TWI536486B - A method of manufacturing a plasma processing device, an electrostatic chuck and an electrostatic chuck thereof - Google Patents

Description

一種等離子體處理裝置、其靜電夾盤及靜電夾盤的製作方法

本發明涉及半導體加工工藝，更具體地說，涉及一種靜電夾盤技術領域。

在等離子體蝕刻或化學氣相沉積等工藝過程中，常採用靜電夾盤(Electro Static Chuck，簡稱ESC)來固定、支撐及傳送基片(Wafer)等待加工件。靜電夾盤設置於反應腔室中，其採用靜電引力的方式，而非機械方式來固定基片，可減少對基片可能的機械損失，並且使靜電夾盤與基片完全接觸，有利於熱傳導。

現有的靜電夾盤通常包括絕緣層和加熱層及支撐所述絕緣層和所述加熱層的金屬基座，絕緣層中設有直流電極，該直流電極通電後對基片施加靜電引力；為使靜電夾盤具有足夠大的升溫速度，進而提高基片蝕刻的均勻性，絕緣層下方設置一加熱層，加熱層中設有加熱裝置，用以提高靜電夾盤表面的溫度，實現對基片的加熱目的；加熱層下方的金屬基座內設有冷卻液流道，其注入冷卻液對靜電夾盤進行冷卻。

現有技術中，由於靜電夾盤的面積較大，在靜電夾盤快速升溫的同時，很難保證靜電夾盤各區域溫度的均一性，不同區域的溫度會有較明顯的差異甚至形成冷區和熱區，導致靜電夾盤對基片的加熱不均勻， 這將對等離子體蝕刻的工藝效果帶來不良的影響。現有技術為了解決靜電夾盤加熱不均勻的技術問題，可以將加熱層分區控制，但在有些等離子體處理裝置中，只將加熱層分區控制並不能完全解決靜電夾盤溫度分佈不均勻的問題。

為了解決上述技術問題，本發明公開了一種等離子體處理裝置，包括一真空反應腔，所述真空反應腔內設置一支撐固定基片的靜電夾盤，所述靜電夾盤包括一金屬基座，其特徵在於：所述金屬基座包括一上表面，所述上表面至少位於兩個水平面內；所述金屬基座上方設置加熱裝置，所述加熱裝置包括至少第一加熱區元件和第二加熱區元件，所述第一加熱區元件和第二加熱區元件分別位於所述金屬基座上表面的不同水平面上方；所述加熱裝置上方設置導熱板，所述導熱板包括位於所述第一加熱區元件上方的第一加熱區導熱板和位於第二加熱區元件上方的第二加熱區導熱板，所述第一加熱區導熱板和所述第二加熱區導熱板的上表面位於不同水平面內；一陶瓷絕緣層位於所述第一加熱區導熱板和所述第二加熱區導熱板上方，所述陶瓷絕緣層用於支撐固定所述基片，優選的，所述陶瓷絕緣層包括與所述基片接觸的上表面和與所述導熱板接觸的下表面，所述陶瓷絕緣層的下表面包括若干具有一定高度的凸起，所述凸起之間形成若干縫隙。

優選的，所述凸起位於所述第一加熱區導熱板上方的所述陶瓷絕緣層的下表面上，和/或位於所述第二加熱區導熱板上方的所述陶瓷絕緣層的下表面上。所述凸起可以位於整個陶瓷絕緣層的下表面， 也可以部分的位於陶瓷絕緣層的下表面，其作用在於使得陶瓷絕緣層的下表面和所述導熱板之間形成一定高度的距離。以便在所述陶瓷絕緣層和所述導熱板之間設有粘膠材料，所述粘膠材料填充於所述縫隙之間，所述凸起的高度等於所述粘膠材料厚度。通過設定所述凸起的高度，可以方便的定義陶瓷絕緣層的下表面和所述導熱板之間的距離，進而控制所述粘膠材料的厚度。

優選的，所述粘膠材料為矽膠、含氟聚合物中的一種或兩種。

優選的，所述加熱裝置和所述導熱板之間設置絕緣層，不同加熱區對應的所述絕緣層厚度相同或不相同。

優選的，所述加熱裝置和所述金屬基座之間設置絕緣層，不同加熱區對應的所述絕緣層厚度相同或不相同。

優選的，第一加熱區元件和所述第二加熱區元件之間設置隔熱槽，所述隔熱槽內設置真空或隔熱材料。所述隔熱槽可以實現所述第一加熱區元件和第二加熱區元件的溫度不互相干擾，能更好地進行獨立的溫度控制。

