.1∼0.5 mm 부상시킨 상태로 유지하기 위한, 예를 들면 세라믹으로 이루어진 복수 예를 들면 3개의 프록시미티 핀(85)이 돌출형성되어 있다. 이렇게 기판(G)을 플레이트(P)에서 약간 부상시킨 상태로 유지하는 것은, 기판 이면의 파티클 오염을 방지하기 위해서이다. 또한, 플레이트(P)의 이면에는, 예를 들면 니크롬선이나 소결금속으로 이루어지는 가열수단을 이루는 히터(H)가 설치되어 있으며, 이 히터(H)에 의한 가열에 의해서 플레이트(P)가 소정의 온도로 가열되도록 되어 있다.

상기한 바와 같이 구성되는 처리용기(81)의 내부는, 덮개체(81b)를 닫았을 때에, 플레이트(P)의 상하로 2개의 구획된 공간이 형성되어, 즉 플레이트(P)와 덮개체(81b)로 둘러싸인 영역은 가열처리실(S1), 플레이트(P)와 하부용기(81a)로 둘러싸인 영역은 냉각실(S2)로 되어 있다.

냉각실(S2)내에는, 플레이트(P)의 이면측에, 예를 들면 공기나 질소가스 등의 냉각가스를 내뿜기 위한 복수의 노즐부(86a)가 설치되어 있으며, 각 노즐부(86a)에는, 하부용기(81a)의 바깥측에 설치된 매니폴드(M)에서 분기된 냉각가스유로를 하는 냉각가스공급관(86b)의 분기단측이 접속되어 있다. 또한, 매니폴드(M)는 냉각가스공급주관(86c)을 통해 냉각가스공급원(87)에 접속되어 있다. 이 경우, 냉각가스공급주관(86c)에는, 냉각가스공급원(87)측에서 차례로, 유량조정할 수 있는 제 1 개폐밸브(V1), 냉각모듈을 이루는 펠티어소자를 구비하는 냉각장치(88) 및 유량조정할 수 있는 제 2 개폐밸브(V2)가 끼워 설치되어 있다. 그리고, 상기 노즐부(86a), 냉각장치(88) 및 냉각가스공급원(87) 등으로 냉각수단이 구성되어 있다.

또한, 하부용기(81a)에는, 제 2 반송장치(36)에 의해서 반송되는 기판(G)을 프록시미티 핀(85)상에 주고받을 때에, 기판(G)을 승강시키기 위한, 복수 예를 들면 3개의 승강 핀(89a)이 냉각실(S2) 및 플레이트(P)를 관통하도록 설치되어 있으며, 이들 승강 핀(89a)은 처리용기(81)의 바깥측에 설치된 승강기구(89b)에 의해 승강할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 하부용기(81a)에는, 승강 핀(89a)을 히터 (H)의 배선 등에 방해되지 않고 승강시키기 위한 가이드부재(89c)가 설치되어 있고, 측벽의 적절한 위치에는 복수의 냉각가스의 배기구(81g)가 설치되어 있다.

상기 가열처리실(S1)에는, 가스공급관(84)에 의해, 가스공급구멍(81d)을 통해 공급된 불활성가스로 이루어지는 퍼지가스에 의해 도면내에 점선으로 나타내는 열분위기의 기류가 발생하도록 되어 있다. 또한, 냉각실(S2)내에서는, 냉각가스공급관(86b)에 의해 노즐부(86a)를 통해 플레이트(P)의 이면측에 냉각가스가 내뿜어지고, 플레이트(P)가 소정온도로 냉각되어, 해당 플레이트(P)의 온도조정이 이루어지도록 되어 있다.

또한, 상기 플레이트(P)에는, 온도검출수단인 예를 들면 열전대(熱電對)로 이루어지는 온도센서(TS)가 매설되어 있으며, 이 온도센서(TS)에 의해서 검출된 온도검출신호가 제어수단 예를 들어 중앙연산처리장치(200) [이하에 CPU(200)라고 한다]에 전달되어, CPU(200)로부터의 제어신호가 히터(H)와 제 1 및 제 2 개폐밸브 (V1,V2)에 전달되도록 되어 있다. 또한, CPU(200)는 상기 카세트 스테이션(1)(반입·반출부)에 배열설치되어 카세트(C) 내의 기판(G)의 유무를 검출하는 센서(도시하지 않음)로부터의 검출신호를 받아 처리되는 기판(G)의 로트단위의 개시 및 종료의 정보가 입력되어 기억되어 있으며, CPU(200)로부터의 제어신호에 기초하여 제 2 반송장치(36)가 구동제어되도록 되어 있다.

따라서, 온도센서(TS)에 의해서 검출된 온도검출신호와, 카세트 스테이션 (1)(반입·반출부)측의 센서로부터의 신호에 따라서 CPU(200)로부터의 제어신호에 의해서, 히터(H)와 제 1 및 제 2 개폐밸브(V1,V2)와 제 2 반송장치(36)를 제어함으로써, 플레이트(P)의 온도를, 먼저 열처리되는 로트의 기판(G)의 처리온도와, 다음에 열처리되는 로트의 기판(G)의 처리온도로 바꾸어 설정할 수 있고, 기판(G)을 소정의 열처리유니트 즉 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)가 보조열처리유니트 즉 보조프리베이크유니트(70s)로 반송하여 열처리할 수 있다.

상기한 바와 같이 구성되는 열처리장치(80)를, 프리베이크유니트(70a∼70c)와, 보조프리베이크 유니트(70s)에 배치함으로써, 다른 종류의 열처리가 실시되는 로트마다의 기판(G)을 연속하여 열처리할 수 있다. 예를 들면, 먼저 열처리되는 로트의 기판(G)의 열처리온도조건이, 레지스트막형성의 프리베이크온도에 최적의온도 예를 들면 100℃이고, 다음에 열처리되는 로트의 기판(G)의 열처리온도조건이, 절연막(평탄화막)형성의 프리베이크온도에 최적인 온도 예를 들어 80℃인 경우, 이하에 나타낸 바와 같은 처리방법으로 연속처리할 수 있다.

또, 상기 실시형태에서는, 열처리장치(80)의 가열수단에 히터(H)를 사용하고, 냉각수단에 냉각가스를 사용하는 경우에 대하여 설명하였지만, 반드시 이러한 구조에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 플레이트(P)에 설치된 유통로내에 높은 온도의 전열매체체를 유통하는 가열수단, 마찬가지로 플레이트(P)에 설치된 유통로내에 낮은 온도의 전열매체체를 유통하는 냉각수단으로 하여도 좋다.

