KR20030032886A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

DA 변환기를 내장한 표시 장치에서, 회로 규모를 억제하여, 다비트화에 대응한다. 디지털 영상 신호를 아날로그 영상 신호로 변환하는 DA 변환기를, 복수의 화소의 주변부에 설치된 제1 DA 변환기와, 각 화소 내에 설치된 제2 DA 변환기로 구성하고, 제1 DA 변환기에 의해 6비트의 디지털 영상 신호 중, 상위 4비트에 대하여 DA 변환을 행함과 함께, 제2 DA 변환기에 의해, 잔여의 하위 2비트에 대하여 DA 변환을 행하도록 하였다. 이에 의해, 화소의 주변 회로의 구성을 간결화하여 표시 패널의 주변(額緣) 면적의 증가를 억제하면서, DA 변환기의 비트수를 증가시킴으로써, 다계조의 표시를 실현할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 디지털 영상 신호를 아날로그 영상 신호로 변환하는 DA 변환기를 구비한 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는, 각 화소의 화소 전극에 아날로그 영상 신호를 공급하고, 액정에 인가되는 전계를 변화시켜, 액정을 배향시킴으로써, 액정 표시를행하고 있다. 여기서, 외부 기기로부터 입력되는 디지털 영상 신호를 아날로그 영상 신호로 변환하기 위한 DA 변환기를 내장한 액정 표시 장치가 알려져 있다. 이하, 이러한 종류의 표시 장치에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 8은 종래의 액티브 매트릭스형 표시 장치의 회로도이다. 화소 영역은 1행째에 화소 G11, G12, G13, …가 배열되고, 2행째에 화소(21, 22, 23, …)가 배열됨으로써, 전체적으로는 행 및 열의 매트릭스 형태로 배치된 복수의 화소로 구성되어 있다.
그리고, 각 화소마다, N채널형의 화소 선택 트랜지스터(72)(박막 트랜지스터)가 설치되어 있다. 화소 선택 트랜지스터(72)의 드레인에는, 수평 구동 회로(30)로부터의 드레인 신호선(61, 62, 63)이 접속되어 있다. 또한, 화소 선택 트랜지스터(72)의 게이트에는 수직 구동 회로(40)로부터의 게이트 신호선(51, 52, …)이 각각 접속되어 있다.
예를 들면 화소 GS11의 구체적인 구성에 대하여 설명하면, 도 9에 도시한 바와 같이, 화소 선택 트랜지스터(72)의 소스(72s)는 액정(21)의 화소 전극(80)에 접속되어 있다. 또한, 화소 전극(80)의 전압을 1필드 기간 유지하기 위한 보조 용량(85)이 설치되어 있고, 이 보조 용량(85)의 한쪽의 단자(86)는 화소 선택 트랜지스터(72)의 소스(72s)에 접속되고, 다른쪽의 전극(87)에는 공통의 전위가 인가되어 있다. 여기서, 게이트 신호선(51)에 게이트 주사 신호(H 레벨)가 인가되면, 화소 선택 TFT(72)는 온 상태로 되어, 드레인 신호선(61)으로부터 아날로그 영상 신호가 화소 전극(80)으로 전달됨과 함께, 보조 용량(85)에 유지된다. 화소전극(80)에 인가된 영상 신호 전압이 액정(21)에 인가되고, 그 전압에 따라 액정(21)이 배향됨으로써 액정 표시를 얻을 수 있다. 다른 각 화소의 구성에 대해서도 상기와 마찬가지이다.
또한, 수평 구동 회로(30)의 구성에 대해서는 이하와 같다. 예를 들면, 4비트의 디지털 영상 신호 D0∼D3이 외부로부터 공급된다. 그리고 각 열마다, 디지털 영상 신호 D0∼D3을 래치하는 4비트 구성의 제1 래치 회로(1-1, 1-2, 1-3, …)가 설치되어 있다. 이들 래치 회로(1-1, 1-2, 1-3, …)는, 디지털 영상 신호 D0∼D3을 샘플링 펄스 SRP1, SRP2, SRP3, …에 따라 순차적으로 샘플링하여, 1수평 기간만큼 유지한다. 여기서, 샘플링 펄스 SRP1, SRP2, SRP3, …은 시프트 레지스터(10-1, 10-2, …)에 의해 작성된다. 즉, 시프트 레지스터(10-1, 10-2, …)는 수평 클럭 CKH에 따라 수평 스타트 신호 STH를 순차적으로 시프트한 샘플링 펄스를 작성한다.
제1 래치 회로(1-1, 1-2, 1-3, …)에 유지된 디지털 영상 신호 D0∼D3은, 1수평 기간 종료 후에 발생하는 전송 펄스 TP에 기초하여, 4비트 구성의 제2 래치 회로(2-1, 2-2, 2-3, …)에 동시에 래치되고, DA 변환기(3-1, 3-2, 3-3, …)를 통해 아날로그 영상 신호로 변환된 후, 드레인 신호선(61, 62, 63, …)으로 출력된다.
또한, 수직 구동 회로(40)는, 수직 클럭 CKV에 따라 수직 스타트 신호 STV를 순차적으로 시프트한 게이트 펄스(각 1수평 기간씩 하이 레벨로 됨)를 순차적으로, 게이트 신호선(51, 52, …)으로 출력한다.
