KR20010113852A - 자기 저항 헤드 및 그 제조방법, 및 자기 기록 재생장치 - Google Patents

자기 저항 헤드 및 그 제조방법, 및 자기 기록 재생장치 Download PDF

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KR20010113852A
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모리시타 요이찌
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Abstract

MR 소자를 형성한 기판 및 보강재가 자기기록매체와의 미끄럼 이동면에 노출한 MR 헤드의 신뢰성을 향상시키기 위해, 기판과 보강재를 비유기물막, 예컨대 금속층을 포함하는 다층막을 이용하여 접합한다. 또는, 기판과 보강재를 미끄럼 이동면에 노출하지 않는 접착막을 통해 접합한다.

Description

자기 저항 헤드 및 그 제조방법, 및 자기 기록 재생장치{MR HEAD, METHOD OF MANUFACTURE THEREOF, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE}
최근, 자기 기록의 고밀도화에 따라, 박막 기술을 이용하여 제조되는 자기 헤드가 주목되고 있다. 특히, MR 헤드는 회전 실린더 방식의 VTR 등의 헤드로서도 이용되고 있다(예컨대, IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, Vol. 34, No. 4, July 1998(SONY)).
MR 헤드(요크형)의 전형적인 구조에 대해서, 도 10에 사시도, 도 11에 단면도를 도시한다. 이 MR 헤드는 도시한 좌측의 측면(10)이 자기 테이프, 자기 디스크 등의 기록 매체에 접촉한다. 기록 매체에서 발생하는 자속은, 하부 자성 요크(11)로부터 상부 후부 자성 요크(13), MR 소자(14), 상부 전부(前部) 자성 요크(15)로 유입되어, MR 소자(14)의 자화 회전에 의한 저항 변화가 출력 단자(16)에 의해 취출된다. 이 MR 헤드는 또 자기 갭(18), 바이어스층(19), 보호막(20), 하부 기판(21), 상부 기판(22), 접착막(23)을 구비하고 있다. 또, 내부 구조를 도시하기위해 도 10에서는 보호막(20), 접착막(23), 상부 기판(22)의 도시를 생략하고 있다.
MR 소자부(30)는 박막 형성 기술에 의해 형성되기 때문에, 벌크재와는 달리 강도적으로 약하다. 따라서, 이 소자부는, 하부 기판(21) 및 상부 기판(보강재)(22)에 끼워져 있다. 이와 같은 기판과의 접합을 위해, MR 소자부(30)의 적어도 한 쪽에는 접착막(23)이 설치된다. 접착막(23)에는 유기 접착제가 이용되고 있다.
그러나, MR 헤드를 기록 매체와 미끄럼 이동시키면, MR 헤드의 기록 매체와의 미끄럼 이동면에서 노출된 접착막(23)에 기록 매체의 성분이 부착한다. 반대로, 접착막의 성분도 기록 매체에 부착한다. 이들의 부착에 의해, MR 헤드 및 기록매체의 양쪽이 손상되기 쉬워진다.
또, 접착막(23)과, 하부 기판(21) 및 상부 기판(보강재)(22)의 재질의 차이로부터 기록 매체와의 미끄럼 접촉 주행에 따라, MR 헤드에 편마모가 발생하기 쉬워진다. 편마모에 의해 미끄럼 이동면에 단차가 발생하면, MR 헤드와 기록 매체의 사이에 공간 손실이 발생하여 재생 특성이 열화한다.
