KR20020000719A - 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 및 이를 이용한 통신장치 - Google Patents

종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 및 이를 이용한 통신장치 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 밸런스-언밸런스 변환 기능을 가진 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터는 향상된 진폭 밸런스 및 위상 밸런스를 달성한다. 탄성 표면파 필터는 제1, 제2 및 제3 IDT를 포함한다. 제2 IDT는 3개의 IDT의 중앙에 위치하게 되고 짝수의 전극 핑거를 갖는다. 제2 IDT에 인접한 제1 IDT의 전극 핑거의 극성은 제2 IDT에 인접한 제3 IDT의 전극 핑거의 극성과 반대이다.

Description

종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 및 이를 이용한 통신 장치{Longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter and communication apparatus incorporating the same}
본 발명은 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 밸런스-언밸런스 변환 기능을 갖는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에 관한 것이다.
최근에, 이동 전화의 크기 및 중량이 상당히 줄어들게 됐다. 이런 추세와 더불어, 이동 전화에 이용된 부품들의 수 및 크기도 또한 줄어들면서, 이런 부품들이 더욱 더 다기능화되고 있다.
상기 기술된 것들을 고려하여, 다양한 종류의 이동 전화가 제공되어 왔다. 이런 이동 전화에 있어서, 밸런스-언밸런스 변환 기능 소위, 바룬(balun) 기능을 갖는 탄성 표면파 필터들이 상기 전화들의 RF 단에 편성되어 있다.
도 22는 밸런스-언밸런스 변환 기능을 갖는 종래 탄성 표면파 필터의 전극 구조를 도시하는 개략적인 평면도이다.
이 필터에 있어서, 제1, 제2 및 제3 IDT(101, 102, 및 103)는 탄성 표면파 전파 방향에 배치된다. 반사기(104 및 105)는 상기 IDT(101, 102, 및 103)가 배치된 영역에서 상기 탄성 표면파 전파 방향의 각 측면에 배치된다. 상기 IDT(101, 102, 및 103) 각각의 전극 핑거 피치에 의해 결정되는 파장이 λI인 경우, 상기 IDT(101 및 102)의 상호 인접한 전극 핑거들의 중심간 거리 및 상기 IDT(102 및 103)의 상호 인접한 전극 핑거의 중심간 거리 둘 다 0.75λI이다. 상기 IDT(102)의 끝단의 전극 핑거(102 및 103)의 폭을 증가시켜, 상기 IDT들 사이의 공간을 줄인다. 결과적으로, 벌크파의 방사로 인한 손실이 감소된다. 도 22에서, 단자(106 및 107)는 밸런스 신호 단자이고, 단자(108)는 언밸런스 신호 단자이다.
밸런스-언밸런스 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 필터에 있어서, 언밸런스 신호 단자(108) 및 밸런스 신호 단자(106)간 그리고 언밸런스 신호 단자(108) 및 밸런스 신호 단자(107)간 통과 대역의 전파 특성에 관해, 진폭 특성이 동일해야 하고 전파 신호가 서로에 대해 180°위상차가 나야 한다. 상기 진폭 특성이 동일하다는 조건을 진폭 밸런스라고 하고 상기 전파 신호들이 서로에 대해 180°위상차인 정도를 위상 밸런스라고 한다.
상기 진폭 밸런스 및 상기 위상 밸런스는 밸런스-언밸런스 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 필터가 3개의 포트 가령, 언밸런스 입력 단자를 포트 1로 그리고 밸런스 출력 단자를 포트 2 및 3으로 갖는 장치로 간주하는 경우에 다음과 같이 정의된다.
진폭 밸런스 = |A|.
A = |20log S21| - |20log S31|.
위상 밸런스 = |B-180|.
B = |∠21 - ∠S31|.
여기에서, S21은 포트 1로부터 포트 2로의 전달 계수이고 S31은 포트 1로부터 포트 3으로의 전달 계수이다.
이상적으로는, 필터의 통과 대역에 있어서, 진폭 밸런스는 0 dB이어야 하고 위상 밸런스는 0°이어야 한다. 그러나, 도 22에 도시된 구조를 이용하여, 밸런스-언밸런스 변환 기능을 갖는 필터를 얻고자 하는 경우, IDT(102)는 홀수의 전극 핑거를 갖기 때문에, 밸런스 신호 단자(106)에 연결된 전극 핑거의 수는 밸런스 신호 단자(107)에 연결된 전극 핑거의 수보다 1개 더 증가한다. 결과적으로, 밸런스 정도가 악화된다는 점에서 문제가 있다. 필터의 중심 주파수를 높이면 높일 수록, 그 악화가 더욱 두드러진다. 따라서, DCS 필터 및 PCS 필터처럼, 중앙 주파수가 거의 1.9㎓인 필터에 있어서는 충분한 밸런스를 얻을 수 없다.
상기 기술된 문제점들을 극복하기 위해, 본 발명의 바람직한 실시형태들은 진폭 밸런스 및 위상 밸런스가 대폭 개선된 밸런스-언밸런스 변환 기능을 갖는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 제공한다. 게다가, 본 발명의 바람직한 실시형태들은 이런 신규한 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 포함하는 통신 장치를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 밸런스-언밸런스 변환 기능을 갖는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터는 압전기판, 및 상기 압전기판상에 탄성 표면파 전파 방향에 배치된 제1, 제2, 및 제3 IDT를 포함하고, 상기 제2 IDT는 상기 제1및 제3 IDT 사이에 위치하고 짝수의 전극 핑거를 갖는다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 밸런스-언밸런스 변환 기능을 가진 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터는 서로 종결합되고 또한 각각 압전기판 및 상기 압전기판상에 탄성 표면파 전파 방향에 배치된 제1, 제2 및 제3 IDT를 각각 갖는 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터; 상기 제1단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제2 IDT의 일단에 연결된 언밸런스 신호 단자; 상기 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제2 IDT의 일단에 연결된 제1 밸런스 신호 단자; 상기 제2단 필터의 상기 제2 IDT의 타단에 연결된 제2 밸런스 신호 단자; 상기 제1단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제1 IDT의 일단과 상기 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제1 IDT의 일단을 연결하는 제1 신호 라인; 및 상기 제1단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제3 IDT의 일단과 상기 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제3 IDT의 일단을 연결하는 제2 신호 라인을 포함한다. 이 필터에서, 상기 제1 신호 라인을 통해 전파하는 전기 신호가 상기 제2 신호 라인을 통해 전파하는 전기 신호와 180°위상차가 난다.
