JP2004341200A - アクティブマトリックス型表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】突き抜け電圧或はリーク電流を抑制することができ、良好な表示を実現することができるアクティブマトリックス型表示装置を提供する。
【解決手段】画素部の駆動トランジスタのゲート・ソース電極間に接続された保持容量に、信号線から映像信号に見合う電位を設定する際、
前記駆動トランジスタのゲート・ドレイン電極間に第1、第2のスイッチトランジスタを直列接続し、前記第1のスイッチトランジスタをオフして次に前記第2のスイッグトランジスタをオフする独立制御を行う。
【選択図】 図2
【解決手段】画素部の駆動トランジスタのゲート・ソース電極間に接続された保持容量に、信号線から映像信号に見合う電位を設定する際、
前記駆動トランジスタのゲート・ドレイン電極間に第1、第2のスイッチトランジスタを直列接続し、前記第1のスイッチトランジスタをオフして次に前記第2のスイッグトランジスタをオフする独立制御を行う。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば有機エレクトロ・ルミネセンス(Electro Luminescence 以下ELと記す)を用いたアクティブマトリックス型表示装置に関するもので、特に、薄膜トランジスタ(TFT)を用いて構成される駆動回路と該装置の駆動方法を改善したものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、有機EL表示装置が注目されている。有機EL表示装置では、その画素部に自発光素子である有機発光素子が用られており、固体薄膜の積層構造で構成され、かつ液晶表示装置のようにバックライトやフロントライトのような光源を必要としない。このために液晶表示装置に比べて、有機EL表示装置は全体パネルを薄型で軽量化することができ、また、耐衝撃性が良好な表示装置の実現が可能となる。
【0003】
上記の有機発光素子は、駆動回路の駆動トランジスタにより駆動されるもので、駆動トランジスタのゲート電極には、映像信号に対応したゲート電圧が与えられる。これにより、駆動トランジスタからは、映像信号に対応した安定した電流が対応する発光素子に供給され、映像信号に応じた輝度で該発光素子が発光することになる。
【0004】
駆動トランジスタに対するゲート電圧は、電圧信号方式或は電流信号方式により与えられる。発光素子の駆動回路に関する技術として、電圧信号(或は電圧書込み)方式を示した米国特許6,229,506 B1(文献1),電流信号(或は電流書込み)方式を示した米国特許6,373,454 B1(文献2)がある。
【0005】
【特許文献1】
米国特許6,229,506 B1
【0006】
【特許文献2】
米国特許6,373,454 B1
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記駆動回路においては、駆動トランジスタのゲート電極にゲート電圧を与えるために、複数のスイッチトランジスタが設けられている。これらのスイッチトランジスタがオンオフ制御されることにより、前記ゲート電圧が、例えば、1フレーム毎に設定される。ここで問題となるのはスイッチトランジスタのオンオフ動作のために、前記ゲート電圧、つまり映像信号に対応した所望の電圧が、必ずしも正確に設定されるとは限らないということである。このような影響を及ぼす電圧或は電流は、いわゆる“突き抜け電圧”或は“リーク電流”と称されている。この突き抜け電圧或はリーク電流の値は、トランジスタの応答特性に影響されている。上記のゲート電圧の値が不正確であると、発光トランジスタの輝度ムラを生じることになる。
【0008】
そこでこの発明の目的は、突き抜け電圧に起因する書き込み不良を抑制することができ、良好な表示を実現することができるアクティブマトリックス型表示装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明は上記目的を達成するために、画素部において例えば、電源ラインにソース電極が接続された駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート・ソース電極間に接続された保持容量と、前記駆動トランジスタのゲート・ドレイン電極間に直列に接続された少なくとも第1、第2のスイッチトランジスタとを有する。次に、前記駆動トランジスタのゲート電極に対して、信号線からの信号を与えるための画素スイッチと、前記駆動トランジスタのドレイン電極が第3のスイッチトランジスタを介して接続された発光素子と、前記画素スイッチ、前記第1、第2、第3のスイッチトランジスタをそれぞれ独立してオンオフ制御するための第1、第2、第3の走査線とを有する。そして前記第1から第3の走査線に与える信号により、前記画素スイッチ及び前記第1、第2のスイッチトランジスタをオンし、前記第3のトランジスタをオフし、前記駆動トランジスタのゲート電極に映像信号を与える共に、前記第1のスイッチトランジスタをオフして次に前記第2のスイッグトランジスタをオフし、前記映像信号に見合う電位を前記保持容量に設定する手段とを有するものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。
