KR20020060971A - 플라즈마 처리장치용 온도 제어시스템 - Google Patents
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Abstract
플라즈마 처리장치를 통해서 매우 정밀한 온도제어를 달성할 수 있는 온도 관리시스템 및 방법을 포함하는 플라즈마 처리장치가 개시된다. 일실시예에 있어서, 온도 관리시스템 및 방법은 반도체 장비의 제조 동안에 플라즈마와 상호작용하는 플라즈마 처리장치의 표면 상에서 정밀한 온도제어를 달성하도록 동작한다. 본 발명에 의해 제안된 정밀 온도제어는 결합 가열 및 냉각 블록에 의해 실행될 수 있으며, 가열 및 냉각 모두는 동일한 열 접촉면으로 제공될 수 있다.
Description
가령, 집적회로나 평판 패널 디스플레이와 같은 반도체 기반 장치의 제조에 있어서, 물질층은 기판 표면에 교대로 증착되어 에칭될 수 있다. 제조과정 중에, 가령 브롬인산규소 글라스(borophosphosilicate glass; BPSG), 폴리실리콘, 금속 등의 다양한 물질층은 기판 위에 증착된다. 이 증착층은 가령, 포토레지스트 처리와 같은 공지의 기술에 의해 패터닝될 수 있다. 다음에, 증착층 부분은, 상호 연결선, 바이어스, 트렌치(trench) 등의 다양한 특정부를 형성하도록 에칭될 수 있다.
에칭처리는 플라즈마 강화 에칭(plasma enhanced etching)을 포함하는 다양한 공지기술에 의해서 달성될 수 있다. 플라즈마 강화 에칭에 있어서, 실제 에칭은 대체적으로 플라즈마 처리 챔버 내부에서 행해진다. 기판 웨이퍼 표면 위에 원하는 패턴을 형성하기 위해서, 적절한 마스크(가령, 포토레지스터 마스크)가 대체적으로제공된다. 플라즈마 처리 챔버 내의 기판 웨이퍼에서는 다음에 적절한 에칭액 소스가스(가스들)로 플라즈마가 형성된다. 이 플라즈마는 마스크에 의해 보호되지 않고 남겨진 영역을 에칭함으로써 원하는 패턴을 형성하는데 사용된다. 이 방법에 있어서, 증착층 부분은 상호 연결선, 바이어스, 트렌치, 및 다른 특징부를 형성하기 위해 에칭된다. 이 증착 및 에칭 처리는 원하는 회로가 얻어질 때까지 반복될 수 있다.
논의를 쉽게 하기 위해서, 도 1은 반도체 기반장비의 제조용으로 적합한 간단한 플라즈마 처리장치(100)를 나타낸다. 간단한 플라즈마 처리장치(100)는 전자기 척(electrostatic chuck; ESC)이나 다른 웨이퍼 서포트(104)를 갖는 플라즈마 처리 챔버(102)를 포함한다. 이 척(104)은 전극으로서 작용하며 제조하는 동안에 웨이퍼(106)(즉, 기판)를 지지한다. 웨이퍼(106)의 표면은 웨이퍼 처리 챔버(102)내로 방출되는 적절한 에칭액 소스 가스에 의해서 에칭된다. 에칭액 소스 가스는 샤워헤드(108)를 통해 방출될 수 있다. 플라즈마 처리 소스 가스는 가스 분배판의 관통홀과 같은 다른 기구에 의해서도 방출될 수 있다. 진공판(110)은 웨이퍼 처리 챔버(102)의 벽(112)과의 기밀접촉을 유지한다. 진공판(110)상에 제공된 코일(114)은 무선 주파수(RF)전원(도시 생략)에 결합되고, 샤워헤드(108)를 통해서 방출된 플라즈마 처리 소스 가스로 플라즈마를 점화(발화)하는데 사용된다. 대체적으로 척(104)은 RF전원(도시생략)을 이용하는 에칭 처리과정 동안에 RF전원이 인가된다. 또 펌프(116)는 덕트(118)를 통해 플라즈마 처리 챔버(102)로부터 처리 가스 및 기상(氣相)의 제품을 인출하기 위해 포함되어 있다.
당업자에게 잘 알려져 있는 바와 같이, 에칭 처리와 같은 반도체 처리의 경우에, 웨이퍼 처리 챔버 내의 다수의 파라미터는 높은 내구성 결과를 유지하기 위해서 정밀하게 제어될 필요가 있다. 웨이퍼 챔버의 온도는 그러한 파라미터 중 하나이다. 에칭 내구력( 및 결과로 얻어지는 반도체 기반 장비성능)은 시스템 내의 구성요소들의 온도 변동에 매우 민감할 수 있으며, 그로 인해 정밀한 제어가 요구된다. 보다 상세하게 설명하면, 에칭 처리가 실행되는 챔버의 온도는 원하는 에칭 특성을 얻기 위해서 정밀하게 제어될 필요가 있다. 게다가, 최근 집적회로의 최소 배선폭이 계속 감소됨에 따라서, 통상적인 플라즈마 처리 시스템을 이용하여 원하는 특징을 처리하는데는 점점 더 힘들어지게 된다.
플라즈마 처리장치에 있어서, 반도체 장비의 제조를 위해서 여기된 처리가스에 의해 형성된 플라즈마가 사용되고, 플라즈마를 만들기 위한 처리가스의 여기는 플라즈마 처리장치의 여러 구성요소를 가열하게 되는 높은 에너지 동작이다. 이 가열은 플라즈마 처리장치에 의해 실행된 처리의 정밀도 및 재현성에 영향을 준다. 최소 배선폭의 지속적인 감소에 따라, 반도체 장비의 일관되고 정밀한 제조를 제공하기 위해서 우수한 온도제어를 갖는 플라즈마 처리장치를 제공할 필요성이 더욱 증대되고 있다.
통상적으로, 고온의 내벽을 갖는 플라즈마 처리 챔버를 제공하기 위해 또는 작은 가열램프를 사용하는 플라즈마 처리 챔버를 가열하기 위해 플라즈마 처리 챔버를 가열하여 왔다. 대체적으로 가열은 처리의 개시에 앞서서 플라즈마 처리 챔버를 예열하기 위해 사용된다. 대체적으로 냉각은 적극적으로 자주 제공되지 않았으므로, 냉각은 단순히 대류 및 복사를 통해 소극적으로 행해졌다. 특히, 이러한 열적인 해법은 플라즈마 처리 챔버의 알루미늄 라이너에 대해 고안되었고, 그로 인해 보다 어려운 작업인 세라믹 라이너의 가열이나 냉각은 적합하지 않다. 알루미늄 라인은 또 세라믹 라이너에서 관찰되는 중대한 오염을 가져온다.
상술한 관점에서, 반도체 제조장비 상에 보다 우수한 온도제어를 제공하는 개선된 플라즈마 처리 시스템에 대한 필요성이 존재한다.
