KR20020041299A - 반도체 제조 시스템과 그 세정방법 - Google Patents

반도체 제조 시스템과 그 세정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020041299A
KR20020041299A KR1020010073724A KR20010073724A KR20020041299A KR 20020041299 A KR20020041299 A KR 20020041299A KR 1020010073724 A KR1020010073724 A KR 1020010073724A KR 20010073724 A KR20010073724 A KR 20010073724A KR 20020041299 A KR20020041299 A KR 20020041299A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
gas
wafer
semiconductor manufacturing
film forming
Prior art date
Application number
KR1020010073724A
Other languages
English (en)
Inventor
가와이히데아키
도쿠마스노보루
아즈미다카요시
Original Assignee
무라세 하루오
캐논 한바이 가부시끼가이샤
마에다 가즈오
가부시끼가이샤 한도따이 프로세스 켄큐쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 무라세 하루오, 캐논 한바이 가부시끼가이샤, 마에다 가즈오, 가부시끼가이샤 한도따이 프로세스 켄큐쇼 filed Critical 무라세 하루오
Publication of KR20020041299A publication Critical patent/KR20020041299A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

반도체 제조 시스템과 그 세정 방법이 제공된다. 시스템을 구성하는 요소들에 부착된 실리콘 산화물은 요소의 가열과 더불어 HF 가스와 수증기를 포함한 세정 가스에 의해 제거된다.

Description

반도체 제조 시스템과 그 세정 방법{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING SYSTEM AND METHOD FOR CLEANING THE SAME}
본 발명은 반도체 제조 시스템과 그 세정 방법에 관한 것으로, 특히 실리콘 산화물이 부착된 대상물(object)을 세정하는데 유리한 기술에 관한 것이다.
LSI 등과 같은 반도체 장치에는 다양한 막들이 이용된다. SiO2막 등과 같은 실리콘 산화물 막에 촛점을 맞춰보면, CVD법(화학기상증착법)이 일반적으로 이 막을 형성하는 데 이용된다. CVD법에서는, 비록 형성되는 막의 타입에 따라 다를 지라도, 막 형성 가스를 산화시키거나 플라즈마화함으로써 웨이퍼 상에 막이 형성되어진다.
막을 형성함에 있어서, 웨이퍼는 반응 챔버안에 배치되고, 그리고 막 형성 가스가 챔버 내부로 주입된다. 이때, 웨이퍼의 표면 뿐만 아니라 챔버의 벽과 챔버내에 제공된 다양한 요소들이 상기 막 형성 가스에 노출되므로, 막(SiO2막, 등)도 또한 그러한 요소들 위에 형성된다.
초기 단계에서는, 비록 막이 이러한 방식으로 형성된다 하더라도, 이 막의 두께가 얇기 때문에 문제가 없다. 그러나, 만약 막들이 막 형성을 반복함으로써 적층되고, 따라서 적층된 막의 두께가 증가한다면, 상기 요소들은 더 이상 그들의 예정된 기능들을 수행할 수 없고 이에 따라 CVD 설비의 신뢰성을 떨어뜨리게 된다. 그래서, CVD 설비에서는 설비를 청소하기 위하여 정기적으로 보수 작업을 수행함으로써 상술한 과잉 막들을 제거하는 것이 일반적이다.
아래에서는, 종래 기술에서의 CVD 설비를 세정하기 위한 방법에 대해 간단히 설명한다. 세정되어야 할 막은 SiO2막과 BPSG 막이다.
단계 P1: 이들 막이 부착되는 서셉터(웨이퍼 홀더) 등과 같은 요소들(세정될 대상물들)이 챔버로부터 꺼내진다.
단계 P2: 꺼내진 요소들이 상기 막들을 제거하기 위해 HF 수용액에 담겨진다. 전형적인 HF 농도는 HF:H2O=1:10으로 주어진다.
단계 P3: 상기 요소들이 HF 수용액으로부터 들어올리고 나서 많은 양의 물로써 헹궈진다.
단계 P4: 상기 요소들이 충분히 건조된다.
단계 P5: 상기 요소들이 챔버의 내부로 다시 설치된다.
그러나, 다음과 같은 문제들이 상기의 단계들에서 발생되게 된다.
① 단계 P1과 P5
보통, 챔버로부터 요소들을 꺼낼 수 있도록 많은 수의 스크류들이 느슨하게 되어야 하며, 그래서 보수 작업 시간이 길어진다. 이것은 또한 요소들이 챔버의 내부에 부착되는 경우에도 마찬가지이다. 그러나, 만약 보수 작업 시간이 위와 같이 길어지면, CVD 설비의 작동 시간이 짧아지고, 그래서 LSI 등과 같은 반도체 장치의 생산성이 감소된다.
② 단계 P2
만약 용액내의 HF 농도가 높으면, HF 용액을 폐기 처리할때 생성되는 폐기물이 증가한다. 증가된 폐기물은 인간의 생활 환경을 오염시키기 때문에, 가능한 한 폐기물을 감소시키는 것이 바람직하다.
③ 단계 P3
잔여 HF를 요소들로부터 헹구기 위하여, 많은 양의 물이 필요하다. 수자원을 보호하고 물 비용을 감소시키는 관점에서 볼때, 소비되는 물의 양이 감소되는 것이 바람직하다.
