KR20020029632A - 전류구동회로 - Google Patents

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Abstract

전류구동회로는 (a) 전원에 전기접속된 제1단자(1), (b) 접지된 제2단자(2), (c) 신호전류가 흐르는 신호선(3), (d) 제1스위치(8), (e) 신호선(3)에 전기접속되고 제1스위치(8)에 직렬로 전기접속된 제2스위치(9), (f) 제1단자(1)에 전기접속된 제3스위치(10), (g) 신호전류를 전압으로 변환하고 전압을 저장하는 저장스테이지(7), (h) 구동트랜지스터(6), (i) 구동트랜지스터(6)의 소스 및 제2단자(2) 사이에 전기접속된 부하(5), 및 (j) 제1스위치(8), 제2스위치(9) 및 제3스위치(10)에 전기접속된 선택선(4)을 포함한다. 신호선(3)은 제1 및 제2스위치들(8, 9)을 통해 구동트랜지스터(6)의 게이트에 전기접속된다. 저장스테이지(7)는 구동트랜지스터(6)의 게이트 및 제2단자(2) 사이에 전기접속된다. 제1스위치(8)는 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 게이트 사이에 전기접속된다. 구동트랜지스터(6)는 제2스위치(9)를 통해 신호선(3)에 그리고 제3스위치(10)를 통해 제1단자(1)에 전기접속된 드레인을 가진다.

Description

전류구동회로{Current driving circuit}
본 발명은 유기전계발광소자와 같은 부하를 통해 흐르는 전류를 구동하는 전류구동회로에 관한 것이다.
해당 부하를 통해 흐르는 전류를 구동하는데 필요한 부하들 중, 전형적인 것으로는 유기전계발광소자가 있다.
유기전계발광소자는 밝기, 더 긴 수명, 유기전계발광소자 및 다른 부품들을 구비한 모듈의 밀봉구조 등의 향상에 관하여 발전되어야 하지만, 유기전계발광소자는 수많은 이점들, 이를테면, (a) 저전압의 dc전류로 구동될 수 있으며; (b) 고효율로 높은 밝기를 이룰 수 있으며; (c) 액정표시소자보다 더 빠른 응답을 가지며; (d) 저온에서 우수한 온도특성을 가지며; (e) 우수한 가시도(visibility)를 가지며; 그리고 (f) 자체 발광하는 이점들을 가지며, 그래서 액정표시소자와는 달리 백라이트를 가질 필요가 없고, 영상표시장치가 유기전계발광소자를 구비하도록 설계될 때 종래의 것들보다 두께가 얇은 영상표시장치를 제조할 수 있다. 전술한 이점들 때문에, 의욕적으로 유기전계발광소자의 대량생산을 달성할 수 있게 할 필요가 있다.
영상표시장치에 적용된 유기전계발광소자를 구동하기 위한 회로인 능동매트릭스형 구동회로는 높은 발광효율과 고화질을 제공할 수 있기 때문에, 오랫동안 연구되어 왔다. 능동매트릭스형 구동회로는 비정질 또는 다결정 박막트랜지스터(이후, 간단히 "TFT"라 함)를 능동소자로서 구비한다.
이를테면, 일본공개특허공보 평11-282419호는, 유기전계발광소자를 구동하기 위한 TFT를 구비한 능동매트릭스형 전류구동회로를 제안하고 있다.
도 1은 제안된 능동매트릭스형 전류구동회로의 회로도를 보여준다.
이 능동매트릭스형 전류구동회로는 전원에 전기적으로 접속된 제1단자(1), 접지된 제2단자(2), 신호전류가 통과하는 신호선(3), 선택선(4), 구동에 필요한 전류가 흐르는 부하로서의 유기전계발광소자(31), 구동트랜지스터(32), 트랜지스터(33), 저장커패시터(34), 제1스위치(35) 및 제2스위치(36)를 구비한다.
유기전계발광소자(31)는 그 일 단이 제1단자(1)에 그리고 그 타 단은 구동트랜지스터(32)를 통해 제2단자(2)에 전기적으로 접속된다.
구동트랜지스터(32)는 그것의 게이트전극에 인가된 전압에 따라 구동전류를 제어하고, 그렇게 제어된 구동전류를 유기전계발광소자(31)에 공급한다.
일정전류를 유지하기 위한 저장커패시터(34)는 구동트랜지스터(32)의 게이트 및 제2단자(2) 사이에 전기적으로 접속된다.
제2스위치(36)는 단자들 중의 하나가 저장커패시터(34) 및 구동트랜지스터(32)에 그리고 다른 단자가 전류를 전압으로 변환하는 트랜지스터(33)에 전기적으로 접속된다.
트랜지스터(33)는 구동트랜지스터(32)의 극성과 동일한 극성을 가지도록 설계된다. 트랜지스터(33)는 서로 전기적으로 접속된 드레인 및 게이트를 가지고, 그래서 다이오드구조를 가진다.
게다가, 트랜지스터(33) 및 구동트랜지스터(32)는 서로 연동하여 제2스위치(36)를 통해 전류거울(current mirror)회로를 규정한다.
트랜지스터(33)는 제1스위치(35)를 통해 신호선(3)에 전기적으로 접속된다.
제1 및 제2스위치들(35 및 36)의 각각은 선택선(4)에 전기접속된 제어단자를 가진다.
제어신호가 선택선(4)에 입력되어 제1 및 제2스위치들(35 및 36) 둘 다를 턴 온시키는 경우, 신호선(3)을 통해 흐르는 신호전류는 제1스위치(35)를 통해 트랜지스터(33)에 입력되고, 트랜지스터(33)에서 전압으로 변환된다. 그 신호전류는 또 제2스위치(36)를 통해 저장커패시터(34)를 충전시킨다. 따라서, 신호전류에 관련된 전압은 저장커패시터(34)에 저장된다.
트랜지스터(33) 및 구동트랜지스터(32)가 제2스위치(36)를 통해 전류거울회로를 규정하므로, 신호선(3)을 통해 흐르는 신호전류는 전류거울회로를 통해 유기전계발광소자(31)에 공급된다.
제어신호가 선택선(4)에 입력되는 것이 중단되고 따라서 제1 및 제2스위치들(35 및 36)이 턴 오프되는 경우에도, 신호선(3)을 통해 흐르는 신호전류에 관련된 전압은 저장커패시터(34)에 저장되어 있다. 따라서 저장커패시터(34)에 저장된 전압은 구동트랜지스터(32)의 게이트에 계속 인가된다. 이것은 신호선(3)을 통해 흐르는 신호전류와 동일한 전류가 유기전계발광소자(31)에 계속 공급되는 것을 보증한다.
도 1에 도시된 종래의 전류구동회로는 다음의 문제들을 수반한다.
첫 번째 문제는 흐르는 신호전류가 신호선(3)에서부터 유기전계발광소자(31)로 낮은 정확도로 공급된다는 것이다.
