JP3061346B2 - 処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は処理装置に係り、特にプ
ラズマを利用してたとえば半導体ウェハなどの被処理体
にエッチング処理を施すプラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より半導体製造工程においては、半
導体ウェハなどの被処理体に対して微細なパターンを形
成するためにプラズマエッチング装置が使用されてお
り、特に最近では、被処理体の処理面に垂直なパターン
形状を得るために、処理室の上部に磁石を設置し、その
磁石により被処理体の近傍にその処理面と平行な磁場を
形成し、処理室内に生起したプラズマ中の活性種を処理
面に対して垂直に方向付けることが可能なマグネトロン
方式のプラズマ処理装置が広く使用されている。

【０００３】図５に示すように、処理室１００には、被
処理体、たとえば半導体ウェハＷを載置固定するための
サセプタアセンブリ１０１が配置されている。図示の例
では、サセプタアセンブリ１０１は、サセプタ１０１ａ
と、サセプタ支持台１０１ｂと、冷却ジャケット収納台
１０１ｃの３層構造で構成されている。また上記サセプ
タ１０１ａの上面の載置面に静電チャックシート１０２
が配置されるとともに、その周囲にフォーカスリング１
０３が配置され、この静電チャックシート１０２の上方
に被処理体、たとえば半導体ウェハＷを載置するように
なっている。

【０００４】また上記処理室および上記サセプタ１０１
ａとはアルミニウムなどの導電性材料からなり、上記サ
セプタ１０１ａに給電棒１０４を介して高周波電源１０
５より所望の高周波を印加することにより、処理ガス導
入管１０６より処理室１００内に導入された処理ガスを
プラズマ化することが可能である。そして上記処理室１
００の上方には永久磁石１０７が回転自在に設けられ、
被処理体の処理面に平行な磁場を形成し、上記処理室１
００内に生起したプラズマ中の活性種を被処理体の処理
面に垂直に方向付けることが可能である。さらに上記処
理室１００の下方には排気管１０８が上記サセプタ支持
台１０１ｂの外周に設置されたバッフル板１０９、ある
いは排気リング（またはプロテクトリング）に穿設され
た孔１１０を介して、上記処理室１００内を所定の圧力
に真空引きすることが可能なように構成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、以上のような
従来のプラズマ処理装置にあっては、上記処理室１００
の壁部全体が導電性材料から構成され電気的に接地され
ているため、プラズマ流が被処理体の処理面のみならず
側壁や天井壁などにも衝突するため処理室の内壁が損傷
し、金属汚染や発塵を引き起こすことがあった。特に上
記例のようにマグネトロン方式の場合には図６に示すよ
うに、電子がドリフトし処理室１００の内壁付近に高密
度プラズマが生起するため、特に内壁の損傷が著しいた
め問題となっていた。さらに上記例のようなバッフル板
を用いた場合には、バッフルの孔部分の下方にもプラズ
マが回り込んで異常放電を生じ、処理室１００の内壁や
バッフル板を損傷させることがありその解決が望まれて
いた。

【０００６】本発明は上記のような従来のプラズマ処理
装置が抱える問題点に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、処理室内壁の損傷を抑制すること
が可能であるとともに、プラズマのバッフル下方への回
り込みを防止することが可能であり、しかも排気効率を
高めることが可能な新規かつ改良されたプラズマ処理装
置を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１に記載の本発明によれば，処理ガス供給口
と排気口とを備えた処理容器内において生起されたプラ
ズマ中の活性種により載置台に載置された被処理体を処
理するプラズマ処理装置において，上記排気口を上記載
置台の被処理体載置面よりも下方に設けるとともに，上
記排気口と上記載置台の被処理体載置面との間に形成さ
れる空間に１または２以上の孔が穿設されたバッフルを
配設し，そのバッフルの孔を上記排気口の方向に傾斜さ
せたことを特徴とする，処理装置が提供される。

【０００８】また上記バッフルは，請求項２に記載され
ているように，その孔が傾斜するように，略同ピッチで
１または２以上の孔が穿設された複数枚の板をそれぞれ
水平方向にずらして積層することにより形成することが
可能である。さらに真空引きする際には，請求項３に記
載されているように，上記バッフルの孔の傾斜により生
じる排気流の流れ方向と反対方向に回転させる回転式ポ
ンプにより排気を行うことが好ましい。さらにまたプラ
ズマ装置に本発明を適用する場合には，上記バッフル
は，請求項４に記載のように，セラミックや石英などの
絶縁材料から構成することが好ましい。