優選的，所述第一加熱區導熱板和所述第二加熱區導熱板厚度為相同或不相同，二者之間為連續或不連續設置。所述導熱板的厚度是影響熱量傳遞的重要參數，不同加熱區的導熱板可以根據不同加熱區對應的所述陶瓷絕緣層上表面所需的升溫快慢進行厚度調節。

優選的，所述加熱裝置為加熱絲或加熱材料塗層。所述加熱裝置可以採用噴塗的方式將加熱材料固定在所述金屬基座上表面， 也可以採用通過粘性絕緣層將加熱絲固定在金屬基座上表面。

優選的，所述金屬基座內部設置若干冷卻液流道，所述冷卻液流道位於不同水平面內。

優選的，所述導熱板的材料為金屬材質或陶瓷材質。

優選的，所述金屬基座上表面的不同水平面的高度差大於等於2mm。

進一步的，本申請還公開了一種靜電夾盤，所述靜電夾盤包括一金屬基座，所述金屬基座包括一上表面，所述上表面位於至少兩個水平面內；所述金屬基座上方設置加熱裝置，所述加熱裝置包括至少第一加熱區元件和第二加熱區元件，所述第一加熱區元件和第二加熱區元件通過絕緣層分別坐落於所述上表面的不同水平面上並形成第一加熱區上表面和第二加熱區上表面；所述加熱裝置上方設置導熱板，所述導熱板包括位於所述第一加熱區元件上方的第一加熱區導熱板和位於第二加熱區元件上方的第二加熱區導熱板，所述第一加熱區導熱板和所述第二加熱區導熱板的上表面位於不同水平面內；一陶瓷絕緣層位於所述第一加熱區導熱板和所述第二加熱區導熱板上方，所述陶瓷絕緣層包括一上表面和一下表面，所述上表面用於支撐固定所述基片，所述下表面至少位於兩個水平面內。

優選的，所述陶瓷絕緣層下表面設置若干具有一定高度的凸起，所述凸起之間形成若干縫隙。

優選的，所述凸起位於所述第一加熱區導熱板上方的所述陶瓷絕緣層的下表面上，和/或位於所述第二加熱區導熱板上方的所述 陶瓷絕緣層的下表面上。

優選的，所述陶瓷絕緣層和所述導熱板之間設有粘膠材料，所述粘膠材料填充於所述縫隙之間，所述凸起的高度等於所述粘膠材料厚度。

優選的，所述加熱裝置為加熱絲或加熱材料塗層。

優選的，第一加熱區元件和所述第二加熱區元件之間設置隔熱槽，所述隔熱槽內設置真空或隔熱材料。

進一步的，本發明還公開了一種靜電夾盤的製作方法，包括下列步驟：製作一金屬基座，在所述金屬基座內設置冷卻液流道，將金屬基座的上表面設置在至少兩個水平面內；在所述金屬基座的上表面放置或噴塗一層絕緣層，在所述絕緣層上放置或噴塗一層加熱裝置，所述加熱裝置位於所述金屬基座上表面的不同水平面上，並在不同水平面上形成至少第一加熱區元件和第二加熱區元件；在所述加熱裝置上方放置或噴塗一層絕緣層並在所述絕緣層上設置導熱板，所述導熱板至少包括位於第一加熱區元件上方的第一加熱區導熱板和位於第二加熱區元件上方的第二加熱區導熱板，所述第一加熱區導熱板和第二加熱區導熱板厚度為相同或不相同；並形成不在同一水平面上的導熱板上表面；在所述導熱板上方設置支撐基片的陶瓷絕緣層，設置所述陶瓷絕緣層上表面支撐所述基片，設置所述陶瓷絕緣層下表面位於不同水平面內。

優選的，所述陶瓷絕緣層下表面設置若干凸起，所述凸起具有相同的高度，所述凸起間形成若干縫隙，在所述陶瓷絕緣層和所述導熱板間填充粘膠材料，所述粘膠材料填充在所述凸起間的縫隙中，形成與所 述凸起高度相同的粘接層。