다음에, 상기 처리방법에 대하여, 도 8을 참조하여 설명한다. 먼저, 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)의 플레이트(P)를, 먼저 처리되는 로트의 기판(G)의 열처리온도 예를 들면 100℃로 설정하고, 보조프리베이크 유니트 (70s)(HPS)의 플레이트(P)를, 다음에 열처리되는 로트의 기판(G)의 열처리온도 예를 들면 80℃로 설정한다(도 8(a)참조). 이 상태에서, 제 2 반송장치(36)가 기판 (G)을 차례로 위쪽에서 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)의 플레이트(P) 위로 반송(반입)하여 플레이트(P)로 주고받아, 기판(G)의 열처리가 이루어진다. 열처리가 종료한 기판(G)은 다시 제 2 반송장치(36)에 의해서 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)부터 꺼내어져, 다음 처리부로 반송된다.

이렇게 해서, 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)에서의 열처리가 이루어지며, 로트의 최후의 기판(G)이 제 3 프리베이크 유니트(70c)(HP3)에 반입되어 열처리되고, 다음에 처리되는 로트의 최초의 기판(G)은 보조프리베이크유니트(70s)(HPS)에 반입되어, 80℃의 온도로 열처리된다(도 8(b)참조). 이 동안, 먼저 처리되는 로트의 마지막에서 3번째의 기판(G)이 제 2 반송장치(36)에 의해서 제 1 프리베이크 유니트(70a)(HP1)에서 꺼내지는, 즉 제 1 프리베이크 유니트(70a)에서 먼저 처리되는 최후의 기판(G)이 꺼내지면, CPU(200)로부터의 제어신호에 기초하여, 히터(H)의 가열온도가 저온측으로 제어되는 동시에, 제 1 및 제 2 개폐밸브(V1,V2)가 개방되어 냉각가스가 플레이트(P)로 공급되고, 제 1 프리베이크 유니트(70a)의 플레이트(P)의 온도가 100℃에서 80℃로 바뀐다(도 8(b)참조). 이 상태에서, 다음에 처리되는 로트의 제 2 번째의 기판(G)이, 제 2 반송장치(36)에 의해서 제 1 프리베이크 유니트(70a)(HP1)로 반입되어, 80℃의 온도로 열처리된다.

다음에, 먼저 처리되는 로트의 마지막에서 제 2 번째의 기판(G)이 제 2 프리베이크 유니트(70b)(HP2)로부터 꺼내지면, 상술한 바와 같이, 제 2 프리베이크 유니트(70b)(HP2)의 플레이트(P)의 온도가 100℃에서 80℃로 바뀐다(도 8(c)참조). 이 상태로, 다음에 처리되는 로트의 제 3 번째의 기판(G)이 제 2 반송장치(36)에 의해서 제 2 프리베이크 유니트(70b)(HP2)에 반입되어, 80℃의 온도로 열처리된다.

다음에, 먼저 처리되는 로트의 최후의 기판(G)이 제 3 프리베이크 유니트 (70c)(HP3)로부터 꺼내지면, 상술한 바와 같이, 제 3 프리베이크 유니트(70c)(HP3)의 플레이트(P)의 온도가 100℃에서 80℃로 바뀐다(도 8(d)참조). 이 상태에서, 다음에 처리되는 로트의 제4번째의 기판(G)이 제 2 반송장치(36)에 의해서 제 3 프리베이크 유니트(70c)(HP3)에 반입되어, 80℃의 온도로 열처리된다. 이 상태에서는, 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)의 모두에 있어서 다음에처리되는 로트의 제2번째∼제4번째의 기판(G)이 80℃의 온도로 열처리되어, 제5번째 이후의 기판(G)은 차례로, 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)에 반입되어 열처리된다. 이 동안, 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)는 다음에 처리되는 로트의 최초의 기판(G)이 제 2 반송장치(36)에 의해서 꺼내진 후, CPU(200)로부터의 제어신호에 기초하여, 히터(H)의 가열온도가 고온측으로 제어되는 동시에, 제 1 및 제 2 개폐밸브(V1,V2)가 닫혀 냉각가스의 공급이 정지되고, 플레이트 (P)의 온도가 예를 들어 80℃에서 100℃로 바뀌어, 더욱 다음에 처리되는 로트의 기판(G)의 처리에 구비된다(도 8(e), (f)참조).

상기한 바와 같이 하여, 먼저 처리되는 로트의 기판(G)을 제 1 처리부인 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)로 반송하여 열처리하고 있는 동안에, 제 2 처리부인 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)를, 다음에 처리되는 로트의 기판(G)의 처리조건(80℃)으로 설정하여 대기시키고, 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)(제 1 처리부)에서의 처리가 종료한 후, 다음에 처리되는 로트의 기판(G)을 보조프리베이크유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)로 반송하여 처리할 수 있다. 또한, 보조프리베이크유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)에서 처리하는 동안에, 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)(제 1 처리부)를, 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)와 같은 처리조건(80℃)으로 변경하여, 처리조건이 변경된 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)(제 1 처리부)에 다음에 처리되는 로트의 기판(G)을 반송하여, 처리를 실시할 수 있다. 더욱, 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)에서의 처리가 종료한 후, 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)를, 더욱 다음에 처리되는 로트의 기판(G)의 처리조건 (예를 들면 100℃)으로 변경하여 대기시키고, 이하와 같이, 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)(제 1 처리부)와 보조프리베이크 유니트(70s) (HPS)(제 2 처리부)의 처리조건을, 다음에 처리되는 로트의 기판(G)의 처리조건으로 변경하여, 복수의 기판(G)의 열처리를 연속하여 할 수 있다. 따라서, 다른 처리조건의 복수의 로트의 기판(G)을 연속하여 처리할 수 있다. 따라서, 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)가 1개 존재하는 것만으로, 다른 처리조건의 복수의 로트의 기판(G)을 연속하여 열처리할 수 있다.

또, 상기 설명에서는, 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)(제 1 처리부)의 온도설정과 동시에, 미리 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)의 온도설정을 하는 경우에 대하여 설명하였지만, 보조프리베이크 유니트 (70s)(HPS)(제 2 처리부)의 온도설정은 먼저 처리되는 로트의 기판(G)이 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)(제 1 처리부)로 열처리되고 있는 동안에 실행하도록 하여도 좋다.

또, 이 경우, 어떤 온도에서 어떤 온도까지 온도를 변화시키는 데 필요한 시간을 정리한 표를 미리 작성하여 기억해 두고, 보조프리베이크 유니트(70s)의 온도설정의 타이밍에 대하여 온도설정에 필요한 시간을 표에서 도출하여 실행할 수 있다. 이 때, 먼저 처리되는 로트의 최후의 기판처리종료시간은 CPU(200)에 의해 산출할 수 있기 때문에, 이 산출시간에서 온도설정에 필요한 시간보다 앞에 바꾸면 문제가 없고, 이 범위내에서 보조프리베이크 유니트(70s)의 바꾸는 타이밍을 되도록이면 늦게 함으로써, 프리베이크 유니트(70a∼70c)와 같이 보조프리베이크 유니트(70s)도 온도 전환의 타이밍까지 먼저 처리되는 로트의 처리에 사용하는 것도 가능하다.