【０００９】また請求項５によれば，上記プラズマ処理
装置の処理容器の少なくとも側壁に少なくとも３ｍｍ以
上の厚みを有する絶縁層を設けることが好ましく，また
請求項６によれば，さらに上記プラズマ処理装置の処理
容器の天井壁の一部を導電性材料から成る電極として構
成し，その電極部の面積を少なくとも上記被処理体の処
理面の面積とし，その位置を少なくとも上記被処理体の
処理面を上記天井部に正投影させた領域を含む位置と
し，さらに上記電極部を除く天井壁に少なくとも３ｍｍ
以上の厚みを有する絶縁層を設けることが好ましい。

【００１０】さらに請求項７に記載のように，本発明
は，上記プラズマ処理装置が，上記処理容器の天井壁外
方に磁石を設けたマグネトロン式プラズマ処理装置であ
る場合に最も優れた効果を奏するものである。

【００１１】

【作用】請求項１に記載の発明によれば，バッフルに穿
設された孔（傾斜孔）が傾斜しているので，孔部のイン
ピーダンスが従来の垂直孔に比較して高くなるため，プ
ラズマの孔部およびその下方への回り込みを減少させる
ことができる。また，傾斜孔は従来の垂直孔に比較して
コンダクタンスが大きく，排気流速が遅くなるおそれが
あるが，本発明によれば傾斜孔の傾斜方向を排気口に向
けたので，排気流速の遅れを緩和することができる。

【００１２】上記のような傾斜孔は一般に製造が困難で
ありイニシャルコストを押し上げる要因となるが、請求
項２に記載の発明によれば、略同ピッチで孔が穿孔され
た板部材を複数枚水平方向にずらして積層することによ
り、擬似的な傾斜孔を容易に構成することが可能であ
る。

【００１３】また請求項３に記載の発明のように，回転
式排気ポンプの回転方向を排気流の流れと反対方向に行
うことにより，排気流をかき集めることが可能となり，
コンダクタンスが大きくなったことによる排気流速の遅
れをさらに緩和することができる。

【００１４】また請求項４に記載の発明のように，特に
プラズマ処理装置に適用する場合には，バッフルをセラ
ミックや石英などの絶縁材料から構成することにより，
プラズマの回り込みをより効果的に防止することが可能
である。さらに請求項５または請求項６に記載の発明の
ように，電極部として必要な最小限の面積，すなわち被
処理体の処理面の面積を少なくとも除き，それ以外の天
井壁および側壁に対して３ｍｍ以上の厚みを有する絶縁
層を設けることにより，プラズマ流による処理室内壁へ
の損傷を軽減することができる。また特に請求項７に記
載の発明のように，プラズマ処理装置がマグネトロン方
式の場合に適用することにより，処理室の内壁への損傷
をより効果的に防止することが可能となる。

【００１５】

【実施例】以下に添付図面を参照しながら本発明に基づ
いて構成されたプラズマ処理装置をマグネトロン方式プ
ラズマエッチング装置に適用した一実施例について詳細
に説明する。

【００１６】図１に示されるように、エッチング装置１
は、導電性材料、たとえば表面をアルマイト処理された
アルミニウムなどにより略円筒あるいは略矩形状に成形
された処理室としての処理容器２を有しており、この処
理容器２内には、被処理体、たとえば半導体ウェハＷを
載置保持する支持台３が設置されている。この載置台３
はサセプタとも称されるもので、多重構造を有してお
り、処理容器２内の底部に絶縁部材、たとえばセラミッ
クスなどの絶縁板４を介して固定された円筒状の基台５
と、この基台５の上面に載置された円板状のヒータ固定
台６と、このヒータ固定台６を上方から包含するように
上記基台５上に載置された下部電極兼用の載置台７とか
ら構成されている。そして、これら基台５とヒータ固定
台６と載置台７とは、導電部材、たとえばアルミニウム
から形成され、それぞれボルト締めにより着脱自在に締
結されている。