본 발명은 반도체 집적회로의 제조에 관한 것으로, 특히 플라즈마 처리시스템의 온도제어에 관한 것이다.
본 발명은 첨부 도면과 함께 다음의 상세한 설명으로부터 쉽게 이해될 것이며, 동일 참조번호는 같은 구조적인 요소를 가리킨다.
도 1은 반도체 기반 장비의 제조에 적합한 간단한 플라즈마 처리장치를 나타낸다.
도 2A는 본 발명의 일실시예에 따르는 가열 및 냉각유닛을 나타낸다.
도 2B는 본 발명의 일실시예에 따르는 온도 제어시스템의 블록 다이어그램이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따르는 플라즈마 처리장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따르는 플라즈마 처리장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따르는 도 4에 도시된 플라즈마 작동장치에 의해 제공되는 바와 같은 진공판 상에 제공된 냉각 블록의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따르는 플라즈마 처리장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따르는 플라즈마 처리장치의 단면도이다.
도 8A는 그에 열 결합된 2개의 가열 및 냉각유닛을 갖는 측벽 가열 및 냉각시스템의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 8B는 플라즈마 처리장치의 챔버벽의 다른 구성을 나타내는 다이어그램이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따르는 플라즈마 처리 챔버의 평면 단면도이다.
도 10은 챔버벽과 외부 컨테이너벽을 구비하는 플라즈마 처리 챔버의 일부를 나타내는 측면 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따르는 플라즈마 처리장치의 단면도이다.
대체적으로 말하면, 본 발명은 플라즈마 처리장치에서 매우 정밀한 온도 제어를 달성할 수 있는 온도 관리시스템 및 방법에 관한 것이다. 일실시예에 있어서, 이 온도 관리 시스템 및 방법은 반도체 장비의 제조과정 중에 플라즈마와 상호 작용하는 플라즈마 처리장치의 표면에 걸쳐서 정밀한 온도제어를 달성할 수 있도록 작동한다. 본 발명에서 제공하는 정밀 온도제어는 외형의 크기가 지속적으로 감소됨에 따라서 더욱 중요시되는 플라즈마 처리장치에 대한 보다 우수한 처리 제어를 제공한다.
본 발명은 시스템, 장치, 기계, 또는 방법을 포함하는 여러 가지 방식으로 실시될 수 있다. 본 발명의 몇 개의 실시예를 이하에 기술한다.
플라즈마 처리장치로서, 본 발명의 일실시예는 적어도: 모두 내부면과 외부면을 갖는 벽과 덮개를 지니며, 처리 가스에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는데 사용되는 처리 챔버와; 이 처리 챔버의 외부면에 열 결합되며, 처리 챔버의 내부온도를 조절하도록 제어되는 적어도 하나의 복합 가열 및 냉각블록을 구비하는 열 관리시스템을 포함한다.
반도체 제조장치로서, 본 발명의 일실시예는 적어도: 벽과 바닥면에 형성된 플라즈마 처리 챔버와; 이 플라즈마 처리 챔버 벽의 상부에 제거 가능하게 결합된 밀봉 덮개와; 이 밀봉 덮개의 상부면에 제공된 RF전원 전극과; 밀봉 덮개 또는 플라즈마 처리 챔버에 접속된 적어도 하나의 온도센서와; 밀봉 덮개의 상부면에 결합된 제 1가열 및 냉각 유닛과; 플라즈마 처리 챔버 벽의 외부면에 결합된 제 2가열 및 냉각유닛을 포함한다.
플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리 챔버에 온도제어를 제공하기 위한 방법으로서, 이 방법은 적어도: 플라즈마 처리 챔버의 내부온도를 직접 또는 간접으로 측정하는 단계와; 측정된 온도를 목표 온도와 비교하는 단계와; 플라즈마 처리 챔버에 열 결합되는 온도 제어블록을 가열함으로써 플라즈마 처리 챔버를 가열하는 단계와; 온도 제어블록을 능동적으로 냉각함으로써 플라즈마 처리 챔버를 냉각하는 단계를 포함한다.
플라즈마 처리장치로서, 본 발명의 다른 실시예는 적어도: 모두 내부면과 외부면을 갖는 벽과 덮개를 지니며, 처리가스에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는데 사용되는 처리 챔버와; 이 처리 챔버의 내부온도가 낮은 목표온도 이하가 될 때 히터요소로써 처리 챔버를 가열하고, 히터요소를 통해서 내부온도가 높은 목표온도 이상이 될 때 냉각요소로써 처리 챔버의 내부온도를 조절하기 위한 수단을 포함한다.
복합 가열 및 냉각블록으로서, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 이 복합 가열 및 냉각블록은 샌드위치 구조를 가지며, 적어도 히터요소, 냉각요소, 및 이 히터요소와 냉각요소 간의 열 브레이크요소를 포함한다.
본 발명의 이점은 무수히 많다. 다른 실시예나 실행은 하나 이상의 다음의 이점을 가져올 수 있다. 본 발명의 하나의 이점은, 본 발명에 의해서 플라즈마 처리장비의 온도가 실질적으로 감소되는 경향으로 제어되는데 있다. 본 발명의 다른 이점은 플라즈마 처리장비의 온도가 보다 우수한 장비대 장비의 정합(整合)이 가능하도록 향상된 정밀도로 제어될 수 있는데 있다. 본 발명의 또 다른 이점은 공통 열 접촉면의 사용에 의해서, 냉각 및 가열 모두가 제공될 뿐만 아니라, 균일하고 부드럽게 온도 제어되는 표면의 온도특성을 가져오는데 있다. 또한, 온도 제어되는 표면의 온도특성은 웨이퍼 처리로 인한 체류동안에 공간과 시간이 변화되지 않을 수 있다. 본 발명의 또 다른 이점은 비침식성이며 쉬운 제거가능성에 있다.
본 발명의 다른 측면 및 이점은 본 발명의 원리를 설명하기 위한 첨부 도면의 도시와 함께 다음의 상세한 설명을 통해서 보다 명백해질 것이다.
본 발명은 플라즈마 처리장치에서 매우 정밀한 온도 제어를 달성할 수 있는 온도 관리시스템 및 방법에 관한 것이다. 일실시예에 있어서, 이 온도 관리 시스템 및 방법은 반도체 장비의 제조과정 중에 플라즈마와 상호 작용하는 플라즈마 처리장치의 표면에 걸쳐서 정밀한 온도제어를 달성할 수 있도록 작동한다. 본 발명에서 제공하는 정밀 온도제어는 외형의 크기가 지속적으로 감소됨에 따라서 더욱 중요시되는 플라즈마 처리장치에 대한 보다 우수한 처리 제어를 제공한다.
