KR20030047421A - 수직 공진형 표면 발광 레이저 및 그의 제조방법 - Google Patents

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KR20030047421A
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윤강식
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract

본 발명은 수직 공진형 표면 발광 레이저 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 수직 공진형 표면 발광 레이저는 반도체 기판상에 n형 브래그 미러층, n형 클래드층, 장벽층, 우물층, p형 클래드층, p형 브래그 미러층을 포함하여 형성된 수직 공진형 표면 발광레이저에 있어서, 상기 p형 브래그 미러층, p형 클래드층이 식각하되 p형 클래드층의 소정두께가 남겨지도록 식각하여 형성된 트렌치와; 상기 트렌치 내부를 n형 반도체 물질로 채워 형성된 전류차단층과; 상기 전류차단층을 포함한 상기 반도체 기판상에 형성된 p형 전극과; 상기 p형 전극의 소정영역에 형성된 와이어용 패드층과; 상기 반도체 기판의 하부면에 형성된 n형 전극을 포함하여 이루어진다.
따라서 본 발명에 따라 전류차단층을 형성함으로써 균일한 전류차단층을 형성하여 수직 공진형 표면 발광 레이저의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 공정을 간소화하여 생산성을 향상시키며, 세정공정을 용이하게 한다.

Description

수직 공진형 표면 발광 레이저 및 그의 제조방법{Vertical cavity surface emitter laser and method for fabricating thereof }
본 발명은 수직 공진형 표면 발광레이저 및 그의 제조방법에 관한 것으로 특히 트렌치를 형성한 후 트렌치 내부에 n형 반도체 물질을 채워 전류차단층을 형성함으로써 평탄도를 향상시켜 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시키기 위한 것이다.
최근의 광섬유를 이용한 광통신에서 수직 공진기형 표면 발광 레이저가 측면 발광형 레이저에 비해 저렴하고 광섬유에 연결할 때 광 손실이 적은 장점으로 인해 사용이 급격히 증가하고 있는 추세이다.
또한, 소자의 구조가 간단하여 1,2차원의 어레이 형태로 반도체 기판에 집적시켜 여러 파장 대역에서의 광통신 시스템 또는 광 정보 처리 시스템에서 매우 유용한광원으로 이용된다.
도1은 종래의 수직 공진형 표면 발광레이저의 평면도이고, 도2는 도1의 A-A 절단선으로 자른 수직 공진형 표면 발광레이저의 수직 단면도이다.
도2에서와 같이, 이러한 수직 공진기형 표면 발광 레이저는 n형 및 p형 브래그 미러층(16, 32) 사이에 활성층(25)이 존재하는 샌드위치 구조로 되어 있는데 브래그 미러층(16, 32)은 n 또는 p형 도펀트가 도핑되어 고굴절율을 갖는 AlxGaAs층(12, 28)과 저굴절율을 갖는 AlxGaAs층(14,30)을 다수회 교번적으로 적층하여 형성한 것으로, 브래그 미러층(16, 32)에 입사된 광이 브래그 반사 조건을 만족할 경우 브래그 반사를 일으키는 원리로 작동하게 된다.
측면 산화형 수직 공진기형 반도체 레이저의 단면 구조에서 측면 산화형 수직 공진기형 표면 발광 레이저는 높은 알루미늄 조성을 갖는 산화가능한 AlAs 혹은 AlxGa(1-x)As(0.9<x<1.0)로 형성된 산화가능층(26a)이 활성층(25)과 p형 브래그 미러층(32) 사이에 형성되고, 건식 산화공정으로 산화가능층(26a)을 산화시켜 형성된 전류차단층(26b)이 형성되어 있다.
이와같은 측면산화형 수직 공진기형 표면 발광 레이저를 제조하는 방법은 도3a 내지 도3e에 도시한 바와 같다.