【0011】
図1はこの発明に係るアクティブマトリクス型表示装置の一例として、有機EL表示装置の概略平面図を示している。
【0012】
有機EL表示装置は、表示部となる画素配列領域110と、表示部を駆動するための走査線駆動回路111および信号線駆動回路112と、これら駆動回路111、112を駆動するコントローラ113を備えて構成される。
【0013】
画素配列領域110は、ガラス等の光透過性絶縁基板でなる支持基板上(図示せず)に形成されている。画素配列領域110内には、画素部Px(1,1)、Px(2,1)…、Px(1,2)、……、Px(n,m)がマトリックス状に配列されている。
【0014】
支持基板上の画素配列領域110の外側領域には、走査線駆動回路111と、信号線駆動回路112が構成されている。走査線駆動回路111は、マトリックス状に配列された画素部Px(1,1)、Px(2,1)…、Px(1,2)、……、Px(n,m)を対応する走査線に接続されたグループ毎(ここでは行毎)に走査し、各画素部Px(1,1)、Px(2,1)…、Px(1,2)、……、Px(n,m)のデータ受入れ状態、及びデータ保持状態を設定する。信号線駆動回路112は、信号線Data1、Data2、…へ書込み信号を出力する。
【0015】
コントローラ113は、信号線駆動回路112及び走査線駆動回路111の動作を得るための各種(信号取込、信号出力など)タイミング信号、及びクロック信号を出力する。
【0016】
図2には、上記画素配列領域110内の画素部Px(1,1)、Px(2,1)を代表して取り出し、示している。201は電源ラインであり、電源電圧Vddが与えられる。電源ライン201に、駆動トランジスタ202のソース電極が接続されている。駆動トランジスタ202のソース・ゲート電極間には、容量204が接続されている。駆動トランジスタ202のゲート・ドレイン電極間には、この発明の特徴とする第1、第2のスイッチトランジスタ205、206による直列回路が接続されている。さらに駆動トランジスタ202のドレイン電極と信号線(Data1)との間には画素スイッチ207が接続されている。また駆動トランジスタ202のドレイン電極は、出力スイッチ203を介して有機発光素子(OLED1)のアノードに接続され、この有機発光素子(OLED1)のカソードは低電源ライン(或はアースライン)に接続される。これら駆動トランジスタ202、第1、第2のスイッチトランジスタ205,206、出力スイッチ203は、ここではp−チャンネルTFTにより構成される。
【0017】
駆動トランジスタ202のゲート・ドレイン電極間の容量204は、駆動電圧を保持することができる。画素スイッチ207は信号供給用として利用され、ここではp−チャンネルTFTにより構成される。信号線(Data1)は、先の信号線駆動回路112により駆動される。
【0018】
先の画素スイッチ207のゲート電極には、第1の走査線Ysc1が接続され、スイッチトランジスタ205,206のゲート電極にはそれぞれ第2、第3の走査線Ysc2,Ysc3が接続されている。そして出力スイッチ203のゲート電極には、第4の走査線Ysc4が接続されている。第1乃至第4の走査線Ysc1〜Ysc4には、先の走査線駆動回路111からの走査信号が与えられる。
【0019】
画素部Px(1,1)を代表して説明したが、他の画素部の構成も同様な構成である。しかし、画素部が位置する列に応じて対応する信号線が接続される。また画素部が位置する行に応じて対応する電源ライン201及び第1乃至第4の走査線Ysc1〜Ysc4が接続される。
【0020】
なお、この明細書に記載される発明では、トランジスタのタイプは種々採用することができるので、ソース・ドレインは第1端子・第2端子と称し、ゲートは制御端子と称してもよい。
【0021】
