KR20020017655A

KR20020017655A - 다층기판의 절연층 평탄화 장치

Info

Publication number: KR20020017655A
Application number: KR1020000051138A
Authority: KR
Inventors: 황세명
Original assignee: 이형도; 삼성전기주식회사
Priority date: 2000-08-31
Filing date: 2000-08-31
Publication date: 2002-03-07

Abstract

본 발명은 기판의 제조장치에 있어서, 내층회로가 형성되는 CCL의 상측에 절연층이 적층형성되는 기판의 절연층을 프레스에 의해 가압하여 평탄화 시킴으로써 다음 공정에서 발생하는 회로패턴의 연결불량및 접속불량을 방지토록 하는 다층기판의 절연층 평탄화 장치에 관한 것이다.

Description

다층기판의 절연층 평탄화 장치{A DEVICE FOR FLATNESS DIELECTRIC IN SUBSTRATE}

본 발명은 기판의 제조장치에 있어서, 내층회로가 형성되는 CCL의 상측에 절연층이 적층형성되는 기판의 절연층을 프레스에 의해 가압하여 평탄화 시킴으로써 다음 공정에서 발생하는 회로패턴의 연결및 접속불량을 방지토록 하는 다층기판의 절연층 평탄화 장치에 관한 것이다.

일반적으로 알려져있는 종래의 인쇄회로기판 제조방법은 내층회로패턴이 형성되는 CCL의 절연층을 적층 형성한후 그 상측에 도전성금속을 도포하고, 상기 도전성금속의 상측에 감광층을 형성하여 이를 에칭등에 의하여 외측 회로패턴을 형성토록 하여 다층기판을 형성토록 하는 것이다.

그리고, 상기와 같은 다층기판은 절연층의 두께가 얇아짐에 따라 두께의 조절이 기판 임피던스의 관리및 층간절연이 주요한 변수가 되었고, 특히 패키지기판의 경우 칩부착부의 단차가 10㎛이내의 오차관리가 요구되는 것이다.

이와같은 기술과 관련된 종래의 기판은 도1a에서와 같이, 내층회로패턴(10)이 형성되는 CCL(20)의 상하측에 절연층(30)을 각각 형성한후 그 상측에 도전성금속(40)을 도포하여 전극을 형성토록 한다.

또한, 도1b에서와 같이, 내층회로패턴(10)이 형성되는 CCL(20)의 상하측에 절연층(30)을 형성한후 절연층(30)의 요철면(50)을 상하측에 설치되는 브러시(60)를 통하여 평탄화 시킨후 그 표면에 도전성금속(40)을 도포하여 외부회로패턴을 형성토록 하는 것이다.

그러나, 상기와 같은 기판은, 도1a의 경우 CCL(20)의 내층회로패턴(10) 상측으로 적층되는 절연층이 점도가 낮아 내층회로패턴(10) 부에 의한 높이의 영향이 요철로서 나타나 절연층(30)의 상측에 형성되는 외부회로패턴의 노광시 밀착불량을 유발하여 회로의 오픈및 쇼트가 발생되고, 패키지 기판에 적용할 경우 요철면(50)으로 인하여 품질의 확보가 힘들게 되는 단점이 있다.

또한, 도1b의 경우, 브러시(60)의 동작시 절연층(30)의 신축및 신장을 가져와 미세회로의 제품에는 적용이 힘들게 됨은 물론 정합이 힘들게 되는 단점이 있는 것이다.

본 발명은 상기한 바와같은 종래의 여러 문제점들을 개선하기 위한 것으로서 그 목적은, 절연층의 신장이나 절연층 두께의 변동없이 절연층의 평탄화를 가능하는 다층기판의 절연층 평탄화 장치를 제공하는데 있다.

도1a,b는 종래의 기판 절연층의 평탄화 장치를 도시한 개략도

도2는 본 발명에 따른 기판의 절연층 평탄화 장치를 도시한 개략도

도3은 본 발명에 따른 절연층 가압수단을 도시한 개략도

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

100...내층회로패턴 120...절연층

160...프레스판 170...쿠션재

180...평판 200...평탄층

상기 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로서 본 발명은, 절연층이 형성되는 절연층의 상하측에 가압수단이 설치되는 구성으로 이루어진 다층기판의 절연층 평탄화 장치및 방법을 마련함에 의한다.