도3a에서와 같이, 에피택시 공정으로 n형 반도체 기판(10)상에 n형 브래그 미러층(16), n형 클래드층(18), AlGaAs 장벽층(20), GaAs우물층(22), p형 클래드층(24)을 순차적으로 적층하여 활성층(25)을 형성한다. n형 및 p형크래드층(18, 24)은 AlGaAs계 물질로 형성한다.
그리고 p형 클래드층(24)상에 알루미늄 조성이 95-100%의 범위를 만족하는 p형 산화가능층(26a)을 형성한다.
이후, p형 산화가능층(26a)상에 p형 브래그 미러층(32)을 형성한다. n형 및 p형 브래그 미러층(16, 32)은 알루미늄의 조성이 높은 고 굴절률층(12, 28)과 알루미늄의 조성이 낮은 저 굴절률층(14, 30)이 교대로 20~40주기 적층되어 형성된다.
도3b에서와 같이, p형 브래그 미러층(32)상에 리프트 오프(lift off)공정을 이용하여 p형 전극(34)을 형성한다.
p형 전극(34)을 덮도록 SiO2또는 SiN등을 증착하여 보호막(36)을 형성한 후 포토리소그래피 방법으로 트렌치(T1)가 형성될 소정영역의 p형 브래그 미러층(32)이 노출되도록 패터닝한다.
이후 패터닝된 보호막(36)을 마스크로 건식식각하여 트렌치(T1)를 형성한다. 여기서는 통산 염소 및 아르곤을 혼합한 가스로 플라즈마 분위기에서 n형 브래그 미러층(16)이 노출될때까지 식각을 실시한다.
그리고 도3c에서와 같이, 노출된 산화가능층(26a)을 산화시켜 전류차단층(26b)을 형성한다. 전류차단층(26b)은 레이저 작동시 전류를 활성층 개구부 중앙부에 집중시켜준다.
산화공정이 완료되면 트렌치(T1)를 채우도록 반도체 기판 전면에 폴리이미드(polyimide)를 도포하여 폴리이미드층(38)을 형성한다.
도3d에서와 같이, 폴리이미드층(38)상에 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 트렌치 이외의 부분에 형성된 폴리이미드층(38)을 제거한다.
그리고 개구부(Ⅰ)에 남겨진 보호막을 제거하여 광이 외부로 방출되도록 한다.
이후 열처리하여 트렌치(T1) 내부의 폴리이미드층(38)을 경화시킨다.
다음으로 p형 전극(34)과 트렌치 내부의 폴리이미드층(38)이 연결되도록 와이어 패드층(40)을 형성한다.
도3e에서와 같이, 반도체 기판(10) 후면을 래핑하여 반도체 기판(10)의 두께를 70-250㎛로 한 후, 반도체 기판 후면에 금속을 증착하여 n형 전극(42)을 형성한다.
이러한 종래의 측면 산화된 수직 공진기형 표면 발광 레이저는 산화가능층의 Ga, Al의 미세한 양의 변화에 따라 산화율의 변동이 심하여 균일한 산화막을 얻을 수가 없으므로 재현성 있는 소자를 만들기가 어렵고, 이로 인해 소자의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있었다.
그리고 트렌치(T1)를 형성하기 위해서 건식식각 공정을 이용하는데 건식식각에 사용되는 설비의 가격이 고가이고, 복잡하여 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다.
또한, 건식식각된 부분의 단차를 극복하기 위해 사용되는 폴리이미드가 유기용제에 치명적이므로 세정공정에 특별한 주의를 기울여야 하는 문제점도 있었다.