図3は、上記画素部Px(1,1)の動作を説明するためのタイミングチャートである。この構成の画素部Px(1,1)は、電流信号方式である。図3の時点t1で、画素Px(1,1)が選択状態となる走査信号が出力され、また、有機発光素子を電気的に分離した状態で第1および第2のスイッチトランジスタ205,206をオン状態として映像信号の書き込みを開始する。ここでは、駆動回路を構成するTFTを全てpMOSで構成するため、走査線Ysc1、Ysc2、Ysc3の走査信号がローレベル、走査線Ysc4の走査信号がハイレベルである。つまり、画素スイッチ207、第1および第2のスイッチトランジスタ205,206がオン、出力スイッチ203がオフである。このときは、駆動トランジスタ202は、ダイオード接続状態となり、画素スイッチを介して供給される映像信号が与えられる。この期間、つまり時点t1〜時点t2までの期間は、信号線(Data1)を介して、駆動トランジスタ202のソース−ドレイン間に流れる電流が映像信号と同等となるように映像信号を書き込む期間である。この期間では、駆動トランジスタ202のソース−ドレイン間に流れる電流に応じて駆動トランジスタ202のゲート電位が変動するため、駆動トランジスタ202の特性によらず映像信号の書き込みが可能となる。
【0022】
次に時点t2〜時点t3の期間で、第1のスイッチトランジスタ205および第2のスイッチトランジスタ206がこの順で非導通(オフ)状態となる。こうして、映像信号に応じた駆動トランジスタ202のソース−ゲート間電圧が容量204に保持される。
【0023】
次に、時点t3以後、画素スイッチ207がオフし、出力スイッチ203がオンする。このとき駆動トランジスタ202、容量204は安定した電流源として機能し、有機発光素子(OLED1)に映像信号に対応した電流を流し発光させる。このときの電流量(輝度)は、駆動トランジスタ202のゲート・ソース間バイアスを設定する容量204にチャージされた電荷に依存する。
【0024】
この回路では、スイッチトランジスタ205、206とその制御方法に特徴がある。即ち、図3に示したように、時点t2でスイッチトランジスタ205がオフし、次に時点t3でスイッチトランジスタ206がオフするように工夫されている。つまり、駆動トランジスタ202のゲートに接続するTFTをオフし、駆動トランジスタのゲートを電気的に分離した後に駆動回路内の他のTFTをオフ状態とする。このために、TFTのオフ時に発生する突き抜け電圧による駆動トランジスタ202のゲート電極の電位変動に与える影響を低減することができる。
【0025】
上記のように本発明では、スイッチトランジスタ205、206の直列回路を信号線と駆動トランジスタ202のゲート電極間に設け、それぞれのトランジスタ205、206がオンからオフに移行するタイミングを独立した走査線Ysc2、Ysc3により制御し、トランジスタ205を先行させてオフするものである。これにより、駆動トランジスタ202のゲート電極の電位変動に影響をあたえる突き抜け電圧の発生量を低減することができる。さらに、第1のトランジスタ205の面積をより小さく構成することにより、第1のスイッチトランジスタによる突き抜け量をさらに低減し、ゲート電極の不所望な電位変動量を低減することが可能となる。さらには、第1スイッチトランジスタ205は、第2のスイッチトランジスタ206に比べてチャンネル面積が小さい、或いはチャンネル長が短く構成されてもよい。このような構成によると、駆動トランジスタ202のゲート電極の電位を正確に映像信号に見合う電圧することができ、表示装置としての輝度ムラ(表示ムラ)を低減することができる。
【0026】
尚、図7は画素部の一変形例を示し、図8にそのタイミングチャートを示す。図7に示すように、第2のスイッチングトランジスタの制御を画素スイッチ207の制御と同一の走査線により行なうことができる。これにより、配線数を低減することができる。
【0027】
また、図9に画素部のさらなる変形例を示し、図10にそのタイミングチャートを示す。図9に示すように、出力スイッチ203をn型TFTで構成し、そのゲート制御を画素スイッチ207の制御と同一の走査線により行なっても良い。また、第2のスイッチトランジスタのゲート制御も同一の走査線により行なってもよい。
【0028】
上記の画素部は、電流信号方式の回路構成であった。しかしこの発明はこの回路構成に限定されるものではなく、電圧信号方式の回路構成であってもよい。
【0029】
図4には、電圧信号方式の回路構成を示している。駆動トランジスタ212のソース電極は電源ライン201に接続されている。駆動トランジスタ212のゲート・ソース電極間には容量214が接続されている。また駆動トランジスタ212のゲート・ドレイン電極間には、第1および第2のスイッチトランジスタ215,216の直列回路が接続されている。さらに駆動トランジスタ212のゲート電極は、容量218を介して画素スイッチ217のソース電極に接続され、この画素スイッチ217のドレイン電極は信号線(Data1)に接続されている。また駆動トランジスタ212のドレイン電極は、出力スイッチ213を介して有機発光素子(OLED1)のアノードに接続され、この有機発光素子(OLED1)のカソードは低電源ライン(或はアースライン)に接続される。