優選的，所述加熱裝置上方和下方的絕緣層具有粘性，可以將所述加熱裝置粘接固定到所述導熱板和所述金屬基座之間。

本發明提供一種等離子體處理裝置、其靜電夾盤及靜電夾盤的製作方法，所述靜電夾盤包括金屬基座，金屬基座上方設置加熱裝置，加熱裝置上方設置導熱板，導熱板上方設置陶瓷絕緣層，通過設置加熱裝置和導熱板距離基片的高度不同，以及在陶瓷絕緣層和導熱板之間設置厚度可控的導熱粘膠層，實現對陶瓷絕緣層表面溫度均勻或具有特定溫度梯度的多參數調節。本發明除了可以調節加熱裝置的電源功率外，還可以通過調節不同加熱區加熱裝置的高度落差，不同加熱區導熱板的厚度，以及陶瓷絕緣層和導熱板之間導熱粘膠層的厚度來實現對陶瓷絕緣層表面溫度的調節，大大增加了靜電夾盤的溫度可控性，有利於快速的調節靜電夾盤不同區域溫度的均勻或特定梯度。

10‧‧‧反應腔

100‧‧‧靜電夾盤

110‧‧‧金屬基座

111‧‧‧上表面

112‧‧‧上表面

115‧‧‧冷卻液流道

120‧‧‧絕緣層

13‧‧‧氣體供應裝置

130‧‧‧加熱裝置

131‧‧‧第一加熱區元件

132‧‧‧第二加熱區元件

135‧‧‧隔熱槽

140‧‧‧導熱板

141‧‧‧第一加熱區導熱板

142‧‧‧第二加熱區導熱板

15‧‧‧上電極

150‧‧‧陶瓷絕緣層

151‧‧‧上表面

152‧‧‧下表面

155‧‧‧直流電極

156‧‧‧凸起

157‧‧‧縫隙

16‧‧‧等離子體

160‧‧‧絕緣層

17‧‧‧射頻功率源

18‧‧‧抽氣泵

20‧‧‧基片

30‧‧‧金屬支撐部件

圖1是本發明等離子體反應室結構示意圖。

圖2是本發明所述靜電夾盤結構示意圖。

圖3是本發明不同加熱區裝置間的隔熱槽結構示意圖。

以下結合附圖，對本發明的具體實施方式進行說明。本發明所述的技術方案適用於電容耦合型等離子體反應室或電感耦合型等離子體反應室，以及其他使用靜電夾盤支撐待處理基片的等離子體反應室。圖1是本發明所述等離子體反應室結構示意圖；所述等離子體反應室為電容耦合 型等離子體反應室。

圖1是本發明一種等離子體反應室結構示意圖，包括一大致為圓柱形的反應腔10，反應腔10內設置上下對應的上電極15和靜電夾盤100，靜電夾盤100放置在一金屬支撐部件30上方。靜電夾盤100和所述金屬支撐部件30一起作為所述反應腔的下電極。上電極15連接氣體供應裝置13，上電極15同時作為反應氣體均勻進入等離子體反應腔的氣體分佈板；下電極連接射頻功率源17，反應氣體在射頻功率源的作用下載上下電極間形成等離子體16，等離子體16對放置在靜電夾盤100上方的基片20進行物理轟擊或化學反應，實現對基片20的加工處理。反應後的副產物和未用盡的氣體通過抽氣泵18排出等離子體反應腔10。

靜電夾盤100內設置溫度調節裝置，以實現對其支撐的基片20的溫度調節，隨著工藝的發展，基片20的尺寸越來越大，這要求支撐基片20的靜電夾盤100的尺寸越來越大，不斷變大的靜電夾盤100在加工工藝中的一個制約因素是溫度難以達到均勻。為實現溫度在整個靜電夾盤100表面的均勻控制或者可控的設置為不同的溫度梯度，可以將靜電夾盤100的加熱裝置進行分區控制，同時，適當地增加除調整加熱裝置的功率外的其他調節參數可以更好地實現對溫度的控制。

