KR20020011860A - ＳｉＣ 성형체 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 저항율 및 광 투과율이 낮아, 반도체 제조 장치용 기재로서 적합하게 사용할 수 있는 고순도의 β형 결정으로 이루어지는 질소 도핑 n형 SiC 성형체 및 이 SiC 성형체를 높은 생산성을 갖는 개선된 성막 속도로 얻을 수 있는 SiC 성형체의 제조 방법에 관한 것으로서, 반응실 내에 원료 가스, 캐리어 가스와 함께 질소 가스를 도입하여 CVD법에 의해 기재의 표면에 SiC를 성막한 후, 기재를 제거하여 얻어지는 SiC 성형체는 비중이 3.15 이상, 광 투과율이 1.1∼0.05%, 저항율이 3 ×10-3∼10-5Ωm인 특성을 갖는다. 상기 SiC 성형체는 기재를 설치한 CVD 반응실 내에 도입하는 원료 가스의 농도(원료 가스 유량(ℓ/분)/캐리어 가스 유량(ℓ/분))를 5∼15 부피%, 질소 가스의 농도(질소 가스 유량(ℓ/분)/원료 가스 유량(ℓ/분))를 10∼120 부피%로 하는 동시에, 이하에 규정되는 원료 가스의 체류 시간을 7∼110초로 제어함으로써 제조된다. 단, 원료 가스의 체류 시간(초) = {(반응실의 반응 유효 용적(ℓ))/(원료 가스 유량(ℓ/분))} ×{(273 + 20)/(273 + 반응 온도(℃))} ×60이다.

Description

ＳｉＣ 성형체 및 그 제조 방법{SIC-FORMED MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 발명은 SiC 성형체, 상세하게는 반도체 제조 장치용 히터, 더미(dummy) 웨이퍼, 기타 서셉터, 노심관(爐芯管) 등의 용도에 유용한 고순도의 β형 결정으로 이루어지는 질소 도핑 n형 CVD-SiC 성형체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
CVD(화학 기상 증착)법에 의해 기재의 표면에 SiC를 석출, 성막한 후, 기재를 제거하여 얻어지는 SiC 성형체는 소결법으로 제조된 SiC 성형체에 비해서 치밀하고 고순도이며, 내식성 및 내열성도 우수하기 때문에, 반도체 제조용의 히터, 더미 웨이퍼, 서셉터, 노심관 등 기재로서 일부 실용화되어 있다.
그러나, 예컨대, 반도체 제조용 히터로서 사용하는 경우에는 전술한 특성 이외에 소결법에 의해 제조되는 SiC와 같은 낮은 저항율이 요구되고, 또한 더미 웨이퍼로서 사용하는 경우에는 광 투과율이 낮을 필요가 있어, 종래의 CVD법에 의한 SiC 성막법으로는 반도체 제조용 기재로서 범용할 수 있는 충분한 특성을 갖춘 SiC 성형체를 얻지 못하고 있다.
CVD-SiC 성형체의 저항율을 저하시켜 히터로서 적용하는 시도는 이전부터 알려져 있고, International Conference Chemical Vapor Deposition, The Electro Chemical Society, 1975, P 749-757 「CVD SiC HEATING ELEMENTS : ALTERRATION OF ELECTRICAL RESISTANCE BY DOPING」 by H. Beutler, S. Oesterle and K. K. Yee에는 원료인 메틸트리클로로실란(MTS) 중에 40℃에서 질소 가스를 0.4 ℓ/분의 유량으로 도입하고, 수소 유량을 2.0 ℓ/분으로 하며, 증착 온도 1400℃, 1 기압에서 SiC(N)/TiN/SiC 구조의 SiC(N)층을 0.44 ㎛의 두께로 성장시킨 히터가 개시되고, 질소 가스 유량을 0.5 ℓ/분으로 한 경우에는 더욱 저항율이 저하되는 것으로 제시되어 있지만, 원료인 MTS 농도와 질소 가스 농도와의 비율을 자유롭게 제어하는 것이 어렵기 때문에, 내부에 기공이 생성되기 쉬워서, 치밀질이면서 기체 불투과성인 CVD-SiC를 얻기 어렵다.
