KR20020091313A - Method for crystallizing Silicon and method for manufacturing Thin Film Transistor (TFT) using the same - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 21
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 특히 비정질 실리콘을 결정화시키는 방법과 이를 이용한 박막트랜지스터(TFT) 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method of crystallizing amorphous silicon and a method of manufacturing a thin film transistor (TFT) using the same.
정보화 사회가 발전함에 따라 표시장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Lipuid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display)등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고 일부는 이미 여러 장비에서 표시장치로 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices is increasing in various forms, and in recent years, the LCD (Lipuid Crystal Display Device), PDP (Plasma Display Panel), ELD (Electro Luminescent Display), and VFD (Vacuum Fluorescent) Various flat panel display devices such as displays have been studied, and some of them are already used as display devices in various devices.
그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 특장점으로 인하여 이동형 화상 표시장치의 용도로 브라운관(Cathode Ray Tube)을 대체하면서 LCD가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 텔레비전 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.Among them, LCD is the most widely used as a substitute for the cathode ray tube as a mobile image display device because of its excellent image quality, light weight, thinness, and low power consumption. In addition, it is being developed in various ways such as a television monitor.
이와 같이 액정표시장치가 여러 분야에서 화면 표시장치로서의 역할을 하기 위해 여러 가지 기술적인 발전이 이루어 졌음에도 불구하고 화면 표시장치로서 화상의 품질을 높이는 작업은 상기 특장점과 배치되는 면이 많이 있다. 따라서, 액정표시장치가 일반적인 화면 표시장치로서 다양한 부분에 사용되기 위해서는 경량, 박형, 저 소비전력의 특징을 유지하면서도 고정세, 고휘도, 대면적 등 고 품위 화상을 얼마나 구현할 수 있는가에 발전의 관건이 걸려 있다고 할 수 있다.As described above, although various technical advances have been made in order for the liquid crystal display device to serve as a screen display device in various fields, the task of improving the image quality as the screen display device is often arranged with the above advantages. Therefore, in order to use a liquid crystal display device in various parts as a general screen display device, the key to development is how much high definition images such as high definition, high brightness, and large area can be realized while maintaining the characteristics of light weight, thinness, and low power consumption. It can be said.
이와 같은 액정표시장치는, 화상을 표시하는 액정패널과 상기 액정 패널에구동신호를 인가하기 위한 구동부로 크게 구분될 수 있으며, 상기 액정패널은 일정 공간을 갖고 합착된 제 1, 제 2 유리 기판과, 상기 제 1, 제 2 유리 기판 사이에 주입된 액정층으로 구성된다.Such a liquid crystal display may be classified into a liquid crystal panel displaying an image and a driver for applying a driving signal to the liquid crystal panel. The liquid crystal panel may include a first glass substrate and a second glass substrate bonded to each other with a predetermined space. And a liquid crystal layer injected between the first and second glass substrates.
여기서, 상기 제 1 유리 기판에는, 일정 간격을 갖고 일 방향으로 배열되는 복수개의 게이트 라인과, 상기 각 게이트 라인과 수직한 방향으로 일정한 간격으로 배열되는 복수개의 데이터 라인과, 상기 각 게이트 라인과 데이터 라인이 교차되어 정의된 각 화소영역에 매트릭스 형태로 형성되는 복수개의 화소 전극과 상기 게이트 라인의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터 라인의 신호를 상기 각 화소 전극에 전달하는 복수개의 박막 트랜지스터가 형성된다.The first glass substrate may include a plurality of gate lines arranged in one direction at a predetermined interval, a plurality of data lines arranged at regular intervals in a direction perpendicular to the gate lines, and each of the gate lines and data. A plurality of pixel electrodes formed in a matrix form in each pixel region defined by crossing lines are switched by signals of the gate line and a plurality of thin film transistors which transfer signals of the data lines to the pixel electrodes.
그리고 제 2 유리 기판에는, 상기 화소 영역을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 블랙매트릭스층과, 칼라 색상을 표현하기 위한 칼라 필터층과 화상을 구현하기 위한 공통 전극이 형성된다.The second glass substrate includes a black matrix layer for blocking light in portions other than the pixel region, a color filter layer for expressing color colors, and a common electrode for implementing an image.