그 이유는 다음과 같다. 비정질 또는 다결정실리콘으로 이루어진 박막트랜지스터는, 단결정으로 된 반도체장치와는 달리, 결정입계(grain boundary)가 존재하기 때문에, 때때로 문턱전압에 대하여 수백밀리볼트 정도의 편차(variance)를 가진다. 그 결과, 모두 TFT로 구성된 트랜지스터(33) 및 구동트랜지스터(32)를 구비한 도 1에 도시된 전류구동회로에서는, 트랜지스터들(33 및 32)이 서로 인접하게 배치된 경우에서조차, 트랜지스터들(33 및 32)의 문턱전압들에서의 전술한 편차를 제거하는 것과 트랜지스터들(33 및 32)을 서로 정합(match)되게 하는 것이 매우 어렵거나 거의 불가능할 것이다.
그 결과, 도 1에 도시된 종래의 전류구동회로가 TFT로 구성되었다면, 결과적인 회로는 낮은 제조수율로만 그리고 현저히 높은 제조비용으로 제조될 수 있었다.
TFT의 문턱전압에서의 전술한 편차를 제거하기 위하여, 아날로그형태가 아니라 디지털형태로 신호를 처리하는 방법이, 이를테면, 『유기EL패널의 고정세화를 위한 회로의 기본특허를 취득(a patent has been issued to a circuit for enhancing accuracy in an organic electroluminescence panel), 니케이 일렉트로닉스, 2000년 4월 24일호, No.768』에 제안되어 있다.
그러나, 제안된 회로는 불가피하게 구조가 복잡하고 크기가 커서, 제조비용을 증가시킨다.
두 번째 문제는 도 1에 도시된 종래의 전류구동회로는 많은 전력을 소비한다는 것이다.
그 이유는, 신호선(3)을 통해 흐르는 신호전류가 구동트랜지스터(32)와 함께 전류거울회로를 규정하는 트랜지스터(33)에 공급되지만, 트랜지스터(33)를 통해 흐르는 전류는 유기전계발광소자(31)를 직접 통과하여 흐르지 않기 때문이다.
종래의 전류구동회로들의 전술한 문제들을 고려한 본 발명의 목적은, 낮은 비용으로 제조될 수 있고 종래의 것들에 비해 전력을 덜 소비하는 전류구동회로를 제공함에 있다.
도 1은 종래의 전류구동회로의 회로도,
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 전류구동회로의 회로도,
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 전류구동회로의 회로도,
도 4는 본 발명의 제4실시예에 따른 전류구동회로의 회로도,
도 5는 본 발명의 제4실시예에 따른 전류구동회로의 회로도,
도 6은 본 발명의 제5실시예에 따른 전류구동회로의 회로도,
도 7은 본 발명의 제6실시예에 따른 전류구동회로의 회로도,
도 8은 본 발명의 제7실시예에 따른 전류구동회로의 회로도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 제1단자2 : 제2단자
3 : 신호선4 : 선택선
5 : 부하6 : 구동트랜지스터
7 : 저장스테이지8, 9, 10 : 스위치
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 제공되는 전류구동회로는, (a) 전원에 전기접속된 제1단자, (b) 접지된 제2단자, (c) 신호전류가 흐르는 신호선, (d) 제1스위치, (e) 신호선에 전기접속되고 제1스위치에 직렬로 전기접속된 제2스위치, (f) 제1단자에 전기접속된 제3스위치, (g) 신호전류를 전압으로 변환하고 그 전압을 저장하는 저장스테이지, (h) 구동트랜지스터, (i) 구동트랜지스터의 소스 및 제2단자 사이에 전기접속된 부하, 및 (j) 제1스위치, 제2스위치 및 제3스위치에 전기접속된 선택선을 포함하며, 신호선은 제1 및 제2스위치들을 통해 구동트랜지스터의 게이트에 전기접속되며, 저장스테이지는 구동트랜지스터의 게이트 및 제2단자 사이에 전기접속되며, 제1스위치는 구동트랜지스터의 드레인 및 게이트 사이에 전기접속되고, 구동트랜지스터는 제2스위치를 통해 신호선에 그리고 제3스위치를 통해 제1단자에 전기접속된 드레인을 가진다.
[제1실시예]
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 전류구동회로의 회로도이다.
이 전류구동회로는 전원에 전기적으로 접속된 제1단자(1)와 접지된제2단자(2)로서 한 쌍의 전원전극들을 구성하는 제1 및 제2단자들(1 및 2), 신호전류가 통과하여 흐르는 신호선(3), 제1스위치(8), 제1스위치(8)에 직렬로 전기접속된 제2스위치(9), 제1단자(1)에 전기접속된 제3스위치(10), 신호전류를 전압으로 변환하고 그 전압을 저장하는 저장스테이지(7), 구동트랜지스터(6), 구동트랜지스터(6)의 소스 및 제2단자(2) 사이에 전기접속된 부하(5), 및 제1 내지 제3스위치들(8, 9 및 10)에 전기접속된 선택선(4)을 구비한다.
신호선(3)은 서로 직렬로 전기접속된 제1 및 제2스위치들(8 및 9)을 통해 구동트랜지스터(6)의 게이트에 전기접속된다.
구동트랜지스터(6)의 소스 및 제2단자(2) 사이에 전기접속된 부하(5)는 신호선(3)으로부터의 신호전류를 구동트랜지스터(6)를 통해 받는다. 부하(5)는 자신을 통해 흐르는 전류로 구동되는 것이 필요하며, 이를테면, 유기전계발광소자로 구성된다.
저장스테이지(7)는 신호선(3)으로부터 공급된 신호전류를 신호전압으로 변환하고 그 신호전압을 내부에 저장한다. 저장스테이지(7)는 구동트랜지스터(6)의 게이트 및 제2단자(2) 사이에 전기접속된다.
제1스위치(8)는 구동트랜지스터(6)의 게이트 및 드레인에 전기접속된다.
구동트랜지스터(6)는 제2스위치(9)를 통해 신호선(3)에 전기접속되고 또 제3스위치(10)를 통해 제1단자(1)에 전기접속된 드레인을 가진다.
제1 내지 제3스위치들(8 내지 10)은 선택선(4)에 전기접속된 제어단자를 가진다.
제1스위치(8)가 온일 때, 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 게이트는 서로 단락된다.
제3스위치(10)는 제1 및 제2스위치들(8 및 9)의 극성에 정반대인 극성을 가지도록 설계된다. 구체적으로는, 선택선(4)이 하이레벨에 있을 때, 제1 및 제2스위치들(8 및 9)은 턴 온되고, 제3스위치(10)는 턴 오프된다. 반면, 선택선(4)이 로우레벨에 있을 때, 제1 및 제2스위치들(8 및 9)은 턴 오프되고, 제3스위치(10)는 턴 온된다.
이하 이 전류구동회로의 동작을 설명한다.
도 2에 도시된 제1실시예에 따른 전류구동회로에서, 신호전류는 신호선(3)을 통해 흐른다. 선택선(4)이 하이레벨에 있을 때, 제1 및 제2스위치들(8 및 9)은 둘 다 턴 온되고, 결과적으로 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 게이트는 서로 단락되고, 그래서 구동트랜지스터(6)는 다이오드로서 기능을 한다. 제3스위치(10)는 턴 오프된다.