또한, DA 변환기(3-1)에 대해서는, 도 10에 도시한 바와 같은 디코드 회로를이용하는 방식이 일반적이다. 이 DA 변환기(3-1)는, 디지털 영상 신호 D0∼D3을 디코드 회로(90)에 의해 디코드하고, 16개의 참조 전압선에 공급되는 16개의 참조 전압 V0∼V15중에서, 하나의 참조 전압 Vj를 선택하여, 출력 단자(91)로부터 출력한다. 디코드 회로(90)는, 디지털 영상 신호 D0∼D3이 공급된 트랜지스터 어레이로 구성되어 있다. 예를 들면, 디지털 영상 신호가 (0110)인 경우, 4개의 직렬 트랜지스터(93)가 전부 온 상태로 되어, 참조 전압 V6이 선택적으로 출력된다. 또한, DA 변환기(3-2, 3-3, …)에 대해서도 마찬가지의 구성이다.
다음으로, 상기 구성의 액정 표시 장치의 동작에 대하여, 도 11에 도시한 타이밍도를 참조하면서 설명한다. 여기서는, 디지털 영상 신호 D0∼D3중, 1비트째의 디지털 영상 신호 D0에 주목하여 설명한다. 다른 비트에 대해서도 마찬가지이다. 디지털 영상 신호 D0은 수평 클럭 CKH에 동기하여 시계열적으로 데이터 D00, D01, D02, …로 변화된다. 따라서, 데이터 D00은, 샘플링 펄스 SRP1에 따라 래치 회로(1-1)에 래치되고, 데이터 D01은 샘플링 펄스 SRP2에 따라 래치 회로(1-1)에 래치된다.
그리고, 1수평 기간에 걸쳐 디지털 영상 신호 D0이 래치 회로(1-1, 1-2, 1-3, …)에 래치된 후, 전송 펄스 TP에 따라, 래치 회로(1-1, 1-2, 1-3, …)에 래치된 데이터 D00, D01, D02는 동시에 래치 회로(2-1, 2-2, 2-3)에 래치된다. 그리고,이 래치 데이터 D00, D01, D02는, DA 변환기(3-1, 3-2, 3-3, …)를 통해 아날로그 영상 신호로 변환된 후, 드레인 신호선(61, 62, 63, …)으로 출력된다.
상술한 바와 같이 종래의 액정 표시 장치에서는, 화소의 주변부에 배치되는 수평 구동 회로(30) 내에, DA 변환기(3-1, 3-2, 3-3, …)를 설치하고 있다. 이 때문에, 화소의 주변 회로, 특히 수평 구동 회로(30)의 구성이 복잡하여, 액정 표시 패널의 주변 면적이 증대된다고 하는 문제가 있었다.
또한, 이러한 종류의 DA 변환기는, 디코드 회로(90)를 이용하는 방식이기 때문에, 계조수의 증가와 함께 트랜지스터 소자수나 참조 전압선의 배선수가 대폭 증대된다. 그 때문에, 고정밀도로 다계조를 동시에 실현할 수 있는 표시 장치의 실현이 곤란하다고 하는 문제가 있었다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 회로도.
도 2는 참조 전압 선택 회로에 의해 선택되는 참조 전압쌍 Vj, Vj+1의 진리값 표.
도 3은 제2 DA 변환기의 회로도.
도 4는 제2 DA 변환기의 다른 회로도.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치의 회로도.
도 6은 계단 전압 발생 회로의 동작을 도시하는 타이밍도.
도 7은 배타적 논리합 회로를 도시하는 회로도.
도 8은 종래의 액정 표시 장치의 회로도.
도 9는 종래의 액정 표시 장치의 화소의 구성을 도시하는 회로도.
도 10은 종래의 액정 표시 장치에 이용된 DA 변환기의 회로도.
도 11은 종래의 액정 표시 장치의 동작을 도시하는 타이밍도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
5, 6 : 참조 전압 선택 회로
7 : 래더 저항 회로
8 : 전압 선택 회로
9 : 전압 공급 회로
10 : 시프트 레지스터
13-1, 13-2, 14-1, 14-2 : 래치 회로
15 : 참조 데이터 발생 회로
16 : 계단 전압 발생 회로
17 : 일치 검출 회로
18 : 배타적 논리합 회로
19 : NOR 회로
20A, 21A : 게이트 트랜지스터
21 : 액정
72 : 화소 선택 트랜지스터
80 : 화소 전극
따라서, 본 발명의 표시 장치는, 디지털 영상 신호를 아날로그 영상 신호로 변환하는 DA 변환기를, 복수의 화소의 주변부에 설치된 제1 DA 변환기와, 각 화소 내에 설치된 제2 DA 변환기로 구성하고, 제1 DA 변환기에 의해 n비트의 디지털 영상 신호 중, m비트(m<n)에 대하여 DA 변환을 행함과 함께, 제2 DA 변환기에 의해, 잔여의 (n-m)비트에 대하여 DA 변환을 행하도록 하였다.
이에 의해, 화소의 주변 회로의 구성을 간결화하여 표시 패널의 주변 면적의 증가를 억제하면서, DA 변환기의 비트수를 증가시킴으로써, 다계조의 표시를 실현할 수 있다.
여기서, 상기한 제1 DA 변환기 및 제2 DA 변환기의 바람직한 실시 양태로서는 이하와 같다.