본 발명의 이 바람직한 실시형태에 따른 상기 필터에 있어서, 상기 제1단 필터 및 상기 제2단 필터중 적어도 한 필터의 제2 IDT는 짝수의 전극 핑거를 가질 수 있다.
본 발명의 제3 바람직한 실시형태에 따르면, 통신 장치는 본 발명의 상기 기술된 바람직한 실시형태에 따른 상기 종결합 탄성 표면파 필터를 포함한다.
본 발명의 상기 및 기타 요소, 특성, 특징 및 이점들이 수반하는 도면을 참조한 이하의 본 발명의 바람직한 실시형태들의 상세한 설명으로부터 분명해 질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 바람직한 실시형태의 요건으로 나타낸 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 전극 구조를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 바람직한 실시형태의 다른 요건으로 이용된 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 바람직한 실시형태 및 종래의 장치 각각에 대한 진폭 밸런스 및 주파수 특성간 관계를 도시한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 제1 바람직한 실시형태 및 종래의 장치 각각에 대한 위상 밸런스 및 주파수 특성간 관계를 도시한 그래프이다.
도 6은 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 본 발명의 제1 바람직한 실시형태의 제1 변형 실시예로 도시한 개략적인 평면도이다.
도 7은 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 본 발명의 제1 바람직한 실시형태의 제2 변형 실시예로 도시한 개략적인 평면도이다.
도 8은 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 본 발명의 제1 바람직한 실시형태의 제3 변형 실시예로 도시한 개략적인 평면도이다.
도 9는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 본 발명의 제1 바람직한 실시형태의 제4 변형 실시예로 도시한 개략적인 평면도이다.
도 10은 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 본 발명의 제1 바람직한 실시형태의 제5 변형 실시예로 도시한 개략적인 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제2 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 12는 탄성 표면파 필터를 본 발명의 제2 바람직한 실시형태의 변형 실시예로 도시한 개략적인 평면도이다.
도 13은 제2 바람직한 실시형태 및 종래의 장치 각각에 대한 진폭 밸런스 및 주파수 특성간 관계를 도시한 그래프이다.
도 14는 제2 바람직한 실시형태 및 종래의 장치 각각에 대한 위상 밸런스 및 주파수 특성간 관계를 도시한 그래프이다.
도 15는 본 발명의 제2 바람직한 실시형태와 비교하기 위해 마련된 종래의 필터를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 16은 본 발명의 제2 바람직한 실시형태의 다른 변형 실시예를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 17은 본 발명의 제3 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 18은 본 발명의 제3 바람직한 실시형태 및 종래의 장치 각각에 대해 위상 밸런스 및 주파수 특성간 관계를 도시한 그래프이다.
도 19는 본 발명의 제3 바람직한 실시형태 및 종래의 장치 각각에 대한 위상 밸런스 및 주파수 특성간 관계를 도시한 그래프이다.
도 20은 본 발명의 제4 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 21은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 포함하는 장치의 일예로서 통신 장치를 도시한 개략적인 블럭도이다.
도 22는 종래의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 도시하는 개략적인 평면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
60:통신 장치
61:안테나
62:듀플렉서
63, 66:믹서
64:탄성 표면파 필터
65:증폭기
100, 200:종결합 공진자형 탄성 표면파 필터
101~103, 201~203:제1~제3 IDT
104, 105, 204, 205:반사기
109, 110:인터디지털 전극
206, 207:전극 핑거
210:밸런스 신호 단자
212:언밸런스 신호 단자
도면들을 참조로 하여, 본 발명에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 바람직한 실시형태들을 기술함으로써 본 발명을 분명히 하겠다.
도 1은 본 발명의 제1 바람직한 실시예에 따라 바람직하게는 PCS 수신 필터로 이용되는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 도시한 개략적인 평면도이다. 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(200)에 있어서, 도 1에 도시된 전극 구조가 압전기판(200A)에 형성되어 있다. 40 ±5°Y-차단 X-전파 LiTaO3기판이 상기 압전기판(200A)으로 이용되는 것이 바람직하다.
상기 압전기판에, 제1, 제2 및 제3 IDT(201, 202, 및 203)가 탄성 표면파 전파 방향에 배치되어 있다. 반사기(204 및 205)는 IDT(201, 202, 및 203)가 배치된 영역의 좌우에 상기 탄성 표면파 전파 방향에 배치된다. IDT(201, 202, 및 203) 및 상기 반사기(204 및 205)는 알루미늄으로 만들어지는 것이 바람직하다.
다시 말해서, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(200)는 3개의 IDT를 갖는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터이다.
도 1에서, 도시를 간소화하기 위해, 전극의 수는 상기 장치에 실제로 포함될 전극의 수보다 적게 도시되어 있다.
IDT(202, 203)의 각각의 일단은 언밸런스 신호 단자(212)에 연결된다. IDT(202)의 일단은 밸런스 신호 단자(210)에 연결되고, 타단은 밸런스 신호 단자(211)에 연결된다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(200)에 대한 바람직한 실시형태의 한예의 세부적인 설계가 아래 제시된다.
전극 핑거 교차폭 W = 78.8 λI.
IDT(201 및 203) 각각의 전극 핑거의 수 = 24.
IDT(202)의 전극 핑거의 수 = 40.
IDT 파장 λI = 2.03㎛.
반사기(204 및 205) 각각의 파장λR = 2.05㎛.
반사기(204 및 205) 각각의 전극 핑거의 수 = 100.
IDT 간격 = 0.77λI. 이 경우에, IDT간 간격은 IDT의 상호 인접한 전극 핑거의 중심간 거리와 실질적으로 동일한 것이 바람직하다.
IDT-반사기 간격 = 0.55λR. IDT 및 반사기간 간격은 상기 IDT 및 상기 반사기의 상호 인접한 전극 핑거의 중심간 거리와 실질적으로 동일한 것이 바람직하다.
IDT 듀티 = 0.60.
반사기 듀티 = 0.60.
전극-막 두께 = 0.08λI.
게다가, 도 1에 도시된 바와 같이, IDT(202)의 각 측면에 있어서의 전극 핑거(206 및 207)의 폭이 그 나머지 전극 핑거의 폭보다 더 넓은 것이 바람직하다. 이렇게 배치하여, IDT간 간격의 공간이 줄어들게 된다.
