KR20190142473A - 온도 조절 유닛, 온도 측정 유닛 및 이들을 포함하는 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 처리 장치의 온도 조절 유닛은 냉각판, 적어도 하나의 냉각 포트 및 탄성 부재를 포함할 수 있다. 상기 냉각판은 플라즈마 챔버의 내부에 배치된 유전창(dielectric window)에 이동 가능하게 접촉될 수 있다. 상기 냉각판은 상기 유전창을 냉각시키기 위한 냉각제가 흐르는 적어도 하나의 냉각홈을 가질 수 있다. 상기 냉각 포트는 상기 냉각홈에 연결된 냉각 통로를 가질 수 있다. 상기 탄성 부재는 상기 냉각 포트를 상기 냉각판을 향해 탄력 지지하여, 상기 유전창에 대한 상기 냉각판의 상대적 이동을 허용할 수 있다. 따라서, 냉각판의 열팽창이 이루어질 수가 있게 되어, 냉각판의 손상을 방지할 수 있다.

Description

온도 조절 유닛, 온도 측정 유닛 및 이들을 포함하는 플라즈마 처리 장치{TEMPERATURE CONTROL UNIT, TEMPERATURE MEASUREMENT UNIT AND PLASMA PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 온도 조절 유닛, 온도 측정 유닛 및 이들을 포함하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 유전창의 온도를 조절하는 유닛, 유전창의 온도를 측정하는 유닛, 및 온도 조절 유닛과 온도 측정 유닛을 포함하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마 처리 장치는 용량 결합형 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma : CCP)를 이용하는 방식, 및 유도 결합형 플라즈마(Inductively Coupled Plasma : ICP)를 이용하는 방식으로 구분될 수 있다.
CCP 타입의 플라즈마 처리 장치는 대향하는 척들에 RF 파워를 인가하여, 양 척들 사이에 형성되는 RF 전기장을 이용해서 유전창로부터 분사된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
ICP 타입의 플라즈마 처리 장치는 코일형 안테나에 의해 유도된 전자기장을 이용해서 가스 노즐로부터 분사된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 코일형 안테나에 인가된 RF 파워는 유전창을 통해서 공정 가스로 전달될 수 있다. 플라즈마 처리 장치의 효율을 높이기 위해서, 유전창의 온도 제어가 주요한 인자가 될 수 있다.
관련 기술들에 따르면, 유전창의 상부면에 냉각제가 도입되는 냉각판이 배치될 수 있다. 냉각판과 유전창은 서로 다른 열팽창율들을 가질 수 있다. 냉각판이 유전창에 고정되어 있으면, 서로 다른 열팽창율들로 인해서 냉각판이 손상될 수 있다.
또한, 유전창의 온도를 측정하는 열전쌍은 유전창에 형성된 홈 내에 삽입될 수 있다. 홈은 유전창의 강도를 저하시킬 수 있다. RF 파워는 홈에 집중될 수 있다. 특히, 홈을 통해 유입된 냉각제가 열전쌍과 접촉하게 되어, 열전쌍은 유전창의 온도를 정확하게 측정할 수 없을 수 있다.
본 발명은 냉각판의 손상을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치의 온도 조절 유닛을 제공한다.
또한, 본 발명은 유전창의 온도를 정확하게 측정할 수 있는 플라즈마 처리 장치의 온도 측정 유닛도 제공한다.
아울러, 본 발명은 상기된 온도 조절 유닛을 포함하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 견지에 따른 플라즈마 처리 장치의 온도 조절 유닛은 냉각판, 적어도 하나의 냉각 포트 및 탄성 부재를 포함할 수 있다. 상기 냉각판은 플라즈마 챔버의 내부에 배치된 유전창(dielectric window)에 이동 가능하게 접촉될 수 있다. 상기 냉각판은 상기 유전창을 냉각시키기 위한 냉각제가 흐르는 적어도 하나의 냉각홈을 가질 수 있다. 상기 냉각 포트는 상기 냉각홈에 연결된 냉각 통로를 가질 수 있다. 상기 탄성 부재는 상기 냉각 포트를 상기 냉각판을 향해 탄력 지지하여, 상기 유전창에 대한 상기 냉각판의 상대적 이동을 허용할 수 있다.
본 발명의 다른 견지에 따른 플라즈마 처리 장치의 온도 측정 유닛은 열전쌍(thermocouple) 및 하우징을 포함할 수 있다. 상기 열전쌍은 플라즈마 챔버의 내부에 배치된 유전창(dielectric window)에 접촉되어, 상기 유전창의 온도를 측정할 수 있다. 상기 하우징은 상기 열전쌍을 둘러싸서 상기 열전쌍과 상기 냉각제 간의 접촉을 방지할 수 있다.