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도2는 본 발명에 따른 기판의 절연층 평탄화 장치를 도시한 개략도로서 본 발명은, 내층회로패턴(100)이 일체로 형성되는 CCL(110)의 상하측에 절연층(120)이 적층 형성되는 다층기판(130)이 투입토록 절연층 가압수단(150)이 일체로 설치된다.

상기 절연층가압수단(150)은, 프레스판(160)의 일측에 쿠션지(170)를 개재하여 스테인레스재질인 평판(180)이 일체로 고정된다.

또한, 상기 평판(180)의 일측에 테프론 재질의 릴리즈(release)판(190)이 접합되는 구성으로 이루어 진다.

도면부호 200은, 평탄층이고, 210은, 외측회로패턴이다.

이와같은 구성으로 이루어진 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.

도2에 도시한 바와같이, 내층회로패턴(100)이 일체로 형성되는 CCL(110)의 상하측에 절연층(120)이 도포되는 다층기판(130)이 가압수단(150)의 내측에 투입되면 가압수단(150)에 의해 가압하여 절연층(120)의 표면에 평탄층(200)을 형성하여 그 상측에 외부 해로패턴(210)의 형성이 들뜸이 방지토록 된다.

그리고, 상기 가압수단(150)은, 프레스판(160)의 일측에 쿠션지(170)를 개재하여 스테인레스재질인 평판(180)이 일체로 고정되어 형성되고, 상기 프레스판(160)이 1.5~2.5kg_f/cm²의 압력으로 가압할때 그 일측에 접촉되는 쿠션지(170)에 의해 압력을 평판(180)에 균일하게 전달토록 한다.

이때, 상기 가압수단(150)은, 내부온도가 80~120도의 상태로 약2분간 가압동작을 수행하여 절연층(120)을 가압토록 하고, 가압수단(150)은 내부온도가 80도 이하이면 절연층(120)의 유동성이 저하되어 가압이 힘들게 되고, 120도 이상이 되면 유동성은 향상되나 일정압력의 작용시 절연층(120)의 두께 변동이 심하게 된다.

그리고, 상기 가압시간은 약 2분이 적당하며, 2분이상이면 두께의 변화가 발생됨은 물론 프레스판(160)에 과부하가 발생되고, 2분 이하이면 평탄층(200)의 형성이 힘들게 되며, 프레스판(160)의 압력이 1.5kg_f/cm²가 되면 평탄화가 힘들게 되고, 2.5kg_f/cm²이상이 되면 평탄화는 용이하나 절연층(120)의 두께의 변동을 가져오게 된다.

또한, 상기 평판(180)은 표면거칠기가 가장양호한 스테인레스 재질이 사용토록 되며, 상기 프레스판(160)에 의한 가압시 절연층(120)이 평판(180)에 부착되어 다음 작업시 정도의 불량이 발생되는 것을 방지토록 1회용인 테프론 재질의 릴리즈필름(190)이 접합된다.

상기 가압공정에 의해 절연층(120)의 평탄화가 가능토록 되어 그 상측에 외부회로패턴(210)의 형성시 절연층(120)의 두께 변화없이 노광에 따른 외부회로패턴(210)의 오픈및 쇼트 현상을 미연에 방지토록 하는 것이다.

이상과 같이 본 발명에 따른 다층기판의 절연층 평탄화 장치에 의하면, 표면의 요철이 최소화 되어 패키지 기판에 적용시 별도의 가공이 불필요하고, 절연층 상측에 회로의 형성이 요철에 의한 오픈이나 쇼트의 발생을 최소화 함으로써 제품의 신뢰성을 향상시키며, 절연층 두께의 감소가 없어 두께의 조절이 용이하게 되고, 내층회로패턴의 두께에 따른 제약이 방지되어 작업성이 향상되는 등의 우수한효과가 있는 것이다.

Claims

내층회로패턴(100)이 일체로 형성되는 CCL(110)의 상하측에 절연층(120)이 적층되는 다층기판(130)의 절연층(120)을 가압하여 평탄화토록 절연층 가압수단(150)이 설치되는 것을 특징으로 하는 다층기판의 절연층 평탄화 장치
제 1항에 있어서, 상기 상기 절연층가압수단(150)은, 프레스판(160)의 일측에 쿠션지(170)를 개재하여 스테인레스재질인 평판(180)이 일체로 고정되는 것을 특징으로 하는 다층기판의 절연층 평탄화 장치
제 2항에 있어서, 상기 평판(180)은, 테프론 재질의 릴리즈판(190)이 접합되는 것을 특징으로 하는 다층기판의 절연층 평탄화 장치