【0030】
画素スイッチ217のゲート電極、第1、第2のスイッチトランジスタ215、216のゲート電極、出力スイッチ213のゲート電極は、それぞれ走査線Ysc1、Ysc2、Ysc3,Ysc4に接続されている。
【0031】
図5は、上記の画素部の回路動作を示すタイミングチャートである。この回路は、画素スイッチ217がn−チャンネルのTFT(Thin Film Transistor)であるから、走査線Ysc1に与えられる走査信号の極性が、図3の例とは異なる。
【0032】
この発明の考え方は上記のように、電流信号方式、電圧信号方式のいずれのタイプでも適用できる。また半導体素子としては、アモルファスシリコンによる半導体素子、ポリシリコンよる半導体素子のいずれでもよいことは勿論である。
【0033】
図6には、先に示した、出力スイッチ203或いは213の部分と、有機発光素子(OLED1)の部分の断面構造を示している。駆動トランジスタと有機発光素子との間には、さらにスイッチトランジスタ203、或いは213が存在するのであるが、この図は現れていない状態で示している。
【0034】
ガラス基板600上に例えば、ポリシリコンによる半導体膜が形成され、ここにソース領域601、ドレイン領域602及びこれらの間のPチャンネル層603が配置されている。これらの上の層にゲート絶縁膜層604が形成され、この層の上で、チャネル領域に対応する位置にゲート電極605が配線されている。そしてゲート電極605を覆うように層間絶縁膜606が形成されている。そして層間絶縁膜606の上にソース電極607、ドレイン電極608が形成されている。このソース電極607及びドレイン電極608は、それぞれ対応するソース及びドレイン領域にコンタクトを介して接続されている。層間絶縁膜606の上には、信号線610も配線されている。これらソース電極607、ドレイン電極608、及び信号線610をカバーするように、保護膜611が形成されている。この保護膜611の上には、発光部を形成するためのアノード711が形成されている。ここで、アノード711の上には、親水膜712、隔壁膜713が形成されるのであるが、この親水膜712、隔壁膜713は、アノード711を露出するようにエッチングされている。そしてアノード711の上面には、アノードバッファ層714が形成され、この上に発光素子層715が形成され、次いでこの層及び先の隔壁層713の上面にカソード716が形成されている。陰極層716は、透明でもよくまた遮光性をもって反射するタイプでもよい。
【0035】
【発明の効果】
以上詳述したようにこの発明によれば、駆動トランジスタのゲート電位変動に影響を与えるTFTのオフ時突き抜け電圧の発生量を低減することができ、良好な表示を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るアクティブマトリックス型表示装置の素子アレイ基板の概略構成を示す説明図。
【図2】図1の画素部の1つを取り出して詳細回路を示す図。
【図3】図2の回路の動作を説明するために示したタイミングチャート。
【図4】図1の画素部の他の構成例を示す図。
【図5】図4の回路の動作を説明するために示したタイミングチャート。
【図6】この発明に係るPチャンネルTFTと画素電極部の構成例を簡単にして示す図。
【図7】図1の画素部のまた他の構成例を示す図。
【図8】図7の回路の動作を説明するために示したタイミングチャート。
【図9】図1の画素部のさらに他の構成例を示す図。
【図10】図9の回路の動作を説明するために示したタイミングチャート。
【符号の説明】
110…画素配列領域、111…走査線駆動回路、112…信号線駆動回路、201…電源ライン、202…駆動トランジスタ、203、205、206…スイッチトランジスタ、204…容量、207…画素スイッチ、OLED1…有機発光素子。
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば有機エレクトロ・ルミネセンス(Electro Luminescence 以下ELと記す)を用いたアクティブマトリックス型表示装置に関するもので、特に、薄膜トランジスタ(TFT)を用いて構成される駆動回路と該装置の駆動方法を改善したものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、有機EL表示装置が注目されている。有機EL表示装置では、その画素部に自発光素子である有機発光素子が用られており、固体薄膜の積層構造で構成され、かつ液晶表示装置のようにバックライトやフロントライトのような光源を必要としない。このために液晶表示装置に比べて、有機EL表示装置は全体パネルを薄型で軽量化することができ、また、耐衝撃性が良好な表示装置の実現が可能となる。
