KR20030013203A - 반도체 성형장치 및 이 장치의 리드 프레임 안착불량감지방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 칩이 실장된 리드 프레임이 성형이 이루어지는 성형금형에 안착됨에 있어서, 성형조건에 맞는 지정된 위치에 정확하게 안착되지 못했을 경우 이를 감지하여 성형이 이루어지기 전에 장치를 미연에 정지시키도록 한 반도체 성형장치 및 이 장치의 리드 프레임 안착불량 감지방법에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명 반도체 성형장치는 램 포트가 형성된 포트 블럭과 포트 블럭의 좌우에 형성되며 리드 프레임이 안착되는 몰딩 블럭을 포함하는 하부금형과, 하부금형이 결합된 하부몸체와, 하부금형에 대응되도록 소정 간격 이격된 상부금형과, 상부금형이 결합된 상부몸체 및 제어부를 포함하는 반도체 성형장치에 있어서, 상기 하부금형에는 리드 프레임이 몰딩 블럭에 안착시 리드 프레임의 안착불량 여부를 감지하는 리드 프레임 안착불량 감지수단이 더 포함된다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 반도체 성형장치는 리드 프레임의 두께나 리드 프레임의 이탈방향에 관계없이 리드 프레임의 안착불량 여부를 사전에 감지가 가능하여 종래 리드 프레임을 감지하지 못하여 발생되었던 여러가지 문제를 모두 해결할 수 있기 때문에 반도체 제조수율을 크게 향상 시킬 수 있다.

Description

반도체 성형장치 및 이 장치의 리드 프레임 안착불량 감지방법{Semiconductor molding apparatus and lead frame setting error detecting method thereof}
본 발명은 반도체 성형장치 및 이 장치의 리드 프레임 안착불량 감지방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 칩(Chip)이 실장된 리드 프레임이 성형이 이루어지는 성형금형에 안착됨에 있어서, 성형조건에 맞는 지정된 위치에 정확하게안착되지 못했을 경우 이를 감지하여 성형이 이루어지기 전에 성형장치를 미연에 정지시키도록 한 반도체 성형장치 및 이 장치의 리드 프레임 안착불량 감지방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정은 순수 실리콘 웨이퍼(Wafer)상에 다수개의 반도체 칩을 형성시키는 FAB(Fabrication) 공정, 웨이퍼상에 형성된 다수개의 반도체 칩을 전기적으로 검사하여 양품과 불량품을 선별하는 EDS(Electrical Die Sorting) 공정 그리고, 양품 칩만을 개개로 분리시켜 칩이 전기적ㆍ물리적 특성을 지닐 수 있도록 패키지(Package) 상태로 형상화 시켜주는 어셈블리(Assembly) 공정 및 패키지된 제품을 테스트(Test)하는 테스트 공정으로 구성된다.
이와 같은 반도체 제조공정 중에서 어셈블리 공정은 패키지 공정이라고도 하며, 양품 반도체 칩을 분리하여 리드 프레임의 패드(Pad)에 실장하는 다이 어탯치(Die attach) 공정, 반도체 칩과 리드 프레임의 리드를 전기적으로 연결하는 와이어 본딩(Wire bonding) 공정, 반도체 칩과 그에 전기적으로 연결된 부분을 성형수지 등으로 봉지하는 몰딩(Molding) 공정 및 외부 리드를 실장형태에 적합하도록 소정 형태로 성형하는 폼(Form) 공정 등을 포함한다.
여기에서, 몰딩 공정은 반도체 칩 패키지의 외형에 적합한 형태의 캐버티(Cavity)가 형성된 성형금형의 지정된 위치에 반도체 칩이 실장된 리드 프레임이 정확히 안착되도록 한 후 성형수지인 에폭시 몰드 컴파운드(Epoxy Mold Compound)를 액체상태로 용융시킨 다음 그대로 캐버티로 공급하여 경화시킴으로써 반도체 칩과 그에 전기적으로 연결된 부분이 성형수지에 의해 봉지되도록 하는 공정으로, 반도체 성형장치에 의해 수행된다.