반도체장비를 제조하기 위한 플라즈마 처리장치에 있어서, 플라즈마를 생성하기 위한 처리가스의 여기는 플라즈마 처리장치의 여러 구성요소의 가열을 가져오는 높은 에너지 동작이다. 본 발명은 플라즈마 처리장치에 걸쳐서 매우 정밀한 온도 제어를 달성할 수 있는 온도 관리시스템 및 방법에 관한 것이다. 일실시예에 있어서, 이 온도 관리시스템 및 방법은 반도체 장비의 제조과정 중에 사용되는 플라즈마와 상호 작용하는 플라즈마 처리장치의 표면에 걸쳐서 정밀한 온도제어를 달성할 수 있도록 작동한다.
일실시예에 있어서, 온도 제어시스템은 온도 제어를 위해서 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리 챔버의 외부면에 결합되는 가열 및 냉각 유닛을 포함한다. 이 가열 및 냉각유닛은 동일한 열 접촉면을 통해서 제어되는 표면으로부터 분리되거나 그에 열 결합되도록 제공된다.
이하, 도 2 내지 11을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 그러나, 당업자에게는 이들 도면과 함께 주어진 상세한 설명이 본 발명의 예시 목적을위한 것이며, 본 발명은 이들 제한된 실시예를 넘어서 확장 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 2A는 본 발명의 일실시예에 따르는 가열 및 냉각유닛(200)을 나타낸다. 가열 및 냉각유닛(200)은 표면(202)을 가열 또는 냉각하기 위해 사용된다. 표면(202)은 가열 및 냉각 모두를 필요로 하는 면으로 여겨진다. 가령, 이 표면(202)은 초기에 가열을 필요로 하며 이후에 냉각을 필요로 할 수 있다. 어떤 경우에, 표면(202)의 온도는 정밀하고 정확하게 제어되는 것을 필요로 한다. 도 2A에 도시한 바와 같이, 가열 및 냉각유닛(200)은 등각 열 접촉면(204), 가열블록(206), 열 브레이크(208), 및 냉각블록(210)을 포함한다. 등각 열 접촉면(204)은 금속 함침 실리콘 러버와 같은 물질의 박막층이며, 이 러버는 층의 두께가 쉽게 합치되므로 비교적 고효율의 열계수를 갖는다. 그러므로, 등각 열 접촉면(204)은 표면(202)과 가열블록(206)간에 높은 열 결합을 제공한다. 가열블록(206)은 등각 열 접촉면(204)을 통해서 표면(202)에 결합되는 열을 생성할 수 있다. 열을 생성하기 위해서, 가열블록(206)은 하나 이상의 저항소자를 구비할 수 있다. 이 저항소자는 제어된 전류나 전압을 통해서 가열블록(206)을 가열할 수 있다. 일예로서, 가열블록(206)은 알루미늄과 같은 금속재로 제조된다.
열 브레이크(208)는 가열블록(206)과 냉각블록(210)사이에 끼워져 있다. 이 열 브레이크(208)는 가령, 실리콘 러버와 같은 기판이다. 특히, 열 브레이크(208)의 열전도성은 층의 두께로 인해서 등각 열 접촉면(204)의 열전도성 보다는 실질적으로 작다. 열 브레이크(208)는 가열블록(206)과 냉각블록(210)사이의 전이영역을제공함으로써 2개의 블록은 모두 가열 및 냉각유닛(200)으로서 제공될 수 있다. 냉각블록(210)은 냉각요소에 의해서 자체 냉각된다. 일실시예에 있어서, 냉각요소는 냉각블록(210)을 통해 흐르는 온도 제어용 액체(가령, 물)이다. 냉각블록(210)은 가령, 알루미늄과 같은 금속으로 제조될 수 있다.
도 2B는 본 발명의 제 1실시예에 따르는 온도 제어시스템(250)의 블록 다이어그램이다. 이 온도 제어시스템(250)은 표면(252)의 온도를 제어하도록 작동한다. 예를 들면, 표면(252)은 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리 챔버의 외부면에 결합될 수 있다.
온도 제어시스템(250)은, 이 온도 제어시스템(250)의 전체동작을 제어하는 온도 조절기(254)를 구비함으로써, 표면(252)은 적절한 온도로 유지된다. 온도 조절기(254)는 원하는 온도로 유지하기 위해 필요에 따라서 표면(252)의 가열 및 냉각 모두를 제어할 수 있다. 온도 조절기(254)는 표면(252)에 연결되어 있는 온도센서(256)로부터 표면(252)의 온도를 얻는다. 온도센서(256)로부터 얻어지는 온도에 따라서, 온도 조절기(254)는 표면(252)이 가열 또는 냉각을 필요로 하는지를 결정한다. 온도 조절기(254)가 표면의 가열이 필요하다고 결정하면, 온도 조절기(254)는 히터요소(258) 및 히터요소(260)를 작동시킬 수 있다. 전형적으로, 히터요소(258, 260)는 표면(252)을 가열시키도록 유사한 방식으로 동시에 작동된다. 한편, 온도 조절기가 표면(252)의 냉각이 필요하다고 결정하면, 온도 조절기(254)는 냉각요소(262) 및 냉각요소(264)를 작동시킬 수 있다. 전형적으로, 냉각요소(262, 264)는 표면(252)을 냉각시키도록 유사한 방식으로 동시에 작동된다. 도 2B에 도시한 바와 같이, 냉각요소(262, 264)는 각각, 히터요소(258, 260)를 통해서 표면(252)에 결합된다. 히터요소(258, 260)를 통해 표면(252)에 냉각요소를 결합시킴으로써, 표면(252)에 대해서 보다 원활한 공간 및 일시적인 온도특성을 제공할 수 있으며, 그로 인해 표면(252)에서 보다 균일한 온도특성을 생성한다.
특히, 히터요소(258, 260)가 작동되면 냉각요소(262, 264)는 작동되지 않으며, 냉각요소(262, 264)가 작동되면 히터요소(258, 260)는 작동되지 않는다. 그럼에도 불구하고, 어떤 경우에는 각각의 가열 및 냉각요소를 동시에 모두 작동시키는 것이 유리할 때도 있다. 일실시예에 있어서, 히터요소(258)와 냉각요소(262)의 결합 및 히터요소(260)와 냉각요소(264)의 결합은 도 2A에 도시된 가열 및 냉각유닛(200)과 같이 구축될 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따르는 플라즈마 처리장치(300)의 단면도이다. 이 플라즈마 처리장치(300)는 플라즈마 처리 챔버(304)에 열 결합되는 가열 및 냉각판(302)을 구비한다. 플라즈마 처리 챔버(304)는 제조과정 동안에 웨이퍼(즉, 기판)(308)를 지지하기 위한 웨이퍼 홀딩기구(306)를 갖는다. 일 예로서, 웨이퍼 홀딩기구(306)는 전자기 척일 수 있다. 웨이퍼(308)의 표면은 웨이퍼 처리 챔버(304)내로 방출되는 적절한 플라즈마 처리 소스가스에 의해 에칭된다. 이 플라즈마 처리 소스가스는 샤워헤드나 가스 분배판을 포함하는 여러 가지 기구에 의해서 방출될 수 있다. 진공판(310)은 플라즈마 처리 챔버(304)의 벽(312)과 밀봉접촉을 유지한다. 진공판(310)에 제공된 코일(314)은 무선 주파수(RF)전원(도시생략)에 접속되며, 플라즈마 처리 챔버(304)로 방출되는 플라즈마 처리 소스가스로부터 플라즈마를 점화(발화)하는데 사용된다. 또, 웨이퍼 홀딩기구(306)는 RF전원(도시생략)을 사용하여 에칭 처리를 하는 동안에 자주 RF전원이 인가된다. 덕트(316)를 통해서 플라즈마 처리 챔버(304)로부터 처리가스 및 기상(氣相)의 제품을 인출하기 위한 펌프(316)를 포함할 수도 있다.
