KR20030074880A

KR20030074880A - 중앙처리장치 냉각 시스템

Info

Publication number: KR20030074880A
Application number: KR1020020013871A
Authority: KR
Inventors: 정인화; 진심원; 이창선; 정문기; 윤인철; 안철오; 이주연; 문동수
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2002-03-14
Filing date: 2002-03-14
Publication date: 2003-09-22
Also published as: KR100463519B1

Abstract

본 발명은 중앙처리장치의 냉각 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 중앙처리장치의 냉각시 중앙처리장치에 습기가 맺히는 것을 방지토록 한 것이다.

이를 위해, 본 발명은 중앙처리장치(1)를 냉각시키는 열전모듈(20)와; 상기 열전모듈의 상면에 설치되어 열전모듈(20)에서 발생된 열이 방열되는 것을 돕도록 설치되는 방열핀(2)과; 상기 방열핀의 상부에 설치되어 외기를 접촉시켜 방열핀(2)을 냉각시키는 팬(3)과; 일측 접합부(P1)가 열전모듈(20)에 연결되고 타측 접합부(P2)가 공기 중에 노출되도록 설치되어, 제백효과(seebeck effect)에 의해 기전력을 발생시키는 써모커플(11)과; 상기 써모커플에 연결되어 기전력을 증폭시키는 증폭기(12)와; 상기 증폭기에 연결됨으로써 증폭된 기전력에 의해 열전모듈(20)에 전원을 공급 및 차단시킴에 따라 열전모듈(20)의 온도를 제어하는 전원 제어부:를 포함하여 이루어진 중앙처리장치 냉각 시스템을 제공한다.

Description

중앙처리장치 냉각 시스템{CPU cooling system}

본 발명은 중앙처리장치의 냉각 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 써모커플의 제백효과(seebeck effect)에 의해 열전모듈에 공급되는 전원을 제어함으로써 중앙처리장치에 습기가 응결되는 것을 방지토록 한 것이다.

중앙처리장치(CPU)는 시스템 전체를 제어하는 장치로서, 다양한 입력장치로부터 자료를 받아서 처리한 후 그 결과를 출력장치로 보내는 일련의 과정을 제어하는 역할을 수행한다.

이러한 중앙처리장치는 비교, 판단, 연산을 담당하는 논리연산장치(arithmetic logic unit)와 명령어의 해석과 실행을 담당하는 제어장치(control unit)를 포함하여 이루어진다.

상기 중앙처리장치는 메인보드에 설치되어 상술한 작용을 수행할 때에 열을 발생시키기 때문에 상기 중앙처리장치에는 냉각 시스템이 구비된다.

상기 중앙처리장치의 냉각 시스템은 열전모듈(thermal electric module), 방열핀, 팬, 습도센서 및 마이컴을 포함하여 이루어진다.

상기 열전모듈은 내부에 N형 및 P형 반도체가 내장되어 전류를 통과시킴에 따라 일면에서는 흡열반응이 일어나고 타면에서는 발열반응이 일어난다.

따라서, 상기 중앙처리장치의 상면에 열전모듈의 하면을 밀착시키고, 상기 열전모듈의 상면에는 방열핀을 밀착시키고, 상기 방열핀의 상단부에는 팬을 설치한다. 이때, 상기 열전모듈의 하면은 흡열부로서 기능함과 아울러 상면은 발열부로서 기능을 수행한다.

또한, 상기 습도센서는 중앙처리장치의 온도를 측정하도록 설치되며, 상기 마이컴은 습도센서에 전기적으로 연결되어 중앙처리장치가 이슬점 온도 이하로 냉각되지 않도록 한다.

이와 같이 구성된 중앙처리장치의 냉각 시스템에 관해 그 작용을 설명하면 다음과 같다.

상기 마이컴의 제어에 의해 열전모듈에 전원을 공급시키면, 상기 열전모듈의 하면에서는 흡열반응이 일어나 중앙처리장치를 냉각시키고, 상기 열전모듈의 상면에서는 발열반응이 일어난다.

이어, 상기 열전모듈의 상면에서 발생된 열은 방열핀으로 전도되고, 이러한 방열핀은 팬의 작용에 의해 주위 공기와 열접촉되면서 냉각되게 된다.