본 발명의 제1 바람직한 실시형태의 특징에서는, 중앙에 배치된 IDT(202)의 전극 핑거의 총수는 짝수이고 IDT(202)에 인접한 IDT(203)의 전극 핑거(201a)가 배치되어 신호 전극을 구성하고, 반면에 IDT(202)에 인접한 IDT(203)의 전극 핑거(203a)가 배치되어 접지 전극을 구성하는 것이 바람직하다. 여기에 도시된 바와 같이, 오른쪽 IDT(202) 및 왼쪽 IDT(203)의 전극 핑거중에, 중앙 제2 IDT(202)에 인접한 전극 핑거(201a 및 203a)는 반대 극성을 갖는다. 이에 대한 이유는 도 2 및 3을 참조로 하여 후술된다.
도 22에 도시된 종래의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(100)에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 중앙 IDT(102)의 전극 핑거중 하나가 제거되는 경우, 중앙 IDT(102A)의 전극 핑거의 수는 짝수가 된다. 한편, IDT(102A) 및 IDT(103)간 거리 A가 약 0.5λI만큼 증가하기 때문에, 벌크파의 방사로 인한 손실이 증가하게 된다.
따라서, 도 3에 도시된 바와 같이, IDT(102A)로 향해 제3 IDT(103)가 약 0.5λI만큼 천이하게 되는 구조를 생각할 수 있다. 그러나, 도 3에 도시된 구조에서는 IDT(101) 및 IDT(103)가 서로 180°의 위상차가 난다.
그러므로, 본 발명의 이런 바람직한 실시형태에서, 도 1에 도시된 바와 같이, IDT(201)가 IDT(203)로부터 반전되게 함으로써, IDT(201) 및 IDT(203)가 서로 동위상에 있게 된다.
도 4는 본 발명의 제1 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에서 진폭 밸런스 및 주파수간 관계를 도시하는 그래프이다. 도 5는 상기 동일한 필터에서 위상 밸런스 및 주파수간 관계를 도시하는 그래프이다. 도 4 및 5에서, 실선은 본 발명의 제1 바람직한 실시형태의 결과를 나타낸다. 게다가, 비교를 위해 도 4 및 5에서, 점선은 도 22에 도시된 종래 필터의 특성을 나타낸다.
이 경우에, 종래 필터에서 중앙 IDT의 전극 핑거중 하나가 제거되는 것을 제외하고는 종래 필터는 제1 바람직한 실시형태의 필터와 동일한 세부적인 설계를 갖는다.
PCS 수신 필터에 이용되는 통과-대역 주파수 범위는 약 1930㎒내지 약 1990㎒사이이다. 도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 주파수 대역 범위에서, 최대 진폭 밸런스가 종래의 필터에서 3.2dB인데 반하여, 본 발명의 제1 바람직한 실시형태에서는 약 2.7dB이다. 즉, 본 발명의 제1 바람직한 실시형태에서 약 0.5dB만큼이나 진폭 밸런스가 개선된다. 더욱이, 도 5에 도시된 바와 같이, 종래 필터에서의 최대 위상 밸런스가 21°인 반하여, 본 발명의 제1 바람직한 실시형태에서의 최대 위상 밸런스는 약 17°이다. 즉, 본 발명의 바람직한 실시형태에서는 위상 밸런스가 약 4°가 개선됨을 알 수 있다.
상기 기술된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 중앙 제2 IDT(202)의 전극 핑거의 총수는 짝수가 되고, 중앙 제2 IDT(202)에 인접한 제1 IDT(201)의 전극 핑거의 극성이 IDT(202)에 인접한 제3 IDT(203)의 전극 핑거의 극성과 반전된다. 따라서, 종래 필터와 비교해 볼 때, 본 발명의 제1 바람직한 실시형태는 진폭 밸런스 및 위상 밸런스는 둘다 크게 개선되는 밸런스-언밸런스 변환기능을 갖는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 제공함을 알 수 있다.
바람직한 실시형태는 40 ±5°의 Y-차단 X-전파 LiTaO3기판을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 본 발명에 이용된 기판은 상기 LiTaO3기판에 한정되지 않는다. 예를 들면, 64°내지 72° Y-차단 X-전파 LiNbO3기판 또는 41°Y-차단 X-전파 LiNbO3기판과 같이 다른 기판이 이용될 수 있다. 기타 적절한 기판이 이용될 수도 있다.
게다가, 본 발명의 제1 바람직한 실시형태에서, 밸런스 신호는 중앙 제2 IDT로부터 얻어진다. 그러나, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 밸런스 신호는 상기 중앙 IDT(202)의 각 측면의 상기 제1 IDT(201) 및 제3 IDT(203) 각각으로부터 얻어질 수 있다. 도 6에서, 단자(213 및 214)는 상기 제1 및 제3 IDT(201 및 203) 각각에 연결된 밸런스 신호 단자이고, 단자(215)는 중앙 제2 IDT(202)에 연결된 언밸런스 신호 단자이다.
도 7은 본 발명의 제1 바람직한 실시형태의 다른 변형 실시예의 전극 구조를 도시하는 개략적인 평면도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 탄성 표면파 공진자(216)는 제1 및 제3 IDT(201 및 203) 및 단자(212) 사이에 연결될 수 있다.
도 8은 본 발명의 제1 바람직한 실시형태의 다른 변형 실시예의 전극 구조를 도시하는 개략적인 평면도이다. 도 8에 도시된 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에서, 제1 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(200)는 2단 구조로 종연결된다.
게다가, 도 9는 본 발명의 제1 바람직한 실시형태의 다른 바람직한 실시예로서 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 도시하는 개략적인 평면도이다. 도 9에서, 제1 바람직한 실시형태의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(200)는 홀수의 전극 핑거를 갖는 중앙 IDT(218)를 포함하는 3-IDT-형태의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에 종연결된다. 다시 말해서, 다단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에서, 적어도 단지 1단의 필터가 제1 바람직한 실시형태의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(200)로 구성된다 하더라도, 제1 바람직한 실시형태와 마찬가지로 크게 개선된 진폭 및 위상 밸런스를 이룰 수 있다.
