KR20020076924A - 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 하기 일반식 1로 표시되는 바인더 수지, 하기 일반식 2로 표시되는 바인더 수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 바인더 수지 10 내지 40중량부, 에틸렌 불포화 결합을 갖는 다관능성 모노머 1 내지 20중량부, 광개시제 1 내지 10중량부 및 에폭시기를 포함하는 실리콘계 화합물 0.001 내지 0.1중량부를 함유하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물;<일반식 1>상기 일반식 1에서, X는 수소원자 또는 메틸기이고, Y1은 탄소원자수가 2 내지 16인 알킬기 또는 하이드록시알킬기이고, Y2는 하기 화학식(Ⅰ) 내지 화학식(XX)로 표시되는 화합물로부터 선택된 어느 하나임;상기 화학식(Ⅰ) 내지 화학식(XX)에서, R1은 수소 또는 메틸기이고, R2는 탄소원자수가 1 내지 10인 알킬렌 그룹이고, R3는 탄소원자수가 1 내지 10인 탄화수소의 잔류 그룹이고, R4는 수소 또는 메틸기이고, R5는 탄소원자수가 1 내지 10인 알킬렌 그룹이고, k는 0 내지 10의 정수임;<일반식 2>상기 일반식 2에서, 치환기 A는 벤질메타아크릴레이트(Benzyl Methacrylate), 스티렌(Styrene), 알파-메틸스티렌(α-methyl styrene), 이소보닐아크릴레이트(isobonyl acrylate) 및 이소보닐메타아크릴레이트(Isobonyl methacrylate)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나이고, B는 아크릴산 또는 메타아크릴산이고, C는 글리시딜 메타아크릴레이트(Glycidyl Methacrylate), 히드록시에틸 메타아크릴레이트(Hydroxymethyl Methacrylate), 디메틸아미노 메타아크릴레이트(Dimethylamino Methacrylate), 아크릴아미드(Acryl amide)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나임.
- 제1항에 있어서, 상기 일반식 1로 표시되는 바인더 수지의 평균 분자량이 5,000 내지 40,000이고, 분산도는 1.6 내지 3.0이고, 산도는 50 내지 150KOHmg/g인 것을 특징으로 하는 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 일반식 2로 표시되는 바인더 수지의 평균 분자량이 5,000 내지 60,000이고, 분산도는 1.6 내지 3.0이고, 산도는 50 내지 150KOHmg/g인 것을 특징으로 하는 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 에틸렌 불포화 결합을 갖는 다관능성 모노머는 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드기의 수가 2 내지 14인 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드기의 수가 2 내지 14인 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 다가 알콜과 α,β-불포화 카르복시산을 에스테르화하여 얻어지는 화합물; 글리시딜기 함유 화합물에 (메타)아크릴산을 부가하여 얻어지는 화합물; 수산기 및 에틸렌 불포화 결합을 갖는 화합물과 다가 카르복시산과의 에스테르 화합물 또는 폴리이소시아네이트와의 부가물; 및 (메타)아크릴산알킬에스테르로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 광개시제는 벤조페논계 또는 트리아진계 광개제를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 에폭시기를 포함하는 실리콘계 화합물은 (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시(에톡시)실레인, (3-글리시드옥시프로필)메틸디메톡시(에톡시)실레인, (3-글리시드옥시프로필) 디메틸메톡시(에톡시)실레인, 3, 4-에폭시부틸트리메톡시(에톡시)실레인 및 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시(에톡시)실레인으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 점도가 10 내지 35cps이 되도록 용매를 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물.
- 제7항에 있어서, 상기 용매는 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 메틸메톡시프로피오네이트, 에틸에톡시프로피오네이트(EEP), 에틸락테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸(또는 에틸)아세테이트, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포룸아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), γ-부틸로락톤, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디글림, 테트라하이드로퓨란(THF), 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소-프로판올, 메틸(또는 에틸)셀로솔브, 디에틸렌글리콜메틸(또는 에틸) 에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄 및 옥탄으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0017151A KR100463309B1 (ko) | 2001-03-31 | 2001-03-31 | 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물 |
TW91106401A TWI266146B (en) | 2001-03-31 | 2002-03-29 | Resist composition for column spacer of liquid crystal display element |
CN 02108748 CN1255467C (zh) | 2001-03-31 | 2002-03-29 | 液晶显示元件的柱型隔垫用保护膜组合物 |
JP2002097720A JP3467488B2 (ja) | 2001-03-31 | 2002-03-29 | 液晶表示素子のカラムスペーサ用レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0017151A KR100463309B1 (ko) | 2001-03-31 | 2001-03-31 | 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020076924A true KR20020076924A (ko) | 2002-10-11 |
KR100463309B1 KR100463309B1 (ko) | 2004-12-23 |
Family
ID=27699471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0017151A KR100463309B1 (ko) | 2001-03-31 | 2001-03-31 | 액정표시소자 컬럼 스페이서용 레지스트 조성물 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100463309B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040032468A (ko) * | 2002-10-10 | 2004-04-17 | 주식회사 아담스테크놀로지 | 고개구율 액정표시소자의 유기절연막용 레지스트 조성물 |
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KR101254206B1 (ko) * | 2011-02-11 | 2013-04-18 | 한국생산기술연구원 | 하이드록시기를 가지는 컬러필터용 아크릴계 바인더 수지 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11174673A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-02 | Jsr Corp | 表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物 |
KR100525155B1 (ko) * | 1998-01-23 | 2006-01-27 | 주식회사 새 한 | 터치패널의도트스페이서용감광성수지조성물 |
JP3952484B2 (ja) * | 1998-08-20 | 2007-08-01 | Jsr株式会社 | 表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物 |
JP4117668B2 (ja) * | 1999-03-03 | 2008-07-16 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
TWI247193B (en) * | 2000-03-08 | 2006-01-11 | Chisso Corp | Photosensitive resin composition, spacer and liquid crystal display element |
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2001
- 2001-03-31 KR KR10-2001-0017151A patent/KR100463309B1/ko active IP Right Grant
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---|---|
KR100463309B1 (ko) | 2004-12-23 |
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N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
J301 | Trial decision |
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|
S901 | Examination by remand of revocation | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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