본 발명은, 자기 저항(MR) 소자를 구비한 MR 헤드, 특히 자기 매체와 접촉 주행하는 MR 헤드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또, 본 발명은 이 MR 헤드를 이용한 자기기록 재생장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 MR 헤드의 일 형태를 도시한 부분 단면도,
도 2는 본 발명의 MR 헤드의 다른 일 형태를 도시한 부분 단면도,
도 3은 MR 헤드의 제조에 사용하는 기판의 일예를 도시한 사시도,
도 4는 MR 헤드의 제조 공정에서 MR 소자부를 형성하는 공정의 일예를 도시한 사시도,
도 5는 도 4에 도시한 MR 소자부를 보호막으로 덮는 공정의 일예를 도시한 사시도,
도 6은 도 5에 도시한 보호막을 더 형성하여 표면을 평탄화하는 공정의 일예를 도시한 사시도,
도 7은 도 6에 도시한 기판과 보강재를 접합할 때의 배치의 상태를 도시한 사시도,
도 8은 도 7에 도시한 상태에서 기판과 보강재를 접합하여 MR 헤드를 제조하는 공정의 일예를 도시한 사시도,
도 9는 본 발명의 MR 헤드를 이용한 자기 기록 재생장치의 구성예의 개요를 도시한 배치도,
도 10은 종래의 MR 헤드를 도시한 부분 절취 사시도,
도 11은 종래의 MR 헤드의 부분 단면도이다.
따라서, 본 발명은 자기 기록 매체와 미끄럼 이동해도, 신뢰성의 저하를 억제할 수 있는 MR 헤드 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 이 MR 헤드를 이용한 자기 기록 재생장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 MR 소자부를 형성한 기판 및 보강재가 자기 기록 매체와의 미끄럼 이동면에 노출한 MR 헤드에서, 기판과 보강재를 자기 기록 매체와의 미끄럼 이동면에서 유기물막이 노출하지 않도록 접합하게 했다.
본 발명의 MR 헤드의 다른 일 형태에서는, 기판과 보강재가 비유기물막을 통해 접합되어 있다.
본 발명의 MR 헤드의 일 형태에서는, 기판과 보강재가 자기 기록 매체와의 미끄럼 이동면에 노출하지 않는 접착막을 통해 접합되어 있다. 이 접착막은 유기물막이어도, 비유기물막이어도 되지만, 미끄럼 이동면으로부터 기판과 보강재와의 계면을 따라 5㎛ 이내의 범위에는 형성하지 않는 것이 바람직하다.
또, 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 MR 소자부를 형성한 기판 및 보강재가 자기 기록 매체와의 미끄럼 이동면에 노출한 MR 헤드를 기판의 표면에 MR 소자부를 형성하는 공정과, 이 MR 소자부를 형성한 기판의 표면을 평탄화하는 공정과, 평탄화한 기판의 표면 및 보강재의 표면에 각각 금속층을 포함하는 비유기물막을 형성하는 공정과, 상기 금속층을 고상 접합함으로써, 상기 기판과 상기 보강재를 접합하는 공정을 포함하는 방법에 의해, 제조하는 것으로 했다.
또, 본 발명은 상기 MR 헤드를 조립한 자기 기록 재생장치 및 상기 방법에 의해 제조된 MR 헤드를 조립한 자기 기록 재생 장치를 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.
기판과 보강재와의 계면에 개재하는 접착막은, 비유기물막, 구체적으로는 금속층을 포함하는 비유기물막인 것이 바람직하다. 또, 구체적으로는 귀금속층을 포함하는 다층막, 특히 귀금속층을 포함하는 금속 다층막이 적합하다. 다층막으로는,귀금속층의 양측에 각각 비금속(귀금속 이외의 금속)층이 배치된 금속 다층막을 예시할 수 있다. 귀금속층으로서는 Au층 또는 Pt층이 적합하다. 비금속으로는 Ti, W, Mn, Ta 등도 사용할 수 있는데, 비금속층으로서는 Cr층이 적합하다.
미끄럼 이동면에 노출하는 접착막의 면적을 감소시키기 위해서는, 접착막의 두께는 얇을수록 좋다. 그러나, 접착막이 지나치게 얇으면 충분한 접착 강도를 확보할 수 없는 경우가 있다. 이 때문에, 비유기물막의 두께는 20nm 이상 90nm 이하가 바람직하다.
상기에 예시한 금속 다층막에서는 귀금속층의 막 두께는 10nm 이상 50nm 이하가, 비금속층의 막 두께는 5nm 이상 20nm 이하가 적절하다. 이 금속 다층막의 특히 바람직한 일예는, Cr층(막 두께:5∼20nm)/Au층 또는 Pt층(막 두께:10∼50nm)/Cr층(막 두께:5∼20nm)이다.