따라서 본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하고자 제안된 것으로, 수직공진형 표면 발광레이저의 표면 단차를 줄여 평탄도가 향상된 수직 공진형 표면 발광레이저 및 그의 제조방법을 제공함을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 수직 공진형 표면 발광레이저는 반도체 기판상에 n형 브래그 미러층, n형 클래드층, 장벽층, 우물층, p형 클래드층, p형 브래그 미러층을 포함하여 형성된 수직 공진형 표면 발광레이저에 있어서, 상기 p형 브래그 미러층, p형 클래드층이 식각하되 p형 클래드층의 소정두께가 남겨지도록 식각되어 형성된 트렌치와; 상기 트렌치 내부를 n형 반도체 물질로 채워 형성된 전류차단층과; 상기 전류차단층을 포함한 상기 반도체 기판상에 형성된 p형 전극과; 상기 p형 전극의 소정영역에 형성된 와이어용 패드층과; 상기 반도체 기판의 하부면에 형성된 n형 전극을 포함하여 이루어진다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 수직 공진형 표면 발광레이저의 제조방법은 반도체 기판상에 n형 브래그 미러층, n형 클래드층, 장벽층, 우물층, p형 클래드층, p형 브래그 미러층을 포함하여 형성되는 수직 공진형 표면 발광레이저의 제조방법에 있어서, 상기 p형 브래그 미러층상에 보호막을 형성하는 공정과; 상기 보호막상에 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 트렌치가 형성될 소정영역의 상기 p형 브래그 미러층이 노출되도록 패터닝하는 공정과; 상기 패터닝된 보호막을 마스크로 상기 p형 크래드층까지 식각하여 트렌치를 형성하되, 상기 p형 클래드층은 소정두께가 남겨지도록 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과; 상기 트렌치 내부를 n형 반도체 물질로 채워 전류차단층을 형성하는 공정과; 상기 전류차단층을 형성하는 공정이 완료된 상기 반도체 기판상의 보호막을 제거한 후 세정하는 공정과; 상기 세정하는 공정이 완료된 상기 반도체 기판상에 금속을 증착하여 p형 전극을 형성하는 공정과; 상기 p형 전극상에 금속층을 형성한 후 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 상기 p형 전극의 소정영역에 와이어 본딩용 패드층을 형성하는 공정과; 상기 패드층을 형성하는 공정이 완료된 상기 반도체 기판을 래핑하는 공정과; 상기 래핑 공정이 완료된 상기 반도체 기판의 하부면에 금속을 증착하여 n형 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진다.
도1은 종래의 수직 공진형 표면 발광레이저의 평면도.
도2는 도1의 A-A 절단선으로 자른 수직 공진형 표면 발광레이저의 수직 단면도.
도3a 내지 도3e는 종래의 수직 공진형 표면 발광레이저를 제조방법을 도시하는 공정도.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 공진형 표면 발광레이저의 평면도.
도5는 도4의 B-B 절단선으로 자른 수직 공진형 표면 발광레이저의 수직 단면도.
도6는 본 발명의 일 실시예에 따른 표면 발광레이저의 수직 단면도.
도7a 내지 도7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직 공진형 표면 발광레이저를 제조방법 도시하는 공정도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100 : n형 반도체 기판
102 : n형으로 도핑된 고 굴절률의 AlxGaAs층
104 : n형으로 도핑된 저 굴절률의 AlxGaAs층 106 : n형 브래그 미러층
108 : n형 클래드층 110 : 장벽층
112 : 우물층 114 : p형 클래드층
116 : p형으로 도핑된 고 굴절률의 AlxGaAs층
118 : p형으로 도핑된 저 굴절률의 AlxGaAs층
120 : p형 브래그 미러층 122 : p형 오믹접촉층
124 : 보호막 126 : 전류차단층
128 : p형 전극 130 : 와이어 본딩용 패드층
132 : n형 전극 T2 : 트렌치
Ⅰ : 개구부 Ⅱ : 리찌 형성부
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 수직공진형 표면 발광레이저 및 그의 제조방법에 대한 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이하 동일하게 부여된 참조부호는 동일 기능을 나타낸다.
도4는 본 발명에 따른 수직 공진형 표면 발광레이저의 평면도이고, 도5는 도4의 B-B의 절단선으로 자른 수직 공진형 표면 발광레이저의 수직 단면도이다.