가열 및 냉각판(302)은 플라즈마 처리장치(300)의 진공판(310)의 온도를 제어하여, 작동 중에 플라즈마에 노출되는 진공판(310)의 내부면이 제어온도로 유지될 수 있도록 한다. 가열 및 냉각판(302)은 가열 및 냉각동작 모두를 제공하도록 몇 개의 상이한 층으로 형성된다. 보다 상세하게는, 가열 및 냉각판(302)은 진공판(310)에 직접 결합되는 열 가스켓(320)을 구비한다. 이 열 가스켓(320)은 진공판(310)의 외부면에 대해서 등각 열 접촉면을 제공하는 유연재질이다. 가열 및 냉각판(302)은 열 가스켓(320)상에 제공되는 히터블록(322)을 구비한다. 히터블록(322)은, 통전시에 이 히터블록(322)을 가열하는 저항요소를 구비한다. 열 브레이크(324)는 히터블록(322)상에 제공된다. 열 브레이크(324)는 고온면과 저온면 간에 열분리 구역을 제공한다. 열 브레이크(324)상에는 냉각블록(326)이 있다. 냉각블록(326)은, 이 냉각블록(326)을 냉각하도록 작용하는 다수의 냉각요소를 구비한다. 따라서, 가열 및 냉각판(302)은 열 가스켓(320), 히터블록(322), 열 브레이크(324) 및 냉각블록(326)을 포함하는 샌드위치 구조로서 보여질 수 있다. 따라서, 진공판(310)의 온도는 히터블록(322)의 히터 요소나 냉각블록(320)의 냉각요소 중 어느 하나의 작동을 통해서 제어될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따르는 플라즈마 처리장치(400)의 단면도이다. 이 플라즈마 처리장치(400)는 도 3에 도시한 플라즈마 처리장치(300)와 유사하다. 이 플라즈마 처리장치(400)는 진공판(310)에 결합되는 가열 및 냉각판(402)을 구비한다. 이 냉각 및 가열판(402)은 도 3에 도시한 가열 및 냉각판(302)과 유사한 것으로, 열 가스켓(320), 가열블록(322), 열 브레이크(324), 및 냉각블록(326)을 포함하는 샌드위치 구조를 갖는다. 또한, 가열 및 냉각판(402)은 히터블록(322)내의 노치(404) 및 냉각블록(326)내의 노치(406)를 구비한다. 주어진 가열 및 냉각판(402)은 플라즈마 처리 챔버(402) 내에서 플라즈마를 활성시키도록 작용하는 RF코일과 근접하게 위치되고, 다량의 무선 주파수(RF)에너지는 RF코일(314)을 감쌀 수 있게 된다. 결과적으로, 히터블록(322) 및 쿨러블록(326)내에 구비된 노치(404, 406)는 각각, RF코일(314)로부터 히터블록(322) 및 쿨러블록(326)중 어느 하나 또는 모두로의 RF에너지의 결합을 방지한다. 보다 상세하게는, 만일 RF코일(314)을 감싸는 전도성 루프가 전자기 에너지의 결합을 촉진하도록 제공된다면, RF코일(314)은 히터블록(322) 또는 쿨러블록(326)내에서 순환하는 전류를 유도할 수 있다. 또한, RF코일(314)을 감싸지 않는 와전류(eddy current)는 그들의 영역 및 RF코일(314)의 근접도에 따라서 에너지를 결합시킬 수도 있다. 그러나, 히터블록(322) 및 쿨러블록(326)에 제공된 노치(또는 슬롯)는 RF코일(314)로부터의 결합 에너지를 수용하고 와전류에 대한 영역을 줄이는 역할을 하는 전도성 루프의 존재를 피하도록 작용한다. 그에 따라, 노치(404, 406)는 RF에너지가 가열 및 냉각판(402)에서 결합되는 것을 방지한다. 잠재적으로, 만일 가열 및 냉각판(402)에 대한 RF에너지의 결합이 허용되어 이 RF에너지가 가열 및 냉각판(402)을 손상시키도록 작용하면, 온도제어를 방해하여 플라즈마를 생성하는데 유용한 전력을 감소시키고 및/또는 RF결합을 최소화하기 위해 사용되는 고가의 다른 측정을 필요로 한다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따르는 도 4에 도시된 플라즈마 작동장치(400)에 의해서 제공되는 바와 같이, 진공판(310)상에 제공된 냉각블록(326)의 평면도이다. 이 냉각블록(326)은, 이 냉각블록(326)을 통해서 순환하는 냉각관에 의해 제공되는 냉각요소를 포함한다. 도 5에서, 냉각관은 냉각유체용 입구(500) 및 출구(502)를 갖는다. 이 실시예에 있어서, 냉각유체는 안전하고 값싼 액체인 물(즉, H2O)일 수 있으나, 다른 유체의 사용도 가능하다. 그러므로, 냉각요소는 냉각블록(326)을 통해서 순환하는 하나의 냉각관에 의해 공급된다. 도 5에 도시한 바와 같이, 하나의 냉각관은 냉각요소를 제공하도록 이용될 수 있다. 다시 말해서, 이 실시예에 있어서, 냉각블록(326)내에 제공된 냉각관의 다른 부분은 냉각요소의 역할을 실행한다.
덧붙여서, 냉각블록(326)은 또한 도 4에 도시된 노치(404, 406)의 역할을 실행하는 절결홈(cut)(504, 506)을 구비한다. 절결홈(504, 506)의 패터닝은 코일(304)로부터의 RF에너지를 수용하도록 작용하게 되는 냉각블록(326)내의 전도성 루프가 방지되도록 작용한다. 다시 말해서, 절결홈(504, 506)은 가열 및 냉각판(302)의 냉각블록(326)내로의 RF에너지의 어떤 결합을 방지하거나 적어도 실질적으로 감소시키도록 냉각블록(326)내에 형성된다.
비록 도 5는 냉각블록(326)의 냉각요소 및 절결홈(504, 506)에 대한 특정한패턴을 도시하였으나, 당업자라면 냉각요소와 노치를 택일하여 사용할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 가령, 냉각요소는 냉각유체용 단일 입구 및 출구 대신에 다수의 유동 경로에 의해 제공될 수 있다. 또한, 냉각요소 및 노치(절결홈)은 반경방향 패턴의 사용에 의해 유사한 효과를 달성할 수 있도록 다르게 배열될 수도 있다.