이때, 상기 중앙처리장치가 주위 공기의 온도보다 낮게 냉각되면 공기중의 습기가 중앙처리장치 표면에 응결되어 중앙처리장치를 파손하는 결과를 초래하게 된다.

이에 따라, 상기 마이컴은 습도센서에 의해 전달된 전기적 신호에 의해 중앙처리장치에 습기가 응결되지 않도록 냉각 시스템을 제어한다.

그러나, 이러한 중앙처리장치의 냉각 시스템은 고가의 집적회로와 이를 제어하기 위한 마이컴을 별도로 설치해야 하기 때문에 제품의 제조단가를 상승시키는 문제점이 있다.

상기한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 써모커플의 제백효과(seebeckeffect)에 의해 발생되는 기전력을 이용하여 중앙처리장치가 주위 공기의 온도 이상으로 유지되면서 냉각되도록 하는 것을 그 목적으로 한다.

도 1은 본 발명 중앙처리장치의 냉각 시스템을 개략적으로 나타낸 개략 구성도.

도 2는 도 1의 중앙처리장치 냉각 시스템에서 열전모듈의 구조를 나타낸 구성도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

1 : 중앙처리장치 2 : 방열핀

3 : 팬 11 : 써모커플

P1 : 일측 접합부 P2 : 타측 접합부

11a : 구리 도선 11b : 콘스탄탄 도선

12 : 증폭기 13 : 솔레노이드

14 : 스위치 15 : 전원 공급부

20 : 열전모듈 21 : 하부 세라믹판

22 : 상부 세라믹판 23 : 교차연결층

Tc : 흡열판 Th : 방열판

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 메인보드의 중앙처리장치(CPU) 상면에 설치되어 중앙처리장치를 냉각시키는 열전모듈와; 상기 열전모듈의 상면에 설치되어 열전모듈에서 발생된 열이 방열되는 것을 돕도록 설치되는 방열핀과; 상기 방열핀의 상부에 설치되어 외기를 방열핀에 접촉시키도록 하여 방열핀을 냉각시키는 팬과; 서로 다른 금속 재질로 이루어진 한 쌍의 도선 양단부가 접합되며, 일측 접합부가 열전모듈에 연결되고 타측 접합부가 공기 중에 노출되도록 설치되어, 양단의 접합부간에 온도차가 발생되면 제백효과(seebeck effect)에 의해 기전력을 발생시키는 써모커플과; 상기 써모커플에 연결되어 기전력을 증폭시키는 증폭기와; 상기 증폭기에 연결됨으로써 증폭된 기전력에 의해 열전모듈에 전원을 공급 및 차단시킴에 따라 열전모듈의 온도를 제어하도록 하는 전원 제어부:를 포함하여 이루어진 중앙처리장치 냉각 시스템을 제공한다.

이하, 본 발명 중앙처리장치의 냉각 시스템에 관해 참조도면 도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명 중앙처리장치의 냉각 시스템을 개략적으로 나타낸 개략 구성도이다.

도 1을 참조하면, 상기 중앙처리장치의 냉각 시스템은 열전모듈(20), 방열핀(2), 팬(3), 써모커플(11)(thermocouple), 증폭기(12)(amplifier) 및 전원제어부를 포함하여 이루어진다.

상기 열전모듈(20)은 메인보드의 중앙처리장치(1) 상면에 설치되고, 상기 열전모듈(20)의 상면에는 방열핀(2)이 설치되며, 상기 방열핀(2)의 상단부에는 팬(3)이 설치된다.

상기 열전모듈(20)에는 써모커플(11)(thermocouple)이 설치되는데, 상기 써모커플(11)은 서로 다른 금속재질로 이루어진 한 쌍의 도선 양단부가 접합되어 이루어지며, 일측 접합부(P1)가 열전모듈(20)에 연결되고 타측 접합부(P2)가 공기 중에 노출되도록 설치된다.

이때, 상기 써모커플(11)의 일측 접합부(P1)는 열전모듈(20)의 흡열판(Tc: 도 2참조)에 설치되거나 혹은 중앙처리장치(1)의 상면에 접촉되도록 설치된다.

이에 따라, 상기 양측 접합부간(P1,P2)에 온도차가 발생되면 열전모듈(20)의 제백효과(seebeck effect)에 의해 써모커플(11)에는 기전력이 발생된다.