따라서, 신호선(3)을 통해 흐르는 신호전류는 제1 및 제2스위치들(8 및 9)을 통해 저장스테이지(7)에 저장될 뿐 아니라 구동트랜지스터(6)를 통해 부하(5)에 공급된다. 즉, 선택선(4)이 하이레벨에 있을 때, 신호전류는 신호선(3)으로부터 부하(5)로 공급되기도 한다.
한편, 선택선(4)이 로우레벨에 있을 때, 제1 및 제2스위치들(8 및 9)은 둘 다 턴 오프되고, 제3스위치(10)는 턴 온된다.
이로써, 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 게이트는 서로 단락되지 않아, 신호전류는 신호선(3)으로부터 부하(5)로 공급되지 않는다. 그러나, 제3스위치(10)가 온이므로, 구동트랜지스터(6)의 드레인은 제3스위치(10)를 통해 제1단자(1)에 전기접속되고, 신호선(3)으로부터 공급된 신호전류를 변환한 결과의 전압으로서 선택선(4)이 하이레벨에 있었을 때에 저장스테이지(7)에 저장된 신호전압은 구동트랜지스터(6)의 게이트에 인가된다.
따라서, 선택선(4)이 로우레벨에 있고 그래서 신호전류는 부하(5)에 인가되지 않는 경우에서조차, 저장스테이지(7)에 저장되어 있던 신호전압은 구동트랜지스터(6)의 게이트에 인가되고, 구동트랜지스터(6)는 신호전압에 대응하는 전류를 제1단자(1) 및 제3스위치(10)를 통해 부하(5)에 공급한다. 따라서, 선택선(4)이 로우레벨에 있을 때에도, 구동트랜지스터(6)는 전류를 제1단자(1)로부터 부하(5)로 공급할 수 있다.
구동트랜지스터(6)는, 신호전류가 신호선(3)으로부터 공급되지 않는 경우에도, 저장스테이지(7)에 저장된 전압 덕분에 전류를 부하(5)에 공급하는 것을 계속한다.
선택선(4)이 하이레벨에 있을 때, 제1스위치(8)는 계속 온이므로, 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 게이트는 서로 단락된다. 즉, 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 소스 사이의 전압은 구동트랜지스터(6)의 게이트 및 소스 사이의 전압과 동일하다.
한편, 선택선(4)이 로우레벨에 있을 때, 구동트랜지스터(6)의 드레인은 제3스위치(10)를 통해 제1단자(1)에 전기접속되므로, 구동트랜지스터(6)의 드레인 및소스 사이의 전압은 제1단자(1)의 전압에 의존하고, 그래서 선택선(4)은 항상 하이레벨에 있지는 않는다. 이 현상은 얼리효과(Early effect)라 부른다. 이것은 때때로, 선택선(4)이 하이레벨에 있을 때에 구동트랜지스터(6)로부터 부하로 공급된 구동전류가 선택선(4)이 로우레벨에 있을 때의 구동전류와는 달라지게 한다.
그러나, 저장스테이지(7)가 구동트랜지스터(6)의 게이트 및 제2단자(2) 사이에 전기접속되므로, 전술한 얼리효과 또는 얼리전압에 의해 야기된 구동전류의 증가는 구동트랜지스터(6)의 소스 및 제2단자(2) 사이에 전기접속된 부하(5)의 피드백기능 때문에 억제된다.
제1실시예에 따른 전류구동회로는 TFT를 구비한 능동매트릭스형 유기전계발광소자에 영상들을 표시하기 위한 구동회로로서 사용될 수 있다.
제1실시예에 따른 전류구동회로는 다음의 이점들을 선사한다.
첫 번째 이점은 전류구동회로를 구성하는 TFT들의 서로 정합시키는 것과 문턱전압을 정확히 조절하는 것 둘 다를 더 이상 수행할 필요가 없다는 것이다. 그 결과, 제조수율을 현저히 향상시키는 것과 꽤 낮은 제조비용의 영상표시장치를 제공하는 것이 가능하다.
두 번째 이점은 회로전류 모두가 제1실시에에 따른 전류구동회로의 부하(5) 쪽으로 흐르므로 회로전류 및 전력소비 둘 다를 감소시키는 것이 가능하다는 것이다. 따라서, 제1실시예에 따른 전류구동회로는 휴대형 기기에 적절히 적용될 수 있다.
그 이유는 다음과 같다.
종래의 전류구동회로는 전류거울회로를 구비하고 있었다. 전류거울회로는 일반적으로 신호전류를 전압으로 변환하기 위한 다이오드구조로 된 트랜지스터를 구비하는 것이 필요하다. 그 트랜지스터를 통해 흐르는 전류가 부하에 직접 공급되지 않으므로, 전력소비는 불가피하게 증가된다.
반면, 제1실시예에 따른 전류구동회로는 전류거울회로를 구비하지 않으므로, 전류구동회로가, 신호전류를 전압으로 변환하기 위한 다이오드구조로 된 트랜지스터를 구비하는 것은 더 이상 필요치 않다. 게다가, 회로전류 모두 제1실시예에 따른 전류구동회로의 부하(5) 쪽으로 흐르므로, 종래의 전류구동회로에 비하여 전력소비를 현저히 줄이는 것이 가능하다.
[제2실시예]
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 전류구동회로의 회로도이다.
이 전류구동회로는 전원에 전기적으로 접속된 제1단자(1)와 접지된 제2단자(2)로서 한 쌍의 전원전극들을 구성하는 제1 및 제2단자들(1 및 2), 신호전류가 통과하는 신호선(3), 제1스위치트랜지스터(13), 제2스위치트랜지스터(14), 제1단자(1)에 전기접속된 제3스위치트랜지스터(15), 신호전류를 전압으로 변환하고 그 전압을 저장하는 저장커패시터(12), 구동트랜지스터(6), 구동트랜지스터(6)에 대한 부하로서 기능하는 유기전계발광소자(11), 및 제1 내지 제3스위치트랜지스터들(13, 14 및 15)의 게이트들에 전기접속된 선택선(4)을 구비한다.
구동트랜지스터(6)에 대한 부하로서 기능하는 유기전계발광소자(11)는 구동트랜지스터(6)의 소스 및 제2단자(2) 사이에 전기접속된다.
저장커패시터(12)는 구동트랜지스터(6)의 게이트 및 제2단자(2) 사이에 전기접속된다.
제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)은 신호선(3) 및 구동트랜지스터(6)의 게이트 사이에 서로 직렬로 전기접속된다. 즉, 제1스위치트랜지스터(13)는 구동트랜지스터(6)의 게이트에 전기접속된 소스와, 제2스위치트랜지스터(14)의 소스에 전기접속된 드레인을 가지며, 제2스위치트랜지스터(14)는 신호선(3)에 전기접속된 드레인을 가진다.
제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)은 구동트랜지스터(6)의 극성과는 동일하나 제3스위치트랜지스터(15)의 극성과는 반대인 극성을 갖도록 설계된다.
