KR20030029922A - 반사 전극을 형성하는 방법 및 액정 디스플레이 디바이스 - Google Patents

반사 전극을 형성하는 방법 및 액정 디스플레이 디바이스 Download PDF

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KR20030029922A
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나오키 수미
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코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

본 발명은 감소된 제조 비용 및 감소된 제조 단계의 수로 리세스(recess) 또는 돌출부를 가진 반사 전극 및 TFT를 형성하는 방법 및 이러한 방법이 적용되는 액정 디스플레이 디바이스를 제공한다. 감광막(8)은 금속 막(7) 위에 형성된다. 이후, 나머지 부분(81, 82 및 83)은 감광막(8)으로부터 형성된다. 이후, 금속막(7)은 마스크로서 남아있는 부분(81, 82 및 83)을 이용하여 식각된다. 그리고 이후, 감광막(9) 및 반사 전극막(10)은 남아있는 부분(81, 82 및 83)을 제거하여 형성된다.

Description

반사 전극을 형성하는 방법 및 액정 디스플레이 디바이스{A METHOD OF FORMING A REFLECTIVE ELECTRODE AND A LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
최근, TFT를 구비한 액정 디스플레이 디바이스가 급속하게 널리 확산되었다. 액정 디스플레이 디바이스가 반사형 또는 반투과형(transflective)으로서 구성될 때, TFT 뿐만 아니라 외부광을 반사하기 위한 반사 전극이 각 픽셀 영역에 제공된다. 반사 전극을 구비한 액정 디스플레이 디바이스에서, 반사 전극은 디스플레이되는 이미지의 품질을 향상시키기 위해서 종종 리세스 또는 돌출부를 구비한다.
예컨대, 각 픽셀 영역에 제공된 TFT가 상부 게이트 구조를 가지는 경우에, 게이트 전극은 반사 전극을 형성하기 전에 리소그래피 단계(lithographic step)를 수행하여 형성된다. 다음으로, 감광 막이 형성되어 다수의 리세스 또는 돌출부를 구비하는 형태로 패터닝되어 반사 전극이 이 감광 막 위에 형성된다. 리소그래피 단계는 노광 단계(exposure step), 현상 단계 및 다른 단계를 포함하는 복수의 단계를 포함한다. 그러므로, 리소그래픽 단계를 수행하여 게이트 전극을 형성한 후,감광 막이 형성되어 이후 다수의 리세스 또는 돌출부를 가지는 형태로 패터닝되는 경우에, 제조 단계의 수 및 제조 비용이 증가하는 문제가 발생한다.
본 발명은 박막 트랜지스터(TFT) 및 미리결정된 영역에 리세스(recess) 또는 돌출부(projection)를 가지는 반사 전극을 형성하는 방법에 관한 것이며 또한 상기 방법이 적용되는 액정 디스플레이 디바이스에 관한 것이다.
도 1은 TFT 및 반사 전극이 본 발명에 따르는 방법의 실시예에 따라서 형성되는 TFT 기판 어셈블리의 평면도.
도 2는 도 1의 라인 I-I 을 따라서 절단된 어셈블리의 횡단면도.
도 3은 게이트 절연 막(6)이 기판 위에 형성된 직후의 기판의 평면도.
도 4는 도 3의 라인 Ⅱ-Ⅱ을 따라서 절단된 기판의 횡단면도.
도 5는 금속막이 형성된 기판의 횡단면도.
도 6은 감광막이 형성된 기판의 횡단면도.
도 7은 감광막(8)이 패터닝된 이후의 기판의 평면도.
도 8은 도 7의 라인 Ⅲ-Ⅲ을 따라서 절단된 기판의 횡단면도.
도 9는 금속막(7)이 식각된 이후의 기판의 평면도.
도 10은 도 9의 라인 Ⅳ-Ⅳ을 따라서 절단된 기판의 횡단면도.
도 11은 감광막이 형성된 기판의 횡단면도.
도 12는 반사 전극막(10)이 형성된 기판의 횡단면도.
도 13은 TFT 및 반사 전극이 형성된 종래 기판의 횡단면도.