본 발명의 또 다른 견지에 따른 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 챔버, 척, 안테나, 유전창, 냉각판, 적어도 하나의 냉각 포트 및 탄성 부재를 포함할 수 있다. 상기 척은 상기 플라즈마 챔버의 내부에 배치될 수 있다. 기판이 척 상에 안치될 수 있다. 상기 안테나는 상기 플라즈마 챔버의 상부에 배치되어 상기 척과의 사이에 유도 전자기장을 형성할 수 있다. 상기 유전창은 상기 안테나와 상기 척 사이에 배치될 수 있다. 상기 냉각판은 상기 유전창에 이동 가능하게 접촉될 수 있다. 상기 냉각판은 상기 유전창을 냉각시키기 위한 냉각제가 흐르는 적어도 하나의 냉각홈을 가질 수 있다. 상기 냉각 포트는 상기 냉각홈에 연결된 냉각 통로를 가질 수 있다. 상기 탄성 부재는 상기 냉각 포트를 상기 냉각판을 향해 탄력 지지하여, 상기 유전창에 대한 상기 냉각판의 상대적 이동을 허용할 수 있다.
상기된 본 발명에 따르면, 탄성 부재가 냉각 포트를 냉각판을 향해서 탄력 지지하므로, 냉각판이 탄성 부재를 압축시키면서 열팽창될 수 있다. 따라서, 냉각판의 열팽창이 이루어질 수가 있게 되어, 냉각판의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 열전쌍은 하우징으로 둘러싸여 있으므로, 열전쌍은 냉각제와 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 그러므로, 열전쌍이 유전창의 온도를 정확하게 측정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 온도 조절 유닛을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 온도 조절 유닛을 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 냉각판과 유전창을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 온도 측정 유닛을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 온도 측정 유닛을 나타낸 평면도이다.
도 7은 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 배관을 나타낸 사시도이다.
도 8은 도 7에 도시된 배관을 확대해서 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 챔버(110), 척(120), 안테나(140), 유전창(160), 온도 조절 유닛(200) 및 온도 측정 유닛(300)를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 플라즈마 처리 장치(100)는 ICP를 이용해서 기판 상에 막을 형성하거나 기판 상의 막을 식각할 수 있다. 따라서, 플라즈마 처리 장치(100)는 유전창(160)을 포함할 수 있다. 기판은 반도체 기판, 유리 기판 등을 포함할 수 있다.
플라즈마 챔버(110)에는 배기 펌프(150)가 배기 라인(152)을 매개로 연결될 수 있다. 배기 펌프(150)는 플라즈마 챔버(110) 내부에서 발생된 반응 부산물들을 배기할 수 있다.
척(120)은 플라즈마 챔버(110)의 저면에 배치될 수 있다. 척(120)은 반도체 기판을 지지할 수 있다. 즉, 반도체 기판은 척(120)의 상부면에 안치될 수 있다. 척(120)은 정합기(122)를 매개로 RF 파워(124)에 연결될 수 있다. 부가적으로, 반도체 기판을 가열하기 위한 히터(130)가 척(120)에 내장될 수도 있다. 본 실시예에서, 척(120)은 정전척(electrostatic chuck)을 포함할 수 있다.
안테나(140)는 플라즈마 챔버(110)의 상부에 배치될 수 있다. 안테나(140)는 안테나 접지판(142)에 고정될 수 있다. 안테나(140)는 정합기(144)를 매개로 RF 파워(146)에 전기적으로 연결된다. 안테나(140)에 의해 유도된 전자기장이 플라즈마 챔버(110) 내로 분사된 공정 가스로 인가되는 것에 의해서 플라즈마가 발생될 수 있다. 본 실시예에서, 안테나(140)는 코일 형상을 가질 수 있다.
유전창(160)은 안테나(140)의 하부에 배치될 수 있다. 유전창(160)은 유전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어서, 유전창(160)은 알루미늄 산화물(Al2O3)을 포함할 수 있다. 유전창(160)은 안테나(140)로 공급된 RF 파워를 플라즈마 챔버(110) 내부로 전달하는 기능을 가질 수 있다. 또한, 유전창(160)은 공정 가스를 플라즈마 챔버(110) 내부로 분사하는 기능도 가질 수 있다. 즉, 유전창(160)은 일반적인 기판 처리 장치의 샤워 헤드로서의 기능도 가질 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 온도 조절 유닛을 확대해서 나타낸 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 온도 조절 유닛을 나타낸 평면도이며, 도 4는 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 냉각판과 유전창을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 온도 조절 유닛(200)은 냉각제를 이용해서 유전창(160)의 온도를 조절할 수 있다. 냉각제는 기체 또는 액체를 포함할 수 있다. 온도 조절 유닛(200)은 냉각판(210), 냉각 포트(220), 캡(230) 및 탄성 부재(240)를 포함할 수 있다.