이에, 이러한 몰딩 공정을 통해 성형수지로 봉지된 반도체 칩은 성형수지재가 반도체 칩의 외관을 형성하고 있기 때문에 외부의 충격으로부터 적절히 보호되고 있다.
그러나, 이러한 몰딩 공정을 안정적으로 진행시키기 위해서는 리드 프레임을 성형수지로 봉지하는 성형작업 전에 리드 프레임이 성형 조건에 맞게 지정된 위치에 정확히 안착되었는지를 미연에 감지하는 감지작업이 선행되어야 하는 바, 종래 반도체 성형장치에는 이러한 리드 프레임이 지정된 위치에 정확히 안착되었는지를 사전에 감지하는 감지기능이 필수적으로 구비되고 있는 실정이다.
이하, 이를 구현한 종래 반도체 성형장치의 일예를 도 1을 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 반도체 성형장치 중 칩을 봉지하는데 사용되는 성형금형(90)의 일예를 도시한 것으로, 도시된 바와 같이 종래 반도체 성형장치의 성형금형(90)은 크게 상부몸체(80)와, 하부몸체(70) 그리고, 상부몸체(80)에 결합된 상부금형(60) 및 하부몸체(70)에 결합된 하부금형(50)으로 구성된다.
여기에서, 상부몸체(80)의 일측에는 근접센서(Sensor,65)가 설치되고, 이 근접센서(65)에 대응되는 부분의 하부몸체(70)에는 감지 플레이트(Plate,57)가 설치된다.
그리고, 하부금형(50)에는 리드 프레임(20)이 안착되는 바, 리드 프레임(20)이 지정된 위치에 정확히 안착되도록 위치를 가이드(Guide)해주는 로케이션핀(Location fin,53)이 하부금형(50)의 가장자리 부분에 다수개 설치되며, 하부금형(50)의 중앙 부분에는 리드 프레임(20)이 안착된 후 이에 EMC와 같은 성형수지가 공급되도록 하는 포트 블럭(Port block,55)이 설치된다.
이상과 같이 구성된 종래 반도체 성형장치의 성형금형(90)은 선행공정을 수행하고 반도체 칩이 실장된 리드 프레임(20)이 하부금형(50)에 안착될 경우 이 리드 프레임(20)에 성형수지를 공급하기에 앞서 먼저 리드 프레임(20)이 성형조건에 맞는 하부금형(50)의 지정된 위치에 정확히 안착되었는지를 감지하게 된다.
이때, 이러한 리드 프레임(20)의 안착불량을 감지하는 감지수단으로 종래 반도체 성형장치에서는 성형금형(90)의 근접센서(65)와 감지 플레이트(57)가 이 역할을 하게 된다. 즉, 성형금형(90)의 근접센서(65)는 리드 프레임(20)이 하부금형(50)에 안착될 경우 리드 프레임(20)이 성형조건에 맞게 하부금형(50)의 지정된 위치에 정확히 안착되었는지의 여부를 감지 플레이트(57)를 감지함으로써 판단하게 된다.
구체적으로 종래 성형금형(90)은 리드 프레임(20)이 하부금형(50)에 안착되면 상부몸체(80) 및 하부몸체(70)에 1차 가압을 진행하게 되는데 이때, 근접센서(65)는 1차 가압후에 감지 플레이트(57)를 감지하여 이 감지 플레이트(57)와 근접센서(65)가 이루는 갭(Gap,도 1의 C)의 크기에 따라 리드 프레임(20)이 하부금형(50)에 정확히 안착되었는지 아니면 안착불량인지를 판단하게 된다.