원료 가스와 함께 도입되는 질소 가스량을 제어하여 질소 도핑 CVD-SiC 성형체를 얻는 방법으로서, 규소 단결정 기판을 900∼1200℃로 가열하고, 원료 가스로서 모노실란(SiH4) 가스와 프로판 가스, 캐리어 가스로서 수소 가스를 사용하고, 기판 상에 매우 얇은 SiC막을 형성한 후, 기판의 온도를 1300∼1400℃로 올려, 원료 가스(0.05∼0.3 cc/분)와 동시에 도펀트로서 질소 가스(1 ×10-2∼1 cc/분, 질소 가스의 농도는 원료 가스에 대하여, 1 ×10-2∼1(cc/분)/0.05∼0.3(cc/분) = 0.01/0.1∼1/0.6 = 10∼167 부피%)를 도입하여 기판 상에 n형의 3C형 SiC 단결정 박막을 성장시키고, 1 시간의 성장으로 0.5∼3 ㎛의 박막을 얻는 것이 제안되어 있지만(일본국 특허 공고 평3-43240호 공보), 이 수법에서는 1 시간의 성장에 의한 막 두께가 0.5∼3 ㎛로서 성장 속도가 매우 느려, 예컨대 가열 장치의 히터로서 실용할 수 있는 3 mm의 막 두께를 얻기 위해서는 최고속 하에 1000 시간(3 mm/3(㎛/시간))을 요하기 때문에 생산성 면에서 문제가 있다.
또한, 제3족의 원소를 포함하는 다결정 CVD-SiC, 제5족의 원소를 포함하는 다결정 CVD-SiC도 제안되고(일본국 특허 공개 평3-252307호 공보), 이들 원소를 첨가함으로써 CVD-SiC의 열팽창율, 비저항, 열전도율 등의 특성을 변화시켜, 사용 목적에 따른 특성치를 얻는 것이 시도되고 있고, 제5족의 원소, N을 첨가한 경우의 비저항의 변화도 제시되어 있지만, 반도체 제조 장치용 히터로서 사용하기 위해서는 반드시 만족할 만한 것이 아니다.
본 발명은 특히 반도체 제조 장치용의 기재로서 적용되는 SiC 성형체에 있어서의 상기 문제점을 해소하기 위해서, 반응실에 도입되는 각 가스의 농도의 비율, 가스의 체류 시간 등, 반응 조건과 성막되는 SiC 성형체의 제반 특성, 성막 속도의 관계에 대해서 다각적으로 실험, 검토를 가한 결과로서 이루어진 것으로, 그 목적은 CVD-SiC에서 얻어지는 우수한 치밀성, 고순도 및 기타 특성 이외에도, 저항율 및 광 투과율이 낮아, 반도체 제조 장치용 기재로서 적합하게 사용할 수 있는 n형SiC 성형체 및 상기 SiC 성형체를 높은 생산성을 갖는 개선된 성막 속도로 얻을 수 있는 SiC 성형체의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.
도 1은 본 발명을 실시하기 위한 CVD 반응 장치의 일례를 도시한 개략도이다.
도 2는 본 발명에 의한 SiC 성형체의 R-T 곡선의 예를 도시하는 그래프이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1항에 의한 SiC 성형체는, 원료 가스와 함께 질소 가스를 이용하여 CVD법에 의해 제조되는 SiC 성형체로서, 비중이 3.15 이상, 광 투과율이 1.1∼0.05%, 저항율이 3 ×10-3∼10-5Ωm인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2항에 의한 SiC 성형체의 제조 방법은, 반응실 내에 원료 가스, 캐리어 가스와 함께 질소 가스를 도입하여 CVD법에 의해 기재의 표면에 SiC를 성막한 후, 기재를 제거하여 SiC 성형체를 제조하는 방법에 있어서, 기재를 설치한 CVD 반응실 내에 도입하는 원료 가스의 농도(원료 가스 유량(ℓ/분)/캐리어 가스 유량(ℓ/분))를 5∼15 부피%, 질소 가스의 농도(질소 가스 유량(ℓ/분)/원료 가스 유량(ℓ/분))를 10∼120 부피%로 하는 동시에, 하기에 규정되는 원료 가스의 체류 시간을 7∼110초로 제어하고, 성막 속도를 20∼400 ㎛/시간으로 하는 것을 특징으로 한다. 단, 원료 가스의 체류 시간(초) = {(반응실의 반응 유효 용적(ℓ))/(원료 가스 유량(ℓ/분))} ×{(273 + 20)/(273 + 반응 온도(℃))} ×60
본 발명에 의한 SiC 성형체의 제조는 반응실 내에 원료 가스, 캐리어 가스와 함께 질소 가스를 도입하여 CVD법에 의해 기재의 표면에 SiC를 성막한 후, 기재를 제거하여 SiC 성형체를 제조하는 방법을 전제로 한다.