도 14는 남아있는 부분(830)이 메쉬 패턴을 가지는 기판의 평면도.
그러므로 본 발명의 목적은 감소된 수의 제조 단계 및 감소된 비용으로 리세스 또는 돌출부를 포함하는 반사 전극 및 TFT를 형성하는 방법 및 이러한 방법이 적용되는 액정 디스플레이 디바이스를 제공하는 것이다.
앞서 설명된 목적을 달성하기 위한 본 발명의 방법은 미리 결정된 영역에 리세스 또는 돌출부를 가지는 반사 전극 및 TFT를 형성하는 방법이며, 상기 방법은 제 1 막을 처리하여 적어도 게이트 전극 및 게이트 버스를 형성하며, 상기 방법은 제 1 막을 형성하는 단계, 제 1 막 위에 감광 막을 형성하는 단계, 감광 막에서 게이트 전극에 해당하는 제 1 부분, 게이트 버스에 해당하는 제 2 부분 및 상기 제 1 부분 및 제 2 부분과 다른 제 3 부분이 잔존하는 방식으로 감광 막을 패터닝하는 단계, 마스크로서 제 1, 제 2 및 제 3 부분을 이용하여 제 1 막을 식각하는 단계 및 적어도 반사 전극의 일부가 제 1, 제 2 및 제 3 부분 중에서 적어도 제 3 부분 상에 존재하는 방식으로 반사 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따라서, 감광 막을 패터닝하는 단계에서, 감광 막이 감광 막의 제 1, 제 2 및 제 3 부분(제 1 부분은 게이트 전극에 해당하며, 제 2 부분은 게이트 버스에 해당하고 제 3 부분은 제 1 및 제 2 부분과 다르다)이 잔존하는 방식으로 패터닝된다. 또한, 식각 단계에서, 제 1 막은 식각 마스크로서 감광 막의 제 1, 제 2 및 제 3 부분을 이용하여 식각되어, 게이트 전극 및 게이트 버스가 제 1 막으로부터 형성될 수 있다. 이후, 반사 전극을 형성하는 단계에서, 반사 전극은 제 1, 제 2 및 제 3 부분을 제거하지 않고 형성된다. 그러므로, 반사 전극의 형태는 제 1, 제 2 및 제 3 부분의 형태에 따라 조정될 수 있어서, 리세스 또는 돌출부를 가진 반사 전극을 제공하는 것이 가능하다.
앞서 설명된 바와 같이, 본 발명에서, 감광 막은 게이트 전극 및 게이트 버스를 형성하기 위한 식각 마스크로서 이용되며 반사 전극에 리세스 및 돌출부를 제공하기 위해서 또한 이용된다. 즉 게이트 전극 및 게이트 버스를 형성하기 위한 식각 마스크로서 이용되는 부재 및 반사 전극에 리세스 또는 돌출부를 제공하기 위한 다른 부재가 동일한 감광 막으로부터 형성된다. 그러므로, 서로다른 감광 막으로부터, 게이트 전극 및 게이트 버스를 형성하기 위한 식각 마스크로서 이용되는 부재 및 반사 전극에 리세스 또는 돌출부를 제공하기 위한 다른 부재를 형성할 필요가 없어서, 제조 단계의 수 및 제조 비용이 감소될 것이다.
본 발명에서, 제 3 부분은 미리결정된 영역에서 스캐터링된(scattered) 복수의 부품(part)를 포함할 수 있거나 미리결정된 영역에서 복수의 홀(hole)을 포함할 수 있다.
앞서 설명된 제 3 부분을 구성하면, 반사 전극은 리세스 또는 돌출부를 구비할 수 있다.
또한, 본 발명에서, 제 2 부분의 에지는 곡선 형태부(curved form)를 포함할 수 있다.
제 2 부분에 곡선 형태부를 제공하여, 반사 전극의 반사 특성이 추가로 향상될 수 있다.
본 발명의 액정 디스플레이 디바이스는 TFT 및 리세스 또는 돌출부를 가지는 반사 전극이 미리결정된 영역에 형성되는 기판을 포함하는 액정 디스플레이 디바이스이며, 여기서 반사 전극은 청구항 1 내지 4 중 임의의 한 항에 청구된 바와 같은 방법을 이용하여 형성된다.