그러나, 이와 같은 방법으로 리드 프레임(20)의 안착불량을 감지하는 종래 반도체 성형장치는 도 1의 A와 같이 리드 프레임(20)이 로케이션 핀(53)이 위치한방향으로 이탈될 때에는 감지하지 못하고, 도 1의 B와 같이 리드 프레임(20)이 포트 블럭(55)이 위치한 방향으로 이탈될 때에만 감지가 가능할 뿐만 아니라 리드 프레임(20)이 포트 블럭(55) 방향으로 이탈되어 안착불량이 감지되었을 때에는 이미 리드 프레임(20)의 일측 사이드 레일(Side rail)이 심하게 손상되어버린 후라는 문제점이 발생된다.
또한, 현재 사용중인 리드 프레임(20)의 두께는 10mm, 8mm, 6mm, 5mm 등을 사용하고 있기 때문에 이러한 리드 프레임(20)이 포트 블럭(55) 방향으로 이탈되어 상부금형(60)과 하부금형(50) 사이의 갭을 더 벌어지게 한다고 해도 근접센서(65)에는 한계가 있어 이러한 갭의 근소한 차이를 감지하지 못하게 되는 문제점이 있다.
또, 이상과 같은 근소한 차이의 갭까지도 감지가 가능하도록 근접센서(65)를 최대 0.3mm 이상의 레벨(Level)에서도 민감하게 동작되도록 설정할 경우, 선행 성형작업 후 금형에 잔존하는 성형수지의 찌꺼기에 의해서도 리드 프레임(20)이 안착불량인 것으로 감지하게 되어 오동작을 유발하게 되는 문제점이 발생된다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 리드 프레임의 두께뿐만 아니라 리드 프레임의 이탈방향에도 관계없이 리드 프레임이 하부금형의 지정된 위치에서 이탈될 경우 이를 사전에 감지가능한 반도체 성형장치 및 이 장치의 리드 프레임 안착불량 감지방법을 제공함에 있다.
도 1은 종래 반도체 성형장치에 사용되는 성형금형의 일예를 도시한 정면도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 성형장치의 일실시예를 도시한 구성도.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 성형장치의 성형금형을 도시한 사시도.
도 4는 도 3의 D-D 부분을 도시한 단면도.
도 5 는 본 발명에 따른 성형금형에 리드 프레임이 정확히 안착된 것을 도시한 평면도.
도 6은 본 발명에 따른 성형금형에 리드 프레임 안착불량이 발생된 것을 도시한 평면도.
이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 반도체 성형장치는 램 포트(Ram port)가 형성된 포트 블럭과 포트 블럭의 좌우에 형성되며 리드 프레임이 안착되는 몰딩 블럭을 포함하는 하부금형과, 하부금형이 결합된 하부몸체와, 하부금형에 대응되도록 소정 간격 이격된 상부금형과, 상부금형이 결합된 상부몸체 및 제어부를 포함하는 반도체 성형장치에 있어서, 상기 하부금형에는 리드 프레임이 몰딩 블럭(Mold block)에 안착시 리드 프레임의 안착불량 여부를 감지하는 리드 프레임 안착불량 감지수단이 더 포함되는 것을 특징으로 한다.
나아가, 상기 리드 프레임 안착불량 감지수단은 몰딩 블럭과 포트 블럭에 근접하게 설치되며 몰딩 블럭과 포트 블럭과는 상호 절연되게 설치되는 디텍트 블럭(Detect block)과, 디텍트 블럭에 일측 단부가 연결되며 타측 단부는 제어부에 연결되는 연결부재로 구성되는 것을 특징으로 한다.
더 나아가, 상기 연결부재는 디텍트 블럭에 연결되는 연결 블럭과, 연결블럭에 일 단부가 연결되며, 타 단부는 제어부에 연결되는 디텍트 와이어(Detect wire) 인것을 특징으로 한다.