이 방법을 실시하기 위한 장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 반응실(반응 용기)의 내부 또는 외부에, 반응실을 가열하기 위한 고주파 코일 등으로 이루어지는 가열 장치(도시하지 않음)를 배치하고, 반응실에 원료 가스 및 도핑용의 질소 가스를 도입하기 위한 가스 도입관을 배관하며, 반응실 내를 배기하기 위한 배기구를 설치한다.
캐리어 가스인 수소(H2) 가스가 원료 탱크 내에 수용된 원료액을 버블링한 결과로서 생성된 원료 가스와 캐리어 가스의 혼합 가스는 혼합기에 도입되고, 도핑용의 질소(N2) 가스도 동시에 혼합기에 도입된다. 혼합기에서 혼합된 원료 가스, 캐리어 가스 및 질소 가스의 혼합 가스는 가스 도입관을 통해 반응실에 도입되고, 반응실 내에 설치되어 소정 온도로 가열된 기재의 표면에, 화학 기상 증착(CVD)에 의해 SiC를 석출시켜 성막한다.
원료 가스로서는 메틸트리클로로실란(MTS)(SiCH3Cl3), SiHCl3, SiH4등의 실란계 가스, 탄화수소 가스가 사용되고, 캐리어 가스로서는 수소 가스 또는 아르곤 가스가 사용된다. 수소 가스와 아르곤 가스를 병용할 수도 있다. 도핑용의 질소 가스로서는 순도 99.99% 이상으로 산소 함유량이 5 ppm 이하인 성상의 것이 적용된다. 또한, 기재로서는 흑연재가 적합하게 사용된다.
본 발명에 있어서는 이 경우, 반응실에 도입하는 원료 가스의 농도(원료 가스 유량(ℓ/분)/캐리어 가스 유량(ℓ/분))를 5∼15 부피%, 질소 가스의 농도(질소 가스 유량(ℓ/분)/원료 가스 유량(ℓ/분))를 10∼120 부피%로 하고, 원료 가스의 체류 시간을 7∼110초로 제어하는 것을 특징으로 한다. 단, 원료 가스의 체류시간(초) = {(반응실의 반응 유효 용적(ℓ))/(원료 가스 유량(ℓ/분))} ×{(273 + 20)/(273 + 반응 온도(℃))} ×60이다.
기재로서는 불순물이 20 ppm 이하, 열팽창 계수가 3.0∼4.5 ×10-6/℃, 부피 비중이 1.75∼1.85인 흑연재를 사용하는 것이 바람직하고, 기재의 온도는 1100∼1500℃로 조정한다.
상기 반응 조건의 조합에 의해서, 성막 속도를 20∼400 ㎛/시간으로 할 수 있고, 제1항에 기재되는 특성, 즉 비중이 3.15 이상, 광 투과율이 1.1∼0.05%, 저항율이 3 ×10-3∼10-5Ωm이면서, 질소, 탄소, 규소(Si) 이외의 불순물 농도가 150 ppb 이하인 n형 반도체의 성질을 갖는 치밀하고 고순도의 질소 도핑 CVD-SiC막이 기재의 표면에 성막된다.
상기 반응 조건을 벗어난 경우에는 본 발명의 제반 특성을 갖는 SiC막을 얻을 수 없지만, 특히 원료 가스의 체류 시간이 7초 미만이면, SiC의 비중이 저하되어 치밀성을 잃고, 불순물 가스를 흡수하기 쉽게 되어 내산화성, 내식성이 저하된다. 체류 시간이 110초를 넘으면 성막 속도가 늦어진다.