이와 같이 상기 액정패널의 제 1 유리 기판에 형성되는 박막 트랜지스터를 구성하는 요소 중 활성층인 반도체층은 결정 격자의 주기성이 없는 비정질 실리콘을 사용하거나 다결정 폴리 실리콘을 사용한다.As such, the semiconductor layer, which is the active layer, of the elements constituting the thin film transistor formed on the first glass substrate of the liquid crystal panel uses amorphous silicon without periodicity of crystal lattice or polycrystalline polysilicon.
상기 활성층이 비정질 실리콘인 박막트랜지스터를 사용할 경우에는 빛에 노출된다면 광전 변환에 의해 포토 커런트가 발생하여 스위칭 소자의 동작을 주도하는 온-커런트를 낮추는 역할을 하지만, 비정질 실리콘 특유의 비 주기적인 격자 특성을 갖고 있으므로 표면에 댕글링 본드(Dangling bond)와 같은 디펙트가 많이 형성되기 때문에 전자의 흐름이 원활하지 못하여 소자의 고속 동작 특성이 좋지 않다.In the case of using a thin film transistor of amorphous silicon, the photocurrent is generated by photoelectric conversion when the active layer is exposed to light, thereby lowering the on-current driving the operation of the switching device. Therefore, since many defects such as dangling bonds are formed on the surface, the flow of electrons is not smooth and the high-speed operation characteristics of the device are not good.
이에 반해, 활성층이 상기 비정질 실리콘에 비해 표면에 디펙트가 적은 다결정 폴리 실리콘으로 형성된 박막 트랜지스터의 경우, 동작 속도가 상기 비정질 실리콘 박막 트랜지스터보다 훨씬 빠르다(100 - 200배 정도).In contrast, in the case of the thin film transistor in which the active layer is formed of polycrystalline polysilicon having less defects on the surface than the amorphous silicon, the operation speed is much faster (about 100-200 times) than the amorphous silicon thin film transistor.
이러한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 액정패널의 스위칭 소자로 사용하면 외부의 고속 구동부와 연동하여 빠르게 동작 할 수 있으므로 대면적 고해상도의 액정표시장치를 구현할 수 있다.When the polycrystalline silicon thin film transistor is used as a switching element of the liquid crystal panel, the polycrystalline silicon thin film transistor can be quickly operated in conjunction with an external high speed driver, thereby realizing a large area high resolution liquid crystal display device.
이러한 다결정 실리콘을 액정표시장치에 적용하기 위해서는 액정패널의 기판으로 유리 기판을 이용하고 있으므로 저온 공정 및 저온 처리가 선행되어야 한다.In order to apply such polycrystalline silicon to a liquid crystal display device, since a glass substrate is used as a substrate of a liquid crystal panel, a low temperature process and a low temperature process must be preceded.
이와 같이 동작 특성을 얻기 위한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제조하기 위한 비정질 실리콘을 결정화시키는 방법은 레이저를 이용하는 방법 또는 비정질 실리콘을 결정화시키기 위하여 촉매를 이용하는 방법 등이 있다.As described above, a method of crystallizing amorphous silicon for producing a polycrystalline silicon thin film transistor for obtaining operating characteristics includes a method using a laser or a method using a catalyst to crystallize amorphous silicon.
이하, 종래의 실리콘을 결정화시키는 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a conventional method for crystallizing silicon is as follows.
도 1a 내지 1c는 종래의 실리콘 결정화 공정 단면도로서, 니켈을 비정질 실리콘의 결정화 촉매로 이용하여 실리콘을 결정화시키는 방법이다.1A to 1C are cross-sectional views of a conventional silicon crystallization process, in which silicon is crystallized using nickel as a crystallization catalyst for amorphous silicon.
도 1a와 같이, 유리 기판(1)에 화학 기상 증착법(CVD)을 이용하여 비정질 실리콘막(a-si)(2)을 증착한다.As shown in FIG. 1A, an amorphous silicon film (a-si) 2 is deposited on the glass substrate 1 by chemical vapor deposition (CVD).