비록 도 5는 코일(314)로부터의 어떤 RF결합을 실질적으로 감소시키도록 절결홈(504, 506)을 갖는 냉각판(326)을 도시하였으나, 가열판(322)도 코일(314)로부터의 RF에너지를 수용하도록 작용하는 가열블록(322)내에서의 전도성 루프를 방지하기 위한 절결홈으로 유사하게 패터닝될 수 있다. 또한, 일실시예에 있어서, 가열블록(322)내의 절결홈은 열 브레이크(324)의 분리를 통해서 냉각판(326)의 절결홈(504, 506)상에서 동일하게 패터닝되고 배치된다.
게다가, 비록 도 3 내지 5는 RF코일(314)에 대한 내부 진공판(310)상의 가열 또는 냉각요소의 제공을 도시하지는 않았으나, 부가적인 가열 및 냉각을 제공하기 위해 보다 작은 가열 및 냉각판이 RF코일에 대해 내부에 제공될 수 있음을 주목해야 한다. 그러한 가열 및 냉각판은 가열 및 냉각판(302, 402)으로서 유사한 방식으로 배열 및 이용될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따르는 플라즈마 처리장치(600)의 단면도이다. 이 플라즈마 처리장치(600)는 도 3에 도시된 플라즈마 처리장치(300)나 도 4에 도시된 플라즈마 처리장치(400)과 유사하다. 그러나, 추가로 이 플라즈마 처리장치(600)는 가열 및 냉각블록(302, 402)의 냉각블록(326)상에 제공되는 덮개판(6O2)를 구비한다. 이 덮개판(602)은 가령, 나일론으로 제조된다.
또한, 진공판(310)에 대한 적절한 위치에 가열 및 냉각판(302, 402)을 유지하고, 가열판 및 냉각판(302, 402)이 플라즈마 처리장치(610)의 유지보수나 재배치를 위해 제거 가능하게 견고한 형태의 지지판(604)을 사용할 수 있다. 플라즈마 처리장치(600)는 지지판(604)에 대해 스프링(610, 612)을 안내하는 핀(606, 608)을 구비한다. 스프링(610, 612)은 가열 및 냉각판(302, 402)이 진공판(310)의 외부면쪽으로 편향되도록 덮개판(602)을 가압하는 역할을 한다. 그러므로, 지지판(604), 핀(606, 608) 및 스프링(610, 612)은 가열 및 냉각판(302, 402)이 진공판(310)의 외부면과 우수한 열접촉 관계를 유지하도록 협동한다. 또, 가열 및 냉각판(302, 402)은 핀(606, 608)을 뽑아낸 다음 가열 및 냉각판(302, 402)을 제거함으로써 최소의 노력으로 진공판(310)으로부터 제거할 수 있다. 이러한 가열 및 냉각판(302, 402)의 쉬운 제거는 신속한 수리, 유지보수나 재배치를 가능케 하며 일정한 위치 및 열적 접촉을 위한 조립을 가능케 한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따르는 플라즈마 처리장치(700)의 단면도이다. 이 플라즈마 처리장치(700)는 도 3에 도시한 플라즈마 처리장치(300)와 유사하지만, 다수의 측벽 가열 및 냉각유닛을 구비한다. 도 7에는 2개의 다수의 측벽 가열 및 냉각유닛(702, 704)이 도시되어 있다. 대체적으로, 가열 및 냉각유닛은 도 9에 대해서 이하에 설명하는 바와 같이 일정한 방법으로 처리 챔버의 주변부 둘레에 제공하게 된다.
측벽 가열 및 냉각유닛(702)은 열 가스켓(706), 히터블록(708), 열 브레이크(710), 및 냉각블록(712)을 구비한다. 마찬가지로, 측벽 가열 및 냉각유닛(704)은 열 가스켓(714), 히터블록(718), 열 브레이크(720), 및 냉각블록(722)을 구비한다. 따라서, 가열 및 냉각유닛(702, 704)은 도 2에 도시한 가열 및 냉각블록(200)과 유사한 배열을 갖는다. 이 가열 및 냉각요소(702, 704)는 플라즈마 처리 챔버(304)의 측벽 외부면과 열 결합한다. 이 가열 및 냉각요소(702, 704)는 플라즈마 처리 챔버(304)의 측벽을 가열하거나 냉각하도록 제어됨으로써, 플라즈마 처리 챔버(304)의 측벽 내벽면의 온도를 제어한다.
비록 도 7은 진공판(310)상에 제공된 가열 및 냉각판(302)을 도시하였으나, 이 가열 및 냉각판(310)은 이 실시예에 있어서 선택적인 것으로, 플라즈마 처리 챔버(304)의 측벽에 결합된 다수의 가열 및 냉각유닛을 제공하도록 동작될 수 있으며, 진공판(304)에 결합된 가열 및 냉각판(302)을 구비하거나 구비하지 않을 수도 있다. 그럼에도 불구하고, 가열 및 냉각판(302)이 플라즈마 처리장치(700)에 제공된다면, 가열 및 냉각판(302)은 노치(404, 406)나 지지판(604), 핀(606, 608) 및 스프링(도 4 및 도 6에 도시한 610, 612)을 포함할 수도 있다.
가열 및 냉각유닛(702, 704)이 도 2A에 도시한 가열 및 냉각블록(200)에 따라서 일반적으로 설계되어 있는 한편, 도 8A는 측벽 가열 및 냉각유닛(702, 704)에 대한 특정한 실시예를 나타낸다.
도 8A는 상부에서 본 측벽 가열 및 냉각시스템(800)의 일부를 나타낸다. 이 가열 및 냉각 시스템(800)은 외부면, 즉 플라즈마 처리 챔버의 벽(802)의 내부면을 가열 및 냉각하도록 작용한다. 이 실시예에서, 플라즈마 처리 챔버는 대략 원형의형태를 가지며, 따라서 벽(802)의 예시부는 곡선을 갖는 것으로 도 8A에는 도시되어 있다. 또 도 8A는 벽(802)의 예시부에 열 결합된 2개의 가열 및 냉각유닛을 나타낸다. 각각의 가열 및 냉각유닛은 위에서 본 단면도가 도 8A에 도시되어 있다. 가열 및 냉각유닛은 얇은 등각의 열 접촉면을 제공하는 열 가스켓(804)을 구비한다. 이 열 가스켓은 그러므로 가열 및 냉각유닛과 벽(802)의 외부면 간에 우수한 열 결합을 제공한다. 이 가열 및 냉각유닛은 또한 히터블록(806)을 구비한다. 각 히터블록(806)은 저항요소를 구비하며, 이 저항요소(807)를 통해서 전류가 공급되면 히터블록(806)이 발열되도록 작용한다. 또 가열 및 냉각유닛은 한쌍의 냉각영역(808, 810)을 포함한다. 이들 냉각영역(808, 810)은 각각 냉각요소(809, 811)를 구비한다. 일예로서, 이 냉각요소(809, 811)는 냉각된 유체가 흐르는 튜브에 부속될 수 있다. 가열 및 냉각유닛은 또 냉각영역(808)과 가열블록(806)간에 열 브레이크(812)를, 냉각영역(810)과 가열블록(806)간에 열 브레이크(814)를 구비할 수도 있다. 이들 열 브레이크(812, 814)는 냉각영역(808, 810)과 가열블록(806)간의 온도차에 의한 온도구배가 생길 수 있는 영역을 제공한다.