또한, 질소 가스의 농도가 10 부피% 미만이면 저항율이 높아지고, 광 투과율도 높아져 광 투과성의 것으로 된다. 120 부피%를 넘으면, SiC의 치밀성이 손상되고, 성막되는 SiC의 막 두께가 불균일하게 되기 쉽다.
성막 후, 기재 흑연의 외주부의 SiC막을 기계 가공이나 연삭에 의해서 제거하고, 또한 공기 산화, 기계 가공, 연삭 등의 방법으로 기재 흑연을 제거하여 SiC성형체를 얻는다. 얻어진 SiC 성형체는 필요에 따라서 가공을 실시하여, 각종 용도에 알맞은 형상이나 표면 형태로 마무리한다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예를 비교예와 대비하여 설명한다. 이들 실시예는 본 발명의 하나의 실시형태를 나타내는 것으로, 본 발명이 이것에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
도 1에 도시하는 CVD 반응 장치를 사용하여 CVD-SiC 성형체를 제조하였다. 반응 용기(반응실)에 가스를 도입하기 위한 노즐을 배치하고, 반응 용기 내에, 직경 8 인치, 두께 6 mm의 흑연 기재를 6장 설치하였다. 노즐의 방향은 원료 가스가 직접 기재에 닿지 않도록 하고, 가스가 반응 용기의 측면 및 상면에 닿고, 간접적으로 기재에 닿도록 조정하였다.
원료 가스로서는 메틸트리클로로실란(MTS), 캐리어 가스로서는 수소 가스를 사용하고, 원료 가스의 유량은 200 ℓ/분, 원료 가스의 농도는 7.5 부피%로 하였다. 또한, 질소 가스의 유량은 140 ℓ/분(질소 가스의 농도 : 70 부피%), 원료 가스의 체류 시간은 36.8초로 하고, 반응 온도 1400℃에서 75 시간 성막하였다. 성막 속도는 47 ㎛/hr였다.
반응 후, 흑연 기재를 제거하고, 두께 3.5 mm의 CVD-SiC 성형체(시험재)를 얻었다. 얻어진 SiC 성형체에 대해서, 외관으로 성막의 균일성을 관찰하고, 순도 분석을 하여 총 불순물 농도를 검출하고, 이하의 방법에 따라 저항율, 광 투과율을측정하여, 내열 충격 시험, 내식 시험, 질소 이탈 시험 및 1000℃ 히트 시험을 실행하였다.
저항율 측정 : SiC 성형체를 3 mm 두께로 평면 가공한 후, 4 mm×40 mm의 사이즈로 가공하여, 이 SiC 성형체에 대해서 고유 저항을 측정한다.
광 투과율 측정: SiC 성형체를 0.5 mm 두께로 평면 가공하고, 이 SiC 성형체에 대해서 시마즈세이사쿠쇼(주) 제조의 자기 분광 광도계(UV-3100PC)를 이용하여, 근적외(近赤外) 영역 500∼3000 nm에서 광 투과율을 측정한다.
내열 충격 시험 : SiC 성형체를 3 mm 두께로 평면 가공한 후, 직경 250 mm로 가공하고, 이 SiC 성형체를, 대기 중에서 500℃←→1200℃ 사이클 시험(1200℃의 노(爐) 내에 10분간 유지하고, 단숨에 노 밖으로 꺼내어 500℃까지 냉각하고, 재차 1200℃의 노 내에 투입함)을 20회(20 사이클) 행하여, 성형체에 크랙이 발생한 회수를 조사한다.
내식 시험 : SiC 성형체를 3 mm 두께로 평면 가공한 후, 4 mm ×40 mm의 사이즈로 가공하고, 이 SiC 성형체를, 농도 100%의 염화수소류(유량 : 5 ℓ/분) 중에 1200℃로 15 시간 유지시켜, 시험 전후의 중량 변화를 산출한다.