우선, 제1 DA 변환기는, m비트의 디지털 영상 신호에 따른 복수의 참조 전압을 발생하는 참조 전압 발생 회로와, m비트의 디지털 영상 신호에 따라 복수의 참조 전압으로부터 대응하는 참조 전압쌍을 선택하는 참조 전압 선택 회로를 갖는 것이다. 이것은 디코더 회로형이지만, 비트수가 비교적 작은 경우에는 회로 규모는 그만큼 크지 않기 때문에 유용하다.
이 제1 DA 변환기와 조합시키는 제2 DA 변환기는, 참조 전압쌍 간의 복수의 전압을 발생하는 래더 저항 회로와, (n-m)비트의 디지털 영상 신호에 따라, 상기 복수의 전압 중, 하나의 전압을 선택하는 전압 선택 회로를 갖는 것이다. 이것은, 래더 저항형의 DA 변환기이다.
제1 DA 변환기와 조합시키는 다른 제2 DA 변환기로서는, 용량값이 가중된 복수의 용량 소자와, (n-m)비트의 디지털 영상 신호에 따라, 참조 전압쌍 전압을 복수의 용량 소자의 전극에 선택적으로 공급하는 전압 공급 회로와, 복수의 용량 소자에 의해 축적된 전하를 타이밍 신호에 따라 화소 전극에 공급하는 전하 전송 트랜지스터를 갖는 것이다. 이것은 용량형의 DA 변환기이다.
또한, 다른 제1 DA 변환기로서는, n비트의 데이터를 인크리먼트한 참조 디지털 데이터를 시계열적으로 출력하는 참조 데이터 발생 회로와, 참조 디지털 데이터의 변화와 동기하여 변화함과 함께, 참조 디지털 데이터에 대응한 계단 전압쌍을발생하는 계단 전압 발생 회로와, 디지털 영상 신호 데이터와 참조 디지털 데이터와의 일치를 검출하여 일치 검출 신호를 출력하는 일치 검출 회로와, 일치 검출 신호에 따라 계단 전압쌍을 출력하는 게이트 회로를 갖는 것이다.
이 DA 변환기는 디코드 회로를 이용하지 않기 때문에 비트수가 증가되어도 트랜지스터수나 배선수의 증가를 억제할 수 있다. 또한, 이 제1 DA 변환기와 조합시키는 제2 DA 변환기에 대해서는 상기한 래더 저항형의 DA 변환기, 용량형의 DA 변환기를 그대로 이용할 수 있다.
<실시예>
다음으로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 제1 실시예에 따른 표시 장치의 회로도이다. 또한, 도면을 간단하게 하기 위해, 수평 구동 회로의 2열, 화소부의 2행 2열분만을 도시하고 있다. 또한, 수직 구동 회로(40)에 대해서는 상술한 것과 마찬가지이다.
6비트의 디지털 영상 신호 D0∼D5가 외부로부터 공급되는 것으로 한다. 6비트 구성의 제1 래치 회로(13-1, 13-2)는, 디지털 영상 신호 D0∼D5를 샘플링 펄스 SRP1, SRP2에 따라 샘플링하여, 1수평 기간 유지한다. 여기서, 샘플링 펄스 SRP1, SRP2는 시프트 레지스터(10-1, 10-2)에 의해 작성된다. 즉, 시프트 레지스터(10-1, 10-2)는 수평 클럭 CKH에 따라 수평 스타트 신호 STH를 순차적으로 시프트한 샘플링 펄스를 작성한다.
제1 래치 회로(13-1, 13-2)에 유지된 디지털 영상 신호 D0∼D5는, 1수평 기간종료 후에 발생하는 전송 펄스 TP에 기초하여, 6비트 구성의 제2 래치 회로(14-1, 14-2)에 동시에 래치된 후, DA 변환된다.
DA 변환기는, 복수의 화소 GS11, GS12, …의 주변부에 설치된 제1 DA 변환기와, 각 화소 GS11, GS12, …에 설치된 제2 DA 변환기로 이루어진다. 제1 DA 변환기는, 6비트의 디지털 영상 신호 데이터 D0∼D5중, 4비트에 대하여 DA 변환을 행함과 함께, 제2 DA 변환기는 잔여의 2비트에 대하여 DA 변환을 행하도록 하였다.
여기서, 제1 DA 변환기는, 상위 4비트의 디지털 영상 신호 데이터에 따른 17개의 참조 전압 V0∼V16을 발생하는 참조 전압 발생 회로(12)와, 이들 4비트의 디지털 영상 신호에 따라, 참조 전압 V0∼V16으로부터 대응하는 참조 전압쌍 Vj, Vj+1을 선택하는 한쌍의 참조 전압 선택 회로(5, 6)로 구성되어 있다.
참조 전압 발생 회로(12)는, 예를 들면 전원 전압 Vdd와 접지 전압 Vss 사이에 접속된 래더 저항에 의해 구성할 수 있다. 여기서, 참조 전압 선택 회로(5, 6)에 의해 선택되는 참조 전압쌍 Vj, Vj+1의 진리값 표를 도 2에 도시한다. 참조 전압 선택 회로(5, 6)는, 이 진리값 표에 일치하도록, 도 10에 도시한 디코드 회로의 트랜지스터 어레이를 변경함으로써 용이하게 구성할 수 있다.
상위 4비트의 디지털 영상 신호 D2∼D5는, 이 진리값 표에 따라, 참조 전압쌍 Vj, Vj+1(아날로그 전압쌍)로 디지털·아날로그 변환된다. 참조 전압쌍 Vj, Vj+1은,17개의 참조 전압 V0∼V16중에서 선택된 인접 전압쌍이며, 그 대소 관계는 Vj<Vj+1이다. 따라서, 이하, 참조 전압 선택 회로(5, 6)에 의해 선택된 참조 전압쌍 Vj, Vj+1을 전압쌍 VL, VH로 한다.