또한, 상기 디텍트 블럭은 하부금형의 전ㆍ후 양 단부에 설치되며, 포트 블럭 및 몰딩 블럭과 디텍트 블럭 사이에는 절연체가 끼워지는 것을 특징으로 한다.
한편, 이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명 반도체 성형장치의 리드 프레임 안착불량 감지방법은 램 포트가 형성된 포트 블럭과 포트 블럭의 좌우에 형성되며 리드 프레임이 안착되는 몰딩 블럭과 포트 블럭 및 몰드 불럭에 상호 절연되게 설치되는 디텍트 블럭을 포함하는 하부금형과, 디텍트 블럭에 일측 단부가 연결되며 타측 단부는 제어부에 연결된 디텍트 와이어를 포함하는 반도체 성형장치의 리드 프레임 안착불량 감지방법에 있어서, 리드 프레임이 몰딩 블럭에 안착되는 단계와, 리드 플레임이 몰딩 블럭의 지정된 위치에서 이탈될 경우 리드 프레임이 스위치 역할을 하여 디텍트 블럭과 몰딩 블럭이 상호 통전되는 상태로 변환되는 단계와, 디텍트 블럭과 몰딩 블럭의 상호 통전 상태로 변환됨이 제어부에 전달되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여, 본 발명에 따른 반도체 성형장치(900)의 바람직한 일실시예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 성형장치(900)는 크게 로딩부(Loading Part)와 금형부 그리고, 언로딩부(Unloading part)와 제어부(700)로 구성되며, 선행 공정에 의해 반도체 칩이 실장된 리드 프레임(800)을 국부적으로 성형수지 등에 의해 봉지하는 역할을 한다.
이때, 로딩부는 다시 공정의 진행에 따라 리드 프레임(800)을 공급하는 리드 프레임 공급유닛(100)과, 공정의 진행에 따라 성형수지 덩어리를 공급하는 테블렛 유닛(Teblet unit,200)과, 리드 프레임 공급유닛(100) 및 테블렛 유닛(200)으로부터 리드 프레임(800)과 성형수지 덩어리를 각각 공급받아 금형부로 이송시키는 로더유닛(Loader unit,300)으로 구성된다.
또한, 금형부는 로더유닛(300)에 의해 이송되는 리드 프레임(800) 및 성형수지 덩어리가 안착되어 소정 패키지 형상으로 봉지되는 성형금형(400)과, 이러한 성형금형(400)이 구동되도록 공정의 진행에 따라 성형금형(400)을 적절히 가압 및 가열하는 구동유닛(미도시)으로 구성된다.
이때, 본 발명의 핵심부분인 성형금형(400)을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 성형금형(400)은 크게 하부몸체(420)와 상부몸체(460)로 나누어지며 로더유닛(300)에 의해 안착된 성형수지 덩어리를 용융시켜 리드 프레임(800)을 봉지하는 역할을 하는 바, 하부몸체(420)에는 리드 프레임(800) 및 성형수지 덩어리가 안착되는 하부금형(440)이 결합되고, 상부몸체(460)에는 이러한 하부금형(440)에 대응되며 한쌍을 이루는 상부금형(480)이 결합된다. 이때, 상부금형(480)은 하부금형(440)과 수직으로 이격되게 설치됨이 바람직하다.
도 3을 참조하여 하부금형(440)을 구체적으로 설명하면, 하부금형(440)은 다시 성형수지 덩어리가 안착되는 포트 블럭(444)과, 리드 프레임(800)이 안착되는 몰딩 블럭(441)과, 리드 프레임(800)이 몰딩 블럭(441)에 정확히 안착됐는지를 감지하는 리드 플레임 안착불량 감지수단으로 구성된다.
이때, 포트 블럭(444)은 하부금형(440)의 중앙에 길이방향을 따라 직사각형 형태로 돌출된 부분으로, 상면에 로더유닛(300)에 의해 이송되는 성형수지 덩어리가 안착되도록 램 포트(445)가 형성되며, 이 램 포트(445)의 주변에는 성형수지 덩어리가 액체 상태로 용융됐을 때 이 용융액이 후술될 캐버티(442)에 흘러들어가도록 하는 수로 형상의 러너(Runner,446)가 형성된다.