도5에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(100)상에 n형 브래그 미러층(106)이 형성되고, n형 브래그 미러층(106)상에 n형 클래드층(108), 장벽층(110), 우물층(112), p형 클래드층(114)이 순차적으로 적층되어 형성된 활성층(115)이 형성된다. 그리고 활성층(115)상에 p형 브래그 미러층(120)이 형성된다.
여기서 n형 및 p형 브래그 미러층(106, 120)은 고 굴절률의 AlxGaAs층(102, 116)과 저 굴절률의 AlxGaAs층(104, 118)이 교대로 20~40번 반복 적층되어 형성된다.
p형 브래그 미러층, p형 클래드층을 식각하되 p형 클래드층의 소정두께가 남겨지도록 식각하여 트렌치가 형성되고 형성된 트렌치 내부를 n형 반도체 물질로 채워 전류차단층(126)이 형성된다.
전류차단층(126)이 형성된 반도체 기판(100)상에 p형 전극(128)이 형성된다. 그리고 p형 전극(128)의 소정영역에 와이어 본딩용 패드층(130)이 형성된다.
또한, 반도체 기판(100)의 하부면에 n형 전극(132)이 형성된다.
위에서 설명한 p형 전극(128)은 투명전극으로서 활성층(115)에서 방출되는 광이 외부로 방출될 수 있도록 한다.
본 발명에 따른 다른 실시예로는 도6에서와 같이, p형 브래그 미러층(120)과 상기 p형 전극(128) 사이의 저항을 감소시키기 위해 p형 오믹 접촉층(122)이 부가 형성될 수 있다.
도6과 같은 본 발명에 따른 수직 공진형 표면 발광 레이저를 제조방법은 반도체 기판상에 n형 브래그 미러층, n형 클래드층, 장벽층, 우물층, p형 클래드층, p형 브래그 미러층을 포함하여 형성되는 수직 공진형 표면 발광레이저의 제조방법에 있어서, 상기 p형 브래그 미러층상에 보호막을 형성하는 공정과; 상기 보호막상에 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 트렌치가 형성될 소정영역의 상기 p형 브래그 미러층이 노출되도록 패터닝하는 공정과; 상기 패터닝된 보호막을 마스크로 상기 p형 크래드층까지 식각하여 트렌치를 형성하되, 상기 p형 클래드층은 소정두께가 남겨지도록 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과; 상기 트렌치 내부를 n형 반도체 물질로 채워 전류차단층을 형성하는 공정과; 상기 전류차단층을 형성하는 공정이 완료된 상기 반도체 기판상의 보호막을 제거한 후 세정하는 공정과; 상기 세정하는 공정이 완료된 상기 반도체 기판상에 금속을 증착하여 p형 전극을 형성하는 공정과; 상기 p형 전극상에 금속층을 형성한 후 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 상기 p형 전극의 소정영역에 와이어 본딩용 패드층을 형성하는 공정과; 상기 패드층을형성하는 공정이 완료된 상기 반도체 기판을 래핑하는 공정과; 상기 래핑 공정이 완료된 상기 반도체 기판의 하부면에 금속을 증착하여 n형 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진다.
도7a 내지 도7d 는 본 발명에 의한 수직 공진형 표면 발광레이저의 제조공정을 나타낸다.
도7a에서와 같이, 에피택시 공정으로 n형 반도체 기판상(100)에 굴절률이 높은 AlxGaAs층(102)과 굴절률이 낮은 AlxGaAs층(104)을 순서대로 적층한 것을 한 주기로 하여 20~40주기를 적층하여 n형 브래그 미러층(106)을 형성한다. 각층의 굴절률은 각층(102, 104)에 포함된 알루미늄의 조성을 달리하여 조정한다.