질소 이탈 시험(R-T 사이클 시험) : SiC 성형체를 3 mm 두께로 평면 가공한 후, 4 mm ×40 mm의 사이즈로 가공하고, 이 SiC 성형체를 불활성 분위기의 노 내에 설치하여, 저항율-가열 온도(R-T) 특성 평가를 100회 반복하고, R-T 곡선의 변화를 본다. 성형체 내에서 질소가 이탈하면, R-T 곡선이 사이클마다 변화한다.
1000℃ 히트 시험: SiC 성형체를 3 mm 두께로 평면 가공한 후, 직경 250 mm로 가공하고, 이 SiC 성형체로부터 면형 히터를 가공하여, 통전 가열에 의해 1000℃로 온도를 올려, 히터 전체의 온도 분포(각 점에서 1000℃의 온도에서 몇 ℃ 정도 벗어나 있는지)를 조사한다.
실시예 1에 따른 시험재에 관한 시험 결과를 이하에 나타낸다.
외관 관찰 : 성막은 균일하며, 요철은 보이지 않았다.
비중 : 3.20로 높은 값을 보였다.
순도 분석 : 총 불순물 농도는 105 ppb로 매우 적어 고순도였다.
저항율 측정 : 1.4 ×10-4Ωm로 낮은 값을 보였다.
광 투과율 측정 : 0.17%로 낮은 값을 보였다.
내열 충격 시험 : 크랙의 발생은 없고, 양호하였다.
내식 시험 : 중량 감소량은 1.69 중량%로 적었다.
질소 이탈 시험 : 저항율-가열 온도(R-T) 특성에 대해서, 1회째, 30회째, 100회째에 있어서의 R-T 곡선의 변화를 도 2에 도시한다. 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, R-T 곡선의 변화는 거의 없고, SiC 성형체로부터 질소의 이탈이 없는 것이 확인되었다. 도 2에 도시하는 정도의 R-T 곡선의 변화에 대해서는 변화 「없슴」이라고 표시한다.
1000℃ 히트 시험 : 각 점에 있어서의 온도 분포 변화는 ±0.1%이며, 거의 변화는 보이지 않았다.
실시예 2∼11
실시예 1과 동일한 CVD 반응 장치를 사용하여, 반응 조건을 표 1에 나타낸바와 같이 변경하여 CVD-SiC 성형체를 제조하였다. 성막 속도, 성막된 SiC막의 막 두께를 표 1에 나타낸다. 얻어진 성형체에 대해서, 실시예 1과 같은 방식의 측정, 시험을 행하였다. 결과를 표 2∼3에 나타낸다. 표 2∼3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 2∼9에 따른 각 시험재는 모두 실시예 1에 따른 시험재와 마찬가지로 고순도이며 우수한 특성을 보였다.
실시예 번호 반응온도(℃) 반응 시간(h) 원료 가스 질소 가스 SiC 성형체
유량(ℓ/분) 농도(부피%) 체류시간(초) 유량(ℓ/분) 농도(부피%) 막 두께(mm) 성막 속도(㎛/h)
2 1400 75 200 7.5 36.8 20 10 4.2 56
3 1400 75 200 7.5 36.8 60 30 3.7 49
4 1400 75 200 7.5 36.8 180 90 3.3 44
5 1400 75 200 7.5 36.8 240 120 3.0 40
6 1400 12 1000 7.5 7.4 700 70 4.7 392
7 1400 75 67 7.5 109.8 47 70 1.6 21
8 1400 75 200 5.0 36.8 140 70 2.5 33
9 1400 40 200 15.0 36.8 140 70 3.6 90
10 1500 75 200 7.5 34.7 140 70 4.8 64
11 1150 75 200 7.5 43.3 140 70 1.8 24
실시예번호 외관관찰 총 불순물 농도(ppb) 저항율(x 10-4Ωm) 광투과율(%) 내열 충격 시험(크랙이 발생한 회수)(회) 내식 시험(중량 감소량)(중량%) 비중
2 양호 92 30 1.05 크랙 없슴 1.67 3.20
3 양호 104 10 0.40 크랙 없슴 1.68 3.20
4 양호 98 1.1 0.15 크랙 없슴 1.80 3.19
5 양호 100 0.8 0.13 크랙 없슴 1.70 3.17