본 발명의 목적은, 실리콘 산화물이 부착된 대상물을 반도체 제조 시스템으로부터 제거해야 할 필요성을 배제하는 것이 가능하고, 종래 기술보다 페기물의 양을 감소할 수 있으며, 소비된 물의 양을 감소시키는 것이 가능한 반도체 제조 시스템과 이의 세정을 위한 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 시스템을 나타내는 사시도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 시스템에 제공되는 막 형성 유니트(막 형성 가스 배출 수단)를 나타내는 사시도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 시스템에 제공되는 막 형성 수단(막 형성 가스 배출 수단)을 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 시스템에 제공되는 히터 유니트를 나타내는 사시도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 시스템에 제공되는 히터 유니트를 나타내는 부분 단면 사시도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 시스템에 제공되는 세정 유니트(세정 가스 배출 수단)를 나타내는 사시도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 시스템에 제공되는 세정 유니트(세정 가스 배출 수단)를 나타내는 상면도.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 시스템에 제공되는 세정 유니트(세정 가스 배출 수단)를 나타내는 단면도.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 시스템에 제공되는 파이프의 경로도.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 시스템을 이용하여 막 형성이 수행될 때의 막 형성 유니트(막 형성 가스 배출 수단)와 히터 유니트를 나타내는 단면도.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 시스템을 세정하기 위한 방법을 나타내는 사시도.
도 12a 내지 도 12d는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 시스템을 세정하기 위한 방법을 나타내는 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: CVD 설비
2: 베이스
3: 가이드 레일
4: 히터 유니트
5: 캐리어
6: 막 형성 유니트(막 형성 가스 배출 수단)
7: 막 형성 가스 공급 파이프
8: 막 형성 가스 배출 파이프
14: 세정 유니트(세정 가스 배출 수단)
15: 세정 가스 배출 파이프
16: 세정 가스 공급 파이프
25: 보호 플레이트
26: 서셉터(웨이퍼 지지 수단)
27: 히터
31: 가스 챔버
본 발명에 따르면, 실리콘 산화물이 부착되는 세정되어야 할 대상물이, 실리콘 산화물을 제거하기 위하여 가열되고 HF 가스와 수증기를 포함한 세정 가스에 노출된다. 이 경우, 실리콘 산화물은 다음과 같은 반응에 따라 제거되어 진다.
H20
SiO2+4HF-------> SiF4↑ + 2H2O (화학식 1)
우측편의 SiF4의 비등점이 -95℃이고, 대상물이 가열되기 때문에, SiF4는 세정 후에 대상물상에 남아 있지 않는다. 유사한 식으로, 대상물이 가열되므로, 우측편의 H2O는 대상물상에 남아 있지 않는다. 게다가, 설령 반응하지 못한 HF이 세정 가스내에 존재한다 하더라도, HF의 비등점이 20℃(대기압 하에서)이고 대상물이 가열되기 때문에, HF은 대상물상에 남지 않는다. 그래서, 본 발명은 대상물을 물로 헹궈서 세정액과 부산물을 제거해야 할 필요성이 없다.
또한, 수증기가 세정 가스에 추가되므로, HF2-가 세정 가스내에서 생성되어 세정 가스는 활성화된다. 대상물의 세정은 이 HF2-에 의해 가속되어질 수 있다.
게다가, 액체 성분은 세정 후에 세정 가스내에 거의 함유되지 않는다. 이것은 세정 가스에 추가되어지는 수증기의 양이 작고, 세정 후의 세정 가스내에 포함된 HF와 SiF4모두 실온(20℃)에서 가스 상태이기 때문이다. 그래서, 세정 후의 세정 가스는 흡수형 배출 가스 처리 시스템에 의해 처리될 수 있다. 일반적으로, 흡수형 배출 가스 처리 시스템으로부터 방출되는 폐기물의 양은 HF 수용액이 폐액 처리될 때 방출되는 양보다 극히 적다. 그 결과, 본 발명에서는 종래 기술보다 페기물의 양이 감소되고, 그로 인해 인간이 살고 있는 환경이 폐기물에 의해 오염될 가능성을 줄이는 것이 가능하다.
또 한편으로는, 본 발명에 따른 반도체 제조 시스템은 막 형성 가스 배출 수단, 세정 가스 배출 수단 및 반도체 지지 수단을 포함한다. 웨이퍼 상에 막 형성이 수행되어질 경우에, 웨이퍼 지지 수단은 웨이퍼가 막 형성 가스 배출 수단으로부터 방출된 막 형성 가스에 노출되는 위치로 이동되어 진다. 다음에, 웨이퍼 지지 수단이 세정되어질 경우에, 웨이퍼 지지 수단은 세정 가스 배출 수단으로부터 방출된 세정 가스에 노출되는 위치로 이동되어 진다. 이 때, 웨이퍼 지지 수단은 웨이퍼를 지지하지 않는다. 이에 따르면, 웨이퍼 지지 수단이 세정되어져야 할 때, 종래 기술에서와 같이 시스템으로부터 웨이퍼 지지 수단을 제거시킬 필요가 없으므로, 시스템의 보수 작업 시간은 감소될 수 있다.
더우기, 본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 제조 시스템은 세정 가스 배출 수단에 수증기를 공급하기 위한 수증기 공급 수단과, 세정 가스 배출 수단에 HF 가스를 공급하기 위한 HF 가스 공급 수단을 더 포함한다. 이것에 따르면, HF 가스와 수증기를 함유한 세정 가스는 세정 가스 배출 수단으로부터 배출되고, 웨이퍼 지지 수단은 이러한 세정 가스에 의해 세정되어질 수 있다.
이 경우에, 만약 웨이퍼 지지 수단을 가열하는 가열 수단이 더 구비되면, 웨이퍼 지지 수단은 가열되고 있는 상황 하에서 HF 가스와 수증기를 함유한 세정 가스에 의해 세정되어질 수 있다. 이것에 따르면, 상술한 바와 같이, 세정되어져야 하는 대상물중의 하나인 웨이퍼 지지 수단이 세정 후에 물로써 헹궈져야 할 필요가 없다.