【００１７】さらに前記載置台７は、上面中央部が凸状
にされた円板状で、この中央上面には、被処理体を保持
するためのチャック部として、たとえば静電チャック８
が被処理体である半導体ウェハＷと略同径大、好ましく
はウェハＷの径より若干小さい径で設けられている。こ
の静電チャック８は、ウェハＷを載置保持する面として
ポリベンズイミダゾールなどの高分子絶縁材料からなる
２枚のフィルム８ａ、８ｂ間に銅箔などの導電膜８ｃを
挟持した静電チャックシートより構成されており、その
導電膜８は、電圧供給リード９により、途中高周波をカ
ットするフィルタ１０、たとえばコイルを介して可変直
流高電圧源１１に接続されている。したがってその導電
膜９ｃに高電圧を印加することにより、静電チャック８
の上側フィルム８ａの上面にウェハＷをクーロン力によ
り吸着保持し得るように構成されている。

【００１８】また図１に示すように、上記載置台７の上
面中央凸部の周囲には、静電チャック８上のウェハＷの
外周を囲むように環状のフォーカスリング１２が配置さ
れている。このフォーカスリング１２は反応性イオンを
引き寄せない絶縁性の材料からなり、反応性イオンを内
側の半導体ウェハＷにだけ効果的に入射せしめる働きを
なすものである。

【００１９】また上記載置台７上に載置保持されたウェ
ハＷのプラズマ処理時の温度を最適に保持するために、
上記サセプタ３の基台５には冷却手段、たとえば冷却ジ
ャケット（冷媒環状流路）１３が設けられており、この
冷却ジャケット１３にはたとえば液体窒素などの冷媒が
冷媒導入管１４を介して導入されて冷却ジャケット１３
内を循環し、冷媒排出管１５より熱交換され気化した窒
素ガスを容器外に排出するように構成されている。

【００２０】さらに上記冷却ジャケット１３を内蔵する
基台５と、その上のヒータ固定台６および載置台７に
は、静電チャック８上に吸着保持された被処理体である
ウェハＷへの伝熱性を良くするために、一連のガス通路
１６が形成され、ここに外部からヘリウムなどの伝熱ガ
ス促進ガスが供給され、速やかにウェハＷに熱が伝達さ
れるように構成されている。

【００２１】また上記基台５と載置台７との間に介挿さ
れたヒータ固定台６には、この上面の環状凹部内に上面
を面一に埋め込むようにして厚さ数ｍｍ程度の帯状環状
の温度調整用ヒータ１７が設けられている。この温調用
ヒータ１７はたとえば窒化アルミニウムなどの絶縁性焼
結体にタングステンなどの導電性抵抗発熱体をインサー
トした構成で、この抵抗発熱体が電力供給リード１８に
よりフィルタ１９を介して電力源から所望の電力を受け
て発熱し、上記冷却ジャケット１３からの冷熱がウェハ
Ｗに伝熱される伝熱量を適宜に制御してウェハＷの温度
制御を行うように構成されている。

【００２２】そして上記サセプタ３には、中空に成形さ
れた導体よりなる給電棒２１がヒータ固定台６および基
台５を貫通して設けられている。この給電棒２１は接地
側の外側管２１ａと高周波電力印加側の内側管２１ｂと
からなる二重管構造に構成され、外側管２１ａと内側管
２１ｂとの間および内側管の内部に中空部がそれぞれ形
成されており、これらの中空部には不活性ガスを流通さ
せることが可能なように構成されている。そして内側管
２１ｂはブロッキングコンデンサ２２を介して高周波電
源２３に接続されており、処理時にはたとえば１３．５
６ＭＨｚの高周波を載置台７に印加することが可能であ
る。かかる構成により載置台７は下部電極として作用
し、後述する上部電極２４との間にグロー放電を生じ、
反応性プラズマを処理室内に形成し、そのプラズマ流に
て被処理体にエッチング処理を施すことが可能である。