그리고, 제2 DA 변환기는, 각 화소 GS11, GS12, …에 내장되며, 하위 2비트의 디지털 영상 신호 데이터 D0, D1에 관하여 DA 변환을 행한다. 그 구체적인 구성에 대하여, 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 3의 (a)는, 제2 DA 변환기가 내장된 액정 표시 장치의 화소 GS11을 도시하는 회로도이다. 또한, 다른 화소에 대해서도 마찬가지이다. 도 3의 (b)는 일렉트로 루미네센스 표시 장치(이하, EL 표시 장치라고 함)의 화소를 도시하는 회로도이다. 이 EL 표시 장치에서는, 액정(21) 대신에, EL 소자(47) 및 이 EL 소자(47)를 전류 구동하기 위한 구동 트랜지스터(48)가 도입되어 있다. 즉, 구동 트랜지스터(48)의 게이트에 DA 변환된 아날로그 전압이 인가된다. 구동 트랜지스터(48)는, 그 아날로그 전압에 따라 EL 소자(47)에 흐르는 전류를 제어함으로써, 일렉트로 루미네센스 표시를 행할 수 있다. DA 변환기의 부분에 대해서는, 도 3의 (a)와 마찬가지이다.
래더 저항 회로(7)는, 전압쌍 VL, VH사이에 직렬로 접속된 저항 R1, R2, R3, R4로 구성된다. 그리고, 그 각 접속점에서의 전압 VH, V2, V3, V1이 전압 선택 회로(8)에 입력된다. 전압 VH, V2, V3, V1은 이하와 같이 나타낼 수 있다.
V1=VL+ΔV·(R1/R), V2=VL+ΔV·(R1+R2/R), V3=VL+ΔV·(R1+R2+R3/R)이다. 여기서, R=R1+R2+R3+R4, ΔV=VH-VL이다. R1=R2=R3=R4로 설정하면, V1=VL+ΔV/4, V2=VL+ΔV/2, V3=VL+3ΔV/4로, 등간격의 전압이 된다.
전압 선택 회로(8)는, 하위 2비트의 디지털 영상 신호 데이터 D0, D1에 따라, 상기한 전압 VH, V2, V3, V1중, 하나의 전압을 선택하는 회로이며, 게이트에 데이터 D0이 인가된 박막 트랜지스터(TFT) T1, T2, T3, T4, 및 게이트에 데이터 D1이 인가된 박막 트랜지스터(TFT) T5, T6으로 구성되어 있다. 여기서, T1, T3, T5는 P채널형 TFT이고, T2, T4, T6은 N채널형 TFT이다. 즉, (D0, D1)=(0, 0)인 경우에는 T1및 T5가 온하기 때문에, 전압 V1이 선택적으로 출력되고, (D0, D1)=(0, 1)인 경우에는, T2및 T5가 온하기 때문에, 전압 V2가 선택적으로 출력되며, (D0, D1)=(1, 0)인 경우에는, T3및 T6이 온하기 때문에 전압 V3이 선택적으로 출력되고, (D0, D1)=(1, 1)인 경우에는, T4및 T6이 온하기 때문에 전압 VH가 선택적으로 출력된다.
따라서, 주사 신호 G1에 따라, 화소 선택 트랜지스터 TG가 온하면, 상기한 전압 선택 회로(8)에 의해 선택된 전압이 액정(21)의 화소 전극(80)에 공급된다. 이렇게 해서, 상술한 구성의 제1 및 제2 DA 변환기에 의해, 6비트의 디지털 영상 신호 D0∼D5에 따른 아날로그 전압이, 화소 선택 트랜지스터 TG를 통해, 액정(21)의화소 전극(80)이나 구동 트랜지스터(48)의 게이트에 공급되어 표시가 행해진다.
이와 같이, 본 실시예에 따르면, 6비트의 디지털 영상 신호 데이터 D0∼D5중, 4비트에 대해서는 화소부의 주변부에 배치된 제1 DA 변환기에 의해 DA 변환을 행하고, 잔여의 2비트에 대해서는 각 화소 내에 내장된 제2 DA 변환기에 의해 DA 변환을 행하도록 하였기 때문에, 화소부의 주변 회로의 회로 규모를 억제하면서 DA 변환의 다비트화를 실현하는 것이 가능해진다.
다음으로, 화소에 내장되는 제2 DA 변환기의 다른 구체적인 구성에 대하여, 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4의 (a)는, 제2 DA 변환기가 내장된 액정 표시 장치의 화소 GS11을 나타내는 회로도이다. 또한, 다른 화소에 대해서도 마찬가지이다. 도 4의 (b)는 일렉트로 루미네센스 표시 장치(이하, EL 표시 장치라고 함)의 화소를 도시하는 회로도이다. 이 EL 표시 장치에서는, 액정(21) 대신에, EL 소자(47) 및 이 EL 소자(47)를 전류 구동하기 위한 구동 트랜지스터(48)가 도입되어 있다. 즉, 구동 트랜지스터(48)의 게이트에 DA 변환된 아날로그 전압이 인가된다. 구동 트랜지스터(48)는, 그 아날로그 전압에 따라 EL 소자(47)에 흐르는 전류를 제어함으로써, 일렉트로 루미네센스 표시를 행할 수 있다. DA 변환기의 부분에 대해서는, 도 4의 (a)와 마찬가지이다. 이하에서는, 도 4의 (a)에 대하여 설명하지만, 도 4의 (b)의 EL 표시 장치에 대해서도 마찬가지이다.