圖2是本發明所述靜電夾盤的結構示意圖，如圖所示，靜電夾盤100包括金屬基座110，金屬基座110內設置冷卻液流道115，其通常用於注入冷卻液對靜電夾盤100進行冷卻。金屬基座110上表面至少位於兩個水平面內，如上表面111和上表面112，為具有明顯的溫度調節效果，上表面111和上表面112的高度差大於等於2mm。由於上表面位於不同平面內，導 致金屬基座110的厚度並不均勻。

金屬基座110上方設置加熱裝置130，由於加熱裝置130通常為導體材料，為避免與金屬基座110發生漏電現象，需要在加熱裝置130和金屬基座110之間設置一層絕緣層120。加熱裝置130可以為加熱絲，絕緣層120為包裹在加熱裝置130外部的絕緣層，也可以在金屬基座110上表面先噴塗一層絕緣材料，再在所述絕緣材料上方噴塗加熱裝置塗層。較佳的，絕緣層120具有粘性，可以將加熱裝置130固定在所述金屬基座110上表面。由於加熱裝置130通過絕緣層120坐落於金屬基座110上方，而金屬基座110上表面位於不同的水平面內，因此所述加熱裝置形成至少兩個加熱區，兩個加熱區的高度差可以大於等於2mm，本實施例標示為位於中心區域的第一加熱區元件131和環繞所述第一加熱區元件131的第二加熱區元件132，本領域技術人員很容易想到，如果將金屬基座上表面設置為位於三個或三個以上的水平面，對應可以形成三個或三個以上的加熱區裝置，為描述方便，本實施例就圖2所述的兩個加熱區裝置進行描述。

加熱裝置130上方設置導熱板140，用於將加熱裝置130的熱量儘量均勻無損耗地傳遞至基片20，導熱板140通常為熱的良導體，如鋁、鋁合金等，也可以為導熱的陶瓷材料，為避免發生漏電現象，需要與加熱裝置130間設置絕緣層160，較佳的，絕緣層160具有粘性，可以粘接固定所述導熱板140。對應的第一加熱區元件131上方的導熱板140為第一加熱區導熱板141，第二加熱區元件132上方的導熱板為第二加熱區導熱板142，導熱板140的厚度影響其對加熱裝置140熱量傳遞，因此可以作為一項能夠調節溫度的參數，根據實際需要，第一加熱區導熱板141和第二加熱區導熱板142 的厚度可以相同，也可以為不同。相鄰的兩個加熱區裝置可以為連續結構，也可以獨立設置，若分區的兩個加熱裝置溫度單獨控制，為避免不同加熱裝置間的溫度互相干擾，可以在相鄰的兩個加熱區裝置間設置隔熱槽135，如圖3所示，第一加熱區元件131和第二加熱區元件132之間設置隔熱槽135，隔熱槽135內為真空或填充一定量的隔熱材料，隔熱槽135的寬度能夠實現第一加熱區元件131和第二加熱區元件132的溫度互不影響即可。所述隔熱槽135可以向上延伸至導熱板142的上表面，將第一加熱區導熱板141和第二加熱區導熱板142進行隔熱設置，以便更好地調整第一加熱區元件131和第二加熱區元件132對基片20的溫度分區控制。

導熱板140上方設置陶瓷絕緣層150，陶瓷絕緣層150內設置直流電極155，用於產生靜電吸力固定基片20。陶瓷絕緣層150包括位於同一水平面內的上表面151和至少位於兩個水平面內的下表面152，陶瓷絕緣層150的上表面151用於支撐固定基片20。為了將陶瓷絕緣層150和導熱板140粘結固定，通常在陶瓷絕緣層150和導熱板140之間填充粘膠，當陶瓷絕緣層150和導熱板140壓緊時，粘膠很容易被擠壓流出造成不同區域粘膠的厚度不同，進而影響不同區域的溫度傳導，增加不可控參數。本發明在陶瓷絕緣層150下表面152的部分區域或全部區域設置具有一定高度的若干凸起156，凸起156之間彼此形成縫隙157，當填充粘膠並壓緊陶瓷絕緣層150和導熱板140時，粘膠會填充到縫隙157之間，由於凸起156的高度已經確定，凸起156的高度即粘膠的高度，以實現粘膠的厚度可以控制。所述粘膠材料可以為矽膠、含氟聚合物中的一種或混合物，粘膠材料具有絕緣導熱的特性，為了保證其導熱效果，可以在矽膠或含氟聚合物內填充氧化鋁、 氮化鋁等材料。