보다 상세하게는, 상기 열전모듈(20)에 전원이 인가됨에 따라 써모커플(11)의 양측 접합부(P1,P2)간에 온도차가 발생되면, 전자들이 고온 접합부(P1)에서 저온 접합부(P2)로 이동함에 따라 저온 접합부(P2)는 "-"로 대전되고 고온 접합부(P1)는 "+"로 대전되어 양 접합부간에 전위차가 발생되는데, 이를 제백효과(seebeck effect)라고 한다.

이러한 제백효과에 있어 양측 접합부(P1,P2) 사이에 나타나는 기전력은 금속의 종류와 접합부의 온도차에 따라 정해지며, 상기 기전력은 두 접합부의 온도차가 크면 클수록 커진다. 이러한 써모커플(11)을 이루는 금속의 종류에 관해서는 아래에서 상세히 설명하기로 한다.

상기 써모커플(11)에는 증폭기(12)(amplifier)가 연결되어 상기 열전모듈(20)의 양측 접합부간(P1,P2)의 온도차에 의해 발생되는 기전력을 증폭시킨다. 상기 증폭기(12)는 써모커플(11)에서 발생된 기전력을 얼마만큼 증폭하는 가에 따라 설치되는 개수가 결정될 수 있음은 이해 가능할 것이다.

상기 증폭기(12)에는 전원 제어부가 전기적으로 연결되는데, 상기 전원 제어부는 증폭된 기전력에 의해 열전모듈(20)에 전원을 공급 및 차단시킴에 따라 열전모듈(20)의 온도를 제어하는 기능을 한다.

이러한 전원 제어부는 기전력에 의해 자기력을 형성하는 솔레노이드(13)와, 상기 솔레노이드(13)의 자기력에 의해 개폐됨에 따라 열전모듈(20)에 전원을 공급 및 차단시키는 스위치(14)로 이루어진다.

이때, 상기 솔레노이드(13)는 증폭기(12)에 의해 증폭된 기전력이 크면 자기력이 커져 스위치(14)에 인력을 작용함으로써 상기 스위치(14)를 닫아 열전모듈(20)에 전원을 인가하는 한편, 솔레노이드(13)에 전달된 기전력이 소정 크기 이상 약해지면 자기력도 작아지므로 스위치(14)를 개방시킴으로써 전원을 차단하도록 한다.

이처럼 열전모듈에 전원을 공급하도록 열전모듈(20)과 전기적으로 연결된 도선상에는 전원 공급부(15)가 설치되며, 이러한 도선상에는 스위치(14)가 설치된다.

한편, 써모커플(11)은 금속의 종류에 따라 다양한 종류가 있으며 이러한 써모커플(11)의 종류에 관한 예를 들어 설명하기로 한다.

첫째, 상기 써모커플(11)은 도 1과 같이 콘스탄탄 도선(11b)(constantan wire)과 구리 도선(11a)(copper wire)로 이루어진다. 이러한 도선에 관해 예를 들면, 상기 콘스탄탄 도선(11b)은 Cu 50-60 중량%와 Ni 40-50 중량%로 이루어지고, 상기 구리 도선(11a)은 Cu 100 중량%로 이루어진다.

둘째, 상기 써모커플(11)은 크로멜 도선(chromel wire)과 알루멜 도선(alumel wire)으로 이루어지며, 이러한 도선에 관해 예를 들면, 상기 크로멜 도선은 Ni 80-90 중량%와 Cr 10-20 중량%로 이루어지며, 상기 알류멜 도선은 Ni 92-96 중량%와 Mn 1-3 중량% 및 Al 1-3 중량%로 이루어진다.

셋째, 상기 써모커플(11)은 크로멜 도선(chromel wire)과 콘스탄탄 도선(11b)(constantan wire)으로 이루어지며, 이러한 도선에 관한 예를 들면, 상기 크로멜 도선은 Ni 80-90 중량%와 Cr 10-20 중량%로 이루어지고, 상기 콘스탄탄 도선(11b)은 Cu 50-60 중량%와 Ni 40-50 중량%로 이루어진다.