전압 공급 회로(9)는, 소스가 전압 VL에 접속되며, 게이트에 디지털 영상 신호 D1이 인가된 P채널형 박막 트랜지스터(TFT) T10, 소스가 전압 VH에 접속되며, 게이트에 디지털 영상 신호 D1이 인가된 N채널형 박막 트랜지스터(TFT) T11, 소스가 전압 VL에 접속되며, 게이트에 디지털 영상 신호 D0이 인가된 P채널형 박막 트랜지스터(TFT) T12, 소스가 전압 VH에 접속되며, 게이트에 디지털 영상 신호 D0이 인가된 N채널형 박막 트랜지스터(TFT) T13으로 구성되어 있다. T10및 T11의 드레인은 용량 소자 C2의 용량 전극(82)에 공통 접속되고, T12및 T13의 드레인은 용량 소자 C1의 용량 전극(81)에 공통 접속되어 있다.
즉, 전압 공급 회로(9)는, 용량값이 가중된 용량 소자 C1, C2의 용량 전극(81, 82)에, 2비트의 디지털 영상 신호 D0, D1에 따라, 전압쌍 전압 VL, VH를 선택적으로 공급하는 회로이다. 여기서, 용량 소자 C1의 용량값은 C, 용량 소자 C2의 용량값은 2C로 설정되어 있는 것으로 한다.
또한, 전압 VL과 용량 소자(81, 82)의 다른쪽의 용량 전극(83)(공통의 전극) 사이에는 주사 신호 G1에 의해 제어된 화소 선택 트랜지스터 TG1이 접속되어 있다. 전압 공급 회로(9)와 용량 전극(82) 사이에는 주사 신호 G1에 의해 제어된 화소 선택 트랜지스터 TG2가, 전압 공급 회로(9)와 용량 전극(81) 사이에는 주사 신호 G1에 의해 제어된 화소 선택 트랜지스터 TG3이 설치되어 있다. 또한, 화소 선택 트랜지스터 TG2, TG3과 액정(21)의 화소 전극(80) 사이에는 전하 전송 트랜지스터 TT1, TT2가 설치되어 있다.
이하, 상술한 제2 DA 변환기의 동작에 대하여 설명한다. 여기서는, 화소 GS11에 데이터를 기입한 경우에 대해 설명하지만, 다른 화소에 기입한 경우에도 마찬가지이다.
<데이터 D0, D1=(0, 0)인 경우>
게이트선(51)이 선택되면(주사 신호 G1=하이 레벨), TG1, TG2, TG3이 온하고, 용량 소자 C1, C2의 다른쪽의 용량 전극(83)은 전압 VL로 된다. 또한, 화소 전극(80)의 화소 전압도 VL로 된다.
제2 래치 회로(14-1)로부터 데이터 D0, D1=(0, 0)이 도래하면, T10, T12가 온하고, 용량 전극(81, 82)의 전압은 VL로 된다. 다음으로, 게이트선(51)이 비선택으로 되면, TG1, TG2, TG3이 오프하고, 다음의 게이트선(52)이 선택되면(주사 신호 G2=하이 레벨), 전송 트랜지스터 TT1, TT2가 온한다. 이 때, 용량 소자 C1, C2와 화소 전극(80) 사이에서 전하의 재배분이 행해진다. 따라서, 전하의 보존 법칙으로부터 다음의 식이 성립한다.
2C×(VL-VL)+C×(VL-VL)+VL×Cttl
=2C×(Vpix-Vpix)+C×(Vpix-Vpix)+Vpix×Cttl
이 식으로부터, Vpix=VL로 된다. Vpix는 화소 전압, Cttl=CLC+Csc, CLC는액정(21)의 용량값, Csc는 액정(21)에 화소 전극(80)에 부수하는 기생 용량의 용량값이다.
<데이터 D0, D1=(1, 0)인 경우>
게이트선(51)이 선택되면(주사 신호 G1=하이 레벨), TG1, TG2, TG3이 온하고, 용량 소자 C1, C2의 다른쪽의 용량 전극(83)은 전압 VL로 된다. 또한, 화소 전극(80)의 화소 전압도 VL로 된다.
제2 래치 회로(14-1)로부터 데이터 D0, D1=(1, 0)이 도래하면, T10, T13이 온하고, 용량 전극(82)의 전압은 VL로 되며, 용량 전극(81)의 전압은 VH로 된다.
다음으로, 게이트선(51)이 비선택으로 되면, TG1, TG2, TG3이 오프되고, 다음의 게이트선(52)이 선택되면(주사 신호 G2=하이 레벨), 전송 트랜지스터 TT1, TT2가 온한다. 이 때, 용량 소자 C1, C2와 화소 전극(80) 사이에서 전하의 재배분이 행해진다. 따라서, 전하의 보존 법칙으로부터 다음의 식이 성립한다.
2C×(VL-VL)+C×(VH-VL)+VL×Cttl
=2C×(Vpix-Vpix)+C×(Vpix-Vpix)+Vpix×Cttl
이 식으로부터, Vpix=VL+(VH-VL)×C/Cttl로 된다.