냉각판(210)은 유전창(160)과 수평 방향과 수직 방향을 따라 이동 가능하게 접촉할 수 있다. 특히, 냉각판(210)은 유전창(160)의 상부면에 맞대어질 수 있다. 냉각판(210)은 유전창(160)의 재질과 다른 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어서, 냉각판(210)은 Peek(polyetheretherketone)를 포함할 수 있다. 따라서, 냉각판(210)은 유전창(160)의 열팽창율과 다른 열팽창율을 가질 수 있다.
이로 인하여, 플라즈마 챔버(110) 내에서 플라즈마 공정이 수행되는 동안, 플라즈마의 열에 의해서 수평 방향과 수직 방향을 따라 열팽창된 냉각판(210)의 길이는 열팽창된 유전창(160)의 길이와 다를 수 있다. 그러므로, 냉각판(210)을 유전창(160)에 수평 및 수직 방향을 따라 이동되지 못하도록 고정하게 되면, 상대적으로 약한 강성을 갖는 냉각판(210)이 손상될 수 있다.
수평 방향으로의 열팽창으로 인한 냉각판(210)의 손상을 방지하기 위해서, 냉각판(210)은 지지부(214)를 가질 수 있다. 지지부(214)는 냉각판(210)의 하부면 가장자리로부터 아래를 향해 형성될 수 있다. 따라서, 지지부(214)는 유전창(160)의 측면을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 특히, 지지부(214)와 유전창(160) 사이에는 갭(G)이 형성될 수 있다. 수평 방향을 따른 냉각판(210)과 유전창(160)의 열팽창은 갭(G) 내부에서 이루어질 수 있다. 갭(G)의 폭은 냉각판(210)과 유전창(160)의 열팽창율들을 고려해서 결정될 수 있다.
냉각판(210)은 냉각제가 도입되는 적어도 하나의 냉각홈(212)을 가질 수 있다. 냉각홈(212)은 냉각판(210)의 상부면으로부터 수직 방향을 따라 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 냉각홈(212)은 등간격을 두고 배열된 4개로 이루어질 수 있다. 그러나, 냉각홈(212)의 수는 2개, 3개 또는 5개 이상일 수도 있다.
냉각 포트(220)가 냉각홈(212)들 각각의 상부에 배치될 수 있다. 냉각 포트(220)는 안테나 접지판(142)에 고정될 수 있다. 냉각 포트(220)는 냉각제가 도입되는 냉각 통로(222)를 가질 수 있다. 냉각 통로(222)는 냉각 포트(220) 내에 수직 방향을 따라 형성될 수 있다. 냉각 통로(222)의 하단은 냉각홈(212)에 연결될 수 있다. 따라서, 냉각제는 냉각 통로(222)를 통해서 냉각홈(212)으로 도입되어, 유전창(160)을 냉각시킬 수 있다.
냉각 통로(222)의 상단은 배관(260)을 통해서 칠러(250)에 연결될 수 있다. 칠러(250)에서 발생된 냉각제가 메인 배관(260)을 통해서 냉각 통로(222)로 유입될 수 있다. 냉각제를 선택적으로 가열하는 히터(270)가 메인 배관(260)에 설치될 수 있다.
도 7은 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 배관을 나타낸 사시도이고, 도 8은 도 7에 도시된 배관을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 냉각 포트(220)가 복수개로 이루어져 있으므로, 칠러(250)로부터 연장된 하나의 메인 배관(260)은 복수개의 분기관(262)들에 연결될 수 있다. 메인 배관(260)과 분기관(262)들은 플라스틱을 포함할 수 있다.
메인 배관(260)과 분기관(262)들을 통해 흐르는 냉각제의 열손실을 줄이기 위해서, 메인 배관(260)은 내관(260a) 및 내관(260a)을 둘러싸는 단열관(260b)을 포함하는 이중관 구조를 가질 수 있다. 분기관(262)들 각각도 내관(262a) 및 내관(262a)을 둘러싸는 단열관(262b)을 포함하는 이중관 구조를 가질 수 있다.