또한, 본 발명의 액정 디스플레이 디바이스에서, 제 3 부분은 반사 전극 아래에 존재할 수 있으며 제 1 막의 물질은 제 3 부분 아래에 존재할 수 있다.
또한, 본 발명의 액정 디스플레이 디바이스에서, 반사 전극 아래에 위치되는, 게이트 버스의 적어도 일부의 에지는 곡선 형태부를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 TFT 및 리세스 및 돌출부를 가지는 반사 전극이 미리결정된 영역에서 형성되는 기판에 관한 것이며, 이 기판은 추가로:
TFT 의 게이트 전극을 형성하는 제 1 부분, 게이트 버스를 형성하는 제 2 부분 및 상기 제 1 부분 및 제 2 부분과 다르며 미리결정된 영역에 적어도 형성되는 제 3 부분을 포함하기 위해 패터닝되는 제 1 막과;
제 1 막을 구비하는 기판 위에 제공되며, 제 1 감광부, 제 2 감광부 및 제 3 감광부를 포함하기 위해 패터닝되는 감광 막으로서, 제 1 부분은 제 1 감광부에 의해 마스킹되며 이 제 1 감광부에 정렬되며, 제 2 부분은 제 2 감광부에 의해 마스킹되며 이 제 2 감광부에 정렬되고 제 3 부분은 제 3 감광부에 의해 마스킹되며 이 제 3 감광부에 정렬되는, 감광 막과;
감광 막을 구비하는 기판상에 제공되는 반사 전극으로서, 미리결정된 영역에서 리세스 또는 돌출부를 가지는 반사 전극 및 이러한 반사 전극을 포함하는 액정 디스플레이 디바이스를 형성하기 위해서 상기 제 1, 제 2 및 제 3 감광부 중 적어도 제 3 감광부 및 제 3 감광부에 인접한 기판 영역을 커버하는 반사 전극을 포함한다.
이후, 본 발명의 실시예가 설명될 것이다.
도 1은 TFT 및 반사 전극이 본 발명에 따르는 방법의 실시예에 따라서 형성되는 TFT 기판 어셈블리의 평면도이다. 도 2 는 도 1의 라인 I-I 을 따라서 절단된 어셈블리의 횡단면도이다.
이후, 도 1 및 2 에 도시된 TFT 기판 어셈블리를 제조하는 방법이 도 3 내지 12를 참조하여 설명될 것이다.
도 3은 게이트 절연막(6)이 기판 위에 형성된 직후의 기판의 평면도이다. 도 4 는 도 3의 라인 Ⅱ-Ⅱ을 따라서 절단된 기판의 횡단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 소스 전극(2), 드레인 전극(3), 소스 버스(4), 예컨대 a-Si:H{수소화 비정질 실리콘(hydrogenated amorphous silicon)}의 반도체 층(5) 및 게이트 절연막(6)이 기판(1)위에 형성된다. 각 드레인 전극(3) 쌍을 노광하기 위한 직사각형 윈도우(6a)(도 3 참조)가 게이트 절연막(6)에 형성된다. 게이트 절연막(6)을 형성한 후에, 게이트 전극 및 게이트 버스를 위한 금속막이 형성된다(도 5 참조).
도 5는 금속막이 형성된 기판의 횡단면도이다.
예컨대, Al(알루미늄)막이 금속막(7)으로서 이용될 수 있다. 금속막(7)을 형성한 후, 감광막이 금속막(7)을 패터닝하지 않고 형성된다(도 6 참조).
도 6은 감광막이 형성되는 기판의 횡단면도이다.
감광막(8)은 본 실시예에서 금속막(7)과 직접적으로 접촉하지만, 다른 막은감광막(8)과 금속막(7) 사이에 삽입될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이 감광막(8)을 형성한 후, 감광막(8)이, 감광막(8)을 광에 노광시켜 이를 현상하여, 패터닝된다(도 7 및 8 참조).
도 7은 감광막(8)이 패터닝된 이후의 기판의 평면도이다. 도 8은 도 7의 라인 Ⅲ-Ⅲ을 따라서 절단된 기판의 횡단면도이다.