미끄럼 이동면에 노출하지 않도록 접착막을 형성하는 경우에는, 접착제 등을 도포하여 형성한 유기 접착막을 이용해도 좋다. 이 유기물막의 두께는 10nm 이상 1000nm 이하 정도가 좋다.
기판과 보강재의 바람직한 접합 방법으로는, 마주보는 한 쌍의 금속층을 가열 및 가압하여 행하는 금속의 고상 접합을 들 수 있다.
고상 접합은, 예컨대 기판 및 보강재의 표면에 각각 형성하는 비유기물막과 함께 비금속층 및 귀금속층을 이 순서대로 형성한 금속 다층막으로 하고, 귀금속층을 고상 접합함으로써 행할 수 있다. 이 경우, 귀금속층(바람직하게는, Au층 또는 Pt층)의 두께는 각각 5nm 이상 25nm 이하가 적합하다. 접합 후의 귀금속층의 막 두께 및 비금속층(바람직하게는 Cr층)의 막 두께는 상기의 범위가 바람직하다.
금속층의 고상 접합은 100℃ 이상 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 150℃ 이하에서 행하면 된다. 고온에서 처리하면 MR 헤드의 특성이 열화할 우려가 있기 때문이다.
단, 귀금속층을 이용하지 않고 기판과 보강재를 접합해도 좋다. 이 경우는, 산화막이 접합을 저해하지 않도록, 예컨대 감압 분위기 중에서 금속층을 형성하고, 이 감압 분위기 중에서 연속하여 금속층을 고상 접합하면 된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 더 상세히 설명한다.
도 1에 도시한 MR 헤드는, 도시한 좌측의 미끄럼 이동면(60)에서, 자기 테이프, 자기 디스크 등의 기록 매체에 접촉한다. 기록 매체에서 발생하는 자속은 하부 자성 요크(31)에서 상부 후부 자성 요크(33), MR 소자(34), 상부 전부 자성 요크(35)로 유입된다. MR 소자(34)의 자화 회전에 의한 저항 변화는, 출력 단자(도시 생략)에서 취출된다. 이 MR 헤드는 또 자기 갭(38), 바이어스층(39), 보호막(40), 하부 기판(41), 상부 기판(보강재)(42), 비유기물 접착막(50)을 구비하고 있다. 이와 같이, 이 MR 헤드에서는 MR 소자부(70)가 형성된 기판(41)과, 보강재(42)가 비유기물막(50)을 통해 접합되어 있다.
접착막으로서 접착제 등의 유기물을 이용하지 않기 때문에, MR 헤드를 기록매체와 미끄럼 이동시켜도, 접착막/기록 매체 사이에서 한 쪽에서 다른 쪽으로의 성분의 부착을 억제할 수 있다. 따라서, MR 헤드 및 기록 매체의 손상을 방지할 수 있다.
또, 미끄럼 이동면에 노출하고 있는 재료의 마모 특성의 차이가 작기 때문에, 기록 매체와의 미끄럼 접촉 주행에 따른 편마모도 발생하기 어렵다. 따라서, MR 헤드와 기록매체의 사이에 공간 손실의 발생을 억제하여 안정된 재생 특성을 얻을 수 있게 된다.
접착막은 상기와 같이, 예컨대 중심층이 Au, Pt 등의 귀금속층, 중심층의 양측에 Cr 등의 비금속층이 배치된 막 구성을 가진다. 이 금속 다층막은, 귀금속층의 고상 접합에 의해 형성할 수 있다. 고상 접합을 채용하면, 100∼200℃ 정도의 저온에서의 접합이 가능하게 된다. 일반적으로 MR 소자는 열에 약하기 때문에, 고상 접합법에 의한 저온에서의 접착은 MR 소자의 특성을 살리는 유효한 방법이다.
접착막의 합계 두께는, 20∼90nm 정도, 특히 20∼50nm, 예컨대 30nm 정도가 바람직하다.