도 1b와 같이, 스퍼터링(sputtering)법으로 니켈(Ni)층(3)을 상기 비정질 실리콘층(2)위에 증착한다.As shown in FIG. 1B, a nickel (Ni) layer 3 is deposited on the amorphous silicon layer 2 by sputtering.
도 1c와 같이, 열 그리고/또는 전기적 히팅 방법으로 상기 니켈이 증착된 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘을 결정화시킨다.As shown in FIG. 1C, the nickel-deposited substrate is heat-treated by thermal and / or electrical heating to crystallize the amorphous silicon.
그러나 이와 같은 종래의 실리콘의 결정화 방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, such a conventional crystallization method of silicon has the following problems.
즉, 또한, 상기와 같이 니켈을 결정화 촉매로 이용하여 실리콘을 결정화시키면 전기 이동도가 우수한 결정질 실리콘이 형성되나, 이와 같이 니켈을 결정화 촉매로 이용하여 실리콘을 결정화시키는 방법에서 니켈이 실리콘 내로 확산되는 량을 조절하기가 매우 어렵다.In other words, crystallization of silicon using nickel as a crystallization catalyst as described above results in the formation of crystalline silicon with excellent electrical mobility.However, nickel is diffused into silicon in the method of crystallizing silicon using nickel as the crystallization catalyst. It is very difficult to control the volume.
따라서, 결정화 촉매인 니켈이 실리콘층으로 과다하게 확산되어 실리콘층 내에 니켈이 잔류하게 되므로 오히려 전기 이동도 특성이 저하된다.Therefore, nickel, which is a crystallization catalyst, is excessively diffused into the silicon layer, so that nickel remains in the silicon layer, and thus, electrical mobility characteristics are deteriorated.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 니켈이 실리콘으로 확산되는 양이 줄어들도록 하여 결정화 촉매가 실리콘으로 확산되는 농도를 쉽게 제어할 수 있는 실리콘 결정화 방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the silicon crystallization method and the polycrystalline silicon thin film transistor using the same to reduce the amount of diffusion of the crystallization catalyst into silicon by reducing the amount of diffusion of nickel into silicon It is an object to provide a manufacturing method.
도 1a 내지 1c는 종래의 실리콘 결정화 공정 단면도1A to 1C are cross-sectional views of a conventional silicon crystallization process
도 2a 내지 2c는 본 발명 실시예에 따른 실리콘의 결정화 공정 단면도2A to 2C are cross-sectional views of a crystallization process of silicon according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 니켈이 실리콘으로 확산되는 원리 설명도3 is an explanatory diagram illustrating the principle of diffusion of nickel into silicon according to the present invention;
도 4a 내지 4h는 본 발명 실시예에 따른 다결정 실리콘 박막트랜지스터 공정 단면도4A to 4H are cross-sectional views of a polycrystalline silicon thin film transistor process according to an embodiment of the present invention.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
1 : 기판2 : 비정질 실리콘막1 Substrate 2 Amorphous Silicon Film
3a : 탄소가 함유된 니켈층3a: nickel layer containing carbon
3b, 3c : 소오스/드레인 영역3d : 채널 영역3b, 3c: source / drain region 3d: channel region
4 : 게이트 절연막5 : 게이트 금속막4 gate insulating film 5 gate metal film
5a : 게이트 전극6 : 층간 절연막5a: gate electrode 6: interlayer insulating film
7 : 콘택 홀8a, 8b : 소오스/드레인 전극7: contact hole 8a, 8b source / drain electrode
9 : 보호막10 : 화소 전극9: protective film 10: pixel electrode
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 실리콘 결정화 방법은, 기판에 비정질 실리콘막을 증착하는 제 1 단계와, 상기 비정질 실리콘막위에 임의의 물질이 함유되도록 촉매 금속을 증착하는 제 2 단계와, 상기 촉매 금속이 증착된 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화시키는 제 3 단계를 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.Silicon crystallization method according to the present invention for achieving the above object, the first step of depositing an amorphous silicon film on the substrate, the second step of depositing a catalyst metal so that any material is contained on the amorphous silicon film, And a third step of crystallizing the amorphous silicon layer by heat-treating the substrate on which the catalyst metal is deposited.