도 8A의 벽(802)이 하나의 조각으로 도시되어 있는 반면에, 도 8B는 다른 실시예로서 샌드위치 구조(802d)의 벽을 나타낸다. 내벽 요소(802a)는 플라즈마 처리 챔버의 적용에 적합하도록 특정 물질로 제조할 수 있다. 외벽 요소(802b)는 내벽을 지지하는 기능을 수행할 수 있는 물성치를 갖는 어떤 적합한 물질로 제조할 수 있다. 2개의 벽 요소(802a, 802b)를 결합하는 외벽(802a)과 결합재(802c)는 도 8에 도시한 가열 및 냉각 시스템(800)으로 내벽 요소(802a)의 내벽면을 온도 제어할 수있도록 적절한 열전도성을 가져야 한다. 결합재(802c)의 두께 및 조성은 원하는 온도 제어성능에 적합하도록, 그리고 내벽 및 외벽요소(802b, 802a)간의 열팽창계수와의 불일치를 보상하도록 변화시킬 수 있다. 결합재(802c)의 두께와 조성 역시, 내벽과 외벽 요소간의 전기 전도성을 변화시켜 온도 제어를 여전히 원하는 경우에 내벽의 전기 흐름을 가능케 할 수 있다. 내벽(802a)의 재료는 벽(802)의 구조적 요구에 대한 영향을 적게받도록 선택함으로써, 플라즈마 처리 챔버의 내부 체적과 대면하는 재료의 화학적 또는 전기적 특성에 대한 확대된 선택을 가능케 할 수 있다. 부가하여, 이것은 반응기의 내부 체적과 대면하는 재료가 중요하지만 벽에 대한 원하는 크기나 형상으로 이용할 수 없는 경우 물질의 선택을 가능케 한다. 내벽 요소의 타일 연결작업은 도 8B의 가능한 조인트(802e)로 도시한 바와 같이 타일 연결 및 배치의 적절한 형상화에 의해 달성될 수 있다.
도 7과 8에 도시한 바와 같이 플라즈마 처리 챔버의 측벽용으로 이용된 가열 및 냉각유닛은, 플라즈마 처리 챔버의 측벽용으로 이용된 가열 및 냉각유닛이 플라즈마를 점화시키는 진공판 상의 코일로부터 어떤 커다란 RF결합을 수용하지 않기 때문에, 도 4에 도시한 바와 같이 가열 및 냉각판(302)에 제공된 노치를 구비할 필요는 없다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따르는 플라즈마 처리 챔버(900)의 평면 단면도이다. 이 플라즈마 처리 챔버(900)는 챔버벽(902) 및 외부 컨테이너 벽(904)을 갖는 것으로 도시되어 있다. 일련의 가열 및 냉각블록(906)은 챔버벽(902)의 외부면에 열 결합된다. 도 9에 도시한 바와 같이, 가열 및 냉각블록(906)은챔버벽(902)의 주변 둘레에 등거리로 이격될 수 있다. 이 실시예에 있어서는 챔버벽(902)의 온도 제어를 위해 제공되는 16개의 가열 및 냉각블록(906)이 있다. 그러나, 특히 챔버벽(902)의 열전도성이 심하게 변화되거나 가열 및 냉각블록의 표면적이 증대된다면, 서로 다른 수의 가열 및 냉각블록을 쉽게 제공할 수 있음을 이해하여야 한다. 챔버벽(902)은 도 8B에 도시한 바와 같이 샌드위치 또는 타일 연결된 벽구조일 수도 있다. 또한,각 가열 및 냉각블록(906)은 스프링 편향핀(908)에 의해서 챔버벽(902)의 외부면으로 편향된다. 스프링 편향핀(908)은 챔버벽(902)의 외부면에 대해 히터블록(906)을 가압하도록 외부 컨테이너벽(904)에 대해 편향된 스프링이다. 이 스프링의 편향은 열 결합 및 재현성을 개선할 뿐만 아니라 수리, 유지보수 또는 재배치를 간단하게 하는 제거 가능성을 제공한다.
도 10은 챔버벽(1002)과 외부 컨테이너벽(1004)이 제공되는 플라즈마 처리 챔버(1000)의 일부의 측면도를 나타낸다. 일예로서, 챔버벽(1002)과 외부 컨테이너벽(1004)은 도 9에 도시한 챔버벽(902)과 외부 컨테이너벽(904)과 유사하게 제공될 수 있다. 여기에서, 플라즈마 처리 챔버(1000)는 한쌍의 소정위치의 가열 및 냉각블록, 즉 가열 및 냉각블록(1006, 1008)을 포함한다. 스프링 편향핀(1010, 1012)은 각각 챔버벽(1002)에 대해 가열 및 냉각 가열 및 냉각블록(1006, 1008)을 편향 또는 가압한다. 스프링 편향핀(1010, 1012)은 외부 컨테이너 벽(1004)에 대해 작용한다. 또한, 스프링 편향핀(1010, 1012)은 핸들(1018)에 결합된다. 이 핸들(1018)에 의해 기술자는 챔버벽(1002)이나 가열 및 냉각블록(1006, 1008) 자체의 유지보수, 수리, 교체 또는 다른 동작을 위해서 챔버벽(1002)으로부터 가열 및냉각블록(1006, 1008)을 쉽게 제거할 수 있다. 핸들(1018)을 뒤로 당겨 (외부 컨테이너 벽(1004)을 떨어뜨리면, 스프링 편향핀(1010, 1012)이 후퇴됨으로써, 가열 및 냉각블록(1006, 1008)은 더 이상 챔버벽(1002)을 가압하지 않게 되어 쉬운 제거나 정비를 위해서 부품들을 파손하지 않고도 서로에 대해 이동할 수 있게 된다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따르는 플라즈마 처리장치(1100)의 단면도이다. 이 플라즈마 처리장치(1100)는 가열 및 냉각판(302)을 구비하는 도 3에 도시한 플라즈마 처리장치와 유사하다. 그러나, 이 플라즈마 처리장치(1100)는, 플라즈마 처리장치(1100)의 다른 구역을 냉각하기 위한 부가적인 구성요소를 구비한다. 특히, 이 플라즈마 처리장치(1100)는 가열 및 냉각판(302)의 냉각블록(310)상에 제공되는 덮개판(1102)을 구비한다. 또한 이 플라즈마 처리장치(1100)는 플라즈마 처리 챔버(304)에 대해 고정된 견고한 위치를 갖는 지지판(1104)을 구비한다. 핀(1106, 1108)은 지지판(1104)을 통해서 덮개판(1102)쪽에 제공된다. 스프링(1110, 1112)은 각각 진공판(310)의 외부면에 대해 가열 및 냉각판(302)을 편향시키는 핀(1106, 1108)을 구비한다. 