<데이터 D0, D1=(0, 1)인 경우>
게이트선(51)이 선택되면(주사 신호 G1=하이 레벨), TG1, TG2, TG3이 온하고, 용량 소자 C1, C2의 다른쪽의 용량 전극(83)은 전압 VL로 된다. 또한, 화소 전극(80)의 화소 전압도 VL로 된다.
제2 래치 회로(14-1)로부터 데이터 D0, D1=(0, 1)이 도래하면, T11, T12가 온하고, 용량 전극(82)의 전압은 VH로 되며, 용량 전극(81)의 전압은 VL로 된다.
다음으로, 게이트선(51)이 비선택으로 되면, TG1, TG2, TG3이 오프하고, 다음의 게이트선(52)이 선택되면(주사 신호 G2=하이 레벨), 전송 트랜지스터 TT1, TT2가 온한다. 이 때, 용량 소자 C1, C2와 화소 전극(80) 사이에서 전하의 재배분이 행해진다. 따라서, 전하의 보존 법칙으로부터 다음의 식이 성립한다.
2C×(VH-VL)+C×(VL-VL)+VL×Cttl
=2C×(Vpix-Vpix)+C×(Vpix-Vpix)+Vpix×Cttl
이 식으로부터, Vpix=VL+(VH-VL)×2C/Cttl로 된다.
<데이터 D0, D1=(1, 1)인 경우>
게이트선(51)이 선택되면(주사 신호 G1=하이 레벨), TG1, TG2, TG3이 온하고, 용량 소자 C1, C2의 다른쪽의 용량 전극(83)은 전압 VL로 된다. 또한, 화소 전극(80)의 화소 전압도 VL로 된다.
제2 래치 회로(14-1)로부터 데이터 D0, D1=(1, 1)이 도래하면, T11, T13이 온하고, 용량 전극(82)의 전압은 VH로 되며, 용량 전극(81)의 전압은 VH로 된다.
다음으로, 게이트선(51)이 비선택으로 되면, TG1, TG2, TG3이 오프하고, 다음의 게이트선(52)이 선택되면(주사 신호 G2=하이 레벨), 전송 트랜지스터 TT1, TT2가 온한다. 이 때, 용량 소자 C1, C2와 화소 전극(80) 사이에서 전하의 재배분이 행해진다. 따라서, 전하의 보존 법칙으로부터 다음의 식이 성립한다.
2C×(VH-VL)+C×(VH-VL)+VL×Cttl
=2C×(Vpix-Vpix)+C×(Vpix-Vpix)+Vpix×Cttl
이 식으로부터, Vpix=VL+(VH-VL)×3C/Cttl로 된다. 이와 같이, 데이터가 「1」증가하면, 출력 전압은 (VH-VL)×C/Cttl만큼 증가한다. 따라서, Cttl=4C로 하면, 등간격의 전압으로 DA 변환을 행할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 5는 제2 실시예에 따른 표시 장치의 회로도이다. 또한, 도면을 간단하게 하기 위해, 수평 구동 회로의 2열, 화소부의 2행 2열분만을 도시하고 있다. 또한, 수직 구동 회로(40)에 대해서는 상술한 것과 마찬가지이다.
본 실시예가 제1 실시예와 상위한 점은, 제1 DA 변환기의 구성에 있다. 그 밖의 구성에 대해서는 제1 실시예의 것을 그대로 사용할 수 있다. 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 DA 변환기는, 참조 데이터 발생 회로(15), 계단 전압 발생회로(16), 일치 검출 회로(17), N채널형의 게이트 트랜지스터(20A, 21A)(게이트 회로)로 구성되어 있다.
참조 데이터 발생 회로(15)는, 일종의 카운터 회로로 구성되며, 도 6에 도시한 바와 같이, 4비트의 참조 디지털 데이터 RD2∼RD5를, 그 초기값인 (0000)으로부터 스타트하여, 최대값인 (1111)까지, 기준 클럭 CLB에 기초하여 인크리먼트하여, 1수평 기간에 걸쳐 시계열적으로 출력하고, 다음의 1수평 기간에서는, 다시, 초기값인 (0000)으로 리세트되어, 최대값인 (1111)까지 출력한다고 하는 동작을 주기적으로 반복한다.
여기서, 기준 클럭 CKB는, 1수평 기간에 발생하는 클럭수가, 참조 디지털 데이터수(계조수)와 같아지도록, 예를 들면 수평 클럭 CKH를 분주하여 작성된다.
계단 전압 발생 회로(16)는, 참조 데이터 발생 회로(15)로부터 시계열적으로 인크리먼트 출력되는 참조 디지털 데이터 RD2∼RD5에 대응한 계단 전압쌍 VSL, VSH(아날로그 전압)를 발생한다. 계단 전압쌍 VSL, VSH는, 도 2에 도시한 진리값 표에 따라 발생된다. 예를 들면, RD2∼RD5=0000인 경우에는 계단 전압쌍 (VSL, VSH)=(V0, V1), RD2∼RD5=0001인 경우에는 계단 전압쌍 (VSL, VSH)=(V1, V2)이다.
또한, 계단 전압쌍 VSL, VSH(아날로그 전압)의 변화는, 상기 기준 클럭 CLB에 참조 디지털 데이터 RD0∼RD5의 변화에 동기시키고 있다(도 6을 참조). 여기서, 계단 전압 발생 회로(16)는, 예를 들면 각 계단 전압 VS를 발생하는 래더 저항과, 참조 디지털 데이터 RD0∼RD5에 따라 각 계단 전압 VS를 전환하여 출력하는 스위치군으로 간단히 구성할 수 있다.