(1) 본 발명의 실시예에 따른 CVD 설비(반도체 제조 시스템)에 대한 설명
먼저, 본 실시예에 따른 CVD 설비(반도체 제조 시스템)를 도 1 내지 도 9를 참조하여 아래에 설명한다.
도 1에 도시한 CVD 설비는 베이스(2)와, 베이스(2)의 바로 위에 제공되는 가이드 레일(3)들을 갖는다. 캐리어(5)는 가이드 레일(3)들의 길이 방향에서 슬라이드 가능하도록 가이드 레일(3)들상에 탑재된다. 도 1에 나타난 바와 같이, 캐리어(5)는 히터 유니트(4)를 지지하고, 이 히터 유니트(4)는 표면을 밑으로 한 상태(face down state)(나중에 상세히 설명될 것이다)에서 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 수단을 가진다. 슬라이더(12)는 L자 형상의 조인트(13)를 경유하여 캐리어(5)의 일측면에 고정된다. 도면번호 11은 구동 축으로서, 그 표면은 수나사의 나삿니가 형성된다.
암나사는, 비록 특별히 서술하지는 않지만, 슬라이더(12)안에 형성되고, 구동 축(11)의 수나사가 이 암나사내로 나사 결합되어 진다. 도 1에서, 도면번호 9는 모터이고, 도면번호 10은 모터(9)의 구동력을 구동 축(11)으로 전달하는 벨트이다. 구동 축(11)은 이 벨트(11)에 의해 회전 구동되고, 이에 따라 슬라이더(12)는 가이드 레일(3)의 길이 방향을 따라 수평으로 이동된다. 슬라이더(12)의 이 운동에 의하여, 캐리어(5)와 히터 유니트(4)는 가이드 레일(3)의 길이 방향을 따라 함께 수평으로 이동된다.
도면번호 6은 뒤에서 상세히 설명될 막 형성 유니트(막 형성 가스 배출 수단)이고, 이 막 형성 유니트(6)는 베이스(2)상에 고정되어 진다. 막 형성 가스는막 형성 가스 공급 파이프(7)로부터 막 형성 유니트(6)로 공급되고, 이어서 막 형성 가스 배출 파이프(8)를 통해 배기된다. 도 1에 나타난 배치에서, 히터 유니트(4)는 이러한 막 형성 유니트(6)를 덮도록 위치되고, 이러한 상태에서 히터 유니트(4)상에 지지되고 있는 웨이퍼 위에 막이 형성된다.
도면번호 14는 히터 유니트(4)를 세정하도록 세정 가스를 배출하기 위한 세정 유니트(세정 가스 배출 수단)이다. 히터 유니트(4)가 세정되어질 때, 히터 유니트(4)와 캐리어(5)는 도 1에 점선으로 표시된 위치로 함께 이동한다. 세정 가스는 세정 가스 공급 파이프(16)를 경유하여 세정 유니트(14)로 공급되고, 이어서 세정 가스 배출 파이프(15)로부터 배출된다.
다음에, 상기 CVD 설비의 각 부분들에 대하여 아래에서 상세하게 설명한다.
① 막 형성 유니트(6)
도 2는 막 형성 유니트(6)의 사시도이다. 도 2에서, 도면번호 17은 외측을 감싸는 용기이고, 가스 분배기(21)가 이 용기(17)내에 수용된다. 이 가스 분배기(21)는 복수 개의 노즐 플레이트(18)와, 이들 노즐 플레이트(18)를 고정하기 위한 고정 플레이트(20)들로 구성된다.
이러한 막 형성 유니트(6)의 횡단면이 도 3에 나타나 있다. 막 형성 가스 공급 파이프(7)(도 2 참조)는 매니폴드(미도시)를 경유하여 도 3에 도시한 복수 개의 분기 파이프(19)로 분기된다. 이들 분기 파이프(19)들이 가스 분배기(21)와 연통되므로, 분기 파이프(19)들을 통과하는 막 형성 가스는 가스 분배기(21)에 공급된다. 이어서, 공급된 막 형성 가스는 노즐 플레이트(18)들 사이의 각각의 간극을통과한 다음, 막 형성 유니트(6)로부터 수직 방향으로 상방으로 배출된다.
비록 도 3에서 명백하게 나타나지는 않지만, 배출된 막 형성 가스는 그 전파 방향을 변경하도록 웨이퍼에 대항해서 취입되고, 이어서 외측을 감싸는 용기(17)와 고정 플레이트(20)들 사이의 공간으로 흘러 들어간다. 이 공간이 배출 파이프(8)와 연통되고, 이 배출 파이프(8)는 배출 펌프(미도시)에 연결되므로, 막 형성 가스는 배출 파이프(8)를 경유하여 배출된다.
② 히터 유니트(4)
도 4는 히터 유니트(4)의 사시도이다. 도 4에서, 도면번호 23은 상측 플레이트이고, 도면번호 22는 측면 플레이트이다. 이 때, 도면번호 24는 프레임 몸체이다.
이 히터 유니트(4)의 부분 단면 사시도가 도 5에 나타나 있다. 도 5에 나타난 바와 같이, 프레임 몸체(24)는 석영 재질의 보호 플레이트(25)를 지지한다. 후술하는 바와 같이, 이 보호 플레이트(25)는 막 형성 가스가 히터 유니트(4)의 내부로 들어가는 것을 방지하도록 하는 역할을 한다. 원형 개구부(25a)가 보호 플레이트(25)내에 개방되어 있고, 실리콘 카바이드(SiC)로 된 서셉터(웨이퍼 지지 수단)(26)는 개구부(25a)내에 설치된다. 서셉터(26)는 진공 척에 의해 웨이퍼(미도시)를 지지한다. 진공 척을 위한 오목부(26a)와 이 오목부(26a)에 연통하는 개구부(26b)가 서셉터(26)의 표면에 제공된다.