6 양호 138 1.1 0.05 크랙 없슴 2.40 3.15
7 양호 96 1.7 0.21 크랙 없슴 1.65 3.20
8 양호 99 1.5 0.24 크랙 없슴 1.72 3.20
9 양호 110 1.2 0.16 크랙 없슴 1.83 3.18
10 양호 96 1.7 0.21 크랙 없슴 1.65 3.17
11 양호 138 1.1 0.09 크랙 없슴 2.40 3.19
<주> 내열 충격 시험: 실시예 6 내지 7의 시험재의 두께는 1.5 mm임
실시예 번호 질소 이탈 시험(R-T 곡선 변화) 1000℃ 히트 시험(각 점의 온도 분포 ±%)
2 없음 0.3
3 없음 0.2
4 없음 0.1
5 없음 0.1
6 없음 0.1
7 없음 0.1
8 없음 0.1
9 없음 0.2
10 없음 0.1
11 없음 0.1
비교예 1∼8
실시예 1과 동일한 CVD 반응 장치를 사용하고, 반응 조건을 표 4에 나타낸 바와 같이 변경하여 CVD-SiC 성형체를 제조하였다. 성막 속도, 성막된 SiC막의 막 두께를 표 4에 나타낸다. 또한, 비교예 7의 시험재는 반응 소결법에 의해 제작하고(치수 : 직경 8 인치 ×두께 0.5 mm 및 3 mm), 비교예 8의 시험재는 반응 소결법에 의해 제작한 직경 8 인치×두께 0.5 mm 및 3 mm의 SiC 성형체에, 1400℃에서 CVD법에 의해 두께 약 100 ㎛의 SiC막을 성막한 것이다. 얻어진 성형체에 대해서 실시예 1과 같은 식의 측정, 시험을 행하였다. 결과는 표 5∼6에 나타낸다.
비교예 번호 반응온도(℃) 반응시간(h) 원료 가스 질소 가스 SiC 성형체
유량(ℓ/분) 농도(부피%) 체류시간(초) 유량(ℓ/분) 농도(부피%) 막 두께(mm) 성막속도(㎛/h)
1 1400 75 200 7.5 36.8 10 5 4.2 56
2 1400 75 200 7.5 36.8 260 130 2.8 37
3 1400 10 1200 7.5 6.1 840 70 4.6 460
4 1400 100 60 7.5 122.6 42 70 1.6 16
5 1400 75 200 4.0 36.8 140 70 2.2 29
6 1400 35 200 17.0 36.8 140 70 3.6 103
7 -- -- -- -- -- -- -- -- --
8 1400 2.5 200 7.5 36.8 0 -- 0.1 40
비교예 번호 외관관찰 총 불순물 농도(ppb) 저항율(x 10-4Ωm) 광투과율(%) 내열 충격 시험(크랙이 발생한 회수)(회) 내식 시험(중량 감소량)(중량%) 비중
1 양호 103 100 2.3 크랙 없슴 1.72 3.20
2 요철 있슴 143 0.8 0.05 3 1.59 3.12
3 요철 있슴 380 0.9 0.14 2 2.99 3.13
4 양호 108 1.9 0.25 크랙 없슴 1.58 3.20
5 양호 94 1.8 0.27 크랙 없슴 1.60 3.20
6 요철 있슴 139 1.3 0.20 5 2.81 3.12
7 요철 있슴 4000 1 0.05 2 6.88 3.10
8 요철 있슴 143 1 0.05 4(막 이탈) 1.94 3.10
<주> 내충격 시험: 비교예 2, 4, 5의 시험재 두께는 1.5 mm임
비교예 번호 질소 이탈 시험(R-T 곡선 변화) 1000℃ 히트 시험(각 점의 온도 분포 ±%)
1 없음 1.0
2 없음 1.1
3 약간 있음 0.7
4 없음 0.2
5 없음 0.4
6 약간 있음 0.6
7 없음 1.2
8 없음 1.0
표 5∼6에 나타낸 바와 같이, 비교예 1은 질소 가스의 농도가 낮기 때문에, 저항율이 높아 통전 가열시의 균열성이 불량하다. 비교예 2는 질소 가스의 농도가 높기 때문에, 성막시의 막 두께가 불균일하고 요철이 확인되며, 내열 충격성, 통전 가열시의 균열성이 불량하다. 비교예 3은 원료 가스의 체류 시간이 짧고, 비교예 6은 원료 가스의 농도가 높기 때문에, 모두 성막시의 막 두께가 불균일하고 요철이 확인되며, 내열 충격성, 통전 가열시의 균열성이 불량하다.