도 10은 제1 바람직한 실시형태의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 다른 변형 실시예의 전극 구조를 도시하는 개략적인 평면도이다. 도 10에 도시된 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에서, 협피치 전극 핑거부(N1내지 N4)가 제1, 제2 및 제3 IDT(221, 222 및 223)에 배치된다. 구체적으로, IDT(221)에서, IDT(222)의 단부로부터 일부분의 전극 핑거 피치가 IDT(221)의 나머지 부분의 전극 핑거 피치보다 더 협소하도록 협피치 전극 핑거부(N1)가 배치된다. 마찬가지로, IDT(222)의 각 단부상에, 협피치 전극 핑거부(N2 및 N3)가 형성된다. 게다가, IDT(223)에서, IDT(222)에 인접한 측면상에, 협피치 전극 핑거부(N4)가 형성된다. 여기에 도시된 바와 같이, IDT가 서로 인접한 영역에서, 상대적으로 협소한 전극 핑거 피치를 갖는 협피치 전극 핑거부를 배치한다 하더라도, 제1 바람직한 실시형태와 같이 나머지 부분을 배치함으로써, 크게 개선된 진폭 및 위상 밸런스를 이룰 수 있다.
도 11은 본 발명의 제2 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 전극 구조를 도시하는 개략적인 평면도이다.
본 발명의 제2 바람직한 실시형태는 AMPS 수신 필터에 관한 것이다.
제1 바람직한 실시형태와 마찬가지로, 본 발명의 제2의 바람직한 실시형태의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(300)를 구성하기 위해, 도 11에 도시된 전극 구조가 40 ±5° Y-차단 X-전파 LiTaO3기판에 형성되는 것이 바람직하다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(300)에서, 제1 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(301) 및 제2 종결합 공진자 필터(302)는 서로 종연결된다. 제1 및 제2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(301 및 302)는 동일한 구조를 갖는 것이 바람직하다.
제1 바람직한 실시형태와 마찬가지로, 제1단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(301)는 탄성 표면파 전파 방향에 배치된 제1, 제2 및 제3 IDT(303, 304 및 305) 및 반사기(306 및 307)를 포함하고, 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(302)는 탄성 표면파 전파 방향으로 제1, 제2 및 제3 IDT(308, 309 및 310) 및 반사기(311 및 312)를 포함한다. 반사기(306, 307, 311, 및 312)는 필터(301 및 302)의 IDT가 배치된 영역의 오른쪽 및 왼쪽 측면에 배치된다. 제1 종결합 탄성 표면파 필터(301)의 제1 및 제3 IDT(303 및 305) 각각의 일단이 제1 및 제2 신호선(316 및 317)을 거쳐 제2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(302)의 제1 및 제2 IDT(308 및 310) 각각의 일단에 연결된다. IDT(304)의 일단은 단자(313)에 연결된다. IDT(309)의 일단은 단자(314)에 연결되고 그 타단은 단자(315)에 연결된다. IDT(303, 304, 및 305, 그리고 308, 309 및 310)의 나머지 단부가 접지 전위에 연결된다.
단자(314 및 315)는 밸런스 신호 단자이다. 단자(313)는 언밸런스 신호 단자이다. 필터(300)의 한 예의 세부적인 설계가 이하 기술된다.
전극 핑거 교차폭 W = 49.0λI.
제1 IDT(303 및 308)의 전극 핑거의 수 = 24.
제2 IDT(304 및 309)의 전극 핑거의 수 = 34.
제3 IDT(305 및 310)의 전극 핑거의 수 = 25.
IDT 파장 λI = 4.49㎛.
반사기 파장 λI = 4.64㎛.
반사기 전극 핑거의 수 = 120.
IDT 간격 = 0.79λI.
IDT-반사기 간격 = 0.47λR.
반사기 듀티 = 0.55.
전극 막 두께 = 0.08λI.
본 발명의 이 바람직한 실시형태에서는, 인접한 IDT간의 공간을 줄이기 위해 중앙 제2 IDT(304 및 309)의 각 단부상의 전극 핑거(304a, 304b, 309a, 및 309b)의 폭을 넓힌다.
이런 바람직한 실시형태에서, IDT(304 및 309) 각각의 전극 핑거의 수는 제1 바람직한 실시형태의 경우와 같이 짝수인 것이 바람직하다. 게다가, IDT(304)에인접한 IDT(303 및 305)의 전극 핑거(303a 및 305a) 및 IDT(309)에 인접한 IDT(308 및 310)의 전극 핑거(308a 및 310a)는 접지 전극을 정의하기 위해 배치된다.
제1 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(301)에서, IDT(303 및 305)는 IDT(304)와 180°위상차가 난다. 따라서, IDT(303 및 305)를 병렬로 연결하여 1단 필터를 형성하는 경우, 필터 특성을 얻을 수 없다. 그러나, 동시에, 제2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(302)에서, IDT(308 및 310)도 또한 IDT(309)와 180°위상차가 난다. 결과적으로, IDT(308 및 310)로부터 IDT(309)로 전파되는 표면파가 서로 동위상에 있기 때문에, 제1 및 제2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(301 및 302)를 연결함으로써 필터 특성을 얻을 수 있다. 다시 말해서, 제1 신호선을 통해 전파하는 전기 신호가 제2 신호선(317)을 통해 전파하는 전기 신호와의 위상이 180°차가 난다.
도 13은 본 발명의 제2 바람직한 실시형태에서 진폭 밸런스 및 주파수간 관계이다. 도 14는 위상 밸런스 및 주파수간 관계를 나타낸다. 도 13 및 도 14에서, 실선은 제2 바람직한 실시형태의 결과를 나타내고 점선은 도 15에 도시된 종래 장치의 결과를 나타내며, 이것은 비교하기 위해 마련된 것이다.
도 15에 도시된 종래 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(401)에서, 제1 IDT의 전극 핑거의 수가 24인 것이 바람직하고, 제2 IDT의 전극 핑거의 수가 35인 것이 바람직하며, 그리고 제3의 IDT의 전극 핑거의 수가 24인 것이 바람직하는 것을 제외하면, 제1, 제2 및 제3 IDT(402, 403 및 404)의 전극 핑거의 수는 제2 바람직한 실시형태의 수와 동일한 것이 바람직하다.
AMPS 수신 필터의 통과-대역 주파수 범위는 대략 860㎒ 내지 대략 894㎒사이이다.
상기 주파수 범위에서, 종래 필터에서 최대 진폭 밸런스는 1.9dB인데 반하여, 본 발명의 제2 바람직한 실시형태에서는 약 0.9dB이다. 따라서, 제2 바람직한 실시형태에서 진폭 밸런스가 약 1.0dB 만큼 개선되어 있음을 알 수 있다.
게다가, 종래 필터에서 최대 위상 밸런스가 17°인 반면에, 제2 바람직한 실시형태에서는 약 8°이다. 본 발명의 제2 바람직한 실시형태에서 위상 밸런스는 약 9°만큼 개선된다.