【0003】
上記の有機発光素子は、駆動回路の駆動トランジスタにより駆動されるもので、駆動トランジスタのゲート電極には、映像信号に対応したゲート電圧が与えられる。これにより、駆動トランジスタからは、映像信号に対応した安定した電流が対応する発光素子に供給され、映像信号に応じた輝度で該発光素子が発光することになる。
【0004】
駆動トランジスタに対するゲート電圧は、電圧信号方式或は電流信号方式により与えられる。発光素子の駆動回路に関する技術として、電圧信号(或は電圧書込み)方式を示した米国特許6,229,506 B1(文献1),電流信号(或は電流書込み)方式を示した米国特許6,373,454 B1(文献2)がある。
【0005】
【特許文献1】
米国特許6,229,506 B1
【0006】
【特許文献2】
米国特許6,373,454 B1
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記駆動回路においては、駆動トランジスタのゲート電極にゲート電圧を与えるために、複数のスイッチトランジスタが設けられている。これらのスイッチトランジスタがオンオフ制御されることにより、前記ゲート電圧が、例えば、1フレーム毎に設定される。ここで問題となるのはスイッチトランジスタのオンオフ動作のために、前記ゲート電圧、つまり映像信号に対応した所望の電圧が、必ずしも正確に設定されるとは限らないということである。このような影響を及ぼす電圧或は電流は、いわゆる“突き抜け電圧”或は“リーク電流”と称されている。この突き抜け電圧或はリーク電流の値は、トランジスタの応答特性に影響されている。上記のゲート電圧の値が不正確であると、発光トランジスタの輝度ムラを生じることになる。
【0008】
そこでこの発明の目的は、突き抜け電圧に起因する書き込み不良を抑制することができ、良好な表示を実現することができるアクティブマトリックス型表示装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この発明は上記目的を達成するために、画素部において例えば、電源ラインにソース電極が接続された駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート・ソース電極間に接続された保持容量と、前記駆動トランジスタのゲート・ドレイン電極間に直列に接続された少なくとも第1、第2のスイッチトランジスタとを有する。次に、前記駆動トランジスタのゲート電極に対して、信号線からの信号を与えるための画素スイッチと、前記駆動トランジスタのドレイン電極が第3のスイッチトランジスタを介して接続された発光素子と、前記画素スイッチ、前記第1、第2、第3のスイッチトランジスタをそれぞれ独立してオンオフ制御するための第1、第2、第3の走査線とを有する。そして前記第1から第3の走査線に与える信号により、前記画素スイッチ及び前記第1、第2のスイッチトランジスタをオンし、前記第3のトランジスタをオフし、前記駆動トランジスタのゲート電極に映像信号を与える共に、前記第1のスイッチトランジスタをオフして次に前記第2のスイッグトランジスタをオフし、前記映像信号に見合う電位を前記保持容量に設定する手段とを有するものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。
【0011】
図1はこの発明に係るアクティブマトリクス型表示装置の一例として、有機EL表示装置の概略平面図を示している。
【0012】
有機EL表示装置は、表示部となる画素配列領域110と、表示部を駆動するための走査線駆動回路111および信号線駆動回路112と、これら駆動回路111、112を駆動するコントローラ113を備えて構成される。
【0013】
画素配列領域110は、ガラス等の光透過性絶縁基板でなる支持基板上(図示せず)に形成されている。画素配列領域110内には、画素部Px(1,1)、Px(2,1)…、Px(1,2)、……、Px(n,m)がマトリックス状に配列されている。
【0014】