通過人為設置加熱裝置130相對於基片20的高度不同，同時，導熱板140相對於基片20的高度也不同，以及在陶瓷絕緣層150和導熱板140之間設置厚度可控的導熱粘膠層，實現對陶瓷絕緣層150上表面溫度均勻或具有特定溫度梯度的多參數調節。傳統技術中只能通過調節加熱裝置的電源功率實現對溫度的調節，而在本發明中，除了可以調節加熱裝置的電源功率外，還可以通過調節不同加熱區加熱裝置的落差，不同加熱區導熱板的厚度，以及陶瓷絕緣層150和導熱板140之間導熱粘膠層的厚度來實現對陶瓷絕緣層150表面溫度的調節，大大增加了靜電夾盤的溫度可控性，有利於快速的調節靜電夾盤不同區域溫度的均勻或特定梯度。

為了實現靜電夾盤100的溫度均勻調節，每個加熱裝置130附近設置一測溫元件(圖中未示出)，所述若干測溫元件連接一溫度控制系統(圖中未示出)，由溫度控制系統統一進行調節控制，實現調節靜電夾盤溫度均勻的目的。

根據本發明上述實施例提供的等離子體處理裝置，在使靜電夾盤快速升溫的同時，有效保證其各區域溫度的均一性，從而使基片各區域溫度均一，有利於等離子體處理工藝的進行，提高了基片的加工合格率。以上所述的僅為本發明的優選實施例，所述實施例並非用以限制本發明的專利保護範圍，因此凡是運用本發明的說明書及附圖內容所作的等同結構變化，同理均應包含在本發明的保護範圍內。

100‧‧‧靜電夾盤

10‧‧‧反應腔

13‧‧‧氣體供應裝置

15‧‧‧上電極

16‧‧‧等離子體

17‧‧‧射頻功率源

18‧‧‧抽氣泵

20‧‧‧基片

30‧‧‧金屬支撐部件

Claims (22)

