KR200239428Y1

KR200239428Y1 - 초박형반도체패키지제조용컬컷팅기능을갖는트랜스퍼몰딩장치

Info

Publication number: KR200239428Y1
Application number: KR2019950053422U
Authority: KR
Inventors: 권영준
Original assignee: 마이클 디. 오브라이언; 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
Priority date: 1995-12-29
Filing date: 1995-12-29
Publication date: 2001-11-30
Also published as: KR970046768U

Abstract

이 고안은 초박형 반도체 패키지 제조용 컬 컷팅 기능을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치에 관한 것으로서,

트랜스퍼 몰딩 장치의 탑몰드(Top Mold) 상방에 컷팅수단을 설치하여 패키지로 몰딩 완료된 리드프레임에 경화된 상태로 부착되어 있는 잉여수지, 구체적으로는, 몰드의 캐비티(Cavity)와 램포트(Ram Pot) 사이의 런너(Runner:용융된 수지를 각각의 캐비티 내로 주입시키기 위한 통로)에 경화된 상태로 잔류하는 수지 컬을 용이하게 제거할 수 있도록 한 초박형 반도체 패키지 제조용 컬 컷팅 기능을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치가 제공되며,

패키지가 몰딩 완료된 리드프레임의 캐비티 사이와 캐비티와 포트사이의 영역 등에 형성되는 잉여의 경화 수지인 잔류 컬을 용이하고도 간단하게 제거할 수가 있으므로, 생산성 향상 및, 반도체 패키지 제품의 전기적 회로 구성부품의 손상을 방지하여 제품의 신뢰성 향상을 이룰 수가 있다.

Description

초박형 반도체 패키지 제조용 컬 컷팅 기능을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치

본 고안은 초박형 반도체 패키지 제조용 컬 컷팅 기능을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치에 관한 것이며, 더욱 상세하게는, 트랜스퍼 몰딩 장치의 탑몰드(Top Mold) 상방에 컷팅수단을 설치하여 패키지로 몰딩 완료된 리드프레임에 경화된 상태로 부착되어 있는 잉여 수지, 구체적으로는, 몰드의 캐비티(Cavity)와 램포트(Ram Pot) 사이의 런너(Runner:용융된 수지를 각각의 캐비티내로 주입시키기 위한 통로)에 경화된 상태로 잔류하는 수지 컬을 제거할 수 있도록 한 초박형 반도체 패키지 제조용 컬 컷팅 기능을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치에 관한 것이다.

일반적으로, TQFP(Thin Quad Flat Package)는 다이 어태치(Die Attach) 공정에서 웨이퍼(Wafer)를 싱귤레이션하여 얻어지는 유니트 반도체칩들을 리드프레임상의 복수개의 탑재판상에 에폭시(Epoxy) 수지 등을 이용하여 각각 실장시킨 후, 와이어 본딩(Wire Bonding) 공정에서 금 또는 알루미늄 와이어를 이용하여 반도체칩 상면에 형성된 본드 패드(Bond Pad)와 리드 프레임의 본드 핑거(Bond Finger)를 전기적으로 연결시킨다.

복수개의 반도체칩이 실장되고 와이어 본딩이 완료된 리드프레임은 몰딩 공정으로 이송되며, 몰딩 공정에서는 반도체칩 및 본딩 와이어 등을 외부의 전기적 또는 물리적 충격, 부식, 열 및 습기 등과 같은 유해한 외부 환경으로부터 보호하기 위하여 트랜스퍼 몰딩 장치에서 컴파운드재(통상적으로는 에폭시 수지 봉지재)를 이용하여 패키지로 몰딩된다.

상기한 트랜스퍼 몰딩 장치를 이용하여 몰딩 완료된 리드프레임에는 바텀몰드의 체이스(Chase)에 형성된 캐버티와 센터블록에 형성된 램포트 사이의 런너(Runner) 및 런너 게이트(Runner Gate)에 경화된 잉여의 컴파운드재, 즉 컬이 잔류하게 되므로 이를 제거할 필요가 있다.

종래의 TQFP 반도체 피키지 제조를 위한 트랜스퍼 몰딩 장치를 이용하여 몰딩한 경우에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 패키지(P)로의 몰딩 완료후의 리드프레임(LF)에는 경화된 잉여의 컬(C)이 트랜스퍼 몰딩 장치의 각 캐비티와 램포트 영역을 포함하는 런너 및 런너 게이트 영역의 형상을 따라 잔류 형성되어 있으므로, 이를 제거하기 위하여 리드프레임(LF)에 형성된 컬(C)을 작업자가 수작업에 의해 강제적으로 비틀거나 만곡시켜서 제거하여 왔다.