또한, 상기 실시형태에서는, 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)가 1개인 경우에 대하여 설명하였지만, 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)는 적어도 1개이면, 복수 예를 들면 2개이더라도 좋다.

또, 예를 들어 프리베이크 유니트(70a∼70c)의 온도를 먼저 처리하는 온도로부터 다음에 처리하는 온도로 바꾸는 데 시간이 걸릴 때에는, 온도의 전환이 종료할 때까지 보조프리베이크 유니트(70s)만으로 가열처리를 하고, 프리베이크 유니트 (70a∼70c)의 온도의 전환이 종료하면, 차례로 프리베이크유니트(70a∼70c)에서 가열처리를 하여도 됨은 물론이고, 스루풋이 저하하더라도 연속하여 처리를 하는 것이 가능하다.

상기 제 3 열적처리유니트 섹션(28)은, 기판(G)에 열적처리를 실시하는 열적처리유니트가 적층되어 구성된 2개의 열적처리유니트블록(37,38) (TB)를 가지고 있으며, 열적처리 유니트블록(37)(TB)는 현상처리유니트(24)(DEV)측에 설치되고, 열적처리유니트블록(38)(TB)는 카세트스테이션(1)측에 설치된다. 그리고, 이들 2개의 열적처리유니트블록(37,38)(TB)의 사이에, 반송수단인 제 3 반송장치(39)가 설치된다. 열적처리유니트블록(37) (TB)은 도 6의 측면도에 나타낸 바와 같이, 아래에서부터 차례로 기판(G)을 주고 받는 패스유니트(73)(PASS), 기판(G)에 대하여 포스트베이크처리를 하는 3개의 포스트베이크유니트(70h,70g,70f)(HP8,HP7,HP6)의 4단으로 적층되어 구성되어 있다. 또한, 열적처리유니트블록(38)(TB)는 아래에서부터 차례로 포스트베이크유니트(70i)(HP9), 기판(G)의 주고받음 및 냉각을 하는 패스·쿨링유니트(74)(PASS·COL), 기판(G)에 대하여 포스트베이크처리를 하는 2개의 포스트베이크유니트(70j,70k)(HP10,HP11)와, 1개의 보조 포스트베이크유니트(70s) (HPS)의 5단으로 적층되어 구성되어 있다.

제 3 반송장치(39)는 패스유니트(73)(PASS)를 통한 i선 UV 조사유니트(25) (i-UV)로부터의 기판(G)을 받아들이고, 상기 열적처리 유니트사이의 기판(G)의 반입·반출, 패스·쿨링유니트(74)(PASS·COL)를 통한 카세트 스테이션(1)에 기판(G) 을 주고받는다. 또, 제 3 반송장치(39)도 제 1 반송장치(33)와 같은 구조를 가지고 있으며, 열적처리 유니트블록(37,38)(TB)의 어느 유니트에도 억세스할 수 있다.

이렇게 구성함으로써, 제 3 열적처리유니트 섹션(28)에 있어서도, 상기 제 2 열적처리유니트 섹션(27)과 마찬가지로, 다른 처리조건(온도조건)의 복수의 로트의 기판(G)을 연속하여 열처리할 수 있다.

또, 상기 스크러브세정처리유니트(21)(SCR) 및 엑시머 UV 조사유니트(22)(e-UV)에의 기판(G)의 반입은 카세트 스테이션(1)의 반송장치(11)에 의해서 이루어진다. 또한, 스크러브세정처리유니트(21)(SCR)의 기판(G)은 상술한 바와 같이 예를 들면 롤러반송에 의해 열적처리유니트블록(31)(TB)의 패스유니트(61)(PASS)로 반출되고, 거기서 도시하지 않은 핀이 돌출됨으로써 들어 올려진 기판(G)이 제 1 반송장치(33)에 의해 반송된다. 또한, 레지스트처리유니트(23)에의 기판(G)의 반입은 제 1 반송장치(33)에 의해 기판(G)이 패스유니트(65)(PASS)에 받아 넘겨진 후, 한쌍의 서브아암(56)에 의해 반입구(57)로부터 이루어진다. 레지스트처리유니트(23)에서는, 서브아암(56)에 의해 기판(G)이 반출구(58)를 통하여 열적처리유니트블록 (34)(TB)의 패스유니트(69)(PASS)까지 반송되고, 거기서 돌출된 핀(도시하지 않음)상에 기판(G)이 반출된다. 현상처리유니트(24)(DEV)에의 기판(G)의 반입은 열적처리유니트블록(35)(TB)의 패스유니트(PASS)(73)에 있어서 도시하지 않은 핀을 돌출시켜 기판을 상승시킨 상태에서 하강시킴으로써, 패스유니트(PASS)(73)까지 연장되어 있는 예를 들면 롤러반송기구를 작용시킴으로써 이루어진다. i선 UV 조사유니트(25)(i-UV)의 기판(G)은 예를 들면 롤러반송에 의해 열적처리유니트블록(37)(TB)의 패스유니트(73)(PASS) 에 반출되고, 거기서 도시하지 않은 핀이 돌출됨으로써 들어 올려진 기판(G)이 제 3 반송장치(39)에 의해 반송된다. 더욱 모든 처리가 종료한 후의 기판(G)은, 열적처리유니트블록(38)(TB)의 패스·쿨링유니트 (74)(PASS·COL)로 반송되어 카세트 스테이션의 반송장치(11)에 의해 반출된다.

처리유니트 스테이션(2)에서는, 이상과 같이 2열의 반송라인(A,B)을 구성하도록, 또한 기본적으로 처리순서대로 되도록 각 처리유니트 및 반송장치가 배치되어 있으며, 이들 반송라인(A,B)의 사이에는, 공간부(40)가 설치된다. 그리고, 이 공간부(40)를 왕복운동할 수 있도록 셔틀(기판재치부재)(41)이 설치된다. 이 셔틀 (41)은 기판(G)을 유지할 수 있게 구성되어 있으며, 반송 라인(A,B)의 사이에서 기판(G)을 주고받을 수 있게 되어 있다.

인터페이스 스테이션(3)은 처리스테이션(2)과 노광장치(4)의 사이에서의 사이에서 기판(G)의 반입·반출을 하는 반송장치(42)와, 버퍼카세트를 배치하는 버퍼스테이지(BUF)(43)와, 냉각기능을 구비한 기판주고 받음부인 익스텐션·쿨링스테이지(44)(EXT·COL)를 가지고 있으며, 타이틀러(TITLER)와 주변노광장치(EE)가 상하에 적층된 외부장치블록(45)이 반송장치(42)에 인접하여 설치된다. 반송장치(42)는 반송아암(42a)을 구비하고, 이 반송아암(42a)에 의해 처리스테이션(2)과 노광장치(4)의 사이에서 기판(G)의 반입·반출이 이루어진다.