1. 一種等離子體處理裝置，包括一真空反應腔，所述真空反應腔內設置一支撐固定基片的靜電夾盤，所述靜電夾盤包括一金屬基座，其特徵在於：所述金屬基座包括一上表面，所述上表面至少位於兩個水平面內；所述金屬基座上方設置加熱裝置，所述加熱裝置包括至少第一加熱區元件和第二加熱區元件，所述第一加熱區元件和第二加熱區元件分別位於所述金屬基座上表面的不同水平面上方；所述加熱裝置上方設置導熱板，所述導熱板包括位於所述第一加熱區元件上方的第一加熱區導熱板和位於第二加熱區元件上方的第二加熱區導熱板，所述第一加熱區導熱板和所述第二加熱區導熱板的上表面位於不同水平面內；一陶瓷絕緣層位於所述第一加熱區導熱板和所述第二加熱區導熱板上方，所述陶瓷絕緣層用於支撐固定所述基片。
2. 根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述陶瓷絕緣層包括與所述基片接觸的上表面和與所述導熱板接觸的下表面，所述陶瓷絕緣層的下表面包括若干具有一定高度的凸起，所述凸起之間形成若干縫隙。
3. 根據權利要求2所述的等離子體處理裝置，其中所述凸起位於所述第一加熱區導熱板上方的所述陶瓷絕緣層的下表面上，和/或位於所述第二加熱區導熱板上方的所述陶瓷絕緣層的下表面上。
4. 根據權利要求2或3所述的等離子體處理裝置，其中所述陶瓷絕緣層和所述導熱板之間設有粘膠材料，所述粘膠材料填充於所述縫隙之間，所述凸起的高度等於所述粘膠材料厚度。
5. 根據權利要求4所述的等離子體處理裝置，其中所述粘膠材料為矽膠、含氟聚合物中的一種或兩種。
6. 根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述加熱裝置和所述導熱板之間設置絕緣層，不同加熱區對應的所述絕緣層厚度相同或不相同。
7. 根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述加熱裝置和所述金屬基座之間設置絕緣層，不同加熱區對應的所述絕緣層厚度相同或不相同
8. 根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中第一加熱區元件和所述第二加熱區元件之間設置隔熱槽，所述隔熱槽內設置真空或隔熱材料。
9. 根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述第一加熱區導熱板和所述第二加熱區導熱板厚度為相同或不相同，二者之間為連續或不連續設置。
10. 根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述加熱裝置為加熱絲或加熱材料塗層。
11. 根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述金屬基座內部設置若干冷卻液流道，所述冷卻液流道位於不同水平面內。
12. 根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述導熱板的材料為金屬材質或陶瓷材質。
13. 根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述金屬基座上表面的不同水平面的高度差大於等於2mm。
14. 一種靜電夾盤，位於一真空反應腔室，所述靜電夾盤包括一金屬基座，所述金屬基座包括一上表面，所述上表面位於至少兩個水平面內；所述金屬基座上方設置加熱裝置，所述加熱裝置包括至少第一加熱區元件和第二加熱區元件，所述第一加熱區元件和第二加熱區元件通過絕緣層分別坐落於所述上表面的不同水平面上並形成第一加熱區上表面和第二加熱區上表面； 所述加熱裝置上方設置導熱板，所述導熱板包括位於所述第一加熱區元件上方的第一加熱區導熱板和位於第二加熱區元件上方的第二加熱區導熱板，所述第一加熱區導熱板和所述第二加熱區導熱板的上表面位於不同水平面內；一陶瓷絕緣層位於所述第一加熱區導熱板和所述第二加熱區導熱板上方，所述陶瓷絕緣層包括一上表面和一下表面，所述上表面用於支撐固定一基片，所述下表面至少位於兩個水平面內。
15. 根據權利要求14所述的靜電夾盤，其中所述陶瓷絕緣層下表面設置若干具有一定高度的凸起，所述凸起之間形成若干縫隙。
16. 根據權利要求14所述的靜電夾盤，其中所述凸起位於所述第一加熱區導熱板上方的所述陶瓷絕緣層的下表面上，和/或位於所述第二加熱區導熱板上方的所述陶瓷絕緣層的下表面上。
17. 根據權利要求14所述的靜電夾盤，其中所述陶瓷絕緣層和所述導熱板之間設有粘膠材料，所述粘膠材料填充於所述縫隙之間，所述凸起的高度等於所述粘膠材料厚度。
18. 根據權利要求14所述的靜電夾盤，其中所述加熱裝置為加熱絲或加熱材料塗層。
19. 根據權利要求14所述的靜電夾盤，其中第一加熱區元件和所述第二加熱區元件之間設置隔熱槽，所述隔熱槽內設置真空或隔熱材料。
20. 一種製作靜電夾盤的方法，包括下列步驟：製作一金屬基座，在所述金屬基座內設置冷卻液流道，將金屬基座的上表面設置在至少兩個水平面內；在所述金屬基座的上表面放置或噴塗一層絕緣層，在所述絕緣層上放置或噴塗一層加熱裝置，所述加熱裝置位於所述金屬基座上表面的不同水平面上，並在不同水平面上形成至少第一加熱區元件和第二加熱區元件；在所述加熱裝置上方放置或噴塗一層絕緣層並在所述絕緣層上設置導熱 板，所述導熱板至少包括位於第一加熱區元件上方的第一加熱區導熱板和位於第二加熱區元件上方的第二加熱區導熱板，所述第一加熱區導熱板和第二加熱區導熱板厚度為相同或不相同；並形成不在同一水平面上的導熱板上表面；在所述導熱板上方設置支撐基片的陶瓷絕緣層，設置所述陶瓷絕緣層上表面支撐所述基片，設置所述陶瓷絕緣層下表面位於不同水平面內。
21. 根據權利要求20所述的製作靜電夾盤的方法，其中所述陶瓷絕緣層下表面設置若干凸起，所述凸起具有相同的高度，所述凸起間形成若干縫隙，在所述陶瓷絕緣層和所述導熱板間填充粘膠材料，所述粘膠材料填充在所述凸起間的縫隙中，形成與所述凸起高度相同的粘接層。
22. 根據權利要求20所述的方法，其中所述加熱裝置上方和下方的絕緣層具有粘性，可以將所述加熱裝置粘接固定到所述導熱板和所述金屬基座之間。