KR20030054788A - 반도체 소자의 이미지 센서 제조 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 이미지 센서 제조 방법에 관한 것으로, 게이트 폴리에 연결된 메탈과 포토 다이오드의 접속을 위해 콘택 공정을 실시할 때 콘택의 개구부를 포토 다이오드의 상면 및 측면에 동시에 형성하므로써 포토 다이오드의 면적을 증가시켜 수광 능력을 향상시켰다. 이를 위한, 본 발명의 이미지 센서 제조 방법은 샬로우 트렌치 분리막이 형성된 반도체 기판 상부에 포토 다이오드층을 형성하는 단계와, 상기 구조물 상부에 유전막을 소정의 두께로 형성하는 단계와, 상기 포토 다이오드층의 모서리 부분의 상면 및 측면이 드러나도록 상기 유전막 및 상기 샬로우 트렌치 분리막의 일부분을 식각하여 콘택을 형성하는 단계와, 상기 구조물 위에 메탈 물질을 증착한 후 패터닝하여 메탈층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 이미지 센서(Image Sensor) 제조 방법에 관한 것으로, 특히 포토 다이오드(Photo Diode: PD)의 면적을 증가시켜 수광 능력을 향상시킨 이미지 센서 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 이미지 센서의 콘택 개구부를 나타낸 도면이다.
이미지 센서중 포토 다이오드(PD)의 정상적인 동작을 위해 포토 다이오드(PD)의 일부분을 특정 게이트 폴리(Gate Poly)에 반드시 연결 시켜야만 한다. 따라서, 종래에는 포토 다이오드(PD)(1)의 일부분과 게이트 폴리(2) 위에 콘택(3)(4)을 동시에 형성한 후 메탈(Metal)(5)을 사용하여 서로 연결하였다.
도 2는 도 1에 도시된 A-A'선의 공정 단면도이다.
도시된 바와 같이, 샬로우 트렌치 분리막(12)이 형성된 반도체 기판(11) 상부에 포토 다이오드층(13)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 구조물 상부에 유전막(14)을 소정의 두께로 형성한 다음, 게이트 폴리(2)와 연결된 메탈층(15)과의 접속을 위해 상기 유전막(14)을 식각하여 상기 포토 다이오드층(13)의 상부에 콘택(3)을 형성하였다.
그러나, 상기 구성을 갖는 종래의 이미지 센서 제조 방법에 있어서는, 이미지 센서의 수광 능력을 향상시키기 위해서 포토 다이오드 위에서 입사되는 빛의 량을 많이 수집해야 하는데, 포토 다이오드(1)의 일부분과 특정 게이트 폴리(2)를 연결하기 위해 사용된 메탈(5)의 면적만큼 포토 다이오드(1)로부터 입사되는 빛이 차단되므로써, 수광 능력이 떨어지는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명은 게이트 폴리에 연결된 메탈과 포토 다이오드의 접속을 위해 콘택 공정을 실시할 때 콘택의 개구부를 포토 다이오드의 상면 및 측면에 동시에 형성하므로써 포토 다이오드의 면적을 증가시켜 수광 능력을 향상시킨 반도체 소자의 이미지 센서 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 이미지 센서의 콘택 개구부를 나타낸 도면
도 2는 도 1의 A-A'선의 단면도
도 3은 본 발명에 의한 이미지 센서의 콘택 개구부를 나타낸 도면
도 4는 본 발명에 의한 이미지 센서 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1 : 포토 다이오드 영역2 : 게이트 폴리
3 : 포토 다이오드 영역과 메탈 1 간의 콘택 영역
4 : 게이트 폴리와 메탈 1 간의 콘택 영역
5 : 메탈 1
11 : 반도체 기판12 : 샬로우 트렌치 분리막
13 : 포토 다이오드층 또는 포토 다이오드
14 : 유전막15 : 메탈 1층
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 이미지 센서 제조 방법은
샬로우 트렌치 분리막이 형성된 반도체 기판 상부에 포토 다이오드층을 형성하는 단계와,
상기 구조물 상부에 유전막을 소정의 두께로 형성하는 단계와,
상기 포토 다이오드층의 모서리 부분의 상면 및 측면이 드러나도록 상기 유전막 및 상기 샬로우 트렌치 분리막의 일부분을 식각하여 콘택을 형성하는 단계와,
상기 구조물 위에 메탈 물질을 증착한 후 패터닝하여 메탈층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 콘택을 형성한 다음 인(P)이나 비소(As) 등의 3가 이온을 주입하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예에 관하여 첨부도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
또, 실시예를 설명하기 위한 모든 도면에서 동일한 기능을 갖는 것은 동일한 부호를 사용하고 그 반복적인 설명은 생략한다.