다시 말해서, 스프링(1110, 1112)은 진공판(310)에 대하 가열 및 냉각판(302)을 가압하도록 덮개판(1102)쪽으로 지지판 (1104)을 가압하는데 사용된다. 또한, 지지판(1104)은 DC코일(1114, 1116)을 지지할 수도 있다. 만일 지지판(1104)과 덮개판(1102)이 접촉된 상태에서, 핀(1106, 1108)과 스프링(1110, 1112)을 사용하지 않고도 충분히 가압할 수 있도록 적용된 경우에, DC코일의 무게만으로 충분할 수 있다. DC코일(1114, 1116)은 자계를 통해서 플라즈마 처리 챔버(304)내에서의 플라즈마의 분포를 변경하는데 사용할 수 있다. DC코일의 동작 및 플라즈마 처리장치에 대한 사용 상의 추가적인 상세한 설명은 참조로 여기에 인용되고 이 출원서와 함께 출원된 "개선된 플라즈마 처리시스템 및 그 방법"이란 명칭의 미국특허 제09/439,661(대리인 문서번호 제LAM1P122)호에 개시되어 있다. 또한, DC코일 또는 DC코일(1114, 1116)을 지지하는 지지판(1104)의 냉각을 위해서, 지지판(1104)은 이 지지판(1104)을 냉각하는 냉각요소(1118, 1120)를 구비한다. 일실시예에 있어서, 냉각요소(1118, 1120)는 냉각유체가 흐르는 관(채널)을 구비할 수도 있다. 이 방법에 있어서, DC코일(1114, 1116)이 동작온도로 냉각될 수 있으며, 그로 인해, 동작 중에 과열되지 않고 및/또는 그들의 온도는 보다 균일한 동작을 제공하도록 일반적으로 제어될 수 있다. 일실시예에 있어서, DC코일(1114, 1116)의 보다 우수한 냉각을 위해서 냉각요소(1118, 1120)는 DC코일(1114, 1116) 바로 아래에 제공될 수 있다. DC코일(1114, 1116) 및 지지판(1104)의 무게가 진공판(310)(온도 제어면)에 대해 가열 및 냉각판(온도제어 샌드위치 조립체)(302)을 가압하도록 사용된다면, 가열블록(310) 및 덮개판(1102)은 냉각요소(1118, 1120)에 의해 냉각된 지지판(1104)을 열적 및 기계적으로 대용할 수 있다는 것을 생각할 수 있다.
냉각블록은 관련표면을 냉각하기 위해 물의 흐름을 조절하는 냉각관을 이용할 수 있다. 일 실시에에 있어서, 냉각 웨이퍼의 온도는 약 15 내지 20℃로 고정되며, 유동률은 냉각 블록에 의한 냉각율을 증가 및 감소시키기 위해 제어된다.
열 브레이크는 일반적으로 실리콘 러버와 같은 고무로 형성된다. 전열벽에 대한 온도계수는 일반적으로 0.1 내지 2와트/mK, 특히 약 1와트/mK의 범위 내에서변화될 수 있다. 열 가스켓 역시 금속 함침 실리콘 러버와 같은 고무로 형성될 수 있다. 그러나, 열 가스켓은 높은 열전도성(가령, 4와트/mK)을 갖도록 설계됨으로써, 가열 및 냉각판은 진공판의 표면에 보다 열 결합된다. 이러한 관점에서, 열 가스켓용으로 사용된 고무는 그의 열전도성을 증가시키도록 은을 함침시킬 수 있다. 온도센서는 여러 곳에 제공될 수 있다. 일실시예에 있어서, 온도센서는 가열 및 냉각판에 사용하기 위해 진공판의 외부면에 결합되며, 가열 및 냉각판에 사용하기 위해 온도 모니터의 적절한 위치에서 측벽에 결합된다.
본 발명은 플라즈마 처리장치의 동작 동안에 ±5℃의 등급으로 플라즈마 처리 챔버의 온도를 제어할 수 있다. 본 발명은 가열 및 냉각요소에 적절히 배치되어 사용하기 위한 본 처리 챔버에 대한 공간적인 온도분포를 원활하게 제공하기 위해 제공할 수도 있다.
플라즈마 처리 챔버는 우수한 열전도성(가령 >200와트/mK)을 갖는 탄화규소(SiC)일 수 있으나, 열팽창 결과로 인해서 금속 라이너보다 가열 및 냉각하기가 보다 힘들다. 본 발명은 탄화규소로 제조된 플라즈마 처리 챔버에 대한온도 제어를 제공하는데 특히 적합하다. 본 발명은 냉각뿐만 아니라 필요에 따라 가열을 공급할 수 있다. 플라즈마 처리 챔버의 가열 및 냉각은 플라즈마 처리 챔버의 외부로부터 제공되는 것이 이익적이다.
본 발명을 여러 바람직한 실시예에 의해 설명하였지만, 본 발명의 범주 내에 속하는 변경, 치환 및 동등물이 존재한다. 또한, 본 발명의 방법 및 장치를 시시하는 많은 대안적인 방법이 존재함을 알아야 한다. 따라서, 첨부된 다음의 청구범위는 본 발명의 진정한 사상 및 범위 내에 속하는 그러한 변경, 치환 및 동등물을 포함하는 것으로 해석된다.
Claims (31)
- 모두 내부면과 외부면을 갖는 벽과 덮개를 지니며, 처리 가스에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는데 사용되는 처리 챔버와;상기 처리 챔버의 외부면에 열 결합되며, 처리 챔버의 내부온도를 조절하도록 제어되는 적어도 하나의 복합 가열 및 냉각블록을 구비하는 열 관리시스템을 포함하는 플라즈마 처리장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 복합 가열 및 냉각블록은 샌드위치 구조이고:히터요소;냉각요소; 및상기 히터요소와 냉각요소 간의 열 브레이크요소를 포함하는 플라즈마 처리장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 히터요소는 상기 처리 챔버의 외부면에 열 결합되고, 상기 냉각요소는 상기 열 브레이크 및 상기 히터요소를 통해서 상기 처리 챔버의 외부면에 열결합되는 플라즈마 처리장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 히터요소는 상기 처리 챔버의 외부면에 열결합되고, 상기 냉각요소는 상기 열 브레이크를 통해서 상기 처리 챔버의 외부면과 상기 히터요소에 열 결합되는 플라즈마 처리장치.
- 제 4항에 있어서, 상기 복합 가열 및 냉각블록은 상기 처리 챔버의 하나의 벽에 열 결합되는 플라즈마 처리장치.