제1스위치트랜지스터(13)의 드레인이 제2스위치트랜지스터(14)의 소스에 전기접속되게 하는 접속점은, 구동트랜지스터(6)의 드레인이 제3스위치트랜지스터(15)의 드레인에 전기접속되게 하는 접속점에 전기적으로 접속된다.
구동트랜지스터(6)는 제3스위치트랜지스터(15)를 통해 제1단자(1)에 전기접속된 드레인을 가진다.
제1 내지 제3스위치트랜지스터들(13 내지 15)은 선택선(4)에 전기접속된 게이트를 가진다.
이하 이 전류구동회로의 동작을 설명한다.
신호전류가 신호선(3)에 인가되고 그래서 선택선(4)이 하이레벨로 전환될 때, 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)은 둘 다 턴 온되며, 결과적으로 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 게이트는 제1스위치트랜지스터(13)를 통해 서로 단락되고, 그래서 구동트랜지스터(6)는 다이오드로서 기능을 한다. 제3스위치트랜지스터(15)는 턴 오프된다.
따라서, 신호선(3)을 통해 흐르는 신호전류는 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)을 통해 저장커패시터(12)에 저장된다. 그러면, 신호전류는 저장커패시터(12) 내에서 신호전압으로 변환될 뿐 아니라 구동트랜지스터(6)로부터 유기전계발광소자(11)로 공급되기도 한다.
한편, 선택선(4)이 로우레벨에 있을 때, 제1 및 제2스위치트랜지스터들(8 및 9)은 둘 다 턴 오프되고, 제3스위치트랜지스터(10)는 턴 온된다.
이로써, 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 게이트는 서로 단락되지 않고, 또, 구동트랜지스터(6)의 드레인은 제3스위치트랜지스터(15)를 통해 제1단자(1)에 전기접속된다.
게다가, 신호전류를 변환하여 얻어지고 선택선(4)이 하이레벨에 있을 때에 저장커패시터(12)에 저장된 신호전압은, 구동트랜지스터(6)의 게이트에 계속 인가된다. 따라서, 선택선(4)은 로우레벨에 있고 그래서 신호전류가 저장커패시터(12)에 인가되지 않더라도, 저장커패시터(12)에 저장되어 있던 신호전압이 구동트랜지스터(6)의 게이트에 인가되므로, 구동트랜지스터(6)는 저장커패시터(12)에 저장된 신호전압에 대응하는 전류를 제1단자(1)를 통해 유기전계발광소자(11)에 공급한다.
위에서 이루어진 설명을 감안하여 이 기술분야의 숙련자들에게는 명백한 것처럼, 제2실시예에 따른 전류구동회로는 제1실시예에 의해 얻어진 것들과 동일한이점들을 제공할 수 있다.
[제3실시예]
도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 전류구동회로의 회로도이다.
이 전류구동회로는 전원에 전기적으로 접속된 제1단자(1)와 접지된 제2단자(2)로서 한 쌍의 전원전극들을 구성하는 제1 및 제2단자들(1 및 2), 신호전류가 통과하는 신호선(3), 제1스위치트랜지스터(13), 제2스위치트랜지스터(14), 제1단자(1)에 전기접속된 제3스위치트랜지스터(15), 신호전류를 전압으로 변환하고 그 전압을 저장하는 저장스테이지로서의 저장커패시터(12), 구동트랜지스터(6), 구동트랜지스터(6)에 대한 부하로서 기능하는 유기전계발광소자(11), 및 제1 내지 제3스위치트랜지스터들(13, 14 및 15)의 게이트들에 전기접속된 선택선(4)을 구비한다.
제3실시예에 따른 전류구동회로는, 제2스위치트랜지스터(14)의 배치에 관해서는, 도 3에 도시된 제2실시예에 따른 전류구동회로와 구조적으로 다르다. 구체적으로는, 제3실시예에 따른 전류구동회로는, 제2스위치트랜지스터(14)가 선택선(4)에 전기접속된 게이트를 가진다는 점에선 제2실시예와는 구조적으로 동일하나, 제2스위치트랜지스터(14)가, 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 제3스위치트랜지스터(15)의 드레인이 서로 전기접속되게 하는 접속점에 전기접속된 소스와, 제1스위치트랜지스터(13)의 드레인 및 신호선(3)이 서로 전기접속되게 하는 접속점에 전기접속된 드레인을 가진다는 점에선, 제2실시예와는 구조적으로 다르다.
제3실시예에 따른 전류구동회로는 제2스위치트랜지스터(14)의 전술한 배치를제외하고는 제2실시예에 따른 전류구동회로의 구조와 동일한 구조를 가진다.
제3실시예에 따른 전류구동회로는 아래와 같이 동작한다.
선택선(4)이 하이레벨에 있을 때, 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)은 둘 다 턴 온되고 제3스위치트랜지스터(15)는 턴 오프된다.
따라서, 신호선(3)을 통해 흐르는 신호전류는 제1스위치트랜지스터(13)를 통해 저장커패시터(12)에 공급되고, 저장커패시터(12)에 신호전압으로서 저장된다. 게다가, 이 신호전류는 제2스위치트랜지스터(14)를 통해 구동트랜지스터(6)에 공급된 다음, 추가로 유기전계발광소자(11)에 공급된다.
한편, 선택선(4)이 로우레벨에 있을 때, 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)은 둘 다 턴 오프되고 제3스위치트랜지스터(15)는 턴 온된다.
이로써, 신호전류가 신호선(3)으로부터 공급되는 것이 중단되어도, 구동트랜지스터(6)는 턴 온되어 있는 제3스위치트랜지스터(15)를 통해 제1단자(1)에 전기접속된다. 따라서, 선택선(4)이 로우레벨에 있고 그래서 신호전류가 저장커패시터(12)에 인가되지 않을 때에도, 저장커패시터(12)에 저장되어 있던 신호전압은 구동트랜지스터(6)의 게이트에 인가된다. 그래서, 저장커패시터(12)에 저장된 신호전압에 대응하는 전류가 제1단자(1)로부터 구동트랜지스터(6)로 공급된다. 그러면 그 전류는 구동트랜지스터(6)를 통해 유기전계발광소자(11)에 공급된다.
위에서 이루어진 설명을 감안하여 이 기술분야의 숙련자들에게는 명백한 것처럼, 제3실시예에 따른 전류구동회로는 제1실시예에 의해 얻어진 것들과 동일한이점들을 제공할 수 있다.
[제4실시예]
도 5는 본 발명의 제4실시예에 따른 전류구동회로의 회로도이다.
이 전류구동회로는 전원에 전기적으로 접속된 제1단자(1)와 접지된 제2단자(2)로서 한 쌍의 전원전극들을 구성하는 제1 및 제2단자들(1 및 2), 신호전류가 통과하는 신호선(3), 제1스위치트랜지스터(13), 제2스위치트랜지스터(14), 제1단자(1)에 전기접속된 제3스위치트랜지스터(15), 레벨시프트트랜지스터(16), 신호전류를 전압으로 변환하고 그 전압을 저장하는 저장스테이지로서의 저장커패시터(12), 구동트랜지스터(6), 구동트랜지스터(6)에 대한 부하로서 기능하는 유기전계발광소자(11), 및 제1 내지 제3스위치트랜지스터들(13, 14 및 15)의 게이트들에 전기접속된 선택선(4)을 구비한다.