비교예 4는 원료 가스의 체류 시간이 길고, 비교예 5는 원료 가스의 농도가 낮기 때문에, 모두 성막 속도가 느리다. 비교예 7은 반응 소결법에 의해 제작된 것으로, 두께가 불균일하고 요철이 확인되며, 내열 충격성, 내식성, 통전 가열시의 균열성이 불량하다. 비교예 8은 반응 소결법에 의해 제작된 SiC 성형체 상에 CVD-SiC를 성막한 것으로, 두께가 불균일하고 요철이 확인되며, 내열 충격성, 통전 가열시의 균열성이 불량하다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면, CVD-SiC에서 얻어지는 우수한 치밀성, 고순도 및 기타 특성 이외에도, 저항율 및 광 투과율이 낮아, 반도체 제조 장치용 기재로서 적합하게 사용할 수 있는 고순도의 β형 결정으로 이루어지는 질소 도핑 n형 SiC 성형체 및 이 SiC 성형체를 높은 생산성을 갖는 개선된 성막 속도로 얻을 수 있는 SiC 성형체의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 의한 SiC 성형체는 질소, 탄소, 규소 이외의 불순물 농도가 150 ppb 이하의 고순도이며, 승온(昇溫) 및 강온(降溫)을 반복하더라도 질소의 이탈이 없어, 히터로서 사용한 경우 열 싸이클성이 매우 우수하다.

Claims (2)

  1. 원료 가스와 함께 질소 가스를 사용하여 CVD법에 의해 제조되는 SiC 성형체로서, 비중이 3.15 이상, 광 투과율이 1.1∼0.05%, 저항율이 3 ×10-3∼10-5Ωm인 것을 특징으로 하는 SiC 성형체.
  2. 반응실 내에 원료 가스, 캐리어 가스와 함께 질소 가스를 도입하여 CVD법에 의해 기재의 표면에 SiC를 성막한 후, 기재를 제거하여 SiC 성형체를 제조하는 방법에 있어서, 기재를 설치한 CVD 반응실 내에 도입하는 원료 가스의 농도(원료 가스 유량(ℓ/분)/캐리어 가스 유량(ℓ/분))를 5∼15 부피%, 질소 가스의 농도(질소 가스 유량(ℓ/분)/원료 가스 유량(ℓ/분))를 10∼120 부피%로 하는 동시에, 이하에 규정되는 원료 가스의 체류 시간을 7∼110초로 제어하고, 성막 속도를 20∼400 ㎛/시간으로 하는 것을 특징으로 하는 SiC 성형체의 제조 방법:
    원료 가스의 체류 시간(초) = {(반응실의 반응 유효 용적(ℓ))/(원료 가스 유량(ℓ/분))} ×{(273 + 20)/(273 + 반응 온도(℃))}×60
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190042537A (ko) 2017-06-02 2019-04-24 (주) 디에스테크노 식각 특성이 향상된 화학기상증착 실리콘 카바이드 벌크
US11859309B2 (en) 2018-06-01 2024-01-02 Ds Techno Co., Ltd. Chemical-vapor-deposition silicon carbide bulk having improved etching characteristic

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6939821B2 (en) * 2000-02-24 2005-09-06 Shipley Company, L.L.C. Low resistivity silicon carbide
US7018947B2 (en) * 2000-02-24 2006-03-28 Shipley Company, L.L.C. Low resistivity silicon carbide
KR101139910B1 (ko) 2009-09-09 2012-04-30 주식회사 티씨케이 실리콘 카바이드 복합체 및 그 제조방법
JP5153826B2 (ja) * 2010-05-17 2013-02-27 日本ピラー工業株式会社 超純水用の炭化珪素質摺動部材
EP2648181B1 (en) 2010-12-01 2017-07-26 YAMAHA Corporation Musical data retrieval on the basis of rhythm pattern similarity
JP5896297B2 (ja) * 2012-08-01 2016-03-30 東海カーボン株式会社 ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体およびＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の製造方法
KR101817217B1 (ko) * 2015-11-17 2018-01-12 세메스 주식회사 척핀, 척핀 제조 방법 및 기판 처리 장치
US11320388B2 (en) * 2016-08-31 2022-05-03 Showa Denko K.K. SiC epitaxial wafer containing large pit defects with a surface density of 0.5 defects/CM2 or less, and production method therefor
WO2018043171A1 (ja) 2016-08-31 2018-03-08 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びに、欠陥識別方法