전술된 바와 같이, 진폭 및 위상 밸런스가 개선된 이유는 다음과 같다. 제2 IDT는 짝수의 전극 핑거를 가지며 상기 제1 신호선(316)을 통해 전파하는 전기 신호가 상기 제2의 신호선(317)을 통해 전파하는 전기 신호와 180°의 위상차가 난다. 결과적으로, 중앙 제2 IDT에 인접한 제1 및 제3 IDT의 전극 핑거 둘 다 배치하여 접지 전극을 구성하고, 단자(315)에 연결된 전극 핑거(309a) 및 IDT(308)의 전극 신호 핑거(308b)간 거리 B(도 11에 도시됨)가 단자(314)에 연결된 전극 핑거(309b) 및 IDT(310)의 신호 전극 핑거(310b)간 거리 C(도 11에 도시됨)와 실질적으로 동일하다. 대조적으로, 도 15에 도시된 종래 장치에서, 제2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에서 인접한 IDT 사이의 상기 도면에 명기한 전극 핑거간 거리 D 및 E는 약 0.5λI만큼의 차이가 난다.
제2 바람직한 실시형태에서, 제2 IDT에 인접한 오른쪽 제1 IDT 및 왼쪽 제3 IDT의 전극 핑거는 접지 전극이다. 그러나, 이들 전극 핑거가 신호 전극을 구성할때에도, 동일한 이점을 얻을 수 있다.
전술한 바와 같이, 제2 바람직한 실시형태에서, 짝수의 전극 핑거를 갖는 상기 제2 IDT를 포함하는 제1 및 제2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(301 및 302)는 2단의 구조로 종연결된다. 추가로, 제1 신호선(316)을 통해 전파하는 전기 신호는 상기 제2 신호선(317)을 통해 전파하는 전기 신호와 180°의 위상차가 난다. 이런 배치로, 중앙 제2 IDT의 전극 핑거의 극성이 상기 제2 IDT에 인접한 상기 제1 및 제3 IDT의 전극 핑거의 극성과 동일하다. 진폭 밸런스 및 위상 밸런스 둘 다 또한 크게 개선된다.
또한, 상기 제2 바람직한 실시형태에 관하여 도 11에 나타낸 구조에서, 도 10에 도시된 바와 같이, 2개의 IDT가 서로 인접하는 부분에 협피치 전극 핑거가 사용되는 경우, 개선된 밸런스를 나타내는 특성을 얻을 수 있다.
도 12는 본 발명의 제2 바람직한 실시형태의 변형 실시예를 도시하는 개략적인 평면도이다. 이 변형 실시예는 도 11에 도시된 배치에서 제1 및 제2 탄성 표면파 필터(301 및 302)가 도 12의 축 Z에 대해 대칭이라는 점에서 제2 실시형태와 다르다. 그러나, 도 12에 도시된 변형 실시예에서, 상기 탄성 표면파 필터(301 및 302)는 상기 도면에서 점 Y 즉, 탄성 표면파 필터(301 및 302)를 포함하는 전체 전극 구조의 중심에 대해 대칭이다.
도 16은 본 발명의 제2 바람직한 실시형태의 다른 예를 도시하는 개략적인 평면도이다. 이런 변형 실시예에서, 제1 및 제2 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(301 및 302)는 서로 종연결된다. 제2 바람직한 실시예와는 달리, 제2단 종결합공진자형 탄성 표면파 필터(321)에서, 중앙 제2 IDT(322)는 두 부분으로 나눠지는 것이 바람직하다. 그 나머지 부분들은 제2 바람직한 실시형태에서와 같이 실질적으로 동일한 부분들인 것이 바람직하다. 따라서, 상기 변형예의 동일한 부분에 대해서는 제2 실시형태에 이용된 바와 같이 동일한 참조 번호가 붙여지고, 그 설명은 생략된다.
제2 IDT(322)는 인터디지털 전극(322a), 및 상기 인터디지털 전극(322a)의 전극 핑거가 인터디지털 전극(322b 및 322c)의 전극 핑거와 인터디지털되도록 배치된 두개의 인터디지털 전극(322b 및 322c)을 갖는다. 다시 말해서, 제2 IDT(322)를 정의하는 한 쌍의 인터디지털 전극중 하나가 두개의 인터디지털 전극(322b 및 322c)으로 나눠지고, 이들 전극은 밸런스 신호 단자(314 및 315)에 연결된다. 이 경우에, 제1단 종결합 탄성 표면파 필터(301)에서, IDT(303)는 IDT(305)와 180°위상차가 난다. 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(321)에서, 제1 IDT(308)는 제2 IDT(310)와 180°위상차가 난다. 이 배치로, 신호선(316)을 통해 전파하는 전기 신호는 신호선(317)을 통해 전파하는 전기 신호와 180°위상차가 난다. 따라서, IDT(322)에 인접한 IDT(308) 및 IDT(310)의 전극 핑거의 극성이 동일하다. 결과적으로, 이 필터에서 진폭 및 위상 밸런스는 본 발명의 제2 바람직한 실시형태와 같이 크게 개선된다.
도 17은 본 발명의 제4 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 전극 구조를 도시하는 개략적인 평면도이다.
제4 바람직한 실시형태의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(600)는 다음의포인트를 제외하고는 제2 바람직한 실시형태와 같은 동일한 구조를 갖는 것이 바람직하다.
이 바람직한 실시형태에서, 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(601 및 602)에서, 제1, 제2 및 제3 IDT의 전극 핑거의 수는 다음과 같이 제1 IDT(603 및 608) 각각의 전극 핑거가 24인 것이 바람직하고, 제2 IDT(604 및 609) 각각의 전극 핑거의 수가 35인 것이 바람직하며, 제3 IDT(605 및 610) 각각의 전극 핑거의 수가 24인 것이 바람직하다.
제4 바람직한 실시형태에서, 특징있게는 IDT(604)에 인접한 제1 IDT(603)의 전극 핑거(603a)의 극성은 IDT(604)에 인접한 제3 IDT(605)의 전극 핑거(605a)의 극성에 반대이다. 게다가, IDT(609)에 인접한 제1 IDT(608)의 전극 핑거(608a)의 극성이 IDT(609)에 인접한 제3의 IDT(610)의 전극 핑거(610a)에 반대이다.