상기 제 2 단계에서 임의의 물질은 탄소이고 촉매 금속은 니켈임이 바람직하다.It is preferred that in the second step any material is carbon and the catalyst metal is nickel.
상기 2 단계의 촉매 금속 증착 방법은 반응성 가스로 탄소 소오스 가스를 공급하여 니켈 촉매 금속을 증착함이 바람직하다.In the two-step catalytic metal deposition method, it is preferable to deposit a nickel catalyst metal by supplying a carbon source gas as a reactive gas.
여기서, 상기 탄소 소오스 가스는 CH4, 또는 C2H6를 이용함이 바람직하다.Herein, the carbon source gas is preferably CH 4 or C 2 H 6 .
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막트랜지스터의 제조 방법은, 기판에 비정질 실리콘막을 증착하는 제 1 단계와, 상기 비정질 실리콘막위에 임의의 물질이 함유된 촉매 금속을 증착하고 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화시키는 제 2 단계와, 상기 촉매 금속을 제거하고 상기 결정화된 실리콘층을 선택적으로 제거하여 활성층을 형성하는 제 3 단계와, 전면에 게이트 절연막을 증착하고 상기 활성층 상측의 게이트 절연막위에 게이트 전극을 형성하는 제 4 단계와, 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 상기 활성층에 n형 또는 p형 불순물 이온 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 제 5 단계를 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.In addition, a method of manufacturing a thin film transistor according to the present invention for achieving the above object, the first step of depositing an amorphous silicon film on a substrate, and depositing a catalytic metal containing any material on the amorphous silicon film and heat treatment A second step of crystallizing the amorphous silicon layer, a third step of removing the catalyst metal and selectively removing the crystallized silicon layer to form an active layer, depositing a gate insulating film on the entire surface, and forming a gate over the active layer And a fourth step of forming a gate electrode on the insulating film, and a fifth step of forming a source / drain region by implanting n-type or p-type impurity ions into the active layer using the gate electrode as a mask. have.
여기서, 전면에 층간 절연막을 증착하고, 상기 소오스/드레인 영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 제 6 단계와, 상기 콘택 홀을 통해 상기 소오스/드레인 영역에 전기적으로 연결되도록 소오스/드레인 전극을 형성하는 제 7 단계를 더 포함함이 바람직하다.Here, a sixth step of depositing an interlayer insulating film on the entire surface, and forming a contact hole to expose the source / drain region, and forming a source / drain electrode to be electrically connected to the source / drain region through the contact hole Preferably, the method further includes a seventh step.
상기 제 2 단계에서 임의의 물질은 탄소이고 촉매 금속은 니켈임이 바람직하다.It is preferred that in the second step any material is carbon and the catalyst metal is nickel.
상기 제 2 단계에서 촉매 금속을 증착하는 방법은 반응성 가스로 탄소 소오스 가스를 공급하여 니켈 촉매 금속을 증착함이 바람직하다.In the method of depositing a catalyst metal in the second step, it is preferable to deposit a nickel catalyst metal by supplying a carbon source gas as a reactive gas.
상기 탄소 소오스 가스는 CH4, 또는 C2H6임이 바람직하다.The carbon source gas is preferably CH 4 , or C 2 H 6 .
상기 게이트 전극은 AlNd층과 Mo층이 적층된 구조로 형성함이 바람직하다.The gate electrode is preferably formed of a structure in which an AlNd layer and a Mo layer are stacked.
이와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 실리콘 결정화 방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.A silicon crystallization method and a method of manufacturing a polycrystalline silicon thin film transistor using the same according to the present invention having such characteristics will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a 내지 2c는 본 발명 실시예에 따른 실리콘 결정화 공정 단면도이다.2A through 2C are cross-sectional views of a silicon crystallization process according to an embodiment of the present invention.
먼저, 본 발명 실시예의 실리콘 결정화 방법은 다음과 같다.First, the silicon crystallization method of the embodiment of the present invention is as follows.
도 2a와 같이, 유리 기판(1)에 CVD법을 이용하여 비정질 실리콘막(a-si)(2)을 증착한다.As shown in Fig. 2A, an amorphous silicon film (a-si) 2 is deposited on the glass substrate 1 by the CVD method.