감광막(8)의 일부는 감광막(8)을 현상하여 제거되어 부분(81,82 및 83)은 남는다. 부분(81)은 (도 10을 참조하여) 이후 설명되는 게이트 전극(71)에 해당하는 금속막(7)의 일부 위에 남는다. 부분(81)은 y 방향으로 확장하기 위해 남는다(도 7 참조). 부분(82)은 (도 10을 참조하여) 이후 설명되는 게이트 버스(72)에 해당하는 금속막(7)의 일부 위에 남는다. 부분(82)은 x 방향으로 확장하기 위해서 남는다(도 7 참조). 남아있는 부분(82)의 에지(82a)는 평면도에서 파동 형태로 형성된다(도 7 참조). 파동 형태로 에지(82a)를 형성하기 위한 이유가 이후 설명될 것이다. 부분(81 및 82)은 분리되지 않고 서로 연결되어 남아 있다. 남아있는 부분(83)은 각각 일반적으로 반구 형태를 가지며 기판 위에 분포되어 있다. 남아있는 부분(83)은 (도 2를 참조하여) 이후 설명되는 반사 전극(100)에 돌출부(10c)를 제공하는 역할을 한다. 부분(83)은 남아있는 부분(81 및 82)으로부터 분리되어 남아있다. 다음으로, 금속막(7)은 식각 마스크로서 남아있는 부분(81, 82 및 83)을 이용하여 식각될 것이다(도 9 및 10 참조).
도 9는 금속막(7)이 식각된 이후의 기판의 평면도이다. 도 10은 도 9의 라인 Ⅳ-Ⅳ을 따라서 절단된 기판의 횡단면도이다.
금속막(7)이 식각될 때, 도 10에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(71)은 남아있는 부분(81) 아래에 형성되는 반면 게이트 버스(72)는 남아있는 부분(82) 아래에 형성되어 있다. 남아있는 부분(82)의 에지(82a)는 파동 형태를 가지므로, 게이트 버스(72)의 에지 또한 파동 형태로 형성된다. 금속막(7) 물질로 이루어진 금속조각(73)은 각각 남아있는 부분(83) 아래에 남아 있다. 각 남아있는 부분(83)은 남아있는 부분(81 및 82)으로부터 분리되어 있으므로, 각 남아있는 부분(83) 아래에 남아있는 금속 조각(73)은 게이트 전극(71) 및 게이트 버스(72)로부터 분리된다. 이러한 방식으로, 게이트 전극(71), 게이트 버스(72) 및 금속 조각(73)은, 각각, 남아있는 부분(81, 82 및 83) 아래에 형성되어 있다. 본 실시예에서, 부분(83)은 (도 2를 참조하여) 앞서 설명된 반사 전극(100)에 돌출부(10c)를 제공하기 위해 남아있다. 그러므로, 금속막(7)이 식각될 때, 남아있는 부분(83)은 식각 마스크로서 역할을 하므로, 복수의 금속 조각(73)이 형성된다. 그러나, 남아있는 부분(83)은 금속조각(73)을 형성하기 위해 남아있지 않으며 각각의 금속조각(73)은 남아 있는 부분(83)의 존재 때문에 형성되는 단순 부산물이며, 이 금속 조각(73)은 TFT 의 동작에 기여하지 않는다는 것에 주목해야 한다. 본 실시예에서, 단지 게이트 전극(71), 게이트 버스(72) 및 금속 조각(73)이 금속 막(7)으로부터 형성될지라도, 각 픽셀 영역에 저장 커패시턴스를 각각 제공하기 위한 전극은 금속막(7)으로부터 추가로 형성될 수 있다.
앞서 설명된 바와 같이 금속막(7)을 식각한 후, 감광막이 형성된다(도 11 참조).
도 11은 감광막이 형성된 기판의 횡단면도이다.