JP6889133B2 (ja) * 2018-08-31 2021-06-18 株式会社フェローテックホールディングス 熱伝導異方性ＳｉＣ材
KR102096787B1 (ko) 2019-06-11 2020-04-03 주식회사 바이테크 다층 구조의 다결정 탄화규소 성형체의 제조방법
KR102188258B1 (ko) 2020-04-27 2020-12-09 주식회사 바이테크 일체형 다층 구조의 다결정 탄화규소 성형체 제조방법과 다결정 탄화규소 성형체 및 플라즈마 공정장비용 샤워헤드
EP4001475A1 (en) 2020-11-19 2022-05-25 Zadient Technologies SAS Improved furnace apparatus for crystal production
US11827999B2 (en) * 2021-01-12 2023-11-28 Applied Materials, Inc. Methods of forming silicon carbide coated base substrates at multiple temperatures
CN117790844B (zh) * 2024-02-27 2024-05-24 氢质氢离(北京)氢能科技有限公司 燃料电池发动机氢腔氮气浓度控制策略及试验标定方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3859399A (en) * 1971-04-19 1975-01-07 Carborundum Co Dense composite ceramic bodies and method for their production
JPS60255697A (ja) * 1984-05-31 1985-12-17 Sharp Corp 炭化珪素単結晶の不純物濃度制御方法
US4701427A (en) * 1985-10-17 1987-10-20 Stemcor Corporation Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity
US4772498A (en) * 1986-11-20 1988-09-20 Air Products And Chemicals, Inc. Silicon carbide capillaries
US5313078A (en) * 1991-12-04 1994-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Multi-layer silicon carbide light emitting diode having a PN junction
US5656098A (en) * 1992-03-03 1997-08-12 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic conversion device and method for producing same
US5801073A (en) * 1995-05-25 1998-09-01 Charles Stark Draper Laboratory Net-shape ceramic processing for electronic devices and packages
EP0962919A1 (en) * 1997-02-10 1999-12-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Magnetic recording medium
JP3432401B2 (ja) 1997-10-24 2003-08-04 株式会社沖データ 画像記録装置
JP4043003B2 (ja) * 1998-02-09 2008-02-06 東海カーボン株式会社 ＳｉＣ成形体及びその製造方法
CA2339649C (en) * 1998-08-07 2008-08-05 Bridgestone Corporation Silicon carbide sinter and process for producing the same
JP2000239827A (ja) * 1998-12-22 2000-09-05 Bridgestone Corp 積層構造体及びその製造方法
EP1043420A1 (en) * 1999-04-07 2000-10-11 Ngk Insulators, Ltd. Silicon carbide body
US7018947B2 (en) * 2000-02-24 2006-03-28 Shipley Company, L.L.C. Low resistivity silicon carbide

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190042537A (ko) 2017-06-02 2019-04-24 (주) 디에스테크노 식각 특성이 향상된 화학기상증착 실리콘 카바이드 벌크
KR20190043509A (ko) 2017-06-02 2019-04-26 (주) 디에스테크노 식각 특성이 향상된 화학기상증착 실리콘 카바이드 벌크
US11859309B2 (en) 2018-06-01 2024-01-02 Ds Techno Co., Ltd. Chemical-vapor-deposition silicon carbide bulk having improved etching characteristic

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