일치 검출 회로(17)는, 4비트의 디지털 영상 신호 데이터 D2∼D5와, 참조 디지털 데이터 RD2∼RD5의 대응하는 모든 비트의 일치를 검출하여 일치 검출 신호를 출력하는 회로이다. 일치 검출 회로(17)는, 구체적으로는, 디지털 영상 신호 데이터 D2∼D5의 각 비트와, 대응하는 참조 디지털 데이터 RD2∼RD5의 각 비트가 입력된 6개의 배타적 논리합 회로(18-1, …, 18-4)와, 이들 배타적 논리합 회로(18-1, …, 18-4)의 출력이 입력된 NOR 회로(19)로 구성할 수 있다. 배타적 논리합 회로는, 예를 들면, 도 7에 도시한 회로로 구성할 수 있다. 또한, 도 7에서, 입력 데이터 XA는 입력 데이터 A의 반전 데이터, 입력 데이터 XB는 입력 데이터 B의 반전 데이터이다.
배타적 논리합 회로(18-1)는 디지털 영상 신호 데이터 D0과 참조 디지털 데이터 RD0이 일치했을 때에 논리값 「0」을 출력하고, 일치하지 않을 때는 논리값 「1」을 출력한다. 다른 배타적 논리합 회로(18-1)도 마찬가지이다. 따라서, 디지털 영상 신호 데이터 D2∼D5와 참조 디지털 데이터 RD2∼RD5의 모든 비트 데이터가 일치했을 때, 배타적 논리합 회로(18-1, …, 18-4)의 출력은 모두 논리값 「0」으로 되고, NOR 회로(20)는 일치 검출 신호로서 논리값 「1」을 출력한다.
게이트 트랜지스터(20A, 21A)는, 상기 일치 검출 신호 「1」에 따라 온하고,디지털 영상 신호 데이터 D2∼D5에 대응한 계단 전압쌍 VSL, VSH를 출력한다. 이에 의해, 디지털 영상 신호 D0∼D5의 상위 4비트에 대하여 디지털·아날로그 변환이 행해진다.
다음으로, 상술한 표시 장치의 동작 타이밍에 대해 설명하면, 제2 래치(14)에 디지털 영상 신호가 래치되기까지는, 도 11에 도시한 종래예의 것과 마찬가지이다. 그 후, 게이트 신호선(51)에 주사 신호 G1(하이 레벨)이 1수평 기간만 공급됨으로써, 화소 선택 트랜지스터(72)가 온한다. 그리고, 참조 데이터 발생 회로(15)로부터 참조 디지털 데이터 RD2∼RD5가 출력되고, 계단 전압 발생 회로(16)로부터 그에 동기한 계단 전압쌍 VSL, VSH가 출력된다.
그리고, 디지털 영상 신호 데이터 D2∼D5와 참조 디지털 데이터 RD2∼RD5가 일치한 기간, 게이트 트랜지스터(20A, 21A)가 온하고, 디지털 영상 신호 데이터 D0∼D5에 대응한 계단 전압쌍 VSL, VSH가 출력된다. 이에 의해, 계단 전압쌍 VSL, VSH는 제1 실시예에서 설명한 전압쌍 VL, VH로서, 화소 내에 설치된 제2 DA 변환기에 공급된다. 즉, 본 실시예는, 제1 DA 변환기만이 제1 실시예와 상위하고, 화소 내에 설치하는 제2 DA 변환기에 대해서는, 도 3 및 도 4에 도시한 것과 동일한 회로를 이용할 수 있어, 잔여의 2비트에 대하여 DA 변환을 행할 수 있다.
상술한 구성의 제1 DA 변환기에 따르면, 디코드 회로를 이용한 제1 실시예의DA 변환기를 이용하는 경우에 비해, 배선수나 트랜지스터 소자수를 대폭 삭감할 수 있다.
또한, 상술한 제1 및 제2 실시예의 표시 장치는, 6비트의 DA 변환기를 실현하고 있지만, 제1 DA 변환기와 제2 변환기의 비트수의 할당은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니며, 적절하게 변경해도 된다. 예를 들면, 제1 DA 변환기에 의해 3비트를, 제2 DA 변환기에 의해 3비트를 DA 변환해도 된다. 또한, DA 변환의 비트수도 6비트에 한정되지 않고 필요에 따라 적절하게 증감할 수 있다.
또한, 상술한 구성의 표시 장치는 흑백 표시이지만, 본 발명은 풀 컬러 표시에도 적용할 수 있다. 이 경우, R, G, B의 각 디지털 영상 신호마다, 제1 래치 회로(13), 제2 래치 회로(14) 및 DA 변환기를 설치하면 된다.
또한, 본 실시예는, 전압 제어의 액정 표시 장치에 관한 것이지만, 전류 제어의 일렉트로 루미네센스 표시 장치에도 적용할 수 있다. 이 경우, 각 화소의 액정(21) 대신에, EL 소자 및 이 EL 소자의 구동 트랜지스터를 도입하면 된다. 즉, 구동 트랜지스터의 게이트에 DA 변환된 아날로그 전압이 인가된다. 구동 트랜지스터는, 그 아날로그 전압에 따라 EL 소자에 흐르는 전류를 제어함으로써, 일렉트로 루미네센스 표시를 행할 수 있다.