감광막(9)은 드레인 전극(3)의 일부를 노광하기 위한 윈도우(9d)를 포함한다. 남아있는 부분(81, 82 및 83)이 감광막(9)아래에 형성되어 있으므로, 감광막(9)은 남아있는 부분(81, 82 및 83)의 형태를 반영하는, 돌출부(9a, 9b 및 9c)를 가진 표면에서 형성된다. 이러한 돌출부(9a, 9b 및 9c)에 의해, 완만한 기복(gentle undulation)이 감광막(9)의 전체 표면 위에 형성된다. 감광막(9)을 형성한 후, 반사 전극막은 감광막(9)을 커버하기 위해 형성된다(도 12 참조).
도 12는 반사 전극막(10)이 형성된 기판의 횡단면도이다.
윈도우(9d)(도 11 참조)는 감광막(9)에 형성되므로, 반사 전극막(10)은 드레인 전극(3)에 연결된다. 감광막(9)은 반사 전극막(10) 아래에 형성되므로, 반사 전극막(10)은 돌출부(9a, 9b 및 9c)(도 11 참조)의 형태를 반영하여, 반사 전극막(10)은 돌출부(10a, 10b 및 10c)를 가진다. 이러한 돌출부(10a, 10b 및 10c)에 의해서, 완만한 기복이 반사 전극막(10)의 전체 표면 위에 형성된다. 앞서 설명된 바와 같이 반사 전극막(10)을 형성한 후, 반사 전극막(10)은 리소그래피 단계를 수행하여 픽셀 영역으로 분할되어, 돌출부(10a, 10b 및 10c)를 포함하는 (해칭으로 도시된) 반사 전극(100)이 도 1 및 2에 도시된 바와 같이 각 픽셀에 형성된다. 반사 전극(100)에 돌출부를 제공하면, 반사 전극(100)에 원하는 반사 특성을 제공하는 것이 가능해진다. 본 실시예에서, 각 반사 전극(100)은 남아있는 부분(83)이 형성되는 영역뿐만 아니라 남아있는 부분(81 및 82)이 형성되는 영역 위에 확장하기 위해 형성되지만(도 2 참조), 반사 전극(100)은, 예컨대, 남아있는 부분(83)이 형성되는 영역 위에서만 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 부분(81, 82 및 83)은 감광 막(8)을 패터닝하여 남아있으며 금속 막(7)은 식각 마스크로서 남아있는 부분(81, 82 및 83)을 이용하여 식각된다. 남아있는 부분(81 및 82)을 식각 마스크로서 역할을 하게 함으로서, 게이트 전극(71) 및 게이트 버스(72)가 형성되며, 남아있는 부분(83)을 식각 마스크로서 역할을 하게 함으로서, 금속 조각(73)이 형성된다. 각 남아있는 부분(83)이 남아있는 부분(81 및 82)으로부터 분리되므로, 각 금속 조각(73)은 게이트 전극(71) 및 게이트 버스(72)로부터 분리된다. 남아있는 부분(81, 82 및 83)은 제거되지 않으며 남아있는 부분(81, 82 및 83)을 커버하기 위해서 감광막(9)이 형성되고, 이후 반사 전극막(10)은 감광막(9) 위에 형성된다. 반사 전극막(10)은 감광막(9)의 형태를 따르며 이로 인해 돌출부(10a, 10b 및 10c)를 가진다. 앞서 설명된 바와 같이, 본 실시예에서, 감광막(8)이 식각될 때, 반사 전극(100)에 돌출부를 제공할 때 역할을 하는 각 남아있는 부분(83)이 각각 게이트 전극(71) 및 게이트 버스(72)를 형성하기 위한 식각 마스크로서 역할을 하는 남아있는 부분(81 및 82)에 추가로 또한 형성된다. 그러므로, 서로다른 감광막으로부터, 게이트 전극(71) 및 게이트 버스(72)를 형성하기 위한 식각 마스크로서 이용되는 부재 및 반사 전극(100)에 돌출부를 제공하기 위한 다른 부재를 형성할 필요가 없으므로, 제조 단계의 수 및 제조 비용이 감소할 것이다. 이후, 제조 단계 수 및 제조 비용이 감소되는 방식이 종래 방식과 비교하여 설명될 것이다.
도 13은 TFT 및 반사 전극이 형성되는 종래 기판의 횡단면도이다.