제1단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(601)만을 고려해 볼 때, IDT(603 및 605) 각각은 IDT(604)와 180°위상차가 난다. 따라서, IDT(603 및 605)가 서로 병렬로 연결되는 1단 필터 구조만으로는 필터 특성을 얻을 수 없다. 그러나, 동시에, 제2단 공진자형 탄성 표면파 필터(602)에서, IDT(608 및 610) 각각은 IDT(609)와 180°위상차가 난다. 결과적으로, IDT(608 및 610)로부터 IDT(609)로 전파하는 탄성 표면파가 서로 동위상에 있기 때문에, 상기 제1단 필터 및 상기 제2단 필터가 연결될 때, 필터 특성을 얻을 수 있다.
단자(615)는 언밸런스 신호 단자이고, 단자(616 및 617)는 밸런스 신호 단자이다.
도 18에서, 실선은 제4 바람직한 실시형태의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 진폭 특성 및 주파수 특성간 관계를 나타낸다. 도 19에서, 실선은 상기 탄성 표면파 필터의 위상 밸런스 및 주파수 특성간 관계를 나타낸다. 비교를 위해, 점선은 도 15에 도시된 종래 필터의 결과를 나타낸다.
도 18에 알 수 있는 바와 같이, 종래 필터에서 AMPS 수신 필터의 통과 대역의 최대 진폭 밸런스는 1.9dB인데 반하여, 본 발명의 제4 바람직한 실시형태에서는 약 1.2dB이다. 따라서, 진폭 밸런스는 약 0.7dB만큼 개선된다. 추가로, 도 19에 도시된 바와 같이, 종래 필터에서 최대 위상 밸런스가 17°인데 반하여, 제4 바람직한 실시형태에서는 약 11°이다. 따라서, 제4 바람직한 실시형태에서 위상 밸런스는 약 6°만큼 개선된다.
다시 말해서, 제4 바람직한 실시형태에서, 3개의 IDT를 갖는 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터는 서로 종연결된다. 게다가, 중앙 제2 IDT에 인접한 제1 및 제3 IDT의 전극 핑거의 극성은 서로 반대이다. 이 배치로, 진폭 밸런스 및 위상 밸런스는 크게 개선된다.
도 20은 본 발명의 제5 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 전극 구조를 도시하는 개략적인 평면도이다. 제5 바람직한 실시형태는 제1, 제2 및 제3 IDT를 가진 3-IDT-형태의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(901, 902, 903 및 904)를 이용한다. 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(901, 902, 903 및 904) 각각에서, 중앙 제2 IDT는 짝수의 전극 핑거를 가지며, 중앙 제2 IDT에 인접한 오른쪽 및 왼쪽 IDT의 전극 핑거들의 극성은 동일하다. 예를 들어,종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(901)에서, 제1 IDT(907)의 전극 핑거(907a) 및 제2 IDT(908)에 인접한 제3 IDT(909)의 전극 핑거(909a)가 동일한 극성을 갖는다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(901, 902 및 903)는 동일한 구조를 가지는 것이 바람직하지만, 종결합 탄성 표면파 필터(902)만이 반전된 제2 IDT(910)를 갖는다.
참조 번호 911은 언밸런스 신호 단자이고, 참조 번호 912 및 913은 밸런스 신호 단자를 나타낸다.
제1, 제2, 제3 및 제4 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 각각에서, 제1 IDT는 제3 IDT와 180°위상차가 난다. 예를 들어, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(901)에서, 제1 IDT(907)는 제3 IDT(909)와 180°위상차가 난다.
제5 바람직한 실시형태에서, 제2, 제3 및 제4 바람직한 실시형태와 유사하게, 상기 필터에서 진폭 밸런스 및 위상 밸런스는 크게 개선된다. 더욱이, 제5 바람직한 실시형태에서, 출력 임피던스는 실질적으로 4배가 된다.
도 21은 본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 포함하는 통신 장치(60)를 도시하는 개략적인 평면도이다.
도 21에서, 안테나(61)는 듀플렉서(62)에 연결된다. 탄성 표면파 필터(64) 및 증폭기(65)는 듀플렉서(62) 및 수신부의 믹서(63) 사이에 연결된다. 증폭기(67) 및 탄성 표면파 필터(68)는 듀플렉서(62) 및 송신부의 믹서(66) 사이에 연결된다. 여기에 도시된 바와 같이, 증폭기(65)가 밸런스 신호에 사용되는 경우, 본 발명의 다양한 바람직한 실시형태의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터가 탄성표면파 필터(64)로서 적절하게 이용될 수 있다.
상기 기술된 바와 같이, 본 발명의 다양한 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에서, 중앙 제2 IDT는 짝수의 전극 핑거를 가지는 것이 바람직하다. 게다가, 제2 IDT의 오른쪽-왼쪽 측면에 배치된 제1 및 제3 IDT에서 상기 제2 IDT에 인접한 전극 핑거의 극성은 반대이다. 따라서, 상기 밸런스 신호 단자들간 진폭 밸런스 및 위상 밸런스는 크게 효과적으로 개선된다. 결과적으로, 본 발명의 바람직한 실시형태들은 우수한 밸런스-언밸런스 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 필터를 제공한다.
추가로, 본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따른 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에서는, 제1, 제2 및 제3 IDT를 갖는 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터가 서로 종연결된다. 제1단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 제2 IDT의 일단은 언밸런스 신호 단자에 연결된다. 추가로, 상기 제2단의 공진자형 탄성 표면파 필터의 제2 IDT의 양단은 한 쌍의 밸런스 신호 단자에 연결된다. 이 배치에서, 상기 제1단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 제1 IDT의 일단 및 상기 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 제1 IDT의 일단을 연결하는 제1 신호선을 통해 전파하는 전기 신호는 상기 제1단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 제3 IDT의 일단 및 상기 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 제3 IDT의 일단을 연결하는 제2 신호선을 통해 전파하는 전기 신호와 180°위상차가 난다. 결과적으로, 상기 제1 및 제3 IDT에 인접한 상기 제2 IDT의 전극 핑거의 극성은 상기 제2 IDT에 인접한 상기 제1 및 제3 IDT 각각의 전극 핑거의 극성과 동일하다. 따라서, 상기 필터에서 진폭 밸런스 및 위상 밸런스는 효과적으로 개선된다.
본 발명의 이런 바람직한 실시형태에 따르면, 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터중 적어도 하나에 있어서, 제2 IDT가 짝수의 전극 핑거를 갖는 경우, 진폭 밸런스 및 위상 밸런스는 좀 더 개선된다.
본 발명의 다양한 바람직한 실시형태에서, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터는 상기 기술된 밸런스-언밸런스 변환 기능을 가지며 한 쌍의 밸런스 신호 단자간 밸런스는 크게 개선된다. 따라서, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 포함하는 통신 장치를 제작하는 경우, 상기 통신 장치의 특성을 크게 개선시키면서, 그 크기를 감소시킬 수 있다.