이후 n형 브래그 미러층(106)상에 활성층(115)을 형성한다. 활성층(115)은 n형 클래드층(108), 장벽층(110), 우물층(112), p형 클래드층(114)을 순차적으로 적층하여 형성한다.n형 클래드층(108), 장벽층(110), 우물층(112), p형 클래드층(114)은 단일 또는 복수의 헤테로 구조로 형성될 수 있다.
n형 클래드층(108) 및 p형 클래드층(114)은 AlGaAs를 사용하여 형성하고 장벽층은 AlGaAs 물질로, 우물층은 GaAs로 형성한다.
그리고 활성층(115)상에 굴절률이 높은 AlxGaAs층(116)과 굴절률이 낮은 AlxGaAs층(118)을 한 주기로 20~40주기 적층하여 p형 브래그 미러층(120)을 형성한다.
각각의 n형 및 p형 브래그 미러층(106, 120)은 수직 공진형 표면 발광레이저를 동작하기 위한 파장(λ)의 1/4의 두께로 형성한다.
그런 다음 p형 브래그 미러층(106)상에 p형 불순물이1018~1019개/㎤로 도핑된 GaAS를 증착하여 p형 접촉층(122)을 형성하여 이후에 형성되는 p형 전극과 p형 브래그 미러층(120) 사이의 저항을 줄여준다.
이후 도7b에서와 같이, p형 접촉층(122)상에 CVD(chemical vapor Deposition) 또는 스퍼터링 방법으로 SiO2또는 SiN을 0.5-1.0㎛ 두께로 증착하여 보호막(passivation layer)(124)을 형성한다.
보호막(124)상을 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 트렌치(T2)가 형성될 소정영역의 p형 오믹접촉층(122)을 노출시킨다.
이때 광이 방출되는 개구부(Ⅰ)의 모양이 결정되게 된다. 개구부(Ⅰ)의 모양은 원형, 사각, 마름모등 필요에 따라 선택하여 사용할 수 있다. 이는 포토리소그래피 공정시 패터닝에 따라서 결정된다. 이렇게 형성되는 개구부(Ⅰ)의 지름 및 대각선의 길이는 2~30㎛로 한다.
노출된 영역을 습식 식각하여 트렌치(T2)를 형성한다. 이때 습식식각은 2회로 나뉘어져 진행되는데 먼저 불산(HF) 식각용액으로 제1차 식각하여 보호막을 제거한 후 연속하여 황산(H2SO4) 식각용액으로 p형 클래딩층이 0.1~1.0um 남을때까지 제2차 식각을 진행한다.
식각후 트렌치(T2) 내벽 및 바닥에는 자연 산화막(도시되지 않음)이 형성이 될 수 있는데 이는 염소(Cl2)가스를 트렌치(T2) 내부에 흘려주어 트렌치(T2) 내부를 세정하여 자연산화막을 제거한다. 이때 보호막(122)이 자연산화막과 함께 제거될 수도 있으나 제거되는 보호막(122)은 매우 적은 양으로 후속 공정을 진행하는데 영향을 미치지 않는다.
그리고, 에피택시 공정으로 트렌치(T2) 내부를 n형 반도체 물질로 채워 전류 차단층(126)을 형성한다.
전류차단층(126)은 실리콘(Si)과 같은 n형 도펀트가 1017~1018개/㎤정도 도핑된 GaAs로 증착하여 형성하며, 보호막(122)이 마스크 역할을 하므로 트렌치(T2) 내부에만 전류차단층(126)이 형성된다. 따라서 트렌치 내부에 누설전류가 없는 전류차단층을 형성할 수 있다.
도7c에서와 같이, 보호막(122)을 제거하고 전처리를 통해 불순물을 제거한다.
이때 보호막(122)은 불산 식각용액으로 식각하여 제거되고, 불순물은 아세톤과 같은 유기용액으로 세정하여 제거한다.
그리고 전류차단층(126) 및 p형 오믹접촉층(122)을 덮도록 금속을 증착하여 p형 전극(128)을 형성한다. p형 전극(128)은 레이저 파장에 간섭이 안되는 물질인 Ni/Au, Pd, ITO을 20~100Å 증착하여 형성한다. 이때 p형 전극(128)은 형성된 두께가 20~100Å정도로 얇기 때문에 투명한 전극을 형성한다. 따라서 활성층(115)에서 형성된 광이 외부로 양호하게 방출될 수 있다.