또한, 몰딩 블럭(441)은 하부금형(440) 중 중앙의 포트 블럭(444) 좌우에 해당하는 부분으로, 상면에 리드 프레임(800)에 실장된 다수개의 반도체 칩이 담겨지도록 소정 패키지 형상의 캐버티(442)가 다수개 형성된다. 이때, 이러한 캐버티(442)의 포트 블럭(444) 방향에는 포트 블럭(444)의 러너(446)와 연통되는 게이트(Gate,443)가 형성되며, 이 게이트(443)는 램 포트(445)로부터 유출되어 러너(446)로 흐르는 성형수지 용융액이 캐버티(442) 내로 유입되도록 하는 유입구 역할을 한다. 그리고, 몰딩 블럭(441)의 가장자리 부분에는 몰딩 블럭(441)에 리드 프레임(800)이 안착될 때 지정된 위치에 정확히 안착되도록 가이드 역할을 하는 로케이션 핀(451)이 다수개 돌출 형성된다.
한편, 리드 프레임 안착불량 감지수단은 리드 프레임(800)이 소정 방향으로 이탈되어 안착불량이 발생됐을 때 이 리드 프레임(800)을 감지하여 장치(900)의 성형작업이 중단되도록 신호를 발생시키는 역할을 하는 바, 리드 프레임(800)이 소정 방향으로 이탈됐을 때 이를 감지하는 디텍트 블럭(448)과, 이러한 디텍트 블럭(448)으로부터 신호를 전송받아 제어부(700)로 신호를 전달하는 연결블럭(447) 및 디텍트 와이어(450)로 구성된다.
먼저, 디텍트 블럭(448)은 하부금형(440) 중 전ㆍ후 양 단부에 해당하는 부분으로, 앞에서 설명한 포트 블럭(444)과 몰딩 블럭(441)은 이 디텍트 블럭(448)의 사이에 설치되게 된다. 이때, 디텍트 블럭(448)은 전기의 통전이 좋은 도전성 부재로 형성되며, 일면에 위치한 포트 블럭(444)과 몰딩 블럭(441) 그리고 밑면에 위치한 하부몸체(420)와는 상호 절연되게 설치된다. 따라서, 디텍트 블럭(448)과 포트 블럭(444) 그리고, 디텍트 블럭(448)과 몰딩 블럭(441) 또, 디텍트 블럭(448)과 하부몸체(420) 사이에는 도 4에 도시된 바와 같이 절연체(449)가 끼워지게 된다.
여기에서, 디텍트 블럭(448)과 포트 블럭(444) 그리고, 디텍트 블럭(448)과 몰딩 블럭(441) 또, 디텍트 블럭(448)과 하부몸체(420) 사이에 절연체(449)가 끼워지는 것은 본 발명의 일실시예일 뿐이며, 디텍트 블럭(448)이 몰딩 블럭(441)이나 포트 블럭(444) 그리고 하부몸체(420)와 절연될 수 있도록 이들과 접하는 부분에 절연부재가 형성되고, 이때 절연부재는 디텍트 블럭(448)과 일체로 형성되어도 본 발명에 따른 디텍트 블럭(448)의 범주에 벗어나지 않는다고 보아야 할 것이다.
또한, 연결 블럭(447)은 디텍트 블럭(448)과 같이 도전성 부재로 형성되고, 하부몸체(420) 일측에 설치되면서 하부금형(440)의 전ㆍ후 양단부에 설치된 디텍트 블럭(448)에 각각 연결되게 설치되며, 디텍트 블럭(448)이 제어부(700)와 전기적으로 통전가능하도록 연결해주는 역할을 한다. 그리고, 디텍트 와이어(450)는 라인(Line) 형상으로, 일측 단부가 연결 블럭(447)과 연결되고, 타측 단부는 제어부(700)와 연결되며, 연결 블럭(447)과 제어부(700)가 전기적으로 상호 통전되도록 하는 역할을 한다.