제4실시예에 따른 전류구동회로는, 레벨시프트트랜지스터(16)를 더 구비한다는 점에서 도 4에 도시된 제3실시예에 따른 전류구동회로와는 구조적으로 다르다.
레벨시프트트랜지스터(16)는 제1스위치트랜지스터(13)의 드레인 및 제2스위치트랜지스터(14)의 드레인 사이에 전기접속된다. 레벨시프트트랜지스터(16)는 제2스위치트랜지스터(14)의 드레인 및 신호선(3)이 서로 전기접속되게 하는 접속점에 둘 다 전기접속된 드레인 및 게이트와, 제1스위치트랜지스터(13)의 드레인에 전기접속된 소스를 가진다.
레벨시프트트랜지스터(16)는 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)의 극성과 동일한 극성을 가진다.
제4실시예에 따른 전류구동회로는 아래와 같이 동작한다.
선택선(4)이 하이레벨에 있을 때, 도 4에 도시된 제3실시예의 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)은 포화영역에서 동작한다. 반면, 제4실시예의 제1스위치트랜지스터(13)는 레벨시프트트랜지스터(16)로 인해 비포화영역에서 동작한다.
제4실시예에 따른 전류구동회로는, 제1스위치트랜지스터(13)의 전술한 동작을 제외하고는, 도 4에 도시된 제3실시예에 따른 전류구동회로와 동일한 방식으로 동작한다.
위에서 이루어진 설명을 감안하여 이 기술분야의 숙련자들에게는 명백한 것처럼, 제4실시예에 따른 전류구동회로는 제1실시예에 의해 얻어진 것들과 동일한 이점들을 제공할 수 있다.
[제5실시예]
도 6은 본 발명의 제5실시예에 따른 전류구동회로의 회로도이다.
이 전류구동회로는 전원에 전기적으로 접속된 제1단자(1)와 접지된 제2단자(2)로서 한 쌍의 전원전극들을 구성하는 제1 및 제2단자들(1 및 2), 신호전류가 통과하는 신호선(3), 제1스위치트랜지스터(13), 제2스위치트랜지스터(14), 제1단자(1)에 전기접속된 제3스위치트랜지스터(15), 레벨시프트트랜지스터(16), 신호전류를 전압으로 변환하고 그 전압을 저장하는 저장스테이지로서의 저장커패시터(12), 구동트랜지스터(6), 구동트랜지스터(6)에 대한 부하로서 기능하는 유기전계발광소자(11), 및 제1 내지 제3스위치트랜지스터들(13, 14 및 15)의 게이트들에 전기접속된 선택선(4)을 구비한다.
제5실시예에 따른 전류구동회로는, 제1스위치트랜지스터(13) 및 레벨시프트트랜지스터(16)의 배치가, 도 5에 도시된 제4실시예에 따른 전류구동회로와는 구조적으로 다르다.
제1스위치트랜지스터(13)는 선택선(4)에 전기접속된 게이트, 레벨시프트트랜지스터(16)의 게이트에 전기접속된 소스, 및 제2스위치트랜지스터(14)의 드레인 및 레벨시프트트랜지스터(16)의 드레인이 서로 전기접속되게 하는 접속점에 전기접속된 드레인을 가진다.
레벨시프트트랜지스터(16)는 저장커패시터(12) 및 구동트랜지스터(6)의 게이트가 서로 전기접속되게 하는 접속점에 전기접속된 소스, 신호선(3)에 전기접속된 드레인, 및 제1스위치트랜지스터(13)의 소스에 전기접속된 게이트를 가진다.
제5실시예에 따른 전류구동회로는, 제1스위치트랜지스터(13) 및 레벨시프트트랜지스터(16)의 배치를 제외하고는, 도 5에 도시된 제4실시예에 따른 전류구동회로의 구조와 동일한 구조를 가진다.
제5실시예에 따른 전류구동회로는 아래와 같이 동작한다.
선택선(4)이 하이레벨에 있을 때, 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)은 둘 다 턴 온되고, 결과적으로, 레벨시프트트랜지스터(16)의 드레인 및 게이트는 제1스위치트랜지스터(13)를 통해 서로 전기접속된다. 그 결과, 레벨시프트트랜지스터(16)는 다이오드로서 기능을 한다.
제5실시예에 따른 전류구동회로는, 레벨시프트트랜지스터(16)의 전술한 동작을 제외하고는, 도 5에 도시된 제4실시예에 따른 전류구동회로와 동일한 방식으로동작한다.
위에서 이루어진 설명을 감안하여 이 기술분야의 숙련자들에게는 명백한 것처럼, 제5실시예에 따른 전류구동회로는 제1실시예에 의해 얻어진 것들과 동일한 이점들을 제공할 수 있다.
[제6실시예]
도 7은 본 발명의 제6실시예에 따른 전류구동회로의 회로도이다.
이 전류구동회로는 전원에 전기적으로 접속된 제1단자(1)와 접지된 제2단자(2)로서 한 쌍의 전원전극들을 구성하는 제1 및 제2단자들(1 및 2), 신호전류가 통과하는 신호선(3), 제1스위치트랜지스터(13), 제2스위치트랜지스터(14), 제1단자(1)에 전기접속된 제3스위치트랜지스터(15), 신호전류를 전압으로 변환하고 그 전압을 저장하는 저장스테이지로서의 저장커패시터(12), 구동트랜지스터(6), 구동트랜지스터(6)에 대한 부하로서 기능하는 유기전계발광소자(11), 및 제1 내지 제3스위치트랜지스터들(13, 14 및 15)의 게이트들에 전기접속된 선택선(4)을 구비한다.
간단히 말해, 제6실시예에 따른 전류구동회로는, 제1 내지 제3스위치트랜지스터들(13 내지 15) 및 구동트랜지스터(6)간의 극성을 제외하고는, 제2실시예에 따른 전류구동회로의 구조와 동일한 구조를 가진다.
구체적으로는, 도 3에 도시된 제2실시예에 따른 전류구동회로에서 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)이 구동트랜지스터(6)의 극성과 동일한 극성을 가지고 제3스위치트랜지스터(15)는 그 구동트랜지스터(6)의 극성과는 정반대의 극성을 가지는 반면, 본 실시예에 따른 전류구동회로에서 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)은 구동트랜지스터(6)의 극성과는 정반대의 극성을 가지고 제3스위치트랜지스터(15)는 구동트랜지스터(6)의 극성과 동일한 극성을 가진다.
도 2 내지 도 6에 도시된 제1 내지 제5실시예들에 따른 전류구동회로들에서, 선택선(4)이 하이레벨에 있을 때, 신호선(3)을 통해 흐르는 신호전류는 구동트랜지스터(6)를 통해 유기전계발광소자(11)에 공급되나, 선택선(4)이 로우레벨에 있을 때에는, 제1단자(1)로부터 제3스위치트랜지스터(15) 및 구동트랜지스터(6)를 통해 유기전계발광소자(11)에 전류가 공급된다.