지금까지 본 발명은 바람직한 실시형태를 설명하였지만, 본 발명을 벗어나지 않는 한 보다 넓은 측면에서 여러가지 변경 및 변형이 가능하다는 것을 알 수 있다. 따라서, 첨부된 특허청구범위는 본 발명의 요지 및 범위내에서 이러한 모든 변경 및 변형을 포함하는 것이다.

Claims (22)

  1. 밸런스-언밸런스 변환 기능을 가진 종결합 공진자형 탄성표면파 필터로,
    압전기판; 및
    상기 압전기판상에 탄성 표면파 전파 방향으로 배치된 제1, 제2 및 제3 IDT를 포함하고, 상기 제2 IDT는 상기 제1 및 제3 IDT사이에 위치하며 짝수의 전극 핑거를 가지는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 압전기판은 LiTaO3및 LiNbO3중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3 IDT가 배치되는 영역의 오른쪽 및 왼쪽에 상기 표면파 전파 방향에 배치된 반사기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 IDT의 각 측면상의 전극 핑거의 폭이 나머지 전극 핑거의 폭보다 더 큰 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 IDT에 인접한 전극 핑거는 반대 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제3 IDT 사이에 연결된 탄성 표파 공진자 및 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3 IDT 각각은 상기 제1, 제2 및 제3 IDT에 포함된 전극 핑거 부분중 다른 것들 보다 상대적으로 더 좁은 협피치 전극 핑거부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  8. 제 1 항에 따른 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 포함하는 통신 장치.
  9. 밸런스-언밸런스 변환 기능을 갖는 종결합 공진자형 탄성표면파 필터로,
    각각 압전기판 및 상기 압전기판상에 탄성 표면파 전파 방향으로 배치된 제1, 제2 및 제3 IDT를 포함하고 서로 종결합된 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터;
    상기 제1단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제2 IDT의 일단에 연결된 언밸런스 신호 단자;
    상기 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제2 IDT의 일단에 연결된 제1 밸런스 신호 단자;
    상기 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제2 IDT의 타단에 연결된 제2 밸런스 신호 단자;
    상기 제1단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제1 IDT의 일단 및 상기 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제1 IDT의 일단을 연결하는 제1 신호선; 및
    상기 제1단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제3 IDT의 일단 및 상기 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 상기 제3 IDT의 일단을 연결하는 제2 신호선을 포함하고,
    상기 제1 신호선을 통해 전파하는 전기 신호는 상기 제2 신호선을 통해 전파하는 전기 신호와 180°위상차가 나는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제1단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 및 상기 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터중 적어도 한 필터의 제2 IDT가 짝수의 전극 핑거를 갖는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 각각의 압전기판은 LiTaO3및 LiNbO3중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 각각은 상기 제1, 제2 및 제3 IDT가 배치된 영역의 오른쪽 및 왼쪽에 상기 표면파 전파 방향에 배치된 반사기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 각각에서 상기 제2 IDT의 각 측면의 전극 핑거의 폭이 그 나머지 전극 핑거의 폭보다 더 큰 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  14. 제 9 항에 있어서, 상기 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 각각에서 상기 제2 IDT에 인접한 전극 핑거는 반대 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  15. 제 9 항에 있어서, 상기 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 각각은 상기 제1 및 제3 IDT 사이에 연결된 탄성 표면파 공진자 그리고 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  16. 제 9 항에 있어서, 상기 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 각각에서 상기 제1, 제2 및 제3 IDT 각각은 상기 제1, 제2 및 제3 IDT에 포함된 상기 전극 핑거 부분들중 다른 것들 보다 상대적으로 더 좁은 협피치 전극 핑거부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  17. 제 9 항에 있어서, 상기 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터는 동일한 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  18. 제 9 항에 있어서, 상기 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 각각에서 상기 중앙 제2 IDT에 인접한 상기 제1 및 제3 IDT의 핑거 전극은 접지 전극을 구성하기 위해 배치되는 것을 특징으로 하는 종결합공진자형 탄성 표면파 필터.
  19. 제 9 항에 있어서, 상기 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 각각에서 상기 제2 IDT의 전극 핑거의 극성은 상기 제2 IDT에 인접한 제1 및 제3 IDT의 전극 핑거의 극성과 동일한 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  20. 제 9 항에 있어서, 상기 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터는 서로 대칭인 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  21. 제 9 항에 있어서, 상기 제1단 및 제2단 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터각각에서, 상기 제2 IDT는 두 부분으로 나눠지는 것을 특징으로 하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터.