이렇게 구성된 레지스트도포현상처리 시스템(100)에 있어서는, 우선, 카세트 스테이션(1)에 배치된 카세트(C) 내의 기판(G)이 반송장치(11)에 의해 처리스테이션(2)의 엑시머 UV 조사유니트(22)(e-UV)에 직접 반입되어, 스크러브전처리가 이루어진다. 이어서, 반송장치(11)에 의해 기판(G)이 엑시머 UV조사유니트(22)(e-UV)의 아래에 배치된 스크러브 세정처리유니트(21)(SCR)에 반입되어, 스크러브세정된다. 이 스크러브세정으로는, 기판(G)이 종래와 같이 회전되는 일없이 대략 수평으로 반송되면서, 세정처리 및 건조처리를 하도록 되어 있고, 이에 따라 종래, 회전타입의 스크러버세정처리유니트를 2대 사용하고 있는 것과 같은 처리능력을 보다 적은 공간으로 실현할 수 있다. 스크러브세정처리후, 기판(G)은 예를 들어 롤러반송에 의해 제 1 열적처리유니트 섹션(26)에 속하는 열적처리유니트블록(31)(TB)의 패스유니트(61)(PASS)로 반출된다.

패스유니트(61)(PASS)에 배치된 기판(G)은 도시하지 않은 핀이 돌출됨으로써 들어올려져, 제 1 열적처리유니트 섹션(26)으로 반송되어 이하의 일련의 처리가 이루어진다. 즉, 우선 제일 먼저, 열적처리유니트블록(31)(TB)의 탈수베이크 유니트 (62,63)(DHP)중의 어느 하나로 반송되어 가열처리되고, 이어서 열적처리유니트블록(32)(TB)의 쿨링유니트(66,67)(COL)중의 어느 하나로 반송되어 냉각된 후, 레지스트의 정착성을 높이기 위해서 열적처리유니트블록(31)(TB)의 어드히젼처리유니트 (AD)(64), 및 열적처리유니트블록(32)(TB)의 어드히젼처리유니트(AD)(68)중의 어느 하나로 반송되고, 거기서 HMDS에 의해 어드히젼처리(소수화처리)되고, 그 후, 쿨링유니트(66,67)(COL)중의 어느 하나로 반송되어 냉각되어, 더욱 열적처리유니트블록 (32)(TB)의 패스유니트(65)(PASS)로 반송된다. 이 때에 반송처리는 모두 제 1 반송장치(33)에 의해서 이루어진다. 또, 어드히젼처리를 하지 않은 경우도 있고, 그 경우에는, 기판(G)은 탈수베이크 및 냉각후, 즉시 패스유니트(65)(PASS)로 반송된다.

그 후, 패스유니트(65)(PASS)에 배치된 기판(G)이 레지스트처리유니트(23)의 서브아암(56)에 의해 레지스트처리유니트(23)내로 반입된다. 그리고, 기판(G)은 우선 그 중의 레지스트도포처리장치(23a)(CT)로 반송되고, 거기서 기판(G)에 대한 레지스트액의 스핀도포가 실시되며, 이어서 서브아암(56)에 의해 감압건조장치 (23b)(VD)로 반송되어 감압건조되고, 더욱 서브아암(56)에 의해 둘레가장자리 레지스트제거장치(23c)(ER)로 반송되어 기판(G) 둘레가장자리의 여분의 레지스트가 제거된다. 그리고, 둘레가장자리 레지스트의 제거가 종료한 후, 기판(G)은 서브아암 (56)에 의해 레지스트처리유니트(23)로부터 반출된다. 이렇게, 레지스트 도포처리장치(23a)(CT) 후에 감압건조장치(23b)(VD)를 설치하는 것은, 이것을 설치하지 않은 경우에는, 레지스트를 도포한 기판(G)을 프리베이크처리한 후나 현상처리후의 포스트베이크처리한 후에, 리프트 핀, 고정 핀 등의 형상이 기판(G)에 전사되는 경우가 있거나, 이렇게 감압건조장치(VD)로 가열하지 않고서 감압건조를 함으로써, 레지스트중의 용제가 서서히 방출되어, 가열하여 건조하는 경우와 같은 급격한 건조가 생기지 않고, 레지스트에 악영향을 주는 일없이 레지스트의 건조를 촉진시킬 수 있고, 기판상에 전사가 생기는 것을 효과적으로 방지할 수 있기 때문이다.

이렇게 해서 도포처리가 종료하고, 서브아암(56)에 의해 레지스트처리유니트 (23)로부터 반출된 기판(G)은 제 2 열적처리유니트 섹션(27)에 속하는 열적처리유니트블록(34)(TB)의 패스유니트(69)(PASS)에 받아 넘겨진다. 패스유니트(69) (PASS)에 배치된 기판(G)은 제 2 반송장치(36)에 의해 열적처리 유니트블록(34) (TB)의 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3) 및 열적처리유니트블록(35)(TB)의 프리베이크 유니트(70d,70e)(HP4,HP5)중의 어느 하나로 반송되어 프리베이크처리되고, 그 후 열적처리유니트블록(35)(TB)의 쿨링유니트(72)(COL)로 반송되어 소정온도로 냉각된다. 그리고, 제 2 반송장치(36)에 의해, 더욱 열적처리유니트블록 (35)(TB)의 패스유니트(71)(PASS)로 반송된다.

그 후, 기판(G)은 제 2 반송장치(36)에 의해 인터페이스 스테이션(3)의 익스텐션·쿨링스테이지(44)(EXT·COL)로 반송되고, 인터페이스 스테이션(3)의 반송장치(42)에 의해 외부장치블록(45)의 주변노광장치(EE)로 반송되어 주변레지스트제거를 위한 노광이 이루어지고, 이어서 반송장치(42)에 의해 노광장치(4)로 반송되고, 거기서 기판(G) 상의 레지스트막이 노광되어 소정의 패턴이 형성된다. 경우에 따라서는 버퍼스테이지(43)(BUF) 위의 버퍼카세트에 기판(G)을 수용하고 나서 노광장치(4)로 반송된다.

노광종료후, 기판(G)은 인터페이스 스테이션(3)의 반송장치(42)에 의해 외부장치블록(45)의 상단의 타이틀러(TITLER)에 반입되어 기판(G)에 소정의 정보가 기록된 후, 익스텐션·쿨링스테이지(44)(EXT·COL)에 놓여지고, 거기에서 다시 처리스테이션(2)에 반입된다. 즉, 기판(G)은 제 2 반송장치(36)에 의해, 제 2 열적처리유니트 섹션(27)에 속하는 열적처리유니트블록(35)(TB)의 패스유니트(71)(PASS)로 반송된다. 그리고, 패스유니트(71)(PASS)에 있어서 핀을 돌출 기판(G)을 상승시킨 상태로부터 하강시킴으로써, 현상처리 유니트(24)(DEV)로부터 패스유니트(71) (PASS)까지 연장되어 있는 예를 들면 롤러반송기구를 작용시킴으로써 기판(G)이 현상처리유니트(24)(DEV)로 반입되고, 현상처리가 실시된다. 이 현상처리에서는, 기판(G)이 종래와 같이 회전되는 일없이, 예컨대 롤러반송에 의해 대략 수평으로 반송되면서 현상액도포, 현상후의 현상액제거, 및 건조처리를 하도록 되어 있고, 이에 따라 종래, 회전타입의 현상처리유니트를 3대 사용하고 있는 것과 같은 처리능력을 보다 적은 공간으로 실현할 수 있다.

