KR200140967Y1 - 박형반도체 팩키지의 리드 성형장치 - Google Patents

박형반도체 팩키지의 리드 성형장치 Download PDF

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Abstract

본 고안은 두께가 매우 얇은 박형(薄形) 반도체 팩키지의 리드성형시에 팩키지 및 팩키지 내부의 반도체 칩이 파손되는 것을 방지하기 위한 수단이 갖추어진 리드 성형장치에 관한 것이다.
종래의 금형에서는 팩키지를 직접 눌러서 동작을 시키는 관계로 팩키지 두께가 두꺼울 경우 문제가 없으나, 팩키지의 두께가 매우 얇은 경우에는 팩키지에 치명적인 손상을 주게 된다.
이에 상부금형에 예비성형용 펀치와 누르개 및 압축스프링으로 탄지되는 상부홀더가 설치되고, 하부금형에는 다이와 밀핀 및 스프링으로 탄지되는 하부홀더가 설치되어 이루어지는 박형 반도체 팩키지의 리드 성형장치에 있어서, 상부금형의 펀치하부에 돌출편이 형성된 누르개를 설치하고, 하부금형의 다이상에는 돌출편이 형성된 푸쉬블럭의 누르는 힘이 작용하지 아니하여 리드 성형시 팩키지를 보호할 수 있게 된 박형 반도체 팩키지의 리드 성형장치이다.