도 2b와 같이, 상기 비정질 실리콘막(2)위에 카본이 함유되도록 니켈층(3a)을 증착한다.As shown in FIG. 2B, a nickel layer 3a is deposited on the amorphous silicon film 2 so that carbon is contained.
즉, 스퍼터링법으로 니켈을 증착할 경우, 스퍼터링 장비에 니켈 타겟과 반응성 가스로 탄소 소오스(CH4, C2H6등)를 공급하여 상기 비정질 실리콘막(2)위에 탄소가 함유된 니켈층(3a)을 증착한다.That is, in the case of depositing nickel by the sputtering method, a carbon source (CH 4 , C 2 H 6, etc.) is supplied to the sputtering equipment with a nickel target and a reactive gas to provide a nickel layer containing carbon on the amorphous silicon film 2 ( 3a) is deposited.
또한, 화학 기상 증착법(CVD, MOCVD 등)을 이용할 경우, 증착 장비에 니켈 소오스와 탄소 소오스를 공급하여 탄소가 함유된 니켈층(3a)를 상기 비정질 실리콘막(2)위에 증착한다.In addition, in the case of using a chemical vapor deposition method (CVD, MOCVD, etc.), a nickel source and a carbon source are supplied to the deposition equipment to deposit the nickel-containing nickel layer 3a on the amorphous silicon film 2.
도 2c와 같이, 상기 탄소가 함유된 니켈층(3a)이 증착된 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화시킨다.As shown in FIG. 2C, the amorphous silicon layer is crystallized by heat-treating the substrate on which the nickel-containing nickel layer 3a is deposited.
이 때, 결정화 시의 니켈층과 실리콘층으로 니켈이 확산되는 원리를 설명하면 다음과 같다.In this case, the principle of nickel diffusion into the nickel layer and silicon layer during crystallization is as follows.
도 3은 본 발명에 따른 니켈이 실리콘으로 확산되는 원리 설명도이다.3 is an explanatory view of a principle in which nickel is diffused into silicon according to the present invention.
즉, 도 3과 같이, 니켈이 증착된 기판을 열처리하면 니켈이 실리콘막으로 확산되어 실리콘이 결정화된다. 이 때, 상기 니켈층에는 탄소가 함유되어 있으므로, 일정 량의 니켈 원자가 탄소와 본딩되어 있다. 따라서, 열처리하면, 탄소와 본딩된 니켈은 비정질 실리콘막으로 확산되지 않고 탄소와 본딩되지 않은 니켈만 실리콘으로 확산되므로, 니켈이 실리콘으로 확산되는 양이 줄어들게 된다.That is, as shown in FIG. 3, when the substrate on which nickel is deposited is heat-treated, nickel diffuses into the silicon film to crystallize silicon. At this time, since the nickel layer contains carbon, a predetermined amount of nickel atoms are bonded with carbon. Therefore, when heat-treated, carbon bonded with nickel does not diffuse into the amorphous silicon film, and only carbon that is not bonded with carbon diffuses into silicon, thereby reducing the amount of nickel diffused into silicon.
이와 같이, 니켈층에서 실리콘으로 확산되는 니켈의 양이 줄어들게 되므로 촉매 농도를 쉽게 제어할 수 있고, 더불어 결정화된 실리콘 내에 촉매 금속이 남아 있게되는 문제가 발생하지 않는다.As such, since the amount of nickel diffused from the nickel layer to silicon is reduced, the catalyst concentration can be easily controlled, and the problem that the catalyst metal remains in the crystallized silicon does not occur.
이와 같이 촉매 금속을 이용하여 실리콘을 결정화시키는 방법을 이용한 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.As described above, a polycrystalline silicon thin film transistor manufacturing method using a method of crystallizing silicon using a catalyst metal is as follows.
도 4a 내지 4h는 본 발명 실시예에 따른 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 공정 단면도이다.4A to 4H are cross-sectional views of a polycrystalline silicon thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4a와 같이, 유리 기판(1)에 CVD법을 이용하여 비정질 실리콘막(a-si)(2)을 증착한다.As shown in Fig. 4A, an amorphous silicon film (a-si) 2 is deposited on the glass substrate 1 by the CVD method.