도 5에서, 도면번호 27은 서셉터(26)를 경유하여 웨이퍼를 가열하기 위한 히터이다. 개구부(26b)와 연통하는 개구부(27a)가 이 히터(27)내에 개방되어 있고,흡입 파이프(28)는 개구부(27a)내에 설치된다. 흡입 파이프(28)는 펌프(미도시)에 연결되고, 웨이퍼(미도시)는 펌프에 의해 흡입 파이프(28)를 흡입함으로써 표면을 밑으로 한 상태에서 지지되어 질 수 있다.
가열선(미도시)은 히터(27)내에 묻히며, 히터(27)는 가열선에 전류를 공급함으로써 가열된다. 웨이퍼 온도는 이 가열선에 공급되는 전류의 크기를 조정함으로써 임의로 조정될 수 있다. 도 5에 나타나듯이, 보호 플레이트(25)가 이 히터(27)와 접촉하도록 되므로, 보호 플레이트(25)는 또한 웨이퍼와 거의 동일한 온도로 가열된다. 도 5에서, 도면번호 29는 가열선으로 전류를 공급하는 도선(미도시)이 통과되는 파이프이고, 도면번호 30은 히터(27)의 열이 히터 유니트(4)의 외측으로 새는 것을 방지하기 위한 열 절연재이다.
③ 세정 유니트(14)
도 6은 세정 유니트(14)의 사시도이다. 도 6에서, 도면번호 31은 가스 챔버이고, 도면번호 32는 이 가스 챔버(31)내에 설치되는 분할 플레이트이며, 도면번호 33은 이 분할 플레이트(32)에 의해 지지되는 가스 분배 플레이트이다. 이 모든 요소들은 탄소 재질로 이루어져 있다. 또한, 도면번호 35는 고정 바(37)들에 의해 베이스(2)에 고정되는 고정 베이스이다. 모터(36)는, 후술되는 바와 같이, 고정 베이스(35)에 설치되고, 이 모터(36)는 구동 베이스(34)를 수직으로 구동시킨다. 가스 챔버(31)는 스프링(38)들에 의해 구동 베이스(34)에 결합되고, 이어서 가스 챔버(31)와 구동 베이스(34)는 같이 수직으로 이동된다.
도 7은 이 세정 유니트(14)의 상면도이다. 도 7에 나타난 바와 같이, 복수개의 홀(33a)들이 가스 분배 플레이트(33)내에 개방되어 있다.
이 세정 유니트(14)의 횡단면은 도 8에 나타나 있다. 모터(36)는 고정 나사(39)들에 의해 고정 베이스(35)에 고정되어 볼 스크류(42)의 암나사(41)를 회전 구동시킨다. 암나사(40)가 이러한 식으로 회전할 때, 이 암나사(41)내로 나사결합된 수나사(40)는 수직으로 구동되어, 이 수나사(40)가 고정된 구동 베이스(34) 또한 수직으로 구동하게 된다. 그러면, 구동 베이스(34)에 결합된 가스 챔버(31)는 구동 베이스(34)의 상승 및 하강 동작에 의해 수직으로 이동된다.
도 8에 나타난 것과 같이, 세정 가스 공급 파이프(16)와 세정 가스 배출 파이프(15)는 모두 가스 챔버(31)에 고정된다. 세정 가스 공급 파이프(16)와 세정 가스 배출 파이프(15)가 통과하는 개구부(2a, 35a 및 34a)는 베이스(2), 고정 베이스(35) 및 구동 베이스(34)에 각각 개방되어 있다.
이들 개구부(2a, 35a 및 34a)들과 파이프(15, 16) 사이에 간극이 제공되므로, 가스 챔버(31)의 수직 운동은 방해되지 않는다. 세정 가스 공급 파이프(16)와 세정 가스 배출 파이프(15)는 둘다 탄소 재질이다.
도 9는 세정 가스를 공급하는 배관 시스템의 경로를 나타내는 도면이다. 도 9에서는, ◇형상으로 표시되는 모든 요소들은 스위칭 밸브들을 나타내고, ○형상으로 표시되는 모든 요소들은 조절 장치를 나타낸다. 또한, △ 형상으로 표시되는 모든 요소들은 가스의 역류를 방지하기 위한 체크 밸브들을 나타낸다. 또한, 도면번호 50, 57 및 58은 각각 MFC(유량 조절기)를 나타낸다.
대략적으로 분류하면, 이러한 배관 시스템은 수증기 공급 시스템(수중기 공급 수단), N2(캐리어 가스) 공급 시스템 및 HF 가스 공급 시스템(HF 가스 공급 수단)으로 구성된다. 이러한 시스템들 중에서, 수증기 공급 시스템은 N2용기(bomb)(44)에서 시작하여 MFC(58)을 경유하여 세정 유니트(6)까지 연장되는 시스템이며, 세정 유니트(6)로 수증기를 공급하는 역할을 한다. 그리고, N2(캐리어 가스) 공급 시스템은 N2용기(44)에서 시작하여 MFC(57)을 경유하여 세정 유니트(6)까지 연장되는 시스템이며, 세정 유니트(6)로 N2를 공급하는 역할을 한다. 그리고, HF 가스 공급 시스템은 HF 용기(43)에서 시작하여 MFC(50)을 경유하여 세정 유니트(6)까지 연장되는 시스템이며, 세정 유니트(6)로 HF 가스를 공급하는 역할을 한다. 이러한 시스템들의 상세한 설명은 후술될 것이다.