그러나, 다수의 패키지가 성형되어 있는 리드프레임(LF)의 컬(C)을 수작업에 의해 강제적으로 제거시키는 것은 컬(C)의 제거 작업이 용이하지 못하여 작업 생산성을 저해시키는 중요한 하나의 요인이 되었음과 아울러, 작업자가 손으로 리드프레임(LF)을 만곡 또는 비틀어 컬(C)을 제거함으로 인하여 패키지(P) 내부의 회로를 손상시킬 심각한 우려가 있음과 아울러, 수작업시 가해지는 힘을 적절하고도 일정한 크기로 제어하기 곤란하므로 제품의 신뢰도 저하 또는 불량률 상승의 원인이 된느 문제점이 있었다.

본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소키 위한 것으로서, 트랜스퍼 몰딩 장치의 상방에 컷팅수단 지지체를 설치하고, 탑몰드 및 바텀몰드에 상기한 컷팅수단이 관통할 수 있는 구멍을 설치함으로써, 몰딩 완료된 리드프레임에 잔류하는 경화된 잉여수지, 즉 몰드 체이스에 형성되어 있는 캐비티와 센터블록의 램포트 영역과 런너 및 런너 게이트 영역상의 잉여 수지 컬을 용이하게 제거할 수가 있는 컬 컷팅 기능을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 하며, 이에 의해 컬의 제거 작업성을 용이하고도 안전하게 수행함으로써 제품의 신뢰성을 제고할 수가 있다.

도 1은 본 고안의 트랜스퍼 몰딩 장치의 계합(繼合) 상태 설명도.

도 2는 본 고안의 트랜스퍼 몰딩 장치에서 몰딩후 컬(Cull) 컷팅을 하지 않은 리드프레임을 도시한 가상 상태를 나타내는 평면도.

도 3은 본 고안의 트랜스퍼 몰딩 장치에서의 패키지 몰딩을 위한 탑몰드 및 바텀몰드의 계합 상태를 나타내는 단면도.

도 4는 본 고안의 트랜스퍼 몰딩 장치에서의 몰딩 완료후 컬 컷팅 동작을 나타내는 동작 상태 단면도.

도 5는 종래의 컬 컷팅 설명도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명

1 ; 컷팅수단 2 ; 경사날

3 ; 포스트 4 ; (컷팅수단) 지지체

5 ; 통과공 6,7,8 ; 구멍

LF ; 리드프레임 S ; 슬롯

TM ; 탑몰드 SP ; 스프링

BM ; 바텀몰드 CA ; 캐비티

P ; 패키지 C ; 컬(Cull)

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 고안을 더욱 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 고안의 트랜스퍼 몰딩 장치의 계합(繼合) 상태 설명도로서, 본 고안의 트랜스퍼 몰딩 장치는 하부가 바람직하게는 경사날로 형성되는 컷팅수단(1) 및 포스트(3)가 설치되어 있는 지지체(4)와, 상기한 지지체(4) 하방에 위치하며 상기한 컷팅수단(1) 통과공(5) 및 상기한 포스트(3)가 삽입되는 구멍(8)을 갖는 탑몰드(TM)와, 상기한 탑몰드(TM) 하방에 위치하며 상기한 컷팅수단(1)이 컬(C)을 하방으로 제거하기 위한 구멍(6) 및 상기한 포스트(3)가 삽입되는 구멍(도 3 및 도 4의 도면부호 7 참조)을 갖는 바텀모드(BM)로 구성된다.

상기한 바텀몰드(BM)의 구멍(6)은 몰딩시에는 런너(미도시) 및 런너 게이트(미도시)가 형성될 수 있도록 상기한 구멍(6)의 형상에 일치하는 형상의 부재에 의하여 폐색되며, 컬(C) 컷팅시에는 하방으로 위치 이동되어 절단된 컬(C)이 하방으로 용이하게 제거될 수가 있다.

상기한 지지체(4)와 탑몰드(TM)사이의 포스트(3)에는 스프링(SP)이 끼워져 있어서 하방으로 지지체(4)를 압압하여 상기한 컷팅수단(1)이 컬(C)을 커팅한 후, 압압력을 제거시 스프링(SP)의 탄발력에 의해 다시 상방의 원위치로 복귀시키도록 할 수 있다.

도면중 미설명 부호 CA는 몰딩 수지가 유입되어 반도체칩(미도시)과 본딩 와이어(미도시)를 봉지하게 되는 영역인 캐비티이다.

도2는 본 고안의 트랜스퍼 몰딩 장치에서 몰딩후 컬(Cull)컷팅을 하지 않은 리드프레임(LF)을 도시한 가상 상태를 나타내는 평면도로서, 다수의 패키지(P)가 몰딩 완료된 상태이나 컬 것팅이 수행되지 않은 상태에서 리드프레임(LF)을 바텀 및 탑몰드(BM,TM)로부터 취출한 가상적인 상태를 나타낸다.