이후 도7d에서와 같이, p형 전극(128)상에 금속을 증착하여 금속층을 형성하고, 금속층을 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 와이어 본딩용 패드층(130)을 소정영역에 형성한다.
마지막으로 반도체 기판(100)을 래핑(lapping)하여 반도체 기판(100)의 두께가 70-250um가 되도록 한다. 그리고 반도체 기판(100)의 와이어 본딩용 패드층이 형성되지 않은 반대면(또는 하부면라 칭함)에 금속을 증착하여 n형 전극(132)을 형성한다.
이렇게 형성된 수직 공진형 표면 발광 레이저를 사용하고자 하는 크기로 절단하여 단일 칩 혹은 어레이로 사용한다.
본 발명에 따라 형성된 수직 공진형 표면 방출 레이저의 동작은 다음과 같다.
전류 차단층(126)과 전류차단층(126)사이의 영역은 광이 방출되는 통로의 역할을 하며 이 부분을 리찌(Ridge)형성부(Ⅱ)라 한다. 따라서, p형 전극(128)과 n형 전극(132)을 통하여 전류를 흘리면 전류차단층(126)으로는 전류가 흐르지 않고, 리찌 형성부(Ⅱ)에만 전류를 통하게 되어, n형 브래그 미러층(120)과 p형 브래그 미러층(106)에서 주입된 전자, 정공이 활성층(115)에서 결합하고 광을 발생한다.
이때 발생한 광은 초기에는 모든 입체각으로 발산하나 브래그 파장을 만족하는 광만이 보강 간섭을 거쳐 살아 남고, 이 광이 활성층(115)에서 상태 밀도 반전에 의한 레이저 유도 여기 방출광을 만들어 내면서 반도체 기판의 표면방향으로 개구부(Ⅰ)를 통해 레이저 광을 외부로 방출하게 된다. 여기서 p형 전극(128)과 n형 전극(132)을 통하여 흐르는 전류를 특정한 부분으로만 전류의 흐름을 만드는 것이 전류차단층(126)이다.
레이저의 광학적 특성은 리찌 형성부(Ⅱ)의 폭에 따라 달라지기 때문에 필요한 사양에 따라서 전류차단층(126)의 크기 및 모양을 조절하여 광학적 특성을 조정한다.이러한 광학적 특성은 트렌치(T2)를 형성하여 전류차단층(126)을 형성함으로써 가능하다.
종래의 전류차단층을 산화하여 형성하던 것에 비해 본 발명에서는 트렌치를 형성한 후 트렌치 내부에 n형 반도체 물질로 채워 전류차단층을 형성함으로써 균일한 전류차단층을 형성하여 수직 공진형 표면 발광 레이저의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 전류차단층을 형성하기 위해 트렌치를 형성한 후 산화가능층을 산화시키는 공정을 간소화하여 생산성을 향상하고 트렌치를 메우기 위해 폴리이미드를 사용하지 않기 때문에 세정공정을 용이하게 한다.
그리고, 트렌치내부를 에피택시 공정으로 반도체 물질을 채워 전류차단층을 형성함으로써 수직 공진형 표면 발광 레이저의 전면을 평탄(flat)화하여 연속적으로 연결된 어레이 소자에서도 상기의 효과로 인해 수율 향상을 가져 올 수 있다.