【００２３】図１に示す処理装置１の上部電極２４は、
上記載置台７の載置面に対向する処理室の天井壁に設置
された外部において接地された導電性材料から構成され
ている。本発明によればこの上部電極２４の面積は、上
記載置台７に載置された被処理体、たとえば半導体ウェ
ハＷの載置面にプラズマ流を照射させることができる最
小限の面積、すなわち被処理体の処理面を天井壁に正投
影させた領域を少なくとも含む面積および位置とされ
る。このように構成することにより、通常は被処理体の
処理面に対して十分なプラズマ流を照射することが可能
であるが、処理条件に応じては、より大きな面積の上部
電極として構成することも可能である。

【００２４】ただし、本発明によれば、上部電極２４以
外の天井壁には、少なくとも３ｍｍ以上の厚みを有する
石英やセラミック製の絶縁層が設けられ、処理室内に生
成したプラズマ流の照射から処理容器２の内壁を保護す
るように構成される。また同様に処理容器２の側壁にも
少なくとも３ｍｍ以上の厚みを有する石英やセラミック
製の絶縁層２６が設けられ、処理室内に生成したプラズ
マ流の照射から保護される。なお通常のエッチング処理
では、絶縁層の厚みは３ｍｍ程度で十分であるが、処理
条件によってはより厚い厚みをもたせることで、プラズ
マ流の照射をより効果的に防止することが可能である。
また絶縁層は、処理容器２の内壁に直接蒸着等の手段に
より固定することも可能であるが、タイル状の板部材と
して絶縁層を構成し、処理容器２の内壁面に貼設する構
成とすることにより、メンテナンスの便が図りやすい構
成とすることも可能である。

【００２５】さらに上記実施例においては、処理容器２
の上方に永久磁石２７が回転自在に設けられており、被
処理体、たとえば半導体ウェハＷの近傍に、その処理面
と平行な磁場を形成することで、プラズマ流を処理面に
対して垂直に方向付けることが可能となり異方性の高い
エッチングを行うことができる。しかしながら、このよ
うなマグネトロン方式のエッチング装置の場合には、図
６に示すように、Ｗ方向、すなわち内壁近傍に電子流が
集まる傾向を有するため、処理容器２の側壁に対してプ
ラズマ流が照射され、側壁のダメージが生じやすい。し
かしながら、本発明によれば、側壁が絶縁層２６により
保護されているので、損傷が生じ難く、したがって金属
汚染や発塵が減少し、歩留まりを向上させることができ
ると同時に、側壁に対するメンテナンスの頻度を減少さ
せることができる。

【００２６】つぎに上記プラズマエッチング装置１の処
理ガス供給系および処理ガス排気系について説明する。
図示のように、上記処理容器２の肩口には処理ガス供給
口２８が設けられており、処理ガス源２９から流量制御
器３０を介して処理ガス、たとえばＣＦ₄などのエッチ
ングガスを処理容器２内に導入することが可能である。
また上記処理容器２の下方には真空ポンプなどの排気手
段にバルブ３２を介して接続されている排気口３３が設
けられており、処理室内を所定の圧力に真空排気するこ
とが可能である。

【００２７】また上記サセプタ３の中央側部と処理容器
２の内壁との間には複数のバッフル孔３４が穿設された
バッフル板３５が、図２に示すように、上記サセプタ３
を囲むように配置されている。このバッフル板３５はプ
ロテクトリングあるいは排気リングとも称されるもの
で、排気流の流れを整え、処理容器２内から処理ガスな
どを均一に排気するためのものである。そしてこのバッ
フル板３５に穿設されるバッフル孔は従来の装置におい
ては、図５に示すように単に略垂直方向に切られていた
が、かかる構成では、バッフル孔３４を通ってプラズマ
がサセプタ３の下方に回り込み、あるいはバッフル孔３
４部分で火花を生じるなどの異常放電を生じ、金属汚染
や発塵の原因となっていた。

【００２８】しかしながら、本発明によれば、図３に示
すように、バッフル孔３４が傾斜して設けられており、
そのためバッフル孔３４部分のインピーダンスが向上
し、電界の勾配がなだらかになるためバッフル孔３４部
分での放電やバッフル板３５下方へのプラズマの回り込
みを防止することができる。特に本発明によれば、バッ
フル板３５が石英やセラミックなどの絶縁材料から構成
されているので、異常放電をより効果的に防止すること
ができる。なお、図１の実施例では、バッフル板３５を
絶縁材料から構成するために、プラズマの回り込みが有
効に防止することができるので、バッフル板３５より下
方の処理容器２の側壁には絶縁層が設けられていない
が、処理条件に応じては、バッフル板３５の下方の処理
容器２の側壁および処理容器２の底部壁に対しても絶縁
層を設けることも可能である。