支持基板上の画素配列領域110の外側領域には、走査線駆動回路111と、信号線駆動回路112が構成されている。走査線駆動回路111は、マトリックス状に配列された画素部Px(1,1)、Px(2,1)…、Px(1,2)、……、Px(n,m)を対応する走査線に接続されたグループ毎(ここでは行毎)に走査し、各画素部Px(1,1)、Px(2,1)…、Px(1,2)、……、Px(n,m)のデータ受入れ状態、及びデータ保持状態を設定する。信号線駆動回路112は、信号線Data1、Data2、…へ書込み信号を出力する。
【0015】
コントローラ113は、信号線駆動回路112及び走査線駆動回路111の動作を得るための各種(信号取込、信号出力など)タイミング信号、及びクロック信号を出力する。
【0016】
図2には、上記画素配列領域110内の画素部Px(1,1)、Px(2,1)を代表して取り出し、示している。201は電源ラインであり、電源電圧Vddが与えられる。電源ライン201に、駆動トランジスタ202のソース電極が接続されている。駆動トランジスタ202のソース・ゲート電極間には、容量204が接続されている。駆動トランジスタ202のゲート・ドレイン電極間には、この発明の特徴とする第1、第2のスイッチトランジスタ205、206による直列回路が接続されている。さらに駆動トランジスタ202のドレイン電極と信号線(Data1)との間には画素スイッチ207が接続されている。また駆動トランジスタ202のドレイン電極は、出力スイッチ203を介して有機発光素子(OLED1)のアノードに接続され、この有機発光素子(OLED1)のカソードは低電源ライン(或はアースライン)に接続される。これら駆動トランジスタ202、第1、第2のスイッチトランジスタ205,206、出力スイッチ203は、ここではp−チャンネルTFTにより構成される。
【0017】
駆動トランジスタ202のゲート・ドレイン電極間の容量204は、駆動電圧を保持することができる。画素スイッチ207は信号供給用として利用され、ここではp−チャンネルTFTにより構成される。信号線(Data1)は、先の信号線駆動回路112により駆動される。
【0018】
先の画素スイッチ207のゲート電極には、第1の走査線Ysc1が接続され、スイッチトランジスタ205,206のゲート電極にはそれぞれ第2、第3の走査線Ysc2,Ysc3が接続されている。そして出力スイッチ203のゲート電極には、第4の走査線Ysc4が接続されている。第1乃至第4の走査線Ysc1〜Ysc4には、先の走査線駆動回路111からの走査信号が与えられる。
【0019】
画素部Px(1,1)を代表して説明したが、他の画素部の構成も同様な構成である。しかし、画素部が位置する列に応じて対応する信号線が接続される。また画素部が位置する行に応じて対応する電源ライン201及び第1乃至第4の走査線Ysc1〜Ysc4が接続される。
【0020】
なお、この明細書に記載される発明では、トランジスタのタイプは種々採用することができるので、ソース・ドレインは第1端子・第2端子と称し、ゲートは制御端子と称してもよい。
【0021】
図3は、上記画素部Px(1,1)の動作を説明するためのタイミングチャートである。この構成の画素部Px(1,1)は、電流信号方式である。図3の時点t1で、画素Px(1,1)が選択状態となる走査信号が出力され、また、有機発光素子を電気的に分離した状態で第1および第2のスイッチトランジスタ205,206をオン状態として映像信号の書き込みを開始する。ここでは、駆動回路を構成するTFTを全てpMOSで構成するため、走査線Ysc1、Ysc2、Ysc3の走査信号がローレベル、走査線Ysc4の走査信号がハイレベルである。つまり、画素スイッチ207、第1および第2のスイッチトランジスタ205,206がオン、出力スイッチ203がオフである。このときは、駆動トランジスタ202は、ダイオード接続状態となり、画素スイッチを介して供給される映像信号が与えられる。この期間、つまり時点t1〜時点t2までの期間は、信号線(Data1)を介して、駆動トランジスタ202のソース−ドレイン間に流れる電流が映像信号と同等となるように映像信号を書き込む期間である。この期間では、駆動トランジスタ202のソース−ドレイン間に流れる電流に応じて駆動トランジスタ202のゲート電位が変動するため、駆動トランジスタ202の特性によらず映像信号の書き込みが可能となる。
【0022】
次に時点t2〜時点t3の期間で、第1のスイッチトランジスタ205および第2のスイッチトランジスタ206がこの順で非導通(オフ)状態となる。こうして、映像信号に応じた駆動トランジスタ202のソース−ゲート間電圧が容量204に保持される。
【0023】
次に、時点t3以後、画素スイッチ207がオフし、出力スイッチ203がオンする。このとき駆動トランジスタ202、容量204は安定した電流源として機能し、有機発光素子(OLED1)に映像信号に対応した電流を流し発光させる。このときの電流量(輝度)は、駆動トランジスタ202のゲート・ソース間バイアスを設定する容量204にチャージされた電荷に依存する。