종래 방법은 게이트 전극 및 게이트 버스를 위한 금속 막이 형성된 후, 금속 막이 게이트 전극(71) 및 (미도시된) 게이트 버스를 형성하기 위한 리소그래피 단계를 수행하여 패터닝되고, 감광막이 형성된 후, 복수의 부분(800)이 감광막을 광에 노광시켜 이를 현상하여 남아있게 된다. 그러므로, 금속 막을 패터닝하기 위한 식각 마스크 및 반사 전극(100)에 돌출부를 제공하기 위한 남아있는 부분(800)이 서로다른 감광막으로부터 형성되어야 필요가 있다. 대조적으로, 본 발명에 따르는 실시예에서, 각각 게이트 전극(71) 및 게이트 버스(72)를 형성하기 위한 식각 마스크로서 역할을 하는 남아있는 부분(81 및 82), 및 반사 전극(100)에 돌출부를 제공할 때 역할을 하는 남아있는 부분(83)은 동일한 감광막(8)으로부터 형성된다. 그러므로, 제조 단계의 수 및 제조 비용이 본 발명에서 감소된다는 것이 이해될 것이다.
본 실시예에서, 남아있는 부분(82)의 에지(82a)는 파동 형태로 형성된다. 에지(82a)를 파동 형태로 형성하면, 반사 전극(100)의 돌출부(10b)의 형태는 에지(82a)의 파동 형태를 반영하므로, 반사 전극(100)의 반사 특성은 추가로 향상될 수 있다. 남아있는 부분(82)의 에지(82a)는 반사 전극이 원하는 반사 특성을 획득할 수 있다면 파동 형태 대신에 직선 형태를 가질 수 있다는 것이 주목된다.
본 실시예에서, 금속막(7)은 단일 층 구조로 이루어지지만, 이 금속막(7)은 Al(알루미늄) 막 / Mo(몰리브덴) 막과 같은 복수의 층으로 이루어지는 멀티층 구조로 이루어 질 수 있다. 막(7)을 멀티층 구조로 형성하면, 게이트 전극(71) 및 게이트 버스(72)가 두 개 이상의 층을 가지는 멀티층 구조를 포함하는 것이 가능해진다.
본 실시예에서, 남아있는 부분(83)은 반구형태로 형성되지만, 부분(83)은 반구 형태 이외의 다른 형태로 형성될 수 있다. 이후, 남아있는 부분이 반구 형태 이외의 다른 형태로 형성되는 하나의 예가 도 14를 참조하여 설명된다.
도 14는 남아있는 부분(830)이 메시 패턴을 가지는 기판의 평면도이다.
메시 패턴에서 남아있는 부분(830)을 형성하기 위해서, 감광막(8)이 형성된 이후(도 6 참조), 복수의 홀(830a)이 감광막(8)에 형성될 수 있다. 이러한 방식으로, (해칭에 의해 도시된) 메시 패턴을 가지는 남아있는 부분(830)은 남아있는 부분(81 및 82)에 추가로 형성된다. 복수의 홀(830a)을 가지는 남아있는 부분(830)이 복수의 반구 형태인 남아있는 부분(83)이 분포되게 하는 대신에 형성되는 경우에, 반사 전극(100)은 복수의 홀(830a) 형태를 반영하므로, 전극(100)은 돌출부(10c) 대신에 리세스를 가진다(도 12 참조). 반사 전극(100)에 리세스를 제공하면, 반사 전극(100)에 원하는 반사 특성을 제공하는 것이 또한 가능하다. 남아있는 부분(830)은 도 14에서 남아있는 부분(81 및 82)으로부터 분리되도록 형성되지만, 남아있는 부분(830)은, 예컨대, 남아있는 부분(82)에 연결되도록 형성될 수 있다.
본 발명에 따라서, 제조 단계의 감소된 수 및 감소된 비용으로 리세스 및 돌출부를 포함하는 전극 및 TFT를 형성하는 방법 및 이러한 방법이 적용되는 액정 디스플레이 디바이스가 제공된다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 박막 트랜지스터 및 미리결정된 영역에 리세스또는 돌출부를 가지는 반사 전극을 형성하는 방법에 관한 것이며 또한 상기 방법이 적용되는 액정 디스플레이 디바이스에 이용가능하다.