【００２９】ところで、上記のように、本発明に基づい
て傾斜されたバッフル板３５のバッフル孔３４における
インダクタンスは上昇するためプラズマの回り込みは有
効に防止されるが、同時に、傾斜するバッフル孔３４の
排気コンダクタンスも上昇するため排気速度が減少する
おそれがある。しかしながら、本発明によれば、上記バ
ッフル孔３４の傾斜方向が処理容器２の排気口３３方向
に向けられるので、排気速度の減少が抑えられる。また
ターボポンプのような回転式の排気ポンプ３１の回転方
向を、排気流とは反対方向に、すなわち排気流が時計方
向に流れる場合には、反時計方向に設定することに排気
流をかき集めることが可能となり、排気速度の向上を図
ることができる。

【００３０】なお図３に示す実施例では、バッフル板３
５に傾斜するバッフル孔３４を直接穿設しているが、か
かる傾斜孔の加工は手間を要するため、たとえば図４に
示すように、同一ピッチのバッフル孔３４ａ、３４ｂ、
３４ｃ、３４ｄが穿設された複数枚のバッフル板３５
ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄをずらして積層することに
より、傾斜するバッフル孔３４’を構成することが可能
である。このようにバッフル板３５’を構成することに
より、製造コストを抑えながら本発明の優れた効果を享
受することが可能となる。

【００３１】以上のように本実施例にかかるプラズマエ
ッチング装置は構成されている。次に本実施例にかかる
プラズマエッチング装置の動作について簡単に説明す
る。

【００３２】まず、上記処理容器２に隣接して設けられ
たロードロック室内を外部と隔離した状態で処理容器２
の側壁に設けられた図示しないゲートバルブを開放し、
ロートドック室より被処理体である半導体ウェハＷを所
定の圧力、たとえば１×１０^-4〜数Ｔｏｒｒ程度に減圧
された処理容器２内に搬入して、サセプタ３の載置台７
上の静電チャック８上に吸着保持する。この際、冷却ジ
ャケット１３に冷媒を流通させて、この部分をたとえば
−１９６℃に維持し、冷熱を載置台７を介して半導体ウ
ェハに伝えるとともに、温調用ヒータ１７の発熱量を制
御してウェハＷを所定の温度、たとえば低温処理である
場合には、−１０℃〜−２００℃の範囲の所定温度に調
整維持する。そして処理容器２の肩口に設けられた処理
ガス供給口２８より処理ガスを処理空間に流し、高周波
電源２３をオンにすることにより、下部電極として載置
台７と上部電極２４との間にグロー放電を生じさせ、処
理ガスをプラズマ化させることが可能である。その際、
処理容器２の上方の回転磁石２７による磁場の作用によ
り、プラズマ流が被処理体の処理面に垂直に方向付けら
れ、異方性の高いエッチングを行うことが可能である。

【００３３】次に、本実施例にかかるプラズマエッチン
グ装置の効果について説明する。本発明によれば、処理
容器２の天井壁に設けられた上部電極２４以外の部分に
ついては少なくとも３ｍｍ以上の厚みを有する絶縁層２
５、２６が設けられており、プラズマ流の流れ込みが有
効に防止される。また本発明によればプラズマ発生部と
排気部との間に設けられたバッフル板３５が絶縁材から
構成され、さらにそのバッフル孔３４が傾斜して設けら
れているので、インダクタンスが向上し、プラズマの排
気部への回り込みが有効に防止される。その結果、異常
放電によるパーティクルの発生が減少するので、製品の
歩留まりを向上させることができる。さらにまた上記実
施例では、バッフル板３５のバッフル孔３４の傾斜方向
が排気口３３方向に向けられているので、バッフル孔３
４の傾斜による排気コンダクタンスの上昇にもかかわら
ず、必要な排気速度を確保することができる。