본 발명의 표시 장치는, 디지털 영상 신호를 아날로그 영상 신호로 변환하는 DA 변환기를, 복수의 화소의 주변부에 설치된 제1 DA 변환기와, 각 화소 내에 설치된 제2 DA 변환기로 구성하고, 제1 DA 변환기에 의해 n비트의 디지털 영상 신호중, m비트(m<n)에 대하여 DA 변환을 행함과 함께, 제2 DA 변환기에 의해, 잔여의 (n-m)비트에 대하여 DA 변환을 행하도록 하였다.
이에 의해, 화소의 주변 회로의 구성을 간결화하여 표시 패널의 주변 면적의 증가를 억제하면서, DA 변환기의 비트수를 증가시킴으로써, 다계조의 표시를 실현할 수 있다.

Claims (13)

  1. 복수의 화소와, n비트의 디지털 영상 신호를 아날로그 영상 신호로 변환하는 DA 변환기를 갖고, 상기 아날로그 영상 신호를 상기 각 화소에 공급하여 표시를 행하는 표시 장치에 있어서,
    상기 DA 변환기는 상기 복수의 화소의 주변부에 설치된 제1 DA 변환기와, 상기 각 화소 내에 설치된 제2 DA 변환기로 구성되고,
    상기 제1 DA 변환기는 상기 n비트의 디지털 영상 신호 중, m비트(m<n)에 대하여 DA 변환을 행함과 함께, 상기 제2 DA 변환기는 잔여의 (n-m)비트에 대하여 DA 변환을 행하도록 하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 샘플링 펄스에 따라 상기 디지털 영상 신호를 래치하는 제1 래치 회로와, 1수평 기간 종료 후에 발생하는 전송 펄스에 따라 상기 제1 래치 회로의 출력을 래치하는 제2 래치 회로를 포함하며, 상기 제2 래치 회로의 출력을 상기 제1 DA 변환기에 입력하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 DA 변환기는,
    상기 m비트의 디지털 영상 신호에 따른 복수의 참조 전압을 발생하는 참조 전압 발생 회로와,
    상기 m비트의 디지털 영상 신호에 따라 상기 복수의 참조 전압으로부터 대응하는 참조 전압쌍을 선택하는 참조 전압 선택 회로
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2 DA 변환기는,
    상기 참조 전압쌍 간의 복수의 전압을 발생하는 래더 저항 회로와,
    상기 (n-m)비트의 디지털 영상 신호에 따라, 상기 복수의 전압 중, 하나의 전압을 선택하는 전압 선택 회로
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서, 주사 신호에 따라 상기 전압 선택 회로에 의해 선택된 전압을 상기 화소의 화소 전극에 공급하는 화소 선택 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제2 DA 변환기는,
    용량값이 가중된 복수의 용량 소자와,
    상기 (n-m)비트의 디지털 영상 신호에 따라, 상기 참조 전압쌍 전압을 상기 복수의 용량 소자의 전극에 선택적으로 공급하는 전압 공급 회로와,
    상기 복수의 용량 소자에 의해 축적된 전하를 타이밍 신호에 따라 상기 화소 전극에 공급하는 전하 전송 트랜지스터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서, 주사 신호에 따라 상기 전압 공급 회로로부터의 전압을 상기 복수의 용량 소자의 전극에 공급하는 화소 선택 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 DA 변환기는,
    n비트의 데이터를 인크리먼트한 참조 디지털 데이터를 시계열적으로 출력하는 참조 데이터 발생 회로와,
    상기 참조 디지털 데이터의 변화와 동기하여 변화함과 함께, 상기 참조 디지털 데이터에 대응한 계단 전압쌍을 발생하는 계단 전압 발생 회로와,
    디지털 영상 신호 데이터와 상기 참조 디지털 데이터와의 일치를 검출하여 일치 검출 신호를 출력하는 일치 검출 회로와,
    상기 일치 검출 신호에 따라 상기 계단 전압쌍을 출력하는 게이트 회로
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서, 샘플링 펄스에 따라 상기 디지털 영상 신호를 래치하는 제1 래치 회로와, 1수평 기간 종료 후에 발생하는 전송 펄스에 따라 상기 제1 래치 회로의 출력을 래치하는 제2 래치 회로를 포함하며, 상기 제2 래치 회로의 출력을 상기 제1 DA 변환기에 입력하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제2 DA 변환기는,
    상기 계단 전압쌍 간의 전압을 발생하는 래더 저항 회로와,
    상기 (n-m)비트의 디지털 영상 신호에 따라, 상기 복수의 전압 중, 하나의 전압을 선택하는 전압 선택 회로
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서, 주사 신호에 따라 상기 전압 선택 회로에 의해 선택된 전압을 상기 화소의 화소 전극에 공급하는 화소 선택 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제2 DA 변환기는,
    용량값이 가중된 복수의 용량 소자와,
    상기 (n-m)비트의 디지털 영상 신호에 따라, 상기 계단 전압쌍 전압을 상기 복수의 용량 소자의 전극에 선택적으로 공급하는 전압 공급 회로와,
    상기 복수의 용량 소자에 의해 축적된 전하를 타이밍 신호에 따라 상기 화소 전극에 공급하는 전하 전송 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서, 주사 신호에 따라 상기 전압 공급 회로로부터의 전압을 상기 복수의 용량 소자의 전극에 공급하는 화소 선택 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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