도 4b와 같이, 상술한 바와 같이 상기 비정질 실리콘막(2)위에 카본이 함유되도록 니켈층(3a)을 증착하고 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화시킨다.As shown in FIG. 4B, as described above, the nickel layer 3a is deposited and heat-treated so that carbon is contained on the amorphous silicon film 2 to crystallize the amorphous silicon layer.
도 4c와 같이, 상기 남아 있는 니켈층(3a)을 습식 또는 건식 식각 공정으로 제거하고, 전면에 감광막(도면에는 도시되지 않음)을 증착하고 박막트랜지스터의 활성영역을 정의하기 위한 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 상기 결정화된 실리콘막을 패터닝하여 활성층(2a)을 형성한다. 그리고, 전면에 1800Å 정도의 두께로 게이트 절연막(4)을 증착하고, 상기 게이트 절연막(4)위에 박막트랜지스터의 게이트 전극으로 이용될 게이트 금속(5)을 증착한다. 이 때, 상기 게이트 금속으로 3000Å 정도의 두께로 AlNd층을 증착하고 그위에 500Å 정도의 두께로 Mo층을 차례로 형성한다.As shown in FIG. 4C, the remaining nickel layer 3a is removed by a wet or dry etching process, a photoresist (not shown) is deposited on the front surface, and a photolithography using a mask for defining an active region of the thin film transistor is performed. The crystallized silicon film is patterned by the process to form the active layer 2a. Then, the gate insulating film 4 is deposited to a thickness of about 1800 Å on the entire surface, and the gate metal 5 to be used as the gate electrode of the thin film transistor is deposited on the gate insulating film 4. At this time, an AlNd layer is deposited to a thickness of about 3000 kPa with the gate metal, and Mo layers are sequentially formed thereon.
도 4d와 같이, 그리고 도면에는 도시되지 않았지만, 사진 식각 공정을 이용하여 상기 게이트 금속(5)을 선택적으로 제거하여 상기 활성층(2a) 상측의 게이트 절연막(4)위에 게이트 전극(5a)을 형성한다.As shown in FIG. 4D and not shown in the drawing, the gate metal 5 is selectively removed using a photolithography process to form the gate electrode 5a on the gate insulating film 4 above the active layer 2a. .
도 4e와 같이, 상기 게이트 전극(5a)를 마스크로 이용하여 상기 활성층(2a)에 n형 또는 p형 불순물 이온 주입하고, 열처리를 통해 이온 주입 시 발생한 데미지(damage)의 큐어링(curing)과 불순물을 활성화시켜 상기 게이트 전극(5a) 양측의 활성층(2a)에 소오스/드레인 영역(2b, 2c)을 형성한다.As shown in FIG. 4E, n-type or p-type impurity ions are implanted into the active layer 2a using the gate electrode 5a as a mask, and curing of damage caused during ion implantation through heat treatment is performed. Impurities are activated to form source / drain regions 2b and 2c in the active layer 2a on both sides of the gate electrode 5a.
도 4f와 같이, 전면에 실리콘 질화막(SiNx) 등의 층간 절연막(6)을 증착하고, 상기 소오스/드레인 영역(2b, 2c)이 노출되도록 상기 층간 절연막(6) 및 게이트 절연막(4)을 선택적으로 제거하여 콘택홀(contact hole)(7)을 형성한다.As shown in FIG. 4F, an interlayer insulating film 6 such as silicon nitride film (SiNx) is deposited on the entire surface, and the interlayer insulating film 6 and the gate insulating film 4 are selectively selected so that the source / drain regions 2b and 2c are exposed. To form a contact hole (7).
도 4g와 같이, 상기 콘택홀(7)을 통해 상기 소오스/드레인 영역(2b, 2c)에 전기적으로 연결되도록 전면에 금속(적층된 Mo/AlNd 구조)을 증착하고 상기 금속을 선택적으로 제거하여 소오스/드레인 전극(8a, 8b)를 형성한다.As shown in FIG. 4G, a metal (laminated Mo / AlNd structure) is deposited on the front surface to be electrically connected to the source / drain regions 2b and 2c through the contact hole 7, and the metal is selectively removed. Drain electrodes 8a and 8b are formed.