Description

박형(薄形)반도체 팩키지의 리드 성형장치
제1도는 종래 금형의 예비 성형공정의 개략도.
제2도는 포밍(FORMING)상태의 펀치와 다이 및 팩키지의 상태도.
제3도는 종래 금형에서의 작동전 초기 상태도.
제4도는 종래 금형에서의 작동중 상태도.
제5도는 본 고안에 따른 금형의 평면구성도.
제5도(a)는 리드 프레임 스트립의 분리(SINGULATION)구성도로 (A)는 마무리 공정구성도, (B)는 마무리 공정구성도, (C)는 예비성형 공정구성도.
제6도(A),(B),(C)는 제5도(A),(B),(C)의 정면도.
제7도(A),(B),(C)는 제6도(A),(B),(C)의 측면도.
제8도 본 고안에 따른 금형의 구성도로, 예비성형 공정의 작동초기의 사시도.
제9도는 제8도의 예비성형 동작도.
제10도는 제8도의 작동후의 사시도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 예비성형용 펀치 2 : 누르개
3 : 상부홀더 4 : 상부스프링
5 : 다이 6 : 밀핀
7 : 하부홀더 8 : 하부스프링
9,10 : 돌출편 11 : 반도체 팩키지
12 : 푸쉬블럭(PUSH BLOCK) 13 : 앤빌(ANVIL)
14 : 리드(LEAD) 15 : 슬리이브(SLEEVE)
본 고안은 두께가 매우 얇은 박형(薄形)반도체 팩키지의 리드 성형시에 팩키지 및 팩키지 내부의 반도체 칩이 파손되는 것을 방지하기 위한 수단이 갖추어진 리드 성형장치에 관한 것이다.
기술이 진보됨에 따라 각종 기기 및 장치들의 소형화 추세는 계속되어지고 있으며, 이에 발맞추어 반도체 팩키지도 고집적 되어 소형화 되어가며, 따라서 칩을 실장하고 있는 반도체 팩키지도 높이가 상당히 얇은 TSOP(THIN SMALL OUTLINE PACKAGE)나 TQFT(THIN QUAD FLAT PACKAGE)등의 종류가 개발되었으며, 이는 소형화 뿐만 아니라 사용중 칩에서 발생하는 열의 발산면에서도 뛰어나다.
그러나, 상기한 박형 팩키지는 반도체 칩을 보호하는 열경화성수지의 두께가 얇기 때문에, 몰딩후 반도체 리드를 성형하기 위한 공정인 드림폼(TRINFORM)의 과정에서 일반적인 트리밍(FTIMMING), 포밍(FORMING)의 금형으로는 작업 공정중 팩키지 내부의 칩에 미세한 파손이 올 수 있으며, 이는 반도체 팩키지를 사용할 수 없는 치명적인 결과를 초래할 수 있다.
이를 좀더 상세히 설명하면 제1도는 예비성형 공정의 설명도면으로, 상부에는 예비성형용 펀치(1)가 있고, 이 예비성형용 펀치(1)의 내부에 안내되어 움직이는 누르개(2)가 있으며, 이 누르개는 상부홀더(3)의 상부스프링(4)과 연결되어 작동된다. 또한, 하부에는 예비성형을 하기 위한 다이(5)가 있으며, 이 다이(5)의 내부에는 팩키지 밀핀(6)은 하부스프링(8)에 의해 상승되어 있게 된다.
다음으로, 프레스에 의해 상형이 하강을 하게 되면, 먼저 팩키지 누르개(2)가 팩키지의 상면 및 팩키지의 리드(14)를 누르게 되며, 리드(14)가 다이의 윗면에 닿아 더이상 후퇴하지 않을때까지 상부홀더(3)에 장착된 상부스프링(4)의 힘으로 누르게되 하부스프링(8)의 힘을 누르고서 아래로 하강하게 됨과 동시에 예비성형용 펀치(1)도 하강을 하게 되어 리드(14)를 아래로 눌러 성형을 하게 된다.
펀치 및 다이에 의해 성형이 완료되면, 상부금형이 상승을 하게 되고, 예비 성형용 펀치(1) 및 팩키지를 누르고 있는 누르개(2)도 상승하게 되며, 누르개(2)가 상승함에 따라 팩키지 밑면에 의해 눌려진 하부의 밀핀(6)도 팩키지를 위로 밀며 상승을 하게 되는 것이다.
그러나, 상기한 바와같이 종래의 금형에서는 팩키지를 직접 눌러서 동작을 시키는 관계로 팩키지 두께가 두꺼울 경우 문제가 없으나, 팩키지의 두께가 매우 얇은 경우에는 팩키지에 치명적인 손상을 주게 된다.
따라서, 본 고안은 상기한 종래의 문제점을 해결하도록 고안된 것이다.
이하, 첨부도면에 참고하여 본 고안을 상술한다.