(2) 상기 CVD 설비를 이용한 막 형성 방법에 대한 설명
이하, 상술한 CVD 설비(1)를 이용하여 막을 형성하는 방법을 아래에서 설명한다. 위에서 설명한 것처럼, 막 형성이 실행될 때, 캐리어(5)와 히터 유니트(4)는 도 1의 실선에 의해 지시되는 위치에 위치한다. 이 위치에서의 막 형성 유니트(6)와 히터 유니트(4)의 횡단면은 도 10에 나타나 있다. 도 10에 나타난 것처럼, 실리콘 웨이퍼 W의 배면은 진공 척을 거쳐 서셉터(26)에 의해 지지된다.
또한, 위에서 설명한 바와 같이, 막 형성 가스는 분기 파이프(19)를 통해 막 형성 유니트(6)에 공급된다. 이 막 형성 가스의 예로서는 TEOS(테트라에톡시실란), N2, O2및 O3로 구성되는 것이 있다. 이러한 가스들 중에서, N2는 TEOS의 캐리어 가스이다. 이 막 형성 가스를 사용하는 막 형성 조건은 다음과 같다.
실리콘 웨이퍼 W의 온도 415(℃)
O2유량 7.5(slm)
N2유량 18.0(slm)
TEOS/N2유량 1.5(slm)
O3농도 130(g/N㎥)
이들 조건 하에서, SiO2막이 실리콘 웨이퍼 W의 표면상에 형성된다.
본 실시예에서는, TEOS는 N2의 버블링(bubbling)에 의해 분기 파이프(19)로 공급된다. 상기 조건에서 "TEOS/N2유량"은 이러한 버블링에서의 N2유량을 나타낸다. 또한, 단위 "g/N㎥"에 나타나는 "N"은 "NORMAL(정상 상태)"의 약어이고, 이 "g/N㎥"는 정상 상태(0℃, 1기압)에서의 농도를 나타낸다.
이러한 막 형성 가스는 실리콘 웨이퍼 W에 대항해서 취입된 후에, 배출 파이프(8)을 경유하여 배출된다. 도 10에 나타난 바와 같이, 히터 유니트(4)와 막 형성 유니트(6) 사이에 간극이 제공된다 하더라도, 가스 분배기(21)의 내부 압력과 배출 압력(배출 파이프(8)내의 압력) 사이의 압력차 증가는 막 형성 가스가 반도체 제조 시스템의 외부로 새어 나가는 것을 충분히 방지할 수 있다.
특히, 본 실시예에서는, 만약 상기 압력차가 2 ㎜H2O 내지 10 ㎜H2O로 설정되면, 막 형성 가스의 누출을 방지하는 것이 가능하다. 히터 유니트(4)와 막 형성유니트(6) 사이에 이러한 방식으로 간극이 제공되기 때문에, 웨이퍼 W상의 막 형성 가스의 압력은 실질적으로 대기압과 일치한다. 따라서, 상기 공정은 소위 대기압 CVD법이라고 불린다.
또한, 도 10으로부터 알 수 있는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼 W 뿐만 아니라 서셉터(26)의 일부 및 보호 플레이트(25)까지도 막 형성 가스에 노출되기 때문에, SiO2막도 또한 서셉터(26)와 보호 플레이트(25) 상에 형성된다. 만약 이 SiO2막이 제거되지 않는다면, 서셉터(26)와 보호 플레이트(25)는 더 이상 그들의 예정된 기능을 수행할 수가 없다. 이러한 이유로, 이 SiO2막은 정기적으로 제거되어져야 한다. 이 때문에, 다음에 서술된 세정 방법을 수행하는 것이 바람직하다.
(3) 상기 CVD 설비의 세정 방법에 대한 설명
다음에, 상기 CVD 설비(1)에 대한 세정 방법을 도 11과 도 12a 내지 도 12d를 참조하여 아래에서 설명한다. 도 11은 본 실시예에 따른 CVD 설비를 세정하기 위한 방법을 나타내는 사시도이다. 도 12a 내지 도 12d는 본 실시예에 따른 CVD 설비를 세정하기 위한 방법을 나타내는 단면도들이다. 본 실시예에서는, SiO2막이 부착되는 서셉터(26)와 보호 플레이트(25)가 세정될 대상물이다.
① 단계 S1
먼저, 도 11에 나타난 것처럼, 캐리어(5)와 히터 유니트(4)가 모터(9)를 구동함으로써 함께 이동하여 히터 유니트(4)로 세정 유니트(14)를 덮도록 한다. 이 때의 히터 유니트(4)와 세정 유니트(14)의 횡단면이 도 12a에 나타나 있다. 도 12a에 나타난 것처럼, 히터 유니트(4)와 세정 유니트(14)는 서로 분리되어 있으며, 따라서 가스 챔버(31)와 히터 유니트(4) 사이에 간극이 제공된다. 가스 챔버(31)의 이러한 위치를 이하에서는 대기 위치라 한다. 서셉터(26)와 보호 플레이트(25)가 세정되어져야 할 때, 서셉터(26)는 웨이퍼를 지지하지 않는다.
② 단계 S2
다음에, 도 12b에 나타난 바와 같이, 구동 베이스(34)가 모터(36)의 구동에 의해 수직 방향에서 상방으로 상승된다. 이에 따라, 스프링(38)을 경유하여 구동 베이스(34)에 결합되는 가스 챔버(31)도 상방으로 올려져서 히터 유니트(4)와 접촉하게 된다. 이 때, 가스 챔버(31)가 히터 유니트(4)에 들이받을때 발생하는 충격은 스프링(38)에 의해 흡수될 수 있다. 이 단계에 따르면, 가스 챔버(31) 위의 공간은 히터 유니트(4)에 의해 밀봉될 수 있다.
③ 단계 S3
이어서, 도 12c에 나타난 것처럼, 세정 가스가 세정 가스 공급 파이프(16)를 경유하여 밀봉된 가스 챔버(31)의 내부로 공급되어 진다. 공급된 세정 가스는 가스 분배 플레이트(33)의 홀(33a)들을 통과한 다음, 보호 플레이트(25)와 서셉터(26)로 주입된다. 이어서, 주입된 세정 가스는 분할 플레이트(32)와 가스 챔버(31) 사이의 공간을 통과한 후, 세정 가스 배출 파이프(15)를 경유하여 배출된다.