한편, 언로딩부는 금형부에서 성형작업이 완료된 리드 프레임(800)을 언로딩시키는 언로더 유닛(500)과, 이 언로더 유닛(500)에 의해 언로딩된 리드 프레임(800)을 순차적으로 적재하는 적재유닛(600)으로 구성된다.
또한, 제어부(700)는 반도체 성형장치(900)가 원활하게 구동되도록 반도체 성형장치(900)를 전반적으로 제어하는 역할을 하며, 특히, 리드 프레임 안착불량 감지수단이 리드 프레임(800)의 안착불량을 감지할 경우 성형장치(900)를 정지시켜 공정 진행을 임의로 중단시키는 역할을 한다.
이하, 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 성형장치(900)의 작용 및 효과와 이 성형장치(900)의 리드 프레임 안착불량 감지방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
선행 공정을 수행하여 반도체 칩이 실장된 리드 프레임(800)은 유저(User) 또는 이송장치(미도시)에 의해서 본 발명에 따른 반도체 성형장치(900)의 리드 프레임 공급유닛(100)에 적재되게 된다.
이에, 로더유닛(300)은 리드 프레임 공급유닛(100)으로부터 리드 프레임(800)을 공급받아 성형금형(400)의 몰딩 블럭(441)으로 이송시키게 되고, 동시에 테블렛 유닛(200)으로부터 성형수지 덩어리를 공급받아 성형금형(400)의 포트 블럭(444)에 있는 램 포트(445)로 이송시키게 된다. 이때, 포트 블럭(444)의 램 포트(445)는 약 180℃로 가열되어 있기 때문에 램 포트(445)에 안착되는 성형수지 덩어리는 바로 액체상태로 용융되게 된다.
그리고, 로더유닛(300)은 몰딩 블럭(441)에 리드 프레임(800)을 이송시킴에 있어서, 성형금형(400)의 성형조건에 맞게 몰딩 블럭(441)의 지정된 위치에 리드 프레임(800)이 정확히 안착되도록 해야 하는 바, 로더유닛(300)은 리드 프레임(800)을 몰딩 블럭(441)에 안착시킬 때 리드 프레임(800)에 형성된 사이드 레일 홀(Hole,850)이 몰딩 블럭(441)에 형성된 로케이션 핀(451)에 그대로 끼워지도록 하면서 리드 프레임(800)을 안착시키게 된다.
이후, 리드 프레임(800)이 성형금형(400)의 몰딩 블럭(441)에 완전히 안착되면, 구동유닛(미도시)은 성형금형(400)의 상부몸체(460) 또는 하부몸체(420)에 소정 크기의 힘, 즉 약 3톤(Ton)의 힘으로 가압하게 된다. 이에, 상부몸체(460)와 하부몸체(420)에 각각 결합된 상부금형(480) 및 하부금형(440)은 약 120토르(Torr)의 압력으로 밀착되게 된다.
이때, 구동유닛은 피스톤(Piston) 등으로 램 포트(445) 내의 용융된 성형수지 용융액을 램 포트(445) 외부로 밀어내게 된다. 이에, 성형수지 용융액은 램 포트(445)에 연결된 러너(446)를 따라서 게이트(443)로 이동된 다음, 최종적으로 하부금형(440)과 상부금형(480)이 이루는 캐버티(442) 내부로 유입되게 된다.
이후, 소정 시간이 지나가면, 캐버티(442) 내부에 유입된 성형수지 용융액은 경화되게 되고, 리드 프레임(800)의 반도체 칩은 봉지되어 소정 패키지 형상 즉 캐버티(442) 형상으로 성형되게 된다.