【0024】
この回路では、スイッチトランジスタ205、206とその制御方法に特徴がある。即ち、図3に示したように、時点t2でスイッチトランジスタ205がオフし、次に時点t3でスイッチトランジスタ206がオフするように工夫されている。つまり、駆動トランジスタ202のゲートに接続するTFTをオフし、駆動トランジスタのゲートを電気的に分離した後に駆動回路内の他のTFTをオフ状態とする。このために、TFTのオフ時に発生する突き抜け電圧による駆動トランジスタ202のゲート電極の電位変動に与える影響を低減することができる。
【0025】
上記のように本発明では、スイッチトランジスタ205、206の直列回路を信号線と駆動トランジスタ202のゲート電極間に設け、それぞれのトランジスタ205、206がオンからオフに移行するタイミングを独立した走査線Ysc2、Ysc3により制御し、トランジスタ205を先行させてオフするものである。これにより、駆動トランジスタ202のゲート電極の電位変動に影響をあたえる突き抜け電圧の発生量を低減することができる。さらに、第1のトランジスタ205の面積をより小さく構成することにより、第1のスイッチトランジスタによる突き抜け量をさらに低減し、ゲート電極の不所望な電位変動量を低減することが可能となる。さらには、第1スイッチトランジスタ205は、第2のスイッチトランジスタ206に比べてチャンネル面積が小さい、或いはチャンネル長が短く構成されてもよい。このような構成によると、駆動トランジスタ202のゲート電極の電位を正確に映像信号に見合う電圧することができ、表示装置としての輝度ムラ(表示ムラ)を低減することができる。
【0026】
尚、図7は画素部の一変形例を示し、図8にそのタイミングチャートを示す。図7に示すように、第2のスイッチングトランジスタの制御を画素スイッチ207の制御と同一の走査線により行なうことができる。これにより、配線数を低減することができる。
【0027】
また、図9に画素部のさらなる変形例を示し、図10にそのタイミングチャートを示す。図9に示すように、出力スイッチ203をn型TFTで構成し、そのゲート制御を画素スイッチ207の制御と同一の走査線により行なっても良い。また、第2のスイッチトランジスタのゲート制御も同一の走査線により行なってもよい。
【0028】
上記の画素部は、電流信号方式の回路構成であった。しかしこの発明はこの回路構成に限定されるものではなく、電圧信号方式の回路構成であってもよい。
【0029】
図4には、電圧信号方式の回路構成を示している。駆動トランジスタ212のソース電極は電源ライン201に接続されている。駆動トランジスタ212のゲート・ソース電極間には容量214が接続されている。また駆動トランジスタ212のゲート・ドレイン電極間には、第1および第2のスイッチトランジスタ215,216の直列回路が接続されている。さらに駆動トランジスタ212のゲート電極は、容量218を介して画素スイッチ217のソース電極に接続され、この画素スイッチ217のドレイン電極は信号線(Data1)に接続されている。また駆動トランジスタ212のドレイン電極は、出力スイッチ213を介して有機発光素子(OLED1)のアノードに接続され、この有機発光素子(OLED1)のカソードは低電源ライン(或はアースライン)に接続される。
【0030】
画素スイッチ217のゲート電極、第1、第2のスイッチトランジスタ215、216のゲート電極、出力スイッチ213のゲート電極は、それぞれ走査線Ysc1、Ysc2、Ysc3,Ysc4に接続されている。
【0031】
図5は、上記の画素部の回路動作を示すタイミングチャートである。この回路は、画素スイッチ217がn−チャンネルのTFT(Thin Film Transistor)であるから、走査線Ysc1に与えられる走査信号の極性が、図3の例とは異なる。
【0032】
この発明の考え方は上記のように、電流信号方式、電圧信号方式のいずれのタイプでも適用できる。また半導体素子としては、アモルファスシリコンによる半導体素子、ポリシリコンよる半導体素子のいずれでもよいことは勿論である。
【0033】
図6には、先に示した、出力スイッチ203或いは213の部分と、有機発光素子(OLED1)の部分の断面構造を示している。駆動トランジスタと有機発光素子との間には、さらにスイッチトランジスタ203、或いは213が存在するのであるが、この図は現れていない状態で示している。
【0034】