반면, 도 7에 도시된 제6실시예에 따른 전류구동회로에서는, 다음의 방식으로 유기전계발광소자(11)에 전류가 공급된다.
선택선(4)이 로우레벨에 있을 때, 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)은 둘 다 턴 온되고 제3스위치트랜지스터(15)는 턴 오프된다.
따라서, 신호선(3)을 통해 흐르는 신호전류는 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)을 통해 저장커패시터(12)에 공급된다. 그러면, 그 신호전류는 저장커패시터(12)에서 신호전압으로 변환될 뿐 아니라 구동트랜지스터(6)를 통해 유기전계발광소자(11)에 공급되기도 한다.
한편, 선택선(4)이 하이레벨에 있을 때, 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)은 둘 다 턴 오프되고 제3스위치트랜지스터(15)는 턴 온된다.
이로써, 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 게이트는 서로 개방(open)되고, 또, 제3스위치트랜지스터(15)는 턴 온된다. 그래서, 구동트랜지스터(6)의 드레인은 제3스위치트랜지스터(15)를 통해 제1단자(1)에 전기접속된다.
게다가, 신호전류를 변환하여 얻어지고 저장커패시터(12)에 저장된 신호전압은 구동트랜지스터(6)의 게이트에 계속 인가된다.
따라서, 선택선(4)이 하이레벨에 있고 그래서 신호전류가 저장커패시터(12)에 인가되지 않을 때에도, 저장커패시터(12)에 저장되어 있던 신호전압이 구동트랜지스터(6)의 게이트에 인가되므로, 구동트랜지스터(6)는 저장커패시터(12)에 저장된 신호전압에 대응하는 전류를 제1단자(1)로부터 유기전계발광소자(11)에 공급한다.
전술한 제6실시예에 따르면, 구동트랜지스터(6)가 동작하지 않는 비포화영역에서조차, 선택선(4)의 하이레벨전압을 적절히 선택하고 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 소스를 가로지르는 전압을 적절히 선택함으로써, 얼리전압에 의해 야기된 영향을 제거하는 것이 가능하다.
[제7실시예]
도 8은 본 발명의 제7실시예에 따른 전류구동회로의 회로도이다.
이 전류구동회로는 전원에 전기적으로 접속된 제1단자(1)와 접지된 제2단자(2)로서 한 쌍의 전원전극들을 구성하는 제1 및 제2단자들(1 및 2), 신호전류가 통과하는 신호선(3), 제1스위치트랜지스터(13), 제2스위치트랜지스터(14), 제1단자(1)에 전기접속된 제3스위치트랜지스터(15), 전류바이패스를 만드는 제4트랜지스터(21), 제1저장커패시터(17), 제2저장커패시터(18), 구동트랜지스터(6), 구동트랜지스터(6)에 대한 부하로서 기능하는 유기전계발광소자(11), 및 제1 내지제3스위치트랜지스터들(13, 14 및 15)의 게이트들에 전기접속된 선택선(4)을 구비한다.
제1저장커패시터(17)는 구동트랜지스터(6)의 게이트 및 제2단자(2)에 전기접속된다.
제1스위치트랜지스터(13)는 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 게이트 사이에 전기접속된다. 구체적으로는, 제1스위치트랜지스터(13)는 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 제4트랜지스터(21)의 소스가 서로 전기접속되게 하는 접속점에 전기접속된 드레인, 구동트랜지스터(6)의 게이트에 전기접속된 소스, 및 선택선(4)에 전기접속된 게이트를 가진다.
제2스위치트랜지스터(14)는 제4트랜지스터(21)의 드레인 및 게이트 사이에 전기접속된다. 구체적으로는, 제2스위치트랜지스터(14)는 제4트랜지스터(21)의 드레인 및 제3트랜지스터(15)의 드레인이 서로 전기접속되게 하는 접속점에 전기접속된 드레인, 제4트랜지스터(21)의 게이트 및 제2저장커패시터(18)가 서로 전기접속되게 하는 접속점에 전기접속된 소스, 및 선택선(4)에 전기접속된 게이트를 가진다.
제2저장커패시터(18)는 제4트랜지스터(21)의 게이트 및 구동트랜지스터(6)의 게이트 사이에 전기접속된다.
제3스위치트랜지스터(15)는 제1단자에 전기접속된 소스, 제2트랜지스터(14)의 드레인 및 제4트렌지스터(21)의 드레인이 서로 전기접속되게 하는 접속점에 전기접속된 드레인, 및 선택선(4)에 전기접속된 게이트를 가진다.
이 실시예에 따른 전류구동회로에서, 제1스위치트랜지스터(13), 제2스위치트랜지스터(14) 및 제4트랜지스터(21)는 구동트랜지스터(6)의 극성과 동일한 극성을 가지며, 제3스위치트랜지스터(15)는 구동트랜지스터(6)의 극성과는 반대의 극성을 가진다.
제7실시예에 따른 전류구동회로는 아래와 같이 동작한다.
선택선(4)이 하이레벨에 있을 때, 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)은 둘 다 턴 온되고 제3스위치트랜지스터(15)는 턴 오프된다.
제2스위치트랜지스터(14)가 턴 온되므로, 신호전류는 신호선(3)으로부터 제2스위치트랜지스터(14)를 통해 제1 및 제2저장커패시터들(17 및 18) 둘 다에 공급된다. 제1저장커패시터(17)는 받은 신호전류를 신호전압으로 변환한다.
게다가, 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)이 둘 다 턴 온되므로, 제4트랜지스터(21) 및 구동트랜지스터(6) 둘 다 다이오드로서 기능을 하고, 결과적으로 신호전류는 제4트랜지스터(21) 및 구동트랜지스터(6)를 통해 유기전계발광소자(11)에 공급된다.
게다가, 제1스위치트랜지스터(13)가 턴 온되므로, 구동트랜지스터(6)에서 드레인전압은 게이트전압과 거의 동일하다. 달리 말하면, 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 소스간의 전압차는 구동트랜지스터(6)의 게이트 및 소스간의 전압차와 동일하다.
제4트랜지스터(21)의 게이트 및 소스간의 전압이 제2저장커패시터(18)를 가로질러 인가된다.
선택선(4)이 로우레벨에 있을 때, 제1 및 제2스위치트랜지스터들(13 및 14)은 둘 다 턴 오프되고 제3스위치트랜지스터(15)는 턴 온된다. 그 결과, 구동트랜지스터(6) 및 제4트랜지스터(21)는 그것들의 드레인 및 게이트가 서로 단락되어 다이오드로서 기능을 하는 모드에서, 트랜지스터로서 기능을 하는 모드로 바뀐다.