【００３４】なお上記実施例にあっては、本発明はマグ
ネトロン方式のプラズマエッチング装置に適用した場合
について説明したが、本発明は、かかる実施例に限定さ
れず、通常の平行平板型などのエッチング装置、熱ＣＶ
Ｄ装置、プラズマＣＶＤ装置、アッシング装置など被処
理体を減圧雰囲気に置いて処理を行う各種処理装置に適
用することが可能である。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上部電極を除く処理容器の内壁部が絶縁されるので、処
理容器内に生じるプラズマ流が照射され、内壁が損傷す
る事態を有効に防止することができる。また本発明によ
れば、プラズマ発生部と排気部との間のバッフル板のバ
ッフル孔が傾斜しているので高いインダクタンスが得ら
れるため、プラズマの排気部への回り込みを防止するこ
とが可能で、金属汚染や発塵の発生を未然に防止するこ
とができる。またバッフル孔の傾斜による排気コンダク
タンスの上昇に対しては、傾斜方向を排気口方向に向
け、さらに排気ポンプの回転方向を排気流の方向と反対
とすることにより、所望の排気速度を維持することが可
能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に基づいて構成されたマグネトロン式プ
ラズマエッチング装置の概略的な断面図である。

【図２】図１に示すエッチング装置に実装されるバッフ
ル板およびサセプタ部分の概略的な見取図である。

【図３】本発明に基づいて構成されたバッフル板の一実
施例に関する部分断面図である。

【図４】本発明に基づいて構成されたバッフル板の他の
実施例に関する部分断面図である。

【図５】従来のマグネトロン式プラズマエッチング装置
の概略的な断面図である。

【図６】永久磁石による磁場と処理容器との関係を示す
説明図である。

【符号の説明】

１ プラズマエッチング装置 ２ 処理容器 ３ サセプタ ２４ 上部電極 ２５ 絶縁層 １６ 絶縁層 ２７ 永久磁石 ２８ 処理ガス供給口 ３１ 排気装置 ３３ 排気口 ３４ バッフル孔 ３５ バッフル板 Ｐ プラズマ Ｗ 被処理体

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理ガス供給口と排気口とを備えた処理
   容器内において載置台に載置された被処理体を処理する
   真空処理装置において， 前記排気口を前記載置台の被処理体載置面よりも下方に
   設けるとともに，前記排気口と前記載置台の被処理体載
   置面との間に形成される空間に１または２以上の孔が穿
   設されたバッフルを配設し，そのバッフルの孔を前記排
   気口の方向に傾斜させたことを特徴とする，処理装置。
2. 【請求項２】 前記バッフルを，略同ピッチで１または
   ２以上の孔が穿設された複数枚の板から構成し，各板を
   水平方向にずらして積層することにより前記バッフルの
   孔の傾斜が形成されることを特徴とする，請求項１に記
   載の処理装置。
3. 【請求項３】 前記バッフルの孔の傾斜により生じる排
   気流の流れ方向と反対方向に回転させる回転式ポンプに
   より排気を行うことを特徴とする，請求項１または２の
   いずれかに記載の処理装置。
4. 【請求項４】 前記処理装置が，処理容器内にプラズマ
   を生起して被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズ
   マ処理装置であって，前記バッフルを絶縁材料から構成
   したことを特徴とする，請求項３に記載の処理装置。
5. 【請求項５】 前記処理容器の少なくとも側壁に少なく
   とも３ｍｍ以上の厚みを有する絶縁層を設けたことを特
   徴とする，請求項４に記載の処理装置。
6. 【請求項６】 前記処理容器の天井壁の一部を導電性材
   料からなる電極として構成し，その電極部の面積をすく
   なくとも前記被処理体の処理面の面積とし，その電極部
   の位置を少なくとも前記被処理体の処理面を前記天井部
   に正投影させた領域を含む位置とし，さらに前記電極部
   を除く天井壁に少なくとも３ｍｍ以上の厚みを有する絶
   縁層を設けたことを特徴とする，請求項４または５のい
   ずれかに記載の処理装置。
7. 【請求項７】 前記プラズマ処理装置が，前記処理容器
   の天井壁外方に磁石を設けたマグネトロン式プラズマ処
   理装置であることを特徴とする，請求項４，５または６
   のいずれかに記載の処理装置。