  22. 제 9 항에 따른 상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 포함하는 통신 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030064533A (ko) * 2002-01-28 2003-08-02 엘지이노텍 주식회사 표면탄성파 필터
KR100812064B1 (ko) * 2006-09-08 2008-03-07 에스케이 텔레콤주식회사 양방향 표면 탄성파 필터

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19938748B4 (de) * 1999-08-16 2007-02-01 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellen-Filter mit verbesserter Symmetrie und erhöhter Sperrdämpfung
JP3391346B2 (ja) 2000-04-18 2003-03-31 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
US6828879B2 (en) * 2001-02-16 2004-12-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Longitudinal coupled multiple mode surface acoustic wave filter
JP3534080B2 (ja) * 2001-03-23 2004-06-07 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
EP1249934B1 (en) * 2001-04-09 2013-07-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave apparatus and communications unit
US6861927B1 (en) * 2001-04-27 2005-03-01 Sawtek, Inc. Longitudinally coupled leaky surface acoustic wave resonator filter
EP1276235A1 (en) * 2001-07-13 2003-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave filter and communication device using the filter
JP3685102B2 (ja) * 2001-07-27 2005-08-17 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、通信装置
JP2003069383A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP3820954B2 (ja) 2001-10-12 2006-09-13 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
TWI315607B (en) * 2001-10-29 2009-10-01 Panasonic Corp Surface acoustic wave filter element, surface acoustic wave filter and communication device using the same
JP2003258595A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波装置
WO2003075458A1 (en) * 2002-03-06 2003-09-12 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Surface acoustic wave filter, balanced type circuit, and communication apparatus
FR2842044B1 (fr) * 2002-07-05 2005-07-15 Thales Sa Filtre a ondes acoustiques de surface a double mode symetrique optimise
JP3952907B2 (ja) * 2002-08-28 2007-08-01 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
DE10325798B4 (de) * 2003-06-06 2015-06-18 Epcos Ag SAW-Filter mit verbesserter Selektion oder Isolation
EP1737126A4 (en) * 2004-04-16 2008-01-16 Epson Toyocom Corp SURFACE WAVE FILTER OF BALANCED TYPE
JP4378650B2 (ja) * 2004-04-19 2009-12-09 株式会社村田製作所 弾性波フィルタおよびそれを用いた通信機
WO2006009021A1 (ja) * 2004-07-23 2006-01-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置
JPWO2006025193A1 (ja) 2004-09-02 2008-05-08 株式会社村田製作所 バランス型弾性表面波フィルタ
JP4069917B2 (ja) * 2004-09-15 2008-04-02 株式会社村田製作所 バランス型弾性表面波フィルタ
JP4412326B2 (ja) * 2004-11-04 2010-02-10 株式会社村田製作所 バランス型sawフィルタ
WO2006068087A1 (ja) * 2004-12-20 2006-06-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. バランス型弾性波フィルタ装置
JP4641036B2 (ja) 2005-10-27 2011-03-02 京セラ株式会社 弾性表面波装置および通信装置
CN1976222B (zh) 2005-11-30 2011-09-21 京瓷株式会社 声表面波元件、声表面波装置以及具有它的通信装置
EP1958920A4 (en) * 2005-12-09 2011-06-15 Kyocera Corp FLUIDACTOR, THIS USING HEAT GENERATOR AND ANALYSIS DEVICE
CN100544201C (zh) * 2005-12-16 2009-09-23 中国科学院声学研究所 一种宽带声表面波可开关滤波器组
US7579928B2 (en) 2006-04-03 2009-08-25 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and communication device
ATE540474T1 (de) * 2006-04-06 2012-01-15 Murata Manufacturing Co Duplexer
JP4244057B2 (ja) 2006-08-30 2009-03-25 富士通メディアデバイス株式会社 バランスフィルタおよび分波器
EP2063530B1 (en) * 2006-10-31 2013-08-21 Murata Manufacturing Co. Ltd. Surface acoustic wave filter device and duplexer
JP5135763B2 (ja) * 2006-11-01 2013-02-06 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置及びデュプレクサ
JPWO2008068951A1 (ja) * 2006-12-07 2010-03-18 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
GB2457392B (en) * 2006-12-25 2011-07-20 Murata Manufacturing Co Acoustic wave device
DE102013204428B4 (de) * 2012-03-29 2014-08-07 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. Akustisches Oberflächenwellenbauelement
US9093215B2 (en) * 2012-05-07 2015-07-28 Qualcomm Incorporated Push-pull driver for generating a signal for wireless power transfer
JP2015109622A (ja) * 2013-12-06 2015-06-11 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
CN107819449B (zh) * 2017-12-04 2021-05-04 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种超宽带声表面波谐振器及滤波器
WO2021246447A1 (ja) * 2020-06-04 2021-12-09 株式会社村田製作所 弾性波装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS555573A (en) 1978-06-29 1980-01-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Surface acoustic wave filter
US5309126A (en) 1991-11-18 1994-05-03 Motorola, Inc. Spatially varying multiple electrode acoustic wave filter and method therefor
JP3181090B2 (ja) * 1992-03-04 2001-07-03 東洋通信機株式会社 縦結合二重モードリーキーsawフィルタ
JP3254779B2 (ja) 1993-01-05 2002-02-12 株式会社村田製作所 多電極形弾性表面波装置
US5365138A (en) * 1993-12-02 1994-11-15 Northern Telecom Limited Double mode surface wave resonators
JP3244386B2 (ja) * 1994-08-23 2002-01-07 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置
WO1997000556A1 (en) * 1995-06-16 1997-01-03 Northern Telecom Limited Cascaded surface wave device filters
GB2306821B (en) * 1995-11-03 2000-05-31 Advanced Saw Prod Sa Electro-acoustic device
EP0782255B1 (en) * 1995-12-28 2002-03-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Longitudinal coupling type surface acoustic wave resonator filter
JPH09205342A (ja) 1996-01-26 1997-08-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP3917708B2 (ja) 1996-04-02 2007-05-23 松下電器産業株式会社 表面弾性波フィルタ
JP3239064B2 (ja) * 1996-05-28 2001-12-17 富士通株式会社 弾性表面波装置
DE19638370C2 (de) 1996-09-19 2001-06-13 Epcos Ag Oberflächenwellenfilter für unsymmetrische/symmetrische und symmetrische/symmetrische Betriebsweise
JP3890667B2 (ja) 1997-04-16 2007-03-07 エプソントヨコム株式会社 縦結合二重モードsawフィルタ
DE19724258C2 (de) 1997-06-09 2002-10-10 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellenfilter
JPH1197966A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Tdk Corp 弾性表面波フィルタ
JPH11317642A (ja) 1998-03-06 1999-11-16 Toshiba Corp 弾性表面波デバイスおよび通信装置
DE19849782B4 (de) * 1998-10-28 2004-09-30 Epcos Ag Oberflächenwellenanordnung mit zumindest zwei Oberflächenwellen-Strukturen
JP2000151337A (ja) * 1998-11-17 2000-05-30 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波共振器フィルタ
US6255915B1 (en) * 1999-05-10 2001-07-03 Research In Motion Limited Differential surface acoustic wave filter having balanced outputs
DE19925584A1 (de) 1999-06-04 2000-12-21 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Fahrwegvisualisierung und Vorrichtung
DE19938748B4 (de) 1999-08-16 2007-02-01 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellen-Filter mit verbesserter Symmetrie und erhöhter Sperrdämpfung
JP2001313540A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Toshiba Corp 弾性表面波装置
JP2001345666A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Kyocera Corp 弾性表面波装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030064533A (ko) * 2002-01-28 2003-08-02 엘지이노텍 주식회사 표면탄성파 필터
KR100812064B1 (ko) * 2006-09-08 2008-03-07 에스케이 텔레콤주식회사 양방향 표면 탄성파 필터

Also Published As

Publication number Publication date
US20040201436A1 (en) 2004-10-14
EP1168613A2 (en) 2002-01-02
JP3391347B2 (ja) 2003-03-31
US7034639B2 (en) 2006-04-25
US20010054942A1 (en) 2001-12-27
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CN1213536C (zh) 2005-08-03
US6781478B2 (en) 2004-08-24
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JP2002084164A (ja) 2002-03-22

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