메인 배관(260)과 분기관(262)들은 피팅(fitting)(264)을 매개로 연결될 수 있다. 피팅(264)은 메인 배관(260)과 분기관(262)의 재질과 동일한 재질, 즉 플라스틱을 포함할 수 있다. 플라스틱 재질의 피팅(264)은 메인 배관(260)과 분기관(262)들에 열접합 방식으로 고정될 수 있다.
수직 방향으로의 열팽창으로 인한 냉각판(210)의 손상을 방지하기 위해서, 탄성 부재(240)가 냉각 포트(220)를 수직 방향을 따라 아래를 향해서 탄력 지지할 수 있다. 즉, 탄성 부재(240)는 냉각 포트(220)를 냉각판(210)을 향해서 탄력 지지할 수 있다. 탄성 부재(240)는 냉각 포트(220)의 상단에 배치될 수 있다. 탄성 부재(240)는 냉각 포트(220)를 덮는 캡(230)에 설치될 수 있다. 본 실시예에서, 탄성 부재(240)는 스프링을 포함할 수 있다.
이와 같이, 냉각판(210)은 탄성 부재(240)에 의해서 수직 방향을 따라 이동될 수 있다. 즉, 탄성 부재(240)는 유전창(160)에 대해서 냉각판(210)의 수직 이동을 허용할 수 있다. 그러므로, 수직 방향을 따른 냉각판(210)의 열팽창이 구속되지 않게 되어, 냉각판(210)의 파손이 방지될 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치의 온도 측정 유닛을 확대해서 나타낸 단면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 온도 측정 유닛을 나타낸 평면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 온도 측정 유닛(300)은 유전창(160)의 온도를 측정할 수 있다. 온도 측정 유닛(300)은 열전쌍(310), 하우징(320), 캡(350), 제 1 스프링(330) 및 제 2 스프링(340)을 포함할 수 있다.
열전쌍(310)은 유전창(160)의 상부에 배치될 수 있다. 열전쌍(310)의 하단이 냉각판(210)을 관통해서 유전창(160)의 상부면과 접촉할 수 있다. 본 실시예에서, 열전쌍(310)은 등간격을 두고 배열된 2개로 이루어질 수 있다. 그러나, 열전쌍(310)은 하나 또는 3개 이상으로 이루어질 수도 있다.
열전쌍(310)에서 측정된 유전창(160)의 온도는 히터(270)로 전송될 수 있다. 전송된 유전창(160)의 온도에 따라 히터(270)는 냉각제를 선택적으로 가열할 수 있다.
하우징(320)은 열전쌍(310)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어서, 하우징(320)은 내부가 빈 실린더 형상을 가질 수 있다. 하우징(320)은 안테나 접지판(142)에 고정될 수 있다. 하우징(320)은 열전쌍(310)이 냉각제와 직접적으로 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 하우징(320)은 열전쌍(310)과 냉각제 사이의 열교환을 최소화시키는 기능을 가질 수 있다. 그러므로, 하우징(320)은 열교환을 줄이기 위한 단열 재질을 포함할 수 있다.
제 1 스프링(330)은 하우징(320)의 하부 내측면에 설치될 수 있다. 제 1 스프링(330)은 열전쌍(310)을 유전창(160)을 향해서 탄력 지지할 수 있다. 따라서, 제 1 스프링(330)에 의해서 열전쌍(310)의 하단이 유전창(160)의 상부면과 접촉하는 것이 보장될 수 있다. 결과적으로, 열전쌍(310)과 유전창(160)과 접촉을 위해서, 유전창(160)에 홈을 형성할 필요가 없게 된다.
제 2 스프링(340)은 하우징(320)을 덮는 캡(350)의 내측면에 설치될 수 있다. 제 2 스프링(340)은 하우징(320)을 유전창(160)을 향해서 탄력 지지할 수 있다. 따라서, 제 2 스프링(340)에 의해서 하우징(320)의 하단이 유전창(160)의 상부면에 밀착되는 것이 보장될 수 있다. 그러므로, 냉각제가 하우징(320) 내부로 침투하는 것이 제 2 스프링(340)에 의해 방지될 수 있다.
이와 같이, 열전쌍(310)은 제 1 스프링(330)에 의해서 유전창(160)과의 접촉이 보장될 수 있다. 또한, 하우징(320)과 제 2 스프링(340)에 의해서 열전쌍(310)이 냉각제와 직접적으로 접촉하는 것이 방지될 수 있다. 그러므로, 열전쌍(310)이 유전창(160)의 온도를 정확하게 측정할 수가 있게 된다.