현상처리가 종료한 후, 기판(G)은 현상처리유니트(24)(DEV)로부터 연속하는 반송기구, 예를 들면 롤러반송에 의해 i선 UV 조사유니트(25)(i-UV)로 반송되어, 기판(G)에 대하여 탈색처리가 실시된다. 그 후, 기판(G)은 i선 UV 조사유니트(25) (i-UV)내의 반송기구, 예를 들면 롤러반송에 의해 제 3 열적처리유니트 섹션(28)에 속하는 열적처리유니트블록(37)(TB)의 패스유니트(73)(PASS)에 반출된다.

패스유니트(73)(PASS)에 배치된 기판(G)은 제 3 반송장치(39)에 의해 열적처리유니트 블록(37)(TB)의 포스트베이크유니트(70f∼70h)(HP6∼HP8) 및 열적처리유니트 블록(38)(TB)의 포스트베이크유니트(70i∼70k)(HP9∼HP11)중의 어느 하나로 반송되어 포스트베이크처리되고, 그 후 열적처리유니트블록(38)(TB)의 패스·쿨링유니트(74)(PASS·COL)로 반송되어 소정온도로 냉각된 후, 카세트 스테이션(1)의 반송장치(11)에 의해서, 카세트 스테이션(1)에 배치되어 있는 소정의 카세트(C)에 수용된다.

이상과 같이, 스크러브세정처리유니트(21)(SCR), 레지스트처리유니트(23), 및 현상처리유니트(24)(DEV)를 그 중에서 기판(G)이 대략 수평으로 반송되면서 소정의 액처리가 이루어지도록 구성하고, 이들을 처리의 순서대로, 기판(G)의 반송라인이 2열이 되도록 배치하여, 기판(G)을 이 평행한 2열의 반송라인(A,B)을 따라 흐르게 하면서 일련의 처리를 하도록 하였기 때문에 높은 스루풋을 유지할 수 있는 동시에, 종래와 같은 복수의 처리유니트의 사이의 주행하는 대규모의 중앙반송장치 및 그것이 주행하는 중앙반송로가 기본적으로 불필요하여, 그만큼 공간절약화를 도모할 수 있으며, 풋프린트를 작게 할 수 있다. 또한, 스크러브 세정처리유니트 (21)(SCR) 및 현상처리유니트(24)(DEV)에서는, 기판(G)을 회전시키지 않고서 수평방향으로 반송하면서 처리를 하는 소위 수평흐름방식이기 때문에, 종래에 기판(G)을 회전시킬 때에 많이 발생하고 있는 미스트를 감소시키는 것이 가능하다.

또한, 스크러브세정처리유니트(21)(SCR), 레지스트처리유니트(23), 및 현상처리유니트(24)(DEV) 각 액처리유니트마다, 그 후의 열적처리를 하는 복수의 열적처리유니트를 집약하여 제 1에서 제 3 열처리유니트 섹션(26,27,28)을 설치하고, 더구나 이들 열적처리유니트를 복수단 적층한 열적처리유니트 블록(TB)으로 구성하였기 때문에, 그만큼 더욱 풋프린트를 작게 할 수 있는 동시에, 열적처리를 기판 (G)의 반송을 극히 적게 하여 기판(G)의 처리의 흐름에 따라 행할 수 있게 되므로, 보다 스루풋을 높일 수 있다. 또한, 각 열적처리유니트 섹션에 각각 대응하여 각 열적처리유니트 섹션전용의 제 1 에서 제 3 반송장치(33,36,39)를 설치하였기 때문에, 이에 의해서도 스루풋을 높게 할 수가 있다.

이상이 기본적인 처리패턴이지만, 본 실시형태에서는, 처리스테이션(2)에 있어서 2열의 반송라인(A,B)의 사이에 공간부(40)가 형성되어 있으며, 이 공간부(40)를 왕복운동할 수 있게 셔틀(41)이 설치되기 때문에, 상기 기본적인 처리패턴 외에 여러가지 패턴의 처리를 할 수 있어, 처리의 자유도가 높다.

예를 들면, 레지스트처리만 하고 싶은 경우에는, 이하와 같은 순서로 할 수 있다. 우선, 셔틀(41)을 카세트 스테이션(1)에 인접한 위치까지 이동시켜 두고, 이어서, 반송장치(11)에 의해 카세트(C)의 기판(G)을 한 장 꺼내어 셔틀(41)상에 얹어 놓고 셔틀(41)을 제 1 반송장치(33)에 대응하는 위치까지 이동시켜, 제 1 반송장치(33)에 의해 셔틀(41)상의 기판(G)을 어드히젼처리유니트(64,68)(AD)중의 어느 하나로 반송하고, 기판(G)에 대하여 어드히젼처리를 한 후, 기판(G)을 쿨링유니트(66)(COL) 또는 (67)로 냉각하여, 열적처리유니트블록(32)(TB)의 패스유니트 (65)(PASS)를 지나서 레지스트처리유니트(23)로 반입한다. 그리고, 레지스트처리유니트(23)에 있어서 둘레가장자리 레지스트제거장치(23c)(ER)에 의한 레지스트제거처리가 종료하고, 열적처리유니트블록(34)(TB)의 패스유니트(69)(PASS)에 기판 (G)을 반출하여, 제 2 반송장치(36)에 의해서 기판(G)을 셔틀(41)에 얹어 놓고, 카세트 스테이션(1)으로 되돌린다. 또, 어드히젼처리를 하지 않은 경우에는, 셔틀 (41)로부터 기판(G)을 받아들인 제 1 반송장치(33)가 직접 패스유니트 (65)(PASS)로 기판을 반송한다.

또한, 현상처리만을 하고 싶은 경우에는, 이하와 같은 순서에 의해 할 수 있다. 우선 카세트 스테이션(1)으로부터 기판(G)을 받아들인 셔틀(41)을, 제 2 반송장치(36)에 대응하는 위치까지 이동시켜, 제 2 반송장치(36)에 의해 셔틀(41)상의 기판(G)을 열적처리유니트블록(35)(TB)의 패스유니트(PASS)(73)를 지나서 현상처리유니트(24)(DEV)로 반입한다. 그리고, 현상처리 및 i선 UV 조사유니트(25)(i-UV)에 의한 탈색처리가 종료하여 기판(G)을 열적처리유니트 블록(37)(TB)의 패스유니트(73)(PASS)로 반출하여, 제 3 반송장치(39)에 의해서 기판(G)을 셔틀(41)에 얹어 놓고, 카세트 스테이션(1)으로 되돌린다.