본 실시예에서는, HF 가스, 수증기 및 N2로 구성되는 가스 혼합물이 세정 가스로서 이용된다. 위에서 설명한 것처럼, 가스 챔버(31), 분할 플레이트(32), 가스 분배 플레이트(33), 세정 가스 공급 파이프(16) 및 세정 가스 배출 파이프가 모두 탄소 재질로 이루어지므로, 이들 요소들은 설령 HF 가스를 함유하는 세정 가스가 이용된다 하더라도 HF에 의해 부식되지 않는다.
다음에, 가스 챔버(31)내로 세정 가스를 공급하는 방법에 대해 다시 도 9를 참조하여 설명한다.
세정 가스를 공급할 경우, HF 용기(43)는 미리 히터(미도시)에 의해 약 40∼60℃ 정도로 데워진다. 도 9에서, 도면번호 61은 H2O 버블러로서, 그 용기는 H2O로 채워진다. 이러한 H2O 버블러(61)도 또한 히터(미도시)에 의해 미리 약 40∼60℃ 정도로 데워진다.
그리고, 이 때의 스위칭 밸브의 개폐 상태는 다음과 같이 설정된다.
"개방" 밸브ㆍㆍㆍ밸브 45, 48, 51, 55, 56, 59, 60
"폐쇄" 밸브ㆍㆍㆍ밸브 47
만약 스위칭 밸브들이 이러한 식으로 설정된다면, HF 가스는 도 9의 검정색 화살표에 의해 표시되는 경로를 통과하여 가스 챔버(31)로 공급된다. 또한, 수증기는 도 9의 흰색 화살표에 의해 표시되는 경로를 통과하여 가스 챔버(31)로 공급되며, 또, N2가스는 도 9에서 검정색 파선 화살표로 표시된 경로를 통과하여 가스 챔버(31)로 공급된다. 밸브(47)는 N2가스에 의해 HF 가스 공급 시스템의 파이프들을 퍼지(정화)시키는데 사용된다.
이로부터 알 수 있는 바와 같이, 수증기는 H2O 버블러(61)내의 H2O를 N2가스를 사용하여 버블링함으로써 가스 챔버(31)로 공급되어 진다. 이하에서는, H2O를 버블링하는데 사용되는 N2, 즉 스위칭 밸브(55)를 경유하여 공급되는 N2를 N2(버블러)라 부른다. 수증기 유량은 MFC(58)에 의해 이 N2(버블러) 유량을 제어함으로써 임의로 제어될 수 있다. 그리고, 단지 세정 가스를 추가하기 위해 사용되는 N2, 즉 스위칭 밸브(56)를 경유하여 공급되는 N2를 N2(캐리어 가스)라 부른다. N2(캐리어 가스)와 HF 가스의 유량은 MFC(57)와 MFC(58)에 의해 각각 임의로 조정될 수 있다.
한편, 도 9에서, 도면번호 63과 64는 둘다 파이프들을 감싸는 히터들을 나타낸다. 이 히터(63, 64)들은 그 파이프들을 통과하는 수증기와 HF가 냉각되고 액화되는 것을 방지하는 역할을 한다.
HF와 수증기는 이들 히터(63, 64)들을 이용함으로써 가스 상태로 가스 챔버(31)로 공급되어질 수 있다. 또한, 도면번호 53은 HF 가스와 N2(캐리어 가스)로 구성되는 가스 혼합물들을 여과하는 필터이다
이러한 세정 가스를 사용하는 세정 조건은 다음과 같다.
보호 플레이트(25)와 서셉터(26)의 온도ㆍㆍㆍ200 내지 550(℃)
HF 가스 유량ㆍㆍㆍ1 내지 10(litter/min)
N2(버블러) 유량ㆍㆍㆍ0.3 내지 0.5(litter/min)
N2(캐리어 가스) 유량ㆍㆍㆍ1 내지 10(litter/min)
보호 플레이트(25)와 서셉터(26)(도 12c 참조)의 온도는 히터(27)에 의해 임의로 제어될 수 있다, 이들 조건에 따르면, 서셉터(26)와 보호 플레이트(25) 모두의 위에 형성되는 SiO2막은 아래의 반응에 의해 제거될 수 있다.
H2O
SiO2+4HF -----> SiF4↑+2H2O (화학식 2)
상기 화학식에서, 서셉터(26)와 보호 플레이트(25)가 가열되기 때문에, 우측편의 H2O는 서셉터(26)와 보호 플레이트(25) 상에 남지 않는다. 또한, SiF4의 비등점이 -95℃이므로, 우측편의 SiF4는 써셉터(26)와 보호 플레이트(25) 상에 남지 않는다. 게다가, 설령 반응하지 않은 HF가 세정 가스내에 존재한다 하더라도, 서셉터(26)와 보호 플레이트(25)가 HF의 비등점(대기압 하에서 20℃)보다 충분히 높은 온도까지 가열되기 때문에, HF는 서셉터(26)와 보호 플레이트(25)에 남지 않는다. 그 결과, 본 실시예에서는, 서셉터(26)와 보호 플레이트(25)는 종래 기술에서와 같이 세정한 후에 물에 의해 세정될 필요가 없다.