ガラス基板600上に例えば、ポリシリコンによる半導体膜が形成され、ここにソース領域601、ドレイン領域602及びこれらの間のPチャンネル層603が配置されている。これらの上の層にゲート絶縁膜層604が形成され、この層の上で、チャネル領域に対応する位置にゲート電極605が配線されている。そしてゲート電極605を覆うように層間絶縁膜606が形成されている。そして層間絶縁膜606の上にソース電極607、ドレイン電極608が形成されている。このソース電極607及びドレイン電極608は、それぞれ対応するソース及びドレイン領域にコンタクトを介して接続されている。層間絶縁膜606の上には、信号線610も配線されている。これらソース電極607、ドレイン電極608、及び信号線610をカバーするように、保護膜611が形成されている。この保護膜611の上には、発光部を形成するためのアノード711が形成されている。ここで、アノード711の上には、親水膜712、隔壁膜713が形成されるのであるが、この親水膜712、隔壁膜713は、アノード711を露出するようにエッチングされている。そしてアノード711の上面には、アノードバッファ層714が形成され、この上に発光素子層715が形成され、次いでこの層及び先の隔壁層713の上面にカソード716が形成されている。陰極層716は、透明でもよくまた遮光性をもって反射するタイプでもよい。
【0035】
【発明の効果】
以上詳述したようにこの発明によれば、駆動トランジスタのゲート電位変動に影響を与えるTFTのオフ時突き抜け電圧の発生量を低減することができ、良好な表示を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るアクティブマトリックス型表示装置の素子アレイ基板の概略構成を示す説明図。
【図2】図1の画素部の1つを取り出して詳細回路を示す図。
【図3】図2の回路の動作を説明するために示したタイミングチャート。
【図4】図1の画素部の他の構成例を示す図。
【図5】図4の回路の動作を説明するために示したタイミングチャート。
【図6】この発明に係るPチャンネルTFTと画素電極部の構成例を簡単にして示す図。
【図7】図1の画素部のまた他の構成例を示す図。
【図8】図7の回路の動作を説明するために示したタイミングチャート。
【図9】図1の画素部のさらに他の構成例を示す図。
【図10】図9の回路の動作を説明するために示したタイミングチャート。
【符号の説明】
110…画素配列領域、111…走査線駆動回路、112…信号線駆動回路、201…電源ライン、202…駆動トランジスタ、203、205、206…スイッチトランジスタ、204…容量、207…画素スイッチ、OLED1…有機発光素子。
Claims (5)
- 画素部において、
電源ラインにソース電極が接続された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート・ソース電極間に接続された保持容量と、
前記駆動トランジスタのゲート・ドレイン電極間に直列にこの順番で接続された少なくとも第1、第2のスイッチトランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に対して、信号線からの信号を与えるための画素スイッチと、
前記駆動トランジスタのドレイン電極に出力スイッチを介して接続された発光素子と、
前記第1、第2のスイッチトランジスタのゲートに接続し、それぞれ独立に配線される第1、第2の走査線と、を備え、
前記第1および第2の走査線に与える信号により、前記第1のスイッチトランジスタをオフした後に前記第2のスイッチトランジスタをオフすることを特徴とするアクティブマトリックス型表示装置。 - 前記画素スイッチの第1端子は前記信号線に、第2端子は前記駆動トランジスタの前記ドレインに接続し、前記信号線に接続する定電流源を更に備えることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリックス型表示装置。
- 前記画素スイッチの制御端子は、前記第2の走査線に接続することを特徴とする請求項2に記載のアクティブマトリックス型表示装置。
- 前記第1のスイッチトランジスタは、前記第2のスイッチトランジスタに比べてチャンネル面積が小さいことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のアクティブマトリックス型表示装置。
- 前記第1のスイッチトランジスタは、前記第2のスイッチトランジスタに比べてチャンネル長が短いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のアクティブマトリックス型表示装置。
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