또, 셔틀(41)을 사용하지 않을 때는, 셔틀(41)을 공간부(40)의 끝단부에 후퇴시켜 둠으로써, 공간부(40)를 유지관리 공간으로서 사용할 수 있다.

이러한 셔틀(41)은 종래의 중앙반송장치와는 달리, 피처리기판을 유지하여 이동하는 것뿐이기 때문에, 대규모의 기구는 불필요하고, 종래의 중앙반송장치가 주행하는 중앙반송로와 같은 큰 공간은 필요가 없고, 셔틀(41)을 설치하여도 공간절약 효과는 유지된다.

또, 상기 실시형태에서는, 피처리체가 LCD 유리기판인 경우에 대하여 설명하였지만, 피처리체는 LCD 유리기판에 한정되는 것이 아니라 예를 들면 반도체 웨이퍼나 CD 등에 있어서도 본 발명은 마찬가지로 적용할 수 있는 것이다.

또한, 상기 실시형태에서는, 피처리체를 가열처리하는 경우에 대하여 설명하였지만, 반드시 가열처리에 한정되는 것이 아니라 냉각처리 혹은 다른 처리분위기로 처리를 실시하는 경우에 대해서도 본 발명은 적용할 수 있는 것이다.

상기 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)에서의 프리베이크의 온도는 80℃에 한정되지 않는다. 절연막(평탄화막)을 형성하는 경우의 프리베이크의 온도는 80℃∼90℃ 이더라도 좋다. 상기한 바와 같이 포지티브형의 레지스트막의 경우는 프리베이크의 온도는 100℃이지만 그보다 높더라도 상관없다. 또, 포스트베이크의 온도는 절연막(평탄화막)을 형성하는 경우에 300℃, 포지티브형의 레지스트막의 경우에 130℃ 이다.

상기 실시형태에 있어서, '절연막(평탄화막)'이란, 평탄화용의 절연막인 것이다. 이 절연막의 재료는, 예를 들면 아크릴을 액상태로 한 것이고, 또한 감광성을 가진다. 절연막을 노광 및 현상하고 예를 들면 이 절연막에 스루 홀을 형성하는 것으로, 해당 절연막의 상하층에 형성된 디바이스와 배선을 접속할 수가 있다.

냉각실(S2)내에는, 플레이트(P)의 이면측에 냉각가스가 내뿜어지고, 플레이트(P)가 소정온도로 냉각되어, 플레이트(P)의 온도조정이 이루어진다. 따라서, 예를 들면 플레이트(P)의 온도를 100℃에서 80℃로 바꾸는 경우, 플레이트(P)를 냉각가스로 급속히 냉각하면, 다른 막이라도 바로 동일한 유니트로 열처리할 수 있어, 연속처리할 수 있다고 생각된다. 그러나, 플레이트(P)를 급속히 냉각하거나 가열하거나 하면 플레이트(P)의 열변화에 의한 영향으로 깨짐 등의 손상을 받을 우려가 있다. 특히 근래에는 유리기판이 대형화하고 있으므로 플레이트(P)도 대형화하고있기 때문에, 열영향도 받기 쉽다. 따라서 그러한 플레이트(P)의 급속한 냉각이나 가열은 바람직하지 않고, 상기의 실시형태와 같이 보조프리베이크 유니트(70s)를 1대 설치하는 것만으로 연속처리를 할 수 있다.

다음에 본 발명의 다른 실시형태에 대하여 설명한다. 이 예에 관한 처리방법에 대하여, 도 9를 참조하여 설명한다. 우선, 제 1∼제 3 프리베이크 유니트 (70a∼70c)(HP1∼HP3)의 플레이트(P)를, 먼저 처리되는 로트의 기판(G)의 열처리온도 예를 들면 100℃로 설정하고, 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)의 플레이트(P)를, 다음에 열처리되는 로트의 기판(G)의 열처리온도 예를 들면 80℃로 설정한다(도 9 (a)참조). 이 상태에서, 제 2 반송장치(36)가 기판(G)을 차례로 아래쪽에서 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)의 플레이트(P) 위로 반송(반입)하고, 플레이트(P)에 주고받고, 기판(G)의 열처리가 이루어진다. 열처리가 종료한 기판(G)은 다시 제 2 반송장치(36)에 의해서 제 1∼제 3 프리베이크 유니트 (70a∼70c)(HP1∼HP3)로부터 꺼내지고, 다음 처리부로 반송된다.

이렇게 해서, 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)에서의 열처리가 이루어져, 로트의 마지막 기판(G)이 제 1 프리베이크 유니트(70a)(HP1)로 반입되어 열처리되고, 다음에 처리되는 로트의 최초의 기판(G)은 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)로 반입되어, 80℃의 온도로 열처리된다(도 9 (b)참조). 이 동안, 먼저 처리되는 로트의 마지막에서 3번째의 기판(G)이 제 2 반송장치(36)에 의해서 제 3 프리베이크 유니트(70c)(HP3)로부터 꺼내진다. 즉 제 3 프리베이크 유니트(70c)에서 먼저 처리되는 마지막 기판(G)이 꺼내지면, CPU(200)로부터의 제어신호에 기초하여, 히터(H)의 가열온도가 저온측으로 제어되는 동시에, 제 1 및 제 2 개폐밸브(V1,V2)가 개방하여 냉각가스가 플레이트(P)로 공급되어, 제 3 프리베이크유니트(70c)의 플레이트(P)의 온도가 100℃에서 80℃로 바뀐다(도 9(b)참조). 이 상태에서, 다음에 처리되는 로트의 제2번째의 기판(G)이, 제 2 반송장치(36)에 의해서 제 3 프리베이크유니트(70c)(HP3)에 반입되어, 80℃의 온도로 열처리된다.

다음에, 먼저 처리되는 로트의 마지막에서 제2번째의 기판(G)이 제 2 프리베이크 유니트(70b)(HP2)로부터 꺼내지면, 상술한 바와 같이, 제 2 프리베이크 유니트(70b)(HP2)의 플레이트(P)의 온도가 100℃에서 80℃로 바뀐다(도 9(c)참조). 이 상태에서, 다음에 처리되는 로트의 제3번째의 기판(G)이 제 2 반송장치(36)에 의해서 제 2 프리베이크 유니트(70b)(HP2)에 반입되어, 80℃의 온도로 열처리된다.