본 고안은 상부금형에 예비성형용 펀치(1)와 누르개(2) 및 상부스프링(4)으로 탄지되는 상부홀더(3)가 설치되고, 하부금형에는 다이(5)와 밀핀(6) 및 하부스프링(8)으로 탄지되는 하부홀더(3)가 설치되어 이루어지는 박형 반도체 팩키지의 리드 성형장치에 있어서, 상부금형의 예비성형용 펀치(1) 하부에 돌출편(9)이 형성된 누르개(2)를 설치하고, 하부금형의 다이(5)상에는 돌출편(10)이 형성된 푸쉬블럭(12)을 설치하여서, 팩키지(11)에 누르개(2)와 푸쉬블럭(12)의 누르는 힘이 작용하지 아니하여 리드(14) 성형시 반도체 팩키지(11)를 보호할 수 있게 된 박형 반도체 팩키지의 리드 성형장치이다.
첨부도면 제5,6,7도는 두께가 얇은 팩키지의 일종인 TSOP(THIN SMALL OUTLINE PCKAGE)용 성형금형의 여러 공정중 본 고안과 관련있는 3공정만 도시한 것으로, 상부금형에는 예비성형용 펀치(1)가 있고, 이 예비성형용 펀치(1)의 내부에 안내되어 움직이는 누르개(2)가 있으며, 누르개(2)는 상부홀더(3)의 상부스프링(4)과 연결되어 작동되며, 누르개(2)에 돌출편(9)이 형성된 구성을 보여준다.
또한, 하부금형에는 예비성형을 하기 위한 다이(5)가 있으며, 이 다이(5)의 내부에는 다이(5)에 의해 안내되어 움직이는 반도체 팩키지(11)을 밀어주기 위한 푸쉬블럭(12)이 설치된다.
상기한 구성을 갖는 본 고안의 작동은 종래의 금형과 비슷하며, 첨부도면 제8,9,10도에서와 같이 예비성형 공정에 이송된 반도체 팩키지(1)는 다이(5)의 앤빌(13)에 안내되어 반도체 팩키지(11)의 밑면이 스프링(8)에 의해 상승되어 있는 푸쉬블럭(12)의 상면에 닿을 때까지 안착된다.
프레스에 의해 상형이 하강을 하게 되면 먼저 누르개(2)가, 제9도에서와 같이, 먼저 누르개(2)의 앤빌(13)이 리드(14)에 접촉되고, 더 하강하게 되면 누르개(2)의 돌출편(9)과 푸쉬블럭(12)의 돌출편(10)이 접촉되어 푸쉬블럭(12)이 함계 하강하게 된다.
따라서, 종래의 금형에서는 반도체 팩키지(11)를 누르고 밀핀(6)을 눌러주나, 본 고안의 장치는 반도체 팩키지(11)에 관계없이 동작을 하므로 팩키지에 손상을 주지 않게 된다.
이후의 동작은 종래의 금형과 같이 예비성형용 펀치(1)가 하강을 하게되어 리드(14)를 아래로 눌러서 성형을 하게 되며, 이어서 상부금형이 상승되고 예비성형용 펀치(1)와 누르개(2)도 상승되며, 따라서 푸쉬블럭(12)도 함께 상승되어서 다이(5)에 살짝 붙어 있던 리드(14)를 푸쉬블럭(12)이 팩키지 밑면에 들어 올려서 떼어내게 되는 것이다.
한편, 돌출편(9,10)과 상부 누르개(2)의 앤빌(13)은 슬리이브(15)의 높이를 조절하여 리드(14)의 누르는 범위를 조절할 수 있는데, 반도체 팩키지(11)의 리이드가 없는 전ㆍ후쪽에 돌출편(9,10)을 설치하므로 이는 리드수가 적은 즉, 반도체 팩키지(11)의 양측에만 리드가 성형된 팩키지에서 리드에 손상을 주지않고 포밍할 수 있는 것이다.
상기와 같은 본 고안을 사용함에 따라 박형 반도체 팩키지의 리드성형시에 팩키지 손상이 없을 뿐만 아니라, 본 고안을 예비성형 공정에서는 물론, 마무리 공정과 리드 길이 절단공정에서도 적용시킬 수 있는 실용성이 있는 것이다.

Claims (2)

  1. 상부금형에 예비성형용 펀치(1)와 누르개(2) 및 상부스프링(4)으로 탄지되는 상부홀더(3)가 설치되고, 하부금형에는 다이(5)와 밀핀(6) 및 하부스프링(8)으로 탄지되는 하부홀더(3)가 설치되어 이루어지는 박형 반도체 팩키지의 리드 성형장치에 있어서, 상부금형의 펀치(1) 하부에 돌출편(9)이 형성된 누르개(2)를 설치하고, 하부금형의 다이(5)상에는 돌출편(10)이 형성된 푸쉬블럭(12)을 설치하여서, 팩키지(11)에 누르개(2)와 푸쉬블럭(12)의 누르는 힘이 작용하지 아니하여 리드(14) 성형시 반도체 팩키지(11)를 보호할 수 있게 된 박형 반도체 팩키지의 리드 성형장치.
  2. 제1항에 있어서, 돌출편(9,10)은 높이조절이 가능하도록 구성된 것을 특징으로 하는 박형 반도체 팩키지의 리드 성형장치.
KR2019930005396U 1993-04-06 1993-04-06 박형반도체 팩키지의 리드 성형장치 KR200140967Y1 (ko)

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