본 발명자들은 또한 만약 상기와 같이 세정 가스에 수증기가 추가된다면, HF2-가 세정 가스내에 발생하여 화학식 2의 반응이 가속된다는 것을 발견하였다. 게다가, 본 발명자들은 또한 만약 수증기가 상기 반응에 너무 많이 추가되면, 화학식 2의 반응이 좌측 방향으로 진행하여 SiO2가 재생성된다는 것을 발견하였다. 따라서, 세정 가스내의 수증기의 양은 상기 화학식 2의 반응을 가속시킬 정도로 춘분히 높고, 또한 상기 반응이 좌측 방향으로 진행하는 것을 방지할 정도로 충분히 낮은 것이 바람직하다.
그런데, 비록 상기 반응을 거친 세정 가스가 배출 가스로서 배출 파이프(15)로부터 배출된다 하더라도, 이 배출 가스에는 액체 성분이 거의 포함되지 않는다. 이에 대한 이유는 세정 가스에 추가되는 수증기의 양이 미세하고, 배출 가스내의 HF와 SiF4가 모두 실온(20℃)에서는 가스 상태이기 때문이다(HF의 비등점이 대기압하에서 20℃임을 주목할 것).
그래서, 액체 성분을 거의 포함하지 않는 배출 가스가 도 9에 나타난 흡수형 배출 가스 처리 시스템(65)(이하, 간단히 "배출 가스 처리 시스템"이라 함)에 의해 처리될 수 있다. 이 흡수형 배출 가스 처리 시스템(65)은 알카리성 흡착제를 포함한다. 배출 가스 처리 시스템(65)은 알카리성 흡착제가 SiF4, HF 등과 같은 배출 가스내에 함유되는 유해한 성분들을 흡수하도록 하며, 이렇게 해서 이와 같은 유해 성분들을 제거한다. 비록 흡착제가 가스내의 이러한 유해 성분들을 제거할 수 있다 하더라도, 액체내에 포함된 유해 성분들은 제거할 수 없음을 주목해야 한다. 따라서, 배출 가스 처리 시스템(65)은 HF 수용액이 사용되는 종래 기술에서는 채택될 수 없다.
일반적으로, 흡수형 배출 가스 처리 시스템(65)으로부터 방출되는 폐기물의 양은 종래 기술에서 HF 수용액을 폐기 처리할 때 방출되는 것보다 극히 적다. 그래서, 본 실시예에서는, 폐기물의 양이 종래 기술보다 감소될 수 있으므로, 인간의 생활 환경이 폐기물에 의해 오염될 가능성을 감소시키는 것이 가능하다.
④ 단계 S4
위와 같이 세정이 수행된 후에, 세정 가스의 공급은 중단된다. 그러면, 도 12d에 나타난 바와 같이, 가스 챔버(31)는 모터(36)를 구동함으로써 다시 대기 위치로 내려간다. 위에 따르면, 서셉터(26)와 보호 플레이트(25)의 세정은 완료되었다. 위에서 설명한 바와 같이, 세정 가스와 세정 중에 발생된 부산물은 서셉터(26)와 보호 플레이트(25) 상에 남아 있지 않으므로, 종래 기술에서처럼 물로써 이러한 요소들을 헹굴 필요가 없다. 그래서, 단계 S4가 완료된 후에, 히터 유니트(4)와 캐리어(5)를 도 1에 나타난 위치로 간단히 복귀시킴으로써 막 형성을 수행할 수가 있다.
이러한 방식에서는, CVD 설비(1)에 따르면, 웨이퍼 상에 막이 형성되어져야 할 경우, 히터 유니트(4)(서셉터(26)를 포함)는 웨이퍼가 막 형성 유니트(6)으로부터 배출되는 막 형성 가스에 노출되어지는 위치로 이동된다. 그리고, 서셉터(26)와 보호 플레이트(25)가 세정되어져야 할 경우, 히터 유니트(4)(서셉터(26)를 포함)는 히터 유니트(4)(서셉터(26)를 포함)가 세정 유니트(14)로부터 배출되는 세정 가스에 노출되는 위치로 이동된다. 이에 따르면, 서셉터(26)와 보호 플레이트(25)가 세정되어져야 할 경우, 서셉터(26)와 보호 플레이트(25)를 히터 유니트(4)로부터 제거할 필요가 없어진다. 그래서, 시스템에 대한 보수 작업 시간이 종래 기술보다 감소될 수 있다.
비록 본 실시예가 위에서 상세히 설명되었지만, 본 발명은 본 실시예에 국한되는 것이 아니다. 예를 들어, 비록 대상물(서셉터(26)와 보호 플레이트(25))에 부착된 SiO2막이 위에서는 대기압 CVD법에 의해 형성된다 하더라도, 플라즈마 CVD법, 저압 CVD법 등에 의해 형성된 SiO2막도 또한 위와 유사한 방법에 의해 제거될 수 있다. 또한, 실리콘 산화물 막은 SiO2막에 국한되지 않는다. 비록 BPSG 막, PSG 막, FSG 막 등과 같은 실리콘 산화물 막이 대상물에 부착되어 있는 경우라도, 이러한 실리콘 산화물 막은 위와 유사한 방법에 의해 세정될 수 있다. 게다가, 본 발명은 본 발명의 사상에서 벗어남이 없이 변형될 수가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조 시스템과 그 세정 방법에 의하면, 실리콘 산화물이 부착된 대상물을 반도체 제조 시스템으로부터 제거해야 할 필요성을 배제하는 것이 가능하고, 종래 기술보다 페기물의 양을 감소할 수 있으며, 소비된 물의 양을 감소시키는 것이 가능하다.

Claims (9)

  1. 대상물의 가열과 더불어 HF 가스와 수증기를 포함하는 세정 가스에 실리콘 산화물을 노출시켜 대상물에 부착된 실리콘 산화물을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 제조 시스템의 세정 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 수증기는 물을 버블링하여 생성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템의 세정 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 실리콘 산화물은 SiO2, BPSG, PSG 및 FSG 중 어느 하나 임을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템의 세정 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 대상물은 반도체 제조 시스템을 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템의 세정 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 대상물은 웨이퍼를 지지하는 서셉터임을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템의 세정 방법.