도 4h와 같이, 전면에 실리콘 질화막(9a)을 증착하고 그위에 BCB층(9b)을 두껍게 증착하여 보호막(9)을 형성한 다음, 상기 드레인 전극(8b)이 노출되도록 상기 보호막(9)을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성한다. 그리고, 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(8b)에 전기적으로 연결되도록 전면에 투명전극을 형성한 다음, 화소 영역에만 남도록 상기 투명전극을 선택적으로 제거하여 화소 전극(10)을 형성한다.As shown in FIG. 4H, a silicon nitride film 9a is deposited on the entire surface, and a BCB layer 9b is thickly deposited thereon to form a protective film 9, and then the protective film 9 is exposed so that the drain electrode 8b is exposed. It is selectively removed to form a contact hole. Then, a transparent electrode is formed on the front surface to be electrically connected to the drain electrode 8b through the contact hole, and then the transparent electrode is selectively removed so as to remain only in the pixel region to form the pixel electrode 10.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 실리콘 결정화 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터 제조 방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.In the silicon crystallization method and thin film transistor manufacturing method using the same according to the present invention as described above has the following effects.
상술한 바와 같이, 촉매 금속을 이용한 저온 결정화 공정은 최종 소자에서 악영향을 미치는 촉매 금속의 농도를 제어하는 것이 아주 중요하는데, 본 발명에서는 촉매 금속의 농도를 제한하는 방법, 즉 탄소 소오스가 되는 반응성 가스 분위기에서 촉매 금속을 비정질 실리콘층위에 증착하여 촉매 금속에 실리콘내로 확산되는 것을 억제하므로 촉매 금속의 농도를 제어하는 것이 용이하다.As described above, in the low-temperature crystallization process using the catalyst metal, it is very important to control the concentration of the catalyst metal that adversely affects the final device. It is easy to control the concentration of the catalyst metal because the catalyst metal is deposited on the amorphous silicon layer in the atmosphere to suppress diffusion into the catalyst metal into the silicon.
따라서, 니켈을 통한 저온 결정화 공정이 용이하다.Therefore, the low temperature crystallization process through nickel is easy.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0030037A KR100539583B1 (en) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Method for crystallizing Silicon and method for manufacturing Thin Film Transistor (TFT) using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0030037A KR100539583B1 (en) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Method for crystallizing Silicon and method for manufacturing Thin Film Transistor (TFT) using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020091313A true KR20020091313A (en) | 2002-12-06 |
KR100539583B1 KR100539583B1 (en) | 2005-12-29 |
Family
ID=27707095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0030037A KR100539583B1 (en) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | Method for crystallizing Silicon and method for manufacturing Thin Film Transistor (TFT) using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100539583B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100876927B1 (en) * | 2001-06-01 | 2009-01-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
KR100976456B1 (en) * | 2007-12-29 | 2010-08-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Thin Film Transistor, The Fabricating Method Using The Same Of Thin Film Transistor and Organic Light Emitting Display Device |
US7974524B2 (en) | 2001-03-16 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210125625A (en) | 2020-04-08 | 2021-10-19 | 삼성전자주식회사 | Three-dimensional semiconductor memory devices |
-
2001
- 2001-05-30 KR KR10-2001-0030037A patent/KR100539583B1/en active IP Right Grant
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US9666458B2 (en) | 2001-03-16 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
KR100876927B1 (en) * | 2001-06-01 | 2009-01-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
US7879693B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
US7923352B2 (en) | 2001-06-01 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
US8318567B2 (en) | 2001-06-01 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thermal treatment equipment and method for heat-treating |
KR100976456B1 (en) * | 2007-12-29 | 2010-08-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Thin Film Transistor, The Fabricating Method Using The Same Of Thin Film Transistor and Organic Light Emitting Display Device |
US8729553B2 (en) | 2007-12-29 | 2014-05-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor including catalyst layer, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device having the TFT |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100539583B1 (en) | 2005-12-29 |
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AMND | Amendment | ||
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|
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