상기된 본 실시예들에 따르면, 탄성 부재가 냉각 포트를 냉각판을 향해서 탄력 지지하므로, 냉각판이 탄성 부재를 압축시키면서 열팽창될 수 있다. 따라서, 냉각판의 열팽창이 이루어질 수가 있게 되어, 냉각판의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 열전쌍은 하우징으로 둘러싸여 있으므로, 열전쌍은 냉각제와 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 그러므로, 열전쌍이 유전창의 온도를 정확하게 측정할 수 있다.
110 ; 플라즈마 챔버 120 ; 척
130 ; 히터 140 ; 안테나
142 ; 안테나 접지판 150 ; 배기 펌프
160 ; 유전창 200 ; 온도 조절 유닛
210 ; 냉각판 212 ; 냉각홈
214 ; 지지부 220 ; 냉각 포트
222 ; 냉각 통로 230 ; 캡
240 ; 탄성 부재 250 ; 칠러
260 ; 메인 배관 262 ; 분기관
270 ; 히터 300 ; 온도 측정 유닛
310 ; 열전쌍 320 ; 하우징
330 ; 제 1 스프링 340 ; 제 2 스프링
350 ; 캡

Claims (10)

  1. 플라즈마 챔버의 내부에 배치된 유전창(dielectric window)에 이동 가능하게 접촉되고, 상기 유전창을 냉각시키기 위한 냉각제가 흐르는 적어도 하나의 냉각홈을 갖는 냉각판;
    상기 냉각홈에 연결된 냉각 통로를 갖는 적어도 하나의 냉각 포트; 및
    상기 냉각 포트를 상기 냉각판을 향해 탄력 지지하여, 상기 유전창에 대한 상기 냉각판의 상대적 이동을 허용하는 탄성 부재를 포함하는 플라즈마 처리 장치의 온도 조절 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각판은 상기 유전창의 측면을 둘러싸면서 상기 유전창의 측면과 갭을 형성하는 지지부를 갖는 플라즈마 처리 장치의 온도 조절 유닛.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각 포트를 덮고, 상기 탄성 부재가 고정된 캡을 더 포함하는 플라즈마 처리 장치의 온도 조절 유닛.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 유전창의 온도를 측정하기 위한 온도 측정 유닛을 더 포함하는 플라즈마 처리 장치의 온도 조절 유닛.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 온도 측정 유닛은
    상기 유전창과 접촉된 열전쌍(thermocouple);
    상기 열전쌍을 둘러싸서 상기 열전쌍과 상기 냉각제 간의 접촉을 방지하는 하우징;
    상기 열전쌍을 상기 유전창을 향해 탄력 지지하는 제 1 스프링; 및
    상기 하우징을 상기 유전창을 향해 탄력 지지하는 제 2 스프링을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 온도 조절 유닛.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 온도 측정 유닛에 의해 측정된 상기 유전창의 온도에 따라 상기 냉각제를 선택적으로 가열하는 히터를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치의 온도 조절 유닛.
  7. 플라즈마 챔버;
    상기 플라즈마 챔버의 내부에 배치되고, 기판이 안치되는 척;
    상기 플라즈마 챔버의 상부에 배치되어 상기 척과의 사이에 유도 전자기장을 형성하는 안테나;
    상기 안테나와 상기 척 사이에 배치된 유전창;
    상기 유전창에 이동 가능하게 접촉되고, 상기 유전창을 냉각시키기 위한 냉각제가 흐르는 적어도 하나의 냉각홈을 갖는 냉각판;
    상기 냉각홈에 연결된 냉각 통로를 갖는 적어도 하나의 냉각 포트; 및
    상기 냉각 포트를 상기 냉각판을 향해 탄력 지지하여, 상기 유전창에 대한 상기 냉각판의 상대적 이동을 허용하는 탄성 부재를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 냉각판은 상기 유전창의 측면을 둘러싸면서 상기 유전창의 측면과 갭을 형성하는 지지부를 갖는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 유전창과 접촉되어, 상기 유전창의 온도를 측정하는 열전쌍(thermocouple);
    상기 열전쌍을 둘러싸서 상기 열전쌍과 상기 냉각제 간의 접촉을 방지하는 하우징;
    상기 열전쌍을 상기 유전창을 향해 탄력 지지하는 제 1 스프링; 및
    상기 하우징을 상기 유전창을 향해 탄력 지지하는 제 2 스프링을 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 열전쌍에 의해 측정된 상기 유전창의 온도에 따라 상기 냉각제를 선택적으로 가열하는 히터를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
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