  6. 막 형성 가스 배출 수단;
    세정 가스 배출 수단; 및
    막 형성 가스 배출 수단과 세정 가스 배출 수단 사이를 이동하는 웨이퍼 지지 수단을 포함하며,
    웨이퍼 상에 막을 형성할 때, 상기 웨이퍼 지지 수단은 웨이퍼가 막 형성 가스 배출수단으로부터 배출되는 막 형성 가스에 노출되는 위치로 이동하고,
    웨이퍼 지지 수단을 세정할 때, 상기 웨이퍼 지지 수단은 웨이퍼를 지지하지 않은 상태에서 세정 가스 배출 수단으로부터 배출되는 세정 가스에 노출되는 위치로 이동되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템.
  7. 제 6항에 있어서,
    세정 가스 배출 수단에 수증기를 공급하기 위한 수증기 공급 수단; 및
    세정 가스 배출 수단에 HF 가스를 공급하기 위한 HF 가스 공급 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템.
  8. 제 7항에 있어서,
    웨이퍼 지지 수단을 가열하기 위한 가열 수단을 더 포함하는 것을 특징으로하는 반도체 제조 시스템.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 수증기 공급 수단은 물을 버블링하여 수증기를 발생시키는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템.
KR1020010073724A 2000-11-27 2001-11-26 반도체 제조 시스템과 그 세정방법 KR20020041299A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2000-00359045 2000-11-27
JP2000359045A JP2002164335A (ja) 2000-11-27 2000-11-27 半導体製造装置の洗浄方法及び半導体製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020041299A true KR20020041299A (ko) 2002-06-01

Family

ID=18830872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010073724A KR20020041299A (ko) 2000-11-27 2001-11-26 반도체 제조 시스템과 그 세정방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20020062845A1 (ko)
EP (1) EP1209249A3 (ko)
JP (1) JP2002164335A (ko)
KR (1) KR20020041299A (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3527735B1 (ja) * 2002-11-20 2004-05-17 東洋炭素株式会社 フッ素ガス発生装置
JP4195819B2 (ja) * 2003-01-17 2008-12-17 忠弘 大見 弗化水素ガスの流量制御方法及びこれに用いる弗化水素ガス用流量制御装置
KR20040110391A (ko) * 2003-06-19 2004-12-31 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
JP4272486B2 (ja) 2003-08-29 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置及び薄膜形成装置の洗浄方法
JP4753644B2 (ja) * 2005-07-05 2011-08-24 積水化学工業株式会社 常圧ｃｖｄ方法及び装置
JP2008028307A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板の製造方法及び熱処理装置
JP4939864B2 (ja) * 2006-07-25 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP4540731B2 (ja) * 2008-09-29 2010-09-08 積水化学工業株式会社 表面処理用ノズル装置
JP5331224B2 (ja) * 2012-05-22 2013-10-30 株式会社日立国際電気 基板の製造方法、半導体装置の製造方法、基板処理方法、クリーニング方法及び処理装置
JP5465802B2 (ja) * 2013-04-12 2014-04-09 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0258325A (ja) * 1988-08-24 1990-02-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜気相成長装置
JP2845773B2 (ja) * 1995-04-27 1999-01-13 山形日本電気株式会社 常圧ｃｖｄ装置
JP3507614B2 (ja) * 1996-04-04 2004-03-15 株式会社ルネサステクノロジ 薄膜成膜装置
JP3604528B2 (ja) * 1997-02-17 2004-12-22 株式会社アルバック Ｃｖｄ装置クリーニング方法、選択ｃｖｄ方法、及びｃｖｄ装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1209249A2 (en) 2002-05-29
JP2002164335A (ja) 2002-06-07
EP1209249A3 (en) 2003-06-04
US20020062845A1 (en) 2002-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100713264B1 (ko) 기판상에 에피택셜 실리콘 층을 실링하기 위한 방법 및시스템
KR102245729B1 (ko) 에피택셜 성장 이전에 기판 표면을 사전 세정하기 위한 방법 및 장치
JP3511514B2 (ja) 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
KR100251873B1 (ko) 종형 열처리 장치
KR100307997B1 (ko) 처리 장치
US10748795B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR100839190B1 (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법
KR20000035733A (ko) 열처리장치 및 그 세정방법
JP2008539564A (ja) 異なる環境での処理を可能とする基板処理プラットフォーム
KR20100102616A (ko) 기판의 오염물을 제어하기 위한 방법 및 장치
KR20020041299A (ko) 반도체 제조 시스템과 그 세정방법
KR20100062392A (ko) 반도체 제조설비 및 그의 제조방법
KR20080096115A (ko) 기판 리프팅 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
US11714356B2 (en) Bake unit and apparatus for treating substrate
KR20170007611A (ko) 퍼니스형 반도체 장치, 이의 세정 방법 및 이를 이용한 박막 형성 방법
JP2006261285A (ja) 基板処理装置
KR20030074949A (ko) 이소프로필 알콜 증기 건조 장치 및 건조 방법
KR19990004094A (ko) 반도체장치 제조설비의 배관 퍼지장치와 그 퍼지방법 및 이들 퍼지장치와 퍼지방법을 이용한 제조설비의 클리닝 방법
KR20080062211A (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법
JPS61101032A (ja) 処理装置
KR200458798Y1 (ko) 기판 처리 장치
KR20080062339A (ko) 기판처리장치 및 이를 제조하는 방법
JPS62143428A (ja) 半導体ウエハの処理装置
KR101445224B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100648268B1 (ko) 반도체 소자 제조에 사용되는 배기 시스템 및 이를 이용한기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application