계속해서, 언로더 유닛(500)은 성형금형(400)에서 소정 패키지 형상으로 성형된 리드 프레임(800)을 적재유닛(600)으로 언로딩하게 되고, 몰딩공정은 종료하게 된다.
그러나, 이와 같은 공정에서 로더유닛(300)은 종종 리드 프레임(800)을 성형금형(400)의 지정된 위치에 정확히 안착시키지 못하고 지정된 위치에서 소정 거리만큼 이탈되게 이송시키거나 소정 각도로 비틀어지게 이송시키게 되며, 이에 리드 프레임(800)은 포트 블럭(444) 위에 걸쳐지거나 로케이션 핀(451)에 걸쳐지게 된다.
이때, 이러한 리드 프레임(800)이 몰딩 블럭(441)의 지정된 위치에서 소정 거리 및 소정 각도로 이탈되게 안착될 경우, 리드 프레임(800)의 일측 단부는 하부금형(440)의 전ㆍ후 양 단부에 설치된 디텍트 블럭(448) 중 적어도 한곳에 접촉되게 된다. 이때, 리드 프레임(800)은 전기가 통전되는 도전성 부재이므로 처음에 절연된 상태였던 디텍트 블럭(448)과 몰딩 블럭(441)은 이 리드 프레임(800)에 의해 통전 상태로 변환되게 된다. 즉, 리드 프레임(800)은 절연 상태를 통전 상태로 바꾸어주는 스위치(Switch) 역할을 하게된 것이다.
따라서, 디텍트 블럭(448)과 몰딩 블럭(441)이 상호 통전되는 상태로 변환되면, 디텍트 블럭(448)과 연결된 연결 블럭(447) 및 디텍트 와이어(450)는 이러한 통전상태를 신호로써 제어부(700)에 전송시키게 되고, 제어부(700)는 이와 같이 전송된 신호에 따라 리드 프레임(800)이 몰딩 블럭(441)의 지정된 위치에 정확히 안착되지 못하고 안착불량 상태임을 사전에 인지하여 성형장치(900)를 정지시키게 된다.
이와 같이, 본 발명의 반도체 성형장치(900)는 리드 프레임(800)이 안착되는 몰딩 블럭(441)의 전ㆍ후 양 단부에 디텍트 블럭(448)을 설치하되, 몰딩 블럭(441)과는 상호 절연되게 설치함으로써, 리드 프레임(800)이 몰딩 블럭(441)에 안착될 때 몰딩 블럭(441)과 디텍트 블럭(448)이 계속 절연상태가 유지되면 리드 프레임(800)은 몰딩 블럭(441)의 지정된 위치에 정확히 안착된 것이며, 본 발명의 반도체 성형장치(900)도 이와 같이 인식을 하여 공정을 계속 진행하게 된다.