다음에, 먼저 처리되는 로트의 최후의 기판(G)이 제 1 프리베이크 유니트 (70a)(HP1)로부터 꺼내지면, 상술한 바와 같이, 제 1 프리베이크 유니트 (70a) (HP1)의 플레이트(P)의 온도가 100℃에서 80℃로 바뀌어진다(도 9(d)참조), 이 상태로, 다음에 처리되는 로트의 제4번째의 기판(G)이, 제 2 반송장치(36)에 의해서 제 1 프리베이크 유니트(70a)(HP1)에 반입되어, 80℃의 온도로 열처리된다. 이 상태에서는, 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)의 모두에 있어서 다음에 처리되는 로트의 제2번째∼제4번째의 기판(G)이 80℃의 온도로 열처리되고, 제5번째 이후의 기판(G)은, 차례로 아래쪽에서 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)로 반입되어 열처리된다. 이 동안, 보조프리베이크 유니트 (70s) (HPS)는, 다음에 처리되는 로트의 최초의 기판(G)이 제 2 반송장치(36)에 의해서꺼내어진 후, CPU(200)로부터의 제어신호에 기초하여, 히터(H)의 가열온도가 고온측으로 제어되는 동시에, 제 1 및 제 2 개폐밸브(V1,V2)가 닫혀 냉각가스의 공급이 정지되고, 플레이트(P)의 온도가 예를 들면 80℃에서 100℃에 바뀌고, 더욱 다음에 처리되는 로트의 기판(G)의 처리 준비된다(도 9 (e), (f)참조).

상기한 바와 같이, 먼저 처리되는 로트의 기판(G)을 제 1 처리부인 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)로 반송하여 열처리하고 있는 동안, 제 2 처리부인 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)를, 다음에 처리되는 로트의 기판(G)의 처리조건(80℃)으로 설정하여 대기시키고, 제 1∼제 3 프리베이크 유니트 (70a∼ 70c)(HP1∼HP3)(제 1 처리부)에서의 처리가 종료한 후, 다음에 처리되는 로트의 기판(G)을 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)로 반송하여 처리할 수 있다. 또한, 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)에서 처리하는 동안, 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)(제 1 처리부)를, 보조프리베이크 유니트 (70s)(HPS)(제 2 처리부)와 같은 처리조건(80℃)으로 변경하여, 처리조건이 변경된 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)(제 1 처리부)에 다음에 처리되는 로트의 기판(G)을 반송하여, 처리를 실시할 수 있다. 더욱, 보조프리베이크유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)에서의 처리가 종료한 후, 보조프리베이크유니트 (70s)(HPS)(제 2 처리부)를, 더욱 다음에 처리되는 로트의 기판(G)의 처리조건(예컨대 100℃)으로 변경하여 대기시키고, 이하와 같이, 제 1∼제 3 프리베이크 유니트(70a∼70c)(HP1∼HP3)(제 1 처리부)와 보조프리베이크 유니트(70s)(HPS)(제 2 처리부)의 처리조건을, 다음에 처리되는 로트의 기판(G)의 처리조건으로 변경하여,복수의 기판(G)의 열처리를 연속하여 할 수 있다. 따라서, 다른 처리조건의 복수의 로트의 기판(G)을 연속하여 처리할 수가 있다. 따라서, 보조프리베이크 유니트 (70s)(HPS)(제 2 처리부)가 1개 존재하는 것만으로, 다른 처리조건의 복수의 로트의 기판(G)을 연속하여 열처리할 수 있다.

아래쪽에 낮은 온도의 열이 흐르고 위쪽에 높은 온도의 열이 흐른다. 그 때문에, 본 실시형태에서는, 제 2 반송장치(36)에 의해 아래쪽의 프리베이크유니트로부터 차례로 기판을 반입시켜 열처리를 함으로써, 열에너지를 낭비하지 않고 효율적으로 연속처리할 수 있다.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 상기한 바와 같이 구성되기 때문에, 아래와 같은 뛰어난 효과를 얻을 수 있다.

제 1 처리부와 적어도 1개의 제 2 처리부의 처리조건을, 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 변경하여, 복수의 피처리체의 처리를 연속하여 할 수 있기 때문에, 장치전체의 소형화를 유지할 수 있는 동시에, 다른 처리조건의 복수의 피처리체를 연속하여 처리할 수가 있다. 더구나, 제 2 처리부가 적어도 1개 존재하는 것만으로, 다른 처리조건의 복수의 피처리체를 연속하여 처리할 수 있다.

제 1 처리부를 복수의 처리유니트로서 형성하고, 각 처리유니트를 차례로, 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 변경시키는 동시에, 변경된 처리유니트에 차례로, 다음에 처리되는 피처리체를 반송하여 처리를 할 수 있기 때문에, 실제로 처리되는 피처리체의 복수를 동시에 처리할 수 있고, 상기 1)에 더하여 더욱 처리효율의 향상을 도모할 수 있다.

제 1 처리부 및 제 2 처리부를, 피처리체에 소정의 온도조건으로 열처리를 실시하는 열처리부로 함으로써, 다른 열처리조건의 복수의 피처리체를 연속하여 열처리할 수가 있다.

Claims (17)

1. (a)복수의 피처리체를 처리하는 제 1 처리부에서의 해당 처리조건을 제 1 처리조건으로 설정하는 공정과,

   (b)상기 공정(a)의 후, 상기 피처리체중 제 1 피처리체를 상기 제 1 처리부에서 상기 제 1 처리조건으로 처리하는 공정과,

   (c)상기 피처리체를 처리하는 제 2 처리부에서의 해당 처리조건을 상기 제 1 처리조건과는 다른 제 2 처리조건으로 설정하는 공정과,

   (d)상기 공정(c)의 후, 상기 피처리체중 제 2 피처리체를 상기 제 2 처리부에서 상기 제 2 처리조건으로 처리하는 공정과,

   (e)상기 공정(b)의 후에 있어, 또한 상기 공정(d)의 도중에, 상기 제 1 처리부에서의 처리조건을 상기 제 2 처리조건으로 변경하여 설정하는 공정과,

   (f)상기 공정(e)의 후, 상기 피처리체중 제 3 피처리체를 상기 제 1 처리부에서 상기 제 2 처리조건으로 처리하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 공정(c)는 상기 공정(b)의 도중에 행하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
3. 제 1 항에 있어서, (g)상기 공정(b)는 상기 제 1 피처리체를 제 1 로트에 포함되는 피처리체로서 처리하는 공정을 가지며,

   (h)상기 공정(d) 및 상기 공정(f)는 상기 제 2 및 제 3 피처리체를, 상기 제 1 로트의 다음에 처리되는 제 2 로트에 포함되는 피처리체로서 각각 처리하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 처리방법.
4. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 처리부는 상기 피처리체를 처리하는 제 1 처리유니트와 제 2 처리유니트를 가지며,