넷째, 상기 써모커플(11)은 철 도선(iron wire)과 콘스탄탄 도선(11b)(constantan wire)으로 이루어지며, 이러한 도선에 관해 예를 들면, 상기 철 도선은 Fe 100 중량%로 이루어지고, 상기 콘스탄탄 도선(11b)은 Cu 50-60 중량%와 Ni 40-50 중량%로 이루어진다.

다섯째, 상기 써모커플(11)은 니크로실 도선(nicrosil wire)과 니실 도선(nisil wire)으로 이루어지며, 이러한 도선에 관한 예를 들면, 상기 니크로실 도선은 Ni 80-90 중량%와 Cr 9-17 중량% 및 Si 1-3 중량%로 이루어지고, 상기 니실 도선은 Ni 92-97 중량%와 Si 2.9-6 중량% 및 Mg 0.1-1 중량%로 이루어진다.

이상은 중앙처리장치(1)의 냉각 시스템에 적용되는 써모커플(11)에 관해 예를 들어 설명한 것으로서, 본 발명에서는 상술한 써모커플 외에도 양 접합부의 온도차에 의해 기전력을 발생시키는 다양한 종류의 써모커플을 적용할 수 있음은 이해 가능하다.

다음으로 상기 열전모듈의 작동원리와 구성 및 작용에 대해 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 2는 도 1의 중앙처리장치 냉각 시스템에서 열전모듈의 구조를 나타낸 구성도이다.

상기 열전모듈(20)은 반도체 물질에 기초한 전기적인 구성요소로서, 서로 다른 두 반도체 물질을 직렬로 연결하여 전류를 흐르게 하면 반도체 물질의 접점에서 열을 방출하거나 흡수하는 펠티어 효과(peltier effect)를 이용한 것으로, 이때 방출되는 열에너지는 전류의 크기에 비례한다.

이러한 원리를 이용한 열전모듈(20)은 중앙처리장치(1)의 열을 흡수하도록 흡열판(Tc)의 상면에 설치된 하부 세라믹판(21)과, 열을 방출하도록 방열판(Th)의 하면에 설치된 상부 세라믹판(22)과, 상기 하부 및 상부 세라믹판(22) 사이를 연결하도록 교대로 배열된 P형 반도체 및 N형 반도체와, 상기 P형 반도체 및 N형 반도체를 전기적으로 교차 연결시킴과 아울러 P형 반도체 및 N형 반도체의 양단을 하부 세라믹판(21)과 상부 세라믹판(22)에 연결시키는 역할을 하는 구리 등으로 된 전기적 교차연결층(23)으로 이루어진다.

이때, 상기 교차연결층(23)은 직류전원에 연결되어 P형 반도체 및 N형 반도체를 통해 전류가 흐르도록 되어 있다.

상기와 같이 구성된 열전모듈(20)을 이용하여 물체를 냉각 또는 가열시키기 위해 전원을 인가하면, 전류가 교차연결층(23)에 연결된 N형 반도체 및 P형 반도체를 따라 교대로 흐르게 된다.

이에 따라, N형 반도체에서는 전류의 방향과 반대방향으로 전자(-)가 이동하는 한편, P형 반도체에서는 전류의 흐름방향으로 정공(+)이 이동하게 된다.

즉, 상기 N형 반도체 및 P형 반도체를 통해 각각 전자(-) 및 정공(+)이 하부 세라믹판(21)에서부터 상부 세라믹판(22) 쪽으로 이동하게 되고, 이에 따라 하부 세라믹판(21)에서는 열을 흡수하며 상부 세라믹판(22)에서는 열을 방출시키게 된다.

따라서, 상기 하부 세라믹판(21)에서는 흡열반응이 일어나므로 상기 하부 세라믹판(21)에 접해있는 흡열판(Tc)은 중앙처리장치(1)의 상면에 접하도록 설치되며, 상기 상부 세라믹판(22)에서는 발열반응이 일어나므로 상기 상부 세라믹판(22)과 접해있는 방열판(Th)에는 방열핀(2)이 접하도록 설치된다.

이에 따라, 상기 중앙처리장치(1)를 하부 세라믹판(21)에 의해 냉각시킬 수 있게 된다.

이와 같은 열전모듈은 다음과 같은 특성을 갖는다.

첫째, 정확한 온도제어가 가능한데, 이는 흡열 및 발열하는 열에너지의 크기가 공급되는 전류의 크기에 비례하기 때문이다.