제1 및 제2저장커패시터들(17 및 18)에 저장된 전기전하들에 의해 정해지는 전압은 제4트랜지스터(21)의 게이트에 인가되고, 신호선(3)으로부터 공급된 신호전류에 의해 정해지는 신호전압은 구동트랜지스터(6)의 게이트에 인가된다. 그래서, 구동트랜지스터(6)는 신호전압과 동일한 전압을 제1단자(1)로부터 제3스위치트랜지스터(15) 및 제4트랜지스터(21)를 통해 유기전계발광소자(11)에 공급한다.
이 단계에서, 제4트랜지스터(21)의 게이트 및 소스간의 전압은 제2저장커패시터(18)를 가로질러 인가되고, 드레인전압은 구동트랜지스터(6)의 게이트전압과 동일하다. 즉, 드레인 및 소스간의 전압차는 구동트랜지스터(6)의 게이트 및 소스간의 전압차와 동일하다.
따라서, 선택선(4)이 하이레벨에 있는지 로우레벨에 있는지에 무관하게, 구동트랜지스터(6)의 드레인 및 게이트간의 전압은 변하지 않고 그대로 있고, 결과적으로 얼리전압에 의해 야기된 영향은 제거될 수 있다.
이것은, 본 실시예에 따른 전류구동회로가 영상표시장치에 사용되는 경우, 유기전계발광소자(11)는 선택선(4)이 하이 또는 로우레벨이 있는 지에 무관하게 변동(fluctuation) 없이 전류를 수신할 수 있어, 계조(gradation)에 불균일이 없는 영상표시장치를 제공할 수 있게 하는 것을 보증한다는 것을 의미한다.
이 이점은 전술한 제1 내지 제6실시예에 따른 전류구동회로를 영상표시장치에 적용하여 얻어질 수도 있다.
전술한 본 발명에 의해 얻어진 이점들을 이하에서 설명한다.
본 발명에 따른 전류구동회로는 구동트랜지스터의 게이트 및 제2단자 사이에 저장커패시터를 구비하도록 설계된다. 이것은 신호선으로부터 공급된 신호전류가 저장커패시터에 저장되고 또 선택선이 하이레벨에 있을 때 저장커패시터 내에서 신호전압으로 변환되는 것을 보증하고, 선택선이 로우레벨로 바뀌고 그래서 신호전류가 저장커패시터에 공급되지 않는 경우에도, 구동트랜지스터는 저장커패시터에 저장된 신호전압에 의해 구동되고 따라서 유기전계발광소자와 같은 부하에 전류가 공급되는 것을 보증한다.
따라서, 본 발명에 따른 전류구동회로는 반도체장치를 제조하는 공정에서 발생될 수 있는 편차에 의한 영향을 거의 받지 않게 되고, 반도체장치를 제조하는 제조수율이 향상될 수 있다.

Claims (18)

  1. (a) 전원에 전기접속된 제1단자;
    (b) 접지된 제2단자;
    (c) 신호전류가 흐르는 신호선;
    (d) 제1스위치;
    (e) 상기 신호선에 전기접속되고 상기 제1스위치에 직렬로 전기접속된 제2스위치;
    (f) 상기 제1단자에 전기접속된 제3스위치;
    (g) 상기 신호전류를 전압으로 변환하고 상기 전압을 저장하는 저장스테이지;
    (h) 구동트랜지스터;
    (i) 상기 구동트랜지스터의 소스 및 상기 제2단자 사이에 전기접속된 부하; 및
    (j) 상기 제1스위치, 상기 제2스위치 및 상기 제3스위치에 전기접속된 선택선을 포함하며,
    상기 신호선은 상기 제1 및 제2스위치들을 통해 상기 구동트랜지스터의 게이트에 전기접속되며,
    상기 저장스테이지는 상기 구동트랜지스터의 게이트 및 상기 제2단자 사이에 전기접속되며,
    상기 제1스위치는 상기 구동트랜지스터의 드레인 및 게이트 사이에 전기접속되고,
    상기 구동트랜지스터는 상기 제2스위치를 통해 상기 신호선에 그리고 상기 제3스위치를 통해 상기 제1단자에 전기접속된 드레인을 가지는 전류구동회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 선택선이 하이 및 로우레벨들 중의 하나의 레벨에 있을 때 상기 제1 및 제2스위치들은 턴 온되고 상기 제3스위치는 턴 오프되고, 상기 선택선이 다른 레벨에 있을 때 상기 제1 및 제2스위치들은 턴 오프되고 상기 제3스위치는 턴 온되는 전류구동회로.
  3. (a) 전원에 전기접속된 제1단자;
    (b) 접지된 제2단자;
    (c) 신호전류가 흐르는 신호선;
    (d) 제1스위치트랜지스터;
    (e) 제2스위치트랜지스터;
    (f) 제3스위치트랜지스터;
    (g) 상기 신호전류를 전압으로 변환하고 상기 전압을 저장하는 저장커패시터;
    (h) 구동트랜지스터;
    (i) 상기 구동트랜지스터의 소스 및 상기 제2단자 사이에 전기접속된 부하;및
    (j) 상기 제1 내지 제3스위치트랜지스터들의 게이트들에 전기접속된 선택선을 포함하며,
    상기 저장커패시터는 상기 구동트랜지스터의 게이트 및 상기 제2단자 사이에 전기접속되며,
    상기 제1 및 제2스위치트랜지스터들은 상기 신호선 및 상기 구동트랜지스터 사이에서 서로 직렬로 전기접속되며,
    상기 제1 및 제2스위치트랜지스터들이 서로 전기접속되는 접속점이 상기 구동트랜지스터의 드레인에 전기접속되고,
    상기 구동트랜지스터는 상기 제3스위치트랜지스터를 통해 상기 제1단자에 전기접속된 드레인을 가지는 전류구동회로.
  4. (a) 전원에 전기접속된 제1단자;
    (b) 접지된 제2단자;
    (c) 신호전류가 흐르는 신호선;
    (d) 제1스위치트랜지스터;
    (e) 제2스위치트랜지스터;
    (f) 제3스위치트랜지스터;
    (g) 상기 신호전류를 전압으로 변환하고 상기 전압을 저장하는 저장커패시터;
    (h) 구동트랜지스터;
    (i) 상기 구동트랜지스터의 소스 및 상기 제2단자 사이에 전기접속된 부하; 및
    (j) 상기 제1 내지 제3스위치트랜지스터들의 게이트들에 전기접속된 선택선을 포함하며,
    상기 저장커패시터는 상기 구동트랜지스터의 게이트 및 상기 제2단자 사이에 전기접속되며,
    상기 제2스위치트랜지스터는 상기 구동트랜지스터의 드레인 및 상기 제3스위치트랜지스터의 드레인이 서로 전기접속되는 접속점에 전기접속된 소스를 가지며,
    상기 제1 및 제2스위치트랜지스터들은 상기 신호선에 전기접속된 드레인들을 가지며,
    상기 제1스위치트랜지스터는 상기 구동트랜지스터의 게이트 및 상기 저장커패시터가 서로 전기접속되는 접속점에 전기접속된 소스를 가지고,
    상기 구동트랜지스터는 상기 제3스위치트랜지스터를 통해 상기 제1단자에 전기접속된 드레인을 가지는 전류구동회로.