- 제 5항에 있어서, 상기 처리 챔버의 벽은 열적 및/또는 전기적으로 결합된 물질의 샌드위치로 구성되는 플라즈마 처리장치.
- 제 5항에 있어서, 상기 처리 챔버의 벽은 재료의 열적 및/또는 전기적으로 결합된 물질의 샌드위치로 구성되는 플라즈마 처리장치.
- 제 4항에 있어서, 상기 복합 가열 및 냉각블록은 상기 처리 챔버의 덮개에 열 결합되는 플라즈마 처리장치.
- 제 8항에 있어서, 상기 처리 챔버는 플라즈마를 점화시키는 RF에너지를 생성하는데 사용하는 RF코일을 추가로 포함하고,상기 히터요소 및 상기 냉각요소의 적어도 하나는 상기 RF코일로부터의 RF결합을 최소화사기 위한 슬롯을 구비하는 플라즈마 처리장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 복합 가열 및 냉각블록에 대한 샌드위치 구조는 등각 가스켓을 추가로 포함하고,상기 히터요소는 상기 등각 가스켓을 통해서 상기 처리 챔버의 외부면에 열 결합되고, 상기 냉각요소는 상기 열 브레이크, 상기 히터요소, 상기 등각 가스켓을 통해서 상기 처리 챔버의 외부면에 열 결합되는 플라즈마 처리장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 처리 챔버 벽의 적어도 하나의 내부면과 덮개는 세라믹인 플라즈마 처리장치.
- 제 11항에 있어서, 세라믹은 SiC인 플라즈마 처리장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 처리 챔버 벽의 적어도 하나의 내부면과 덮개는 세라믹이고,상기 히터요소와 상기 냉각요소는 금속인 플라즈마 처리장치.
- 제 13항에 있어서, 상기 열 브레이크 및 상기 등각 가스켓은 러버인 플라즈마 처리장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 열 가스켓의 열 전도성은 상기 열 브레이크의 열 전도성보다 상당히 큰 플라즈마 처리장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 복합 가열 및 냉각블록은 상기 처리 챔버의 외부면에 대해 편향된 스프링인 플라즈마 처리장치.
- 제 13항에 있어서, 상기 적어도 하나의 가열 및 냉각블록의 스프링 편향은 스프링에 의해서 제공되고,상기 적어도 하나의 복합 가열 및 냉각블록은 스프링의 수축에 의해서 상기 처리 챔버의 외부면에 열 결합된 그의 위치로부터 제거될 수 있는 플라즈마 처리장치.
- 벽과 바닥면으로 형성된 플라즈마 처리 챔버와;상기 플라즈마 처리 챔버 벽의 상부에 제거 가능하게 결합된 밀봉 덮개와;상기 밀봉 덮개의 상부면에 제공된 RF 전원 전극과;상기 밀봉 덮개나 상기 플라즈마 처리 챔버에 결합된 적어도 하나의 온도센서와;상기 밀봉 덮개의 상부면에 결합된 제 1가열 및 냉각 유닛과;상기 플라즈마 처리 챔버 벽의 외부면에 결합된 제 2가열 및 냉각유닛을 포함하는 반도체 제조장치.
- 제 18항에 있어서, 상기 제 1가열 및 냉각유닛은 상기 제 1가열 및 냉각유닛으로의 상기 RF전원 전극으로부터 RF에너지의 결합을 실질적으로 피하도록 배열되는 반도체 제조장치.
- 제 18항에 있어서, 상기 제 1가열 및 냉각유닛은 상기 제 1가열 및 냉각유닛으로의 상기 RF전원 전극으로부터 RF에너지의 결합을 실질적으로 피하도록 슬롯을 구비하는 반도체 제조장치.
- 제 18항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2가열 및 냉각유닛은 샌드위치 구조이고,히터요소와;냉각요소와;상기 히터요소와 상기 냉각요소 간의 열 브레이크요소를 포함하는 반도체 제조장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 제 1가열 및 냉각유닛의 상기 히터요소는 상기 플라즈마 처리 챔버의 상기 밀봉 덮개의 외부면에 열 결합되고, 상기 제 1 가열 및 냉각유닛의 상기 냉각요소는 상기 열 브레이크 및 상기 히터 요소를 통해서 상기 플라즈마 처리 챔버의 상기 밀봉덮개의 외부면에 열 결합되는 반도체 제조장치.
- 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리 챔버에 온도제어를 제공하기 위한 방법에 있어서,플라즈마 처리 챔버의 내부온도를 직접 또는 간접으로 측정하는 단계와;측정된 온도를 목표 온도와 비교하는 단계와;플라즈마 처리 챔버에 열 결합되는 온도 제어블록을 가열함으로써 플라즈마 처리 챔버를 가열하는 단계와;온도 제어블록을 능동적으로 냉각함으로써 플라즈마 처리 챔버를 냉각하는 단계를 포함하는 방법.
- 제 23항에 있어서, 상기 온도 제어블록은 플라즈마 처리 챔버를 가열할 수 있는 동일 온도제어블록을 통해서 플라즈마 처리 챔버를 냉각할 수 있으므로, 플라즈마 처리 챔버에 대한 보다 균일한 온도 특성을 제공하는 방법.
- 제 23항에 있어서, 온도 제어블록은 적어도 하나의 히터요소 및 냉각요소를 포함하고,상기 냉각은 상기 가열요소를 통한 냉각요소에 의해 제공되는 방법.
- 제 25항에 있어서, 온도 제어블록은 히터요소와 냉각요소 간에 결합된 열 브레이크요소를 추가로 포함하는 방법.
- 제 23항에 있어서, 상기 방법은 플라즈마 처리 챔버의 일부에 대해서 온도 제어블록을 제거 가능하게 편향시키는(biasing)단계를 추가로 포함하는 방법.
- 모두 내부면과 외부면을 갖는 벽과 덮개를 지니며, 처리가스에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는데 사용되는 처리 챔버와;상기 처리 챔버의 내부온도가 낮은 목표온도 이하가 될 때 히터요소로써 상기 처리 챔버를 가열하고, 히터요소를 통해서 내부온도가 높은 목표온도 이상이 될 때 냉각요소로써 처리 챔버의 내부온도를 조절하기 위한 수단을 포함하는 플라즈마 처리장치.
- 샌드위치 구조를 갖는 복합 가열 및 냉각블록에 있어서,히터요소와;냉각요소와;상기 히터요소와 상기 냉각요소 간의 열 브레이크요소를 포함하는 결합 가열 및 냉각 및 가열블록.
- 제 29항에 있어서, 상기 복합 가열 및 냉각블록은 상기 히터요소에 부착된 등각 가스켓을 포함하는 결합 가열 및 냉각 및 가열블록.
- 제 30항에 있어서, 상기 열 브레이크는 러버제품이고, 상기 히터요소와 상기 냉각요소는 금속인 결합 가열 및 냉각 및 가열블록 .
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