또, 리드 프레임(800)이 몰딩 블럭(441)에 안착될 때 몰딩 블럭(441)과 디텍트 블럭(448)이 처음의 상호 절연된 상태에서 상호 통전되는 상태로 변환될 경우에는 리드 프레임(800)이 몰딩 블럭(441)의 지정된 위치에 정확히 안착되지 못하고소정 거리 및 소정 각도로 이탈되어 몰딩 블럭(441)과 디텍트 블럭(448)을 전기적으로 연결해주는 스위치 역할을 하게되는 것이며, 본 발명의 반도체 성형장치(900)도 이러한 상태 즉, 리드 프레임(800)이 안착불량 상태임을 인식하게 되고 공정을 임의로 정지시키게 된다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 성형장치(900)는 종래와는 달리 리드 프레임(800)의 두께나 리드 프레임(800)의 이탈방향에 관계없이 리드 프레임(800)이 몰딩 블럭(441)의 지정된 위치에서 이탈될 경우 이를 미연에 감지가능하기 때문에 종래 리드 프레임(20)을 감지하지 못하여 발생되었던 여러가지 문제를 모두 해결할 수 있어 반도체 제조수율을 크게 향상 시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 성형장치는 리드 프레임이 안착되는 몰딩 블럭의 전ㆍ후 양 단부에 디텍트 블럭을 설치하되 몰딩 블럭과는 상호 절연되게 설치한 다음, 리드 프레임 자체를 스위치 소자로써 활용함으로써 리드 프레임이 몰딩 블럭의 지정된 위치에 정확히 안착된 경우에는 계속해서 리드 프레임과 몰딩 블럭이 상호 절연되게 하고, 리드 프레임이 몰딩 블럭의 지정된 위치에 정확히 안착되지 못했을 경우에는 리드 프레임과 몰딩 블럭이 상호 통전되게 하기때문에 리드 프레임의 두께나 리드 프레임의 이탈방향에 관계없이 리드 프레임의 안착불량 여부를 사전에 감지가 가능하여 종래 리드 프레임을 감지하지 못하여 발생되었던 여러가지 문제를 모두 해결할 수 있기 때문에 반도체 제조수율을 크게 향상 시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 램 포트가 형성된 포트 블럭과 상기 포트 블럭의 좌우에 형성되며 리드 프레임이 안착되는 몰딩 블럭을 포함하는 하부금형과, 상기 하부금형이 결합된 하부몸체와, 상기 하부금형에 대응되도록 소정 간격 이격된 상부금형과, 상기 상부금형이 결합된 상부몸체 및 제어부를 포함하는 반도체 성형장치에 있어서,
    상기 하부금형에는 상기 리드 프레임이 상기 몰딩 블럭에 안착시 상기 리드 프레임의 안착불량 여부를 감지하는 리드 프레임 안착불량 감지수단이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 성형장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 리드 프레임 안착불량 감지수단은 상기 몰딩 블럭과 상기 포트 블럭에 근접하게 설치되며 상기 몰딩 블럭과 상기 포트 블럭과는 상호 절연되게 설치되는 디텍트 블럭과, 상기 디텍트 블럭에 일측 단부가 연결되며, 타측 단부는 상기 제어부에 연결되는 연결부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 성형장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 연결부재는 상기 디텍트 블럭에 연결되는 연결 블럭과, 상기 연결블럭에 일 단부가 연결되며, 타 단부는 상기 제어부에 연결되는 디텍트 와이어 인것을 특징으로 하는 반도체 성형장치.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 디텍트 블럭은 상기 하부금형의 전ㆍ후 양 단부에 설치되며, 상기 포트 블럭 및 상기 몰딩 블럭과 상기 디텍트 블럭 사이에는 절연체가 끼워지는 것을 특징으로 하는 반도체 성형장치.
  5. 램 포트가 형성된 포트 블럭과 상기 포트 블럭의 좌우에 형성되며 리드 프레임이 안착되는 몰딩 블럭과 상기 포트 블럭 및 상기 몰딩 불럭에 상호 절연되게 설치되는 디텍트 블럭을 포함하는 하부금형과, 상기 디텍트 블럭에 일측 단부가 연결되며 타측 단부는 제어부에 연결된 디텍트 와이어를 포함하는 반도체 성형장치의 리드 프레임 안착불량 감지방법에 있어서,
    상기 리드 프레임이 상기 몰딩 블럭에 안착되는 단계와;
    상기 리드 플레임이 상기 몰딩 블럭의 지정된 위치에서 이탈될 경우, 상기 리드 프레임이 스위치 역할을 하여 상기 디텍트 블럭과 상기 몰딩 블럭이 상호 통전되는 상태로 변환되는 단계와;
    상기 디텍트 블럭과 상기 몰딩 블럭의 상호 통전 상태로 변환됨이 상기 제어부에 전달되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 성형장치의 리드 프레임 안착불량 감지방법.
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