컬(C)이 몰드의 런너 및 런너 게이트와 램포트 영역 등의 형상 그대로 잔류 경화 형성되어 있는 것을 보여주고 있으며, 리드프레임(LF)의 상기한 런너 게이트에 대응하는 영역 일부에 상기한 컷팅수단(1)이 용이하게 통과될 수 있도록 그 통과 위치에 대응하는 영역에 슬롯(S)이 형성되어 있음을 아울러 보여주고 있다.

도 3은 본 고안의 트랜스퍼 몰딩 장치에서의 패키지 몰딩을 위한 탑몰드(TM) 및 바텀몰드(BM)의 계합 상태를 나타내는 단면도로서, 트랜스퍼 몰딩 장치의 바텀몰드(BM)상에 반도체칩 실장 및 와이어 본딩이 완료된 리드프레임(LF)를 안치시킨 후, 컴파운드재를 고온 고압하 용융시켜 캐비티(도 1의 도면부호 CA 참조)내로 충진시킨 후 냉각시켜 컴파운드재를 경화시키는 것으로 패키지(P) 성형이 완료되며, 바텀몰드(BM)의 캐비티(CA)와 램포트 사이의 런너와 런너 게이트에 잔류되어 있던 컴파운드재는 리드프레임(LF)에 잉여의 경화 수지 컬(C)로 잔류하게 된다.

도 4는 본 고안의 트랜스퍼 몰딩 장치에서의 몰딩 완료후 컬 컷팅 동작을 나타내는 동작 상태 단면도로서, 상기한 컬(C)을 제거하기 위해서는 탑몰드(TM) 상방의 지지체(4)를 하강시키면 탑몰드(TM)의 지면과 바텀몰드(BM)가 리드프레임(LF)을 개재하여 계합된 상태에서, 상기한 지지체(4)에 설치된 컷팅수단(1)이 탑몰드(TM)의 통과공(5)을 통과한 다음, 리드프레임(LF)의 슬롯(S)을 통하여 컬(C)을 타격하여 절단시킨 후, 바텀몰드(BM)에 형성된 구멍(6)을 통하여 하강하면 상기한 절단된 컬(C)은 상기한 구멍(6)을 통하여 용이하고도 간단하게 제거 배출된다.

따라서, 패키지 성형 완료된 초박형 반도체 패키지의 리드프레임(LF)에 잔류하는 컬(C)은 컷팅수단(1)에 의해 용이하고도 간단하게 제거될 수 있으므로, 컬(C) 컷팅 작업성을 높힘과 아울러, 패키지의 손상 가능성을 제거함으로써, 제조 생산성 및 제품의 신뢰성을 향상시킬 수가 있다.

이상에서와 같이, 본 고안은 트랜스퍼 몰딩 장치의 탑몰드 상방에 컷팅수단을 갖는 지지체를 설치하고, 바텀몰드 및 탑몰드에는 상기한 컷딩 수단이 통과할 수 있는 구멍을 형성시키는 것에 의하여, 패키지가 몰딩 완료된 리드프레임의 캐비티 사이와 캐비티와 포트 사이의 영역 등에 형성되는 잉여의 경화 수지인 잔류 컬을 용이하고도 간단하게 제거할 수가 있으므로, 생상성 향상 및, 반도체 패키지 제품의 전기적 회로 구성부품의 손상을 방지하여 제품의 신뢰성 향상을 이룰 수가 있다.

Claims

초박형 반도체 피키지 제조용 트랜스퍼 몰딩 장치에 있어서, 몰딩 완료후 몰드 런너 게이트상에 경화되어 잔류하는 잉여의 수지 컬(Cull:C)을 제거하기 위한 컷팅수단(1)과, 상기한 컷팅단(1)이 관통할 수 있도록 통과공(5)이 형성되어 있는 탑몰드(TM)와, 상기한 탑몰드(TM)를 관통한 컷팅수단(1)이 상기한 컬(C)을 하방으로 제거할 수 있도록 슬롯 형상의 구멍이 형성되어 있는 바텀몰드(BM)를 갖는 것을 특징으로 하는 컬 컷팅 기능을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치.
제 1 항에 있어서, 상기한 컷팅수단(C)이 탑몰드(TM) 상방의 지지체(4) 하면에 설치되며, 상기한 지지체(4)에는 포스트(3)가 설치되고, 상기한 탑몰드(TM) 및 바텀몰드(BM)에는 각각 상기한 포스트(3)가 관통되는 구멍(8),(7)이 형성되며, 상기한 지지체(4)와 탑몰드(TM)사이의 포스트(3)에는 스프링(SP)이 끼워져 있는 것을 특징으로 하는 컬 컷팅 기능을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치.
제 1 항 또는 제 2항에 있어서, 상기한 컷팅수단(C)의 하부가 경사날로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 컬 컷팅 기능을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치.