도 3은 본 발명에 의한 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 래이아웃(Layout)이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에서는 포토 다이오드의 수광 면적을 증가시키기 위해, 포토 다이오드(PD)(1)와 메탈(5)이 연결되는 콘택 부분(3)을 포토 다이오드(1)의 상면과 측면에 동시에 형성되도록 하였다.
따라서, 종래에서는 포토 다이오드(1)의 상면과 메탈(5)을 연결하기 위해 콘택을 실시하는 면적 만큼 포토 다이오드(1)의 면적이 줄어들었지만, 본 발명에서는 포토 다이오드(1)의 상면 및 측면에 메탈(5)을 연결하면 되므로 메탈(5)이 포토 다이오드(1)의 가장자리 부분에 약간만 들어오면 된다. 따라서, 본 발명은 종래의 기술에 비해, 포토 다이오드의 면적을 훨씬 증가시킬 수 있으므로, 수광 능력을 향상시킬 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 A-A'선의 공정 단면도이다.
도시된 바와 같이, 샬로우 트렌치 분리막(12)이 형성된 반도체 기판(11) 상부에 포토 다이오드층(13)을 형성한다.
다음, 상기 구조물 상부에 유전막(14)을 소정의 두께로 형성한다.
다음, 상기 포토 다이오드층(13)의 모서리 부분의 상면 및 측면이 드러나도록 상기 유전막(14) 및 상기 샬로우 트렌치 분리막(12)의 일부분을 식각하여 콘택을 형성한다.
다음, 상기 구조물 위에 메탈 물질을 증착한 후 패터닝하여 메탈층(15)을 형성한다.
이때, 상기 메탈층(15)은 상기 포토 다이오드층(13)의 모서리 부분의 상면 및 측면과 폴리 게이트(2)를 전기적으로 연결한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 소자의 이미지 센서 제조 방법은 게이트 폴리에 연결된 메탈과 포토 다이오드의 접속을 위해 콘택 공정을 실시할 때 콘택의 개구부를 포토 다이오드의 상면 및 측면에 동시에 형성하므로써 포토 다이오드의 면적을 증가시켜 수광 능력을 향상시킬 수 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
Claims (2)
- 샬로우 트렌치 분리막이 형성된 반도체 기판 상부에 포토 다이오드층을 형성하는 단계와,상기 구조물 상부에 유전막을 소정의 두께로 형성하는 단계와,상기 포토 다이오드층의 모서리 부분의 상면 및 측면이 드러나도록 상기 유전막 및 상기 샬로우 트렌치 분리막의 일부분을 식각하여 콘택을 형성하는 단계와,상기 구조물 위에 메탈 물질을 증착한 후 패터닝하여 메탈층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 이미지 센서 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 콘택을 형성한 다음 인(P)이나 비소(As) 등의 3가 이온을 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 이미지 센서 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0085198A KR100454074B1 (ko) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 반도체 소자의 이미지 센서 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0085198A KR100454074B1 (ko) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 반도체 소자의 이미지 센서 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030054788A true KR20030054788A (ko) | 2003-07-02 |
| KR100454074B1 KR100454074B1 (ko) | 2004-10-26 |
Family
ID=32213513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0085198A KR100454074B1 (ko) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 반도체 소자의 이미지 센서 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100454074B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100430584B1 (ko) * | 2002-03-14 | 2004-05-10 | 동부전자 주식회사 | 이미지 센서의 구조 |
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Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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|---|---|
| KR100454074B1 (ko) | 2004-10-26 |
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
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Payment date: 20120926 Year of fee payment: 9 |
|
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