둘째, 운동을 일으키는 기계적인 요소를 사용하지 않으므로 소음 및 진동이없다.

세째, 소형이며 가볍다.

네째, 국지적인 냉난방이 가능하다.

다섯째, CFC가스 또는 어떠한 냉매도 사용하지 않으므로 환경친화적이다.

여섯째, 전류방향에 따라 가열 및 냉각이 결정된다.

이와 같은 구성을 갖는 중앙처리장치의 냉각 시스템에 관해 그 작용을 설명하기로 한다.

먼저, 컴퓨터에 전원이 인가되어 중앙처리장치(1)가 소정의 시간동안 작용하게 되면 중앙처리장치(1)에서 열이 발생되고, 이러한 열은 열전모듈(20)의 하면에 전달된다.

상기 열이 열전모듈(20)의 하면에 전달됨에 따라 열전모듈(20)에 연결된 써모커플(11)의 일측 접합부(P1)와 공기 중에 노출된 타측 접합부(P2)간에는 온도차가 발생된다. 즉, 상기 열전모듈(20)에 연결되는 일측 접합부(P1)는 고온 접합부가 되며, 공기 중에 노출된 타측 접합부(P2)는 저온 접합부가 된다.

이에 따라, 상기 써모커플(11)에서는 고온 접합부에서 저온 접합부측으로 전자들이 이동함에 따라 상기 저온 접합부는 음극(-)으로 대전되고 고온 접합부는 양극(+)으로 대전되어 양 접합부간에는 전위차가 발생되는데 이러한 전위차를 기전력이라고 한다.

이러한 써모커플(11)에서 발생된 기전력은 작은 값을 갖기 때문에 증폭기(12)에 의해 기전력을 증폭시키며, 이때 다수개의 증폭기(12)를 통해 기전력을 다수 번에 걸쳐 증폭시킴으로써 스위치(14)를 닫는데 필요한 만큼의 기전력을 얻을 수 있게 된다.

상기 증폭된 기전력에 의해 솔레노이드(13)에서는 자기장이 발생되어 솔레노이드(13) 근처에 설치된 스위치(14)에 인력을 작용하여 스위치(14)를 닫는다.

이에 따라, 상기 열전모듈(20)의 하면에서는 흡열반응이 일어나 중앙처리장치(1)를 냉각시키고, 상기 열전모듈(20)의 상면에서는 발열반응이 일어나 방열핀(2)에 전달된다. 상기 방열핀(2)에 전달된 열은 팬(3)이 작동함에 의해 주위 공기와 열촉하면서 외부로 방열되게 된다.

이러한 작용에 의해 중앙처리장치(1)의 온도는 점차적으로 낮아지게 되어 주변 공기의 온도 가까이 낮아지게 되며, 이에 따라 써모커플(11)의 일측 접합부(P1) 및 타측 접합부(P2)는 거의 동일한 온도까지 낮아지게 된다.

이때, 써모커플(11)에서 발생된 기전력은 온도차에 비례하게 되므로 상기 써모커플(11)의 양측 접합부(P1,P2)간의 온도차가 작아짐에 따라 발생되는 기전력도 작아진다.

상기 기전력이 작아짐에 따라 솔레노이드(13)로부터 발생되는 자기장도 점점 약해지므로, 상기 스위치(14)는 다시 열리게 되어 열전모듈(20)에 공급되는 전원을 차단할 수 있게 된다.

이와 같은 작용이 반복됨에 의해 상기 중앙처리장치(1)의 냉각 온도는 항상 주위의 공기 온도 이상으로 유지되며, 특히 상기 중앙처리장치(1)가 이슬점 온도 이상으로 유지되어 중앙처리장치(1)에 공기 중의 습기가 응결되는 것을 방지할 수있다.

또한, 본 발명에서는 중앙처리장치를 냉각시키기 위해 종래와 같이 고가의 습도 센서와 마이컴을 별도로 설치할 필요가 없기 때문에 상기 냉각 시스템을 단순화시켜 제조단가를 감소시킬 수 있게 된다.

이상에서와 같이, 본 발명은 써모커플을 이용하여 중앙처리장치를 자동적으로 조절할 수 있도록 함으로써 고가의 습도 센서와 마이컴을 설치할 필요가 없도록 하여 제품의 제조단가를 감소시킬 수 있도록 하였다.