Claims (11)

  1. 반도체 기판상에 n형 브래그 미러층, n형 클래드층, 장벽층, 우물층, p형 클래드층, p형 브래그 미러층을 포함하여 형성된 수직 공진형 표면 발광레이저에 있어서,
    p형 브래그 미러층 및 p형 클래드층을 식각하되, p형 클래드층의 소정두께가 남겨지도록 식각하여 형성된 트렌치와;
    상기 트렌치 내부를 n형 반도체 물질로 채워 형성된 전류차단층과;
    상기 전류차단층을 포함하는 상기 반도체 기판상에 형성된 p형 전극과;
    상기 p형 전극의 소정영역에 형성된 와이어 형성용 패드층과;
    상기 반도체 기판의 하부면에 형성된 n형 전극을 포함하여 이루어지는 수직 공진형 표면 발광 레이저.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 p형 브래그 미러층과 상기 p형 전극 사이에 p형 오믹 접촉층이 부가 형성된 것을 특징으로하는 수직 공진형 표면 발광 레이저.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 n형 반도체 물질은 도펀트로 Si가 1017~1018개/㎤범위로 도핑된 GaAs인 것을 특징으로 하는 수직 공진형 표면 발광 레이저.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 p형 전극은 Ni/Au, Pd, ITO 중 택일하여 20~100Å의 두께로 형성한 투명전극인 것을 특징으로 하는 수직 공진형 표면 발광 레이저.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 p형 클래드층은 0.1~1.0㎛ 두께로 남겨지는 것을 특징으로 하는 수직 공진형 표면 발광 레이저.
  6. 반도체 기판상에 n형 브래그 미러층, n형 클래드층, 장벽층, 우물층, p형 클래드층, p형 브래그 미러층을 포함하여 형성되는 수직 공진형 표면 발광레이저의 제조방법에 있어서,
    상기 p형 브래그 미러층상에 보호막을 형성하는 공정과;
    상기 보호막상에 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 트렌치가 형성될 소정영역의 상기 p형 브래그 미러층이 노출되도록 패터닝하는 공정과;
    상기 패터닝된 보호막을 마스크로 상기 p형 크래드층이 노출되도록 식각하여 트렌치를 형성하되, 상기 p형 클래드층은 소정두께가 남겨지도록 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과;
    상기 트렌치 내부를 n형 반도체 물질로 채워 전류차단층을 형성하는 공정과;
    상기 전류차단층을 형성하는 공정이 완료된 상기 보호막을 제거한 후 세정하는 공정과;
    상기 세정하는 공정이 완료된 상기 반도체 기판상에 금속을 증착하여 p형 전극을 형성하는 공정과;
    상기 p형 전극상에 금속층을 형성한 후 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 상기 p형 전극의 소정영역에 와이어 본딩용 패드층을 형성하는 공정과;
    상기 와이어 본딩용 패드층을 형성하는 공정이 완료된 상기 반도체 기판을 래핑하는 공정과;
    상기 래핑 공정이 완료된 상기 반도체 기판의 하부면에 금속을 증착하여 n형 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 수직 공진형 표면 발광 레이저 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 보호막을 형성하는 공정 전에 상기 p형 브래그 미러층상에 p형 불순물이 도핑된 p형 오믹 접촉층을 형성하는 공정이 부가되는 것을 특징으로 하는 수직 공진형 표면 발광 레이저 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 트렌치를 형성하는 공정은 불산 식각용액으로 보호막을 제거하는 제1차 식각공정과, 상기 제1차 식각공정 후 연속하여 황산 식각용액으로 p형 클래드층이 0.1~1.0㎛의 두께로 남겨지도록 식각하는 제2차 식각공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 공진형 표면 발광 레이저 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 트렌치를 형성하는 공정 후에 염소 가스를 사용하여 상기 트렌치 내부에 형성된 자연산화막을 제거하는 공정을 부가하는 것을 특징으로 하는 수직 공진형 표면 발광 레이저 제조방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 n형 반도체 물질은 Si가 1017~1018개/㎤로 도핑된 GaAs인 것을 특징으로 하는 수직 공진형 표면 발광 레이저 제조방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 p형 전극은 Ni/Au, Pd, ITO 중 택일하여 20~100Å두께로 증착하여 형성한 투명전극인 것을 특징으로하는 수직 공진형 표면 발광 레이저 제조방법.
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