   상기 공정(e)는,

   (i)상기 제 1 처리유니트에서의 처리조건을 상기 제 2 처리조건으로 변경하여 설정하는 공정과,

   (j)상기 공정(i)의 후, 제 2 처리유니트를 상기 제 2 처리조건으로 변경하여 설정하는 공정을 가지며,

   상기 공정(f)는,

   (k)상기 공정(i)의 후, 상기 제 1 처리유니트로 복수의 상기 제 3 피처리체중의 제 4 피처리체를 처리하는 공정과,

   (1)상기 공정(j)의 후, 상기 제 2 처리유니트로 상기 제 3 피처리체중의 제 5 피처리체를 처리하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 처리방법.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 공정(a)의 앞에, 상기 제 2 처리부에서의 처리조건을 상기 제 2 처리조건으로 설정한 후 해당 2 처리조건으로 상기 피처리체를 처리할 수 있는 상태로 할 때까지 요하는 시간을 기억하는 공정과,

   기억된 상기 시간에 근거하여 상기 공정(e)를 실행하는 것으로, 늦어도 상기 공정(b)가 종료하는 시간까지 상기 제 1 처리부에서 제 2 처리조건으로 상기 피처리체를 처리할 수 있는 상태로 하는 공정을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
6. 제 1 항에 있어서, 상기 공정(a)는 상기 제 1 처리조건으로서 제 1 온도조건을 설정하는 공정을 가지는 동시에, 상기 공정(b)는, 상기 제 1 온도조건으로 상기 피처리체를 열처리하는 공정을 가지며,

   상기 공정(c) 및 상기 공정(e)는 상기 제 2 처리조건으로서 제 2 온도조건을 설정하는 공정을 가지는 동시에, 상기 공정(d) 및 상기 공정(f)는 상기 제 2 온도조건으로 상기 피처리체를 열처리하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 처리방법.
7. 다른 처리조건으로 처리를 실시하는 복수의 피처리체를 연속하여 처리하는 처리방법으로서,

   먼저 처리되는 피처리체의 처리조건으로 설정되는 제 1 처리부와, 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 설정되는 적어도 1개의 제 2 처리부를 준비하는 동시에, 제 1 처리부 및 제 2 처리부의 처리조건을 변경가능하게 하고,

   먼저 처리되는 상기 피처리체를 상기 제 1 처리부로 반송하여 처리하고 있는 동안, 상기 제 2 처리부를, 다음에 처리되는 상기 피처리체의 처리조건으로 설정하여 대기시켜,

   상기 제 1 처리부에서의 처리가 종료한 후, 다음에 처리되는 상기 피처리체를 상기 제 2 처리부로 반송하여 처리하고,

   상기 제 2 처리부에서 처리하는 동안, 상기 제 1 처리부를, 상기 제 2 처리부와 같은 처리조건으로 변경하여, 처리조건이 변경된 제 1 처리부에 다음에 처리되는 상기 피처리체를 반송하여, 처리를 실시하고,

   상기 제 2 처리부에서의 처리가 종료한 후, 제 2 처리부를, 더욱 다음에 처리되는 상기 피처리체의 처리조건으로 변경하여 대기시키고,

   이하와 같이, 상기 제 1 처리부와 제 2 처리부의 처리조건을, 다음에 처리되는 상기 피처리체의 처리조건으로 변경하여, 복수의 피처리체의 처리를 연속하여 행하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 처리부를 복수의 처리유니트로서 형성하여, 각 처리유니트를 차례로, 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 변경시키는 동시에, 변경된 처리유니트에 차례로, 다음에 처리되는 피처리체를 반송하여 처리를 하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 처리부 및 제 2 처리부는 피처리체에 소정의 온도조건으로 열처리를 실시하는 열처리부인 것을 특징으로 하는 처리방법.
10. 적어도 제 1 처리조건 및 해당 제 1 처리조건과는 다른 제 2 처리조건으로 복수의 피처리체를 처리할 수 있는 제 1 처리부와,

    적어도 상기 제 2 처리조건으로 상기의 피처리체를 처리할 수 있는 제 2 처리부와,

    상기 피처리체중 제 2 피처리체의 상기 제 2 처리부에서의 처리중에서, 상기 제 1 처리부에서 상기 제 1 처리조건으로 상기 피처리체중 제 1 피처리체의 처리가 종료한 후, 상기 제 1 처리부의 처리조건을 상기 제 2 처리조건으로 변경하여 설정하고, 해당 제 1 처리부에서 상기 제 2 처리조건으로 상기 피처리체중 제 3 피처리체를 처리시키도록 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
11. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 피처리체는 제 1 로트에 포함되고, 상기 제 2 및 제 3 피처리체는 상기 제 1 로트의 다음에 처리되는 제 2 로트에 포함되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
12. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 처리부는 상기 제 1 및 제 2 처리조건을 제 1, 제 2 온도조건으로서 상기 피처리체에 대하여 열처리하는 제 1 열처리장치를 가지며,

    상기 제 2 처리부는 상기 제 2 처리조건을 상기 제 2 온도조건으로서 상기 피처리체에 대하여 열처리하는 제 2 열처리장치를 가진 것을 특징으로 하는 처리장치.
13. 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 열처리장치와 상기 제 2 열처리장치가 상하방향으로 배치되고,

    적어도 상기 제 1 열처리장치와 상기 제 2 열처리장치의 사이에서 피처리체를 반송하는 반송기구를 더욱 구비하고,

    상기 제어수단은 상기 제 1 또는 제 2 중의 아래쪽에 배치된 열처리장치로부터 상기 피처리체를 차례로 반송해 나가도록 지령을 보내는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
14. 다른 처리조건으로 처리를 실시하는 복수의 피처리체를 연속하여 처리하는 처리장치로서,

    피처리체의 반입·반출부와,

    각각 상기 피처리체가 다른 처리조건으로 설정할 수 있는 제 1 처리부 및 적어도 1개의 제 2 처리부로 이루어지는 처리부와,

    상기 반입·반출부와 처리부의 사이에서 상기 피처리체를 주고받으며 반송하는 반송수단과,

    먼저 처리되는 상기 피처리체가 상기 제 1 처리부에서 처리되고 있는 동안에, 상기 제 2 처리부를 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 설정하고, 제 1 처리부에서의 피처리체의 처리가 종료한 후, 피처리체를 제 2 처리부로 반송하는지령을 상기 반송수단에 보내는 동시에, 제 1 처리부의 처리조건을 다음에 처리되는 피처리체의 처리조건으로 변경설정하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.
15. 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 처리부가 복수의 처리유니트를 구비하고, 상기 제어수단이 각 처리유니트를 차례로 변경설정할 수 있도록 제어하는 제어수단인 것을 특징으로 하는 처리장치.
16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 처리부 및 제 2 처리부를, 피처리체에 소정의 온도조건으로 열처리를 실시하는 열처리장치로서 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 처리장치.
17. 제 16 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 처리부는 피처리체를 얹어 놓는 재치대와,

    상기 재치대를 가열하는 가열수단과,

    상기 재치대를 냉각하는 냉각수단과,

    상기 재치대의 온도를 검출하는 온도검출수단과,

    상기 온도검출수단으로부터의 검출신호, 혹은, 미리 설정된 피처리체의 처리개시 또는 처리종료의 신호에 기초하여 상기 가열수단 또는 냉각수단을 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리장치.