또한, 상기 중앙처리장치의 온도가 주위의 공기 온도보다 낮게 유지되는 것을 방지함으로써 중앙처리장치에 습기가 응결되어 중앙처리장치가 파손되는 것을 방지할 수 있도록 하였다.

Claims

메인보드의 중앙처리장치(CPU) 상면에 설치되어 중앙처리장치를 냉각시키는 열전모듈와;

상기 열전모듈의 상면에 설치되어 열전모듈에서 발생된 열이 방열되는 것을 돕도록 설치되는 방열핀과;

상기 방열핀의 상부에 설치되어 외기를 방열핀에 접촉시키도록 하여 방열핀을 냉각시키는 팬과;

서로 다른 금속 재질로 이루어진 한 쌍의 도선 양단부가 접합되며, 일측 접합부가 열전모듈에 연결되고 타측 접합부가 공기 중에 노출되도록 설치되어, 양단의 접합부간에 온도차가 발생되면 제백효과(seebeck effect)에 의해 기전력을 발생시키는 써모커플과;

상기 써모커플에 연결되어 기전력을 증폭시키는 증폭기와;

상기 증폭기에 연결됨으로써 증폭된 기전력에 의해 열전모듈에 전원을 공급 및 차단시킴에 따라 열전모듈의 온도를 제어하도록 하는 전원 제어부:를 포함하여 이루어진 중앙처리장치 냉각 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 전원 제어부는:

증폭된 기전력에 의해 자기력을 형성하는 솔레노이드와;

상기 솔레노이드의 자기력에 의해 열전모듈에 전원을 공급하고, 자기력이 소정 크기 이하로 낮아짐에 따라 전원을 차단하는 스위치:로 이루어짐을 특징으로 하는 중앙처리장치 냉각 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 써모커플은 콘스탄탄 도선(constantan wire)과 구리 도선(copper wire)으로 이루어짐을 특징으로 하는 중앙처리장치 냉각 시스템.
제 3 항에 있어서,

상기 콘스탄탄 도선은 Cu 50-60 중량%와 Ni 40-50 중량%로 이루어지고, 상기 구리 도선은 Cu 100 중량%로 이루어짐을 특징으로 하는 중앙처리장치 냉각 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 써모커플은 크로멜 도선(chromel wire)과 알루멜 도선(alumel wire)으로 이루어짐을 특징으로 하는 중앙처리장치 냉각 시스템.
제 5 항에 있어서,

상기 크로멜 도선은 Ni 80-90 중량%와 Cr 10-20 중량%로 이루어지며, 상기 알류멜 도선은 Ni 92-96 중량%와 Mn 1-3 중량% 및 Al 1-3 중량%로 이루어짐을 특징으로 하는 중앙처리장치 냉각 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 써모커플은 크로멜 도선(chromel wire)과 콘스탄탄 도선(constantan wire)으로 이루어짐을 특징으로 하는 중앙처리장치 냉각 시스템.
제 7 항에 있어서,

상기 크로멜 도선은 Ni 80-90 중량%와 Cr 10-20 중량%로 이루어지고, 상기 콘스탄탄 도선은 Cu 50-60 중량%와 Ni 40-50 중량%로 이루어짐을 특징으로 하는 중앙처리장치 냉각 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 써모커플은 철 도선(iron wire)과 콘스탄탄 도선(constantan wire)으로 이루어짐을 특징으로 하는 중앙처리장치 냉각 시스템.
제 9 항에 있어서,

상기 철 도선은 Fe 100 중량%로 이루어지고, 상기 콘스탄탄 도선은 Cu 50-60 중량%와 Ni 40-50 중량%로 이루어짐을 특징으로 하는 중앙처리장치 냉각 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 써모커플은 니크로실 도선(nicrosil wire)과 니실 도선(nisil wire)으로 이루어짐을 특징으로 하는 중앙처리장치 냉각 시스템.
제 11 항에 있어서,

상기 니크로실 도선은 Ni 80-90 중량%와 Cr 9-17 중량% 및 Si 1-3 중량%로 이루어지고, 상기 니실 도선은 Ni 92-97 중량%와 Si 2.9-6 중량% 및 Mg 0.1-1 중량%로 이루어짐을 특징으로 하는 중앙처리장치 냉각 시스템.