Claims (9)

  1. 미리결정된 영역에서 리세스(recess) 또는 돌출부를 가지는 반사 전극 및 TFT를 형성하는 방법으로서, 제 1 막을 처리하여 적어도 게이트 전극 및 게이트 버스를 형성하는 상기 방법에 있어서,
    상기 제 1 막을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 막 위에 감광막을 형성하는 단계와;
    상기 감광 막의 제 1 부분, 제 2 부분 및 제 3 부분이 남아있는 방식으로 상기 감광막을 패터닝하는 단계로서, 상기 제 1 부분은 상기 게이트 전극에 해당하며, 상기 제 2 부분은 상기 게이트 버스에 해당하고, 상기 제 3 부분은 상기 제 1 및 제 2 부분과 서로다른 패터닝 단계와;
    마스크로서 상기 제 1, 제 2 및 제 3 부분을 이용하여 상기 제 1 막을 식각하는 단계와;
    적어도 상기 반사 전극의 일부가 상기 제 1, 제 2 및 제 3 부분 중에서 적어도 상기 제 3 부분 위에 존재하는 방식으로 상기 반사 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 리세스 또는 돌출부를 가지는 반사 전극 및 TFT를 형성하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 부분은 상기 미리결정된 영역에 스캐터링된(scattered) 복수의 부분을 포함하는, 리세스 또는 돌출부를 가지는 반사 전극 및 TFT를 형성하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 부분은 상기 미리결정된 영역에 복수의 홀을 포함하는, 리세스 또는 돌출부를 가지는 반사 전극 및 TFT를 형성하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 부분의 에지는 곡선 형태부를 포함하는, 리세스 또는 돌출부를 가지는 반사 전극 및 TFT를 형성하는 방법.
  5. 리세스 또는 돌출부를 가지는 반사 전극 및 TFT 가 미리결정된 영역에 형성되는 기판을 포함하는 액정 디스플레이 디바이스로서,
    상기 반사 전극은 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 상기 방법을 이용하여 형성되는, 액정 디스플레이 디바이스.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 3 부분은 상기 반사 전극 아래에 존재하며, 상기 제 1 막의 물질은 상기 제 3 부분 아래에 존재하는, 액정 디스플레이 디바이스.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 반사 전극 아래에 위치하는, 상기 게이트 버스의 적어도 일부의 에지는 곡선 형태부를 포함하는, 액정 디스플레이 디바이스.
  8. 리세스 또는 돌출부를 가지는 반사 전극 및 TFT가 미리결정된 영역에 형성되는 기판으로서,
    TFT 의 게이트 전극을 형성하는 제 1 부분, 게이트 버스를 형성하는 제 2 부분 및 상기 제 1 부분 및 제 2 부분과 다르며 미리결정된 영역에 적어도 형성되는 제 3 부분을 포함하도록 패터닝되는 제 1 막과;
    제 1 막을 구비하는 기판 위에 제공되며, 제 1 감광부, 제 2 감광부 및 제 3 감광부를 포함하도록 패터닝되는 감광 막으로서, 상기 제 1 부분은 상기 제 1 감광부에 의해 마스킹되며 상기 제 1 감광부에 정렬되고, 상기 제 2 부분은 상기 제 2 감광부에 의해 마스킹되며 상기 제 2 감광부에 정렬되고 상기 제 3 부분은 상기 제 3 감광부에 의해 마스킹되며 상기 제 3 감광부에 정렬되는, 감광 막과;
    감광 막을 구비하는 기판상에 제공되는 반사 전극으로서, 미리결정된 영역에서 리세스 또는 돌출부를 가지는 상기 반사 전극을 형성하도록 상기 제 1, 제 2 및 제 3 감광부 중 적어도 상기 제 3 감광부 및 상기 제 3 감광부에 인접한 기판 영역을 커버하는 반사 전극을 추가로 포함하는, 기판.
  9. 제 8 항에 기재된 기판을 포함하는 액정 디스플레이 디바이스.
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