  5. (a) 전원에 전기접속된 제1단자;
    (b) 접지된 제2단자;
    (c) 신호전류가 흐르는 신호선;
    (d) 제1스위치트랜지스터;
    (e) 제2스위치트랜지스터;
    (f) 제3스위치트랜지스터;
    (g) 제4트랜지스터;
    (h) 상기 신호전류를 전압으로 변환하고 상기 전압을 저장하는 저장커패시터;
    (i) 구동트랜지스터;
    (j) 상기 구동트랜지스터의 소스 및 상기 제2단자 사이에 전기접속된 부하; 및
    (k) 상기 제1 내지 제3스위치트랜지스터들의 게이트들에 전기접속된 선택선을 포함하며,
    상기 저장커패시터는 상기 구동트랜지스터의 게이트 및 상기 제2단자 사이에 전기접속되며,
    상기 제2스위치트랜지스터는 상기 구동트랜지스터의 드레인 및 상기 제3스위치트랜지스터의 드레인이 서로 전기접속되는 접속점에 전기접속된 소스를 가지며,
    상기 제2스위치트랜지스터는 상기 신호선에 전기접속된 드레인들을 가지며,
    상기 제4트랜지스터는 상기 제1스위치트랜지스터의 드레인 및 상기 제2스위치트랜지스터의 드레인 사이에 전기접속되며,
    상기 제4트랜지스터는 상기 제1 및 제2스위치트랜지스터들의 극성과 동일한 극성을 가지며,
    상기 제4트랜지스터는 상기 제2스위치트랜지스터 및 상기 신호선이 서로 전기접속되는 접속점에 둘 다 전기접속된 드레인 및 게이트와, 상기 제1스위치트랜지스터의 드레인에 전기접속된 소스를 가지며,
    상기 제1스위치트랜지스터는 상기 구동트랜지스터의 게이트 및 상기 저장커패시터가 서로 전기접속되는 접속점에 전기접속된 소스를 가지고,
    상기 구동트랜지스터는 상기 제3스위치트랜지스터를 통해 상기 제1단자에 전기접속된 드레인을 가지는 전류구동회로.
  6. (a) 전원에 전기접속된 제1단자;
    (b) 접지된 제2단자;
    (c) 신호전류가 흐르는 신호선;
    (d) 제1스위치트랜지스터;
    (e) 제2스위치트랜지스터;
    (f) 제3스위치트랜지스터;
    (g) 제4트랜지스터;
    (h) 상기 신호전류를 전압으로 변환하고 상기 전압을 저장하는 저장커패시터;
    (i) 구동트랜지스터;
    (j) 상기 구동트랜지스터의 소스 및 상기 제2단자 사이에 전기접속된 부하; 및
    (k) 상기 제1 내지 제3스위치트랜지스터들의 게이트들에 전기접속된 선택선을 포함하며,
    상기 저장커패시터는 상기 구동트랜지스터의 게이트 및 상기 제2단자 사이에 전기접속되며,
    상기 제2스위치트랜지스터는 상기 구동트랜지스터의 드레인 및 상기 제3스위치트랜지스터의 드레인이 서로 전기접속되는 접속점에 전기접속된 소스를 가지며,
    상기 제1 및 제2스위치트랜지스터들은 상기 신호선에 전기접속된 드레인들을 가지며,
    상기 제4트랜지스터는 상기 저장커패시터 및 상기 구동트랜지스터의 게이트가 서로 전기접속되는 접속점에 전기접속된 소스, 및 상기 신호선에 전기접속된 드레인을 가지며,
    상기 제1스위치트랜지스터는 상기 제4트랜지스터의 게이트에 전기접속된 소스를 가지고,
    상기 구동트랜지스터는 상기 제3스위치트랜지스터를 통해 상기 제1단자에 전기접속된 드레인을 가지는 전류구동회로.
  7. 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2스위치트랜지스터들은 상기 구동트랜지스터의 극성과 동일한 극성을 갖는 전류구동회로.
  8. 제3항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3스위치트랜지스터는 상기 구동트랜지스터, 상기 제1스위치트랜지스터 및 상기 제2스위치트랜지스터의 극성과는 반대의 극성을 갖는 전류구동회로.
  9. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 제4트랜지스터는 상기 구동트랜지스터, 상기 제1스위치트랜지스터 및 상기 제2스위치트랜지스터의 극성과 동일한 극성을 갖는 전류구동회로.
  10. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2스위치트랜지스터들은 상기 구동트랜지스터의 극성과는 반대의 극성을 갖는 전류구동회로.
  11. 제3항에 있어서, 상기 제3스위치트랜지스터는 상기 구동트랜지스터의 극성과는 동일하고 상기 제1 및 제2스위치트랜지스터들의 극성과는 반대인 극성을 갖는 전류구동회로.
  12. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 부하는 유기전계발광소자를 구비하는 전류구동회로.
  13. (a) 전원에 전기접속된 제1단자;
    (b) 접지된 제2단자;
    (c) 신호전류가 흐르는 신호선;
    (d) 제1스위치트랜지스터;
    (e) 제2스위치트랜지스터;
    (f) 제3스위치트랜지스터;
    (g) 제4트랜지스터;
    (h) 상기 신호전류를 전압으로 변환하고 상기 전압을 저장하는 제1저장커패시터;
    (i) 상기 신호전류를 전압으로 변환하고 상기 전압을 저장하는 제2저장커패시터;
    (j) 구동트랜지스터;
    (k) 상기 구동트랜지스터의 소스 및 상기 제2단자 사이에 전기접속된 부하; 및
    (l) 상기 제1 내지 제3스위치트랜지스터들의 게이트들에 전기접속된 선택선을 포함하며,
    상기 제1저장커패시터는 상기 구동트랜지스터의 게이트 및 상기 제2단자 사이에 전기접속되며,
    상기 제1스위치트랜지스터는 상기 구동트랜지스터의 드레인 및 게이트 사이에 전기접속되며,
    상기 제4트랜지스터는 상기 신호선에 전기접속된 드레인 및 상기 구동트랜지스터의 드레인에 전기접속된 소스를 가지며,
    상기 제2스위치트랜지스터는 상기 제4트랜지스터의 드레인 및 게이트 사이에 전기접속되며,
    상기 제2저장커패시터는 상기 제4트랜지스터의 게이트 및 상기 구동트랜지스터의 게이트 사이에 전기접속되고,
    상기 구동트랜지스터는 상기 제3스위치트랜지스터 및 상기 제4트랜지스터 둘 다를 통해 상기 제1단자에 전기접속된 드레인을 가지는 전류구동회로.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2스위치트랜지스터들은 상기 구동트랜지스터의 극성과 동일한 극성을 가지는 전류구동회로.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 제4트랜지스터는 상기 구동트랜지스터의 극성과 동일한 극성을 가지는 전류구동회로.
  16. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 제3스위치트랜지스터는 상기 구동트랜지스터의 극성과는 반대의 극성을 가지는 전류구동회로.
  17. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 부하(11)는 유기전계발광소자로 구성되는 전류구동회로.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 전류구동회로를 구비한 영상표시장치.
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