도 2에 도시한 MR 헤드도 도 1과 동일한 부재를 가지고, 도시한 좌측의 측면을 미끄럼 이동면(60)으로 한다. 그러나, 이 MR 헤드에서는 접착막(51)이 미끄럼 이동면에 노출하지 않도록 하부 기판(41)과 상부 기판(보강재)(42)의 사이에 개재되어 있다. 따라서, MR 헤드를 기록 매체로 미끄럼 이동시켜도 접착막/기록 매체 사이의 성분 이동에 의한 기록 매체 등의 손상을 방지할 수 있다. 이 효과를 확실하게 얻기 위해, 접착막(51)은 미끄럼 이동면으로부터 기판과 보강재 사이의 계면을 따라 적어도 5㎛ 이상 후퇴시키는 것이 바람직하다. 이 후퇴 거리(w)는 특별히 제한되지 않지만, 10㎛ 이하 정도가 적합하다.
이 MR 헤드에서는 접착막으로서, 종래부터 이용해 온 접착체 등으로 이루어진 유기물층을 이용해도 좋다. 유기물층을 이용하면, 저온에서의 접합이 가능하게 되어, MR 소자의 특성을 손상시킬 수 없다. 또, 유기물층을 이용한 접합은 비용적으로도 유리하다. 유기물층의 막 두께(기판과 보강재의 간격(d)에 상당)는, 일반적으로는 10∼1000nm, 예컨대 100nm 정도이면 된다.
그러나, 접착제를 이용하면 접착막의 막 두께가 비교적 두꺼워진다. 또, 막 두께의 제어도 용이하지 않아, 막 두께의 오차가 발생하기 쉽다. 이 때문에, 기록 매체와 MR 헤드와의 미끄럼 이동에 따라 기판과 보강재 사이에 기록 매체의 자성 분말 등이 가득 채워져 기록 매체에 손상을 주는 경우가 있다.
따라서, 도 2에 도시한 바와 같이, 접착막을 미끄럼 이동면으로부터 후퇴시켜 배치하는 경우에도, 접착막을 비유기물막으로 하면, 헤드 특성을 더 안정화할 수 있다. 이 양태에서도, 비유기물막의 바람직한 막 구성은 상기에 설명한 바와 같다. 비유기물막을 채용하면, 막 두께의 오차를 저감할 수 있어, 기판과 보강재와의 간격(d)도 협소화할 수 있다.
간격(d)을 협소화하면, 기판과 보강재의 극간을 MR 소자부, 기판 및 보강재의 소성 변형에 의해 실질적으로 소실시킬 수도 있다. 간격(d)이 없어지면, 기록매체와 미끄럼 접촉 주행해도 편마모가 발생하기 어렵게 된다. 편마모를 방지할 수 있으면, 재생 특성을 안정되게 얻을 수 있게 된다.
또, 상기에서는 요크형 MR 헤드를 예시하면서 설명했지만, 본 발명은 시일드형의 MR 헤드에도 적용할 수 있다.
다음에, 요크형 MR 헤드의 제조 방법의 일례를 도 3 내지 도 8을 참조하면서설명한다.
먼저, 도 3에 도시한 바와 같이, 표면을 경면으로 마무리한 바(bar) 형상의 세라믹 기판(41), 예컨대 아르틱 기판을 준비한다. 그리고, 그 표면에 박막 형성 기술에 의해, 순차적으로 MR 소자부를 형성해 간다. 여기에서, 박막 형성 기술에는, 스퍼터링, CVD(화학 증착법) 등의 성막 기술, 또는 포토리소그래피, 이온 에칭, 습식법에 의한 화학 에칭 등의 박막 가공 기술을 포함한다. 이와 같이 하여, 도 4와 같이, 기판(41)상에 다수의 MR 소자부를 제작한다. 여기에서는, 두 개의 MR 소자부를 형성하는 예를 나타냈지만, 생산성 향상을 위해, 한 기판상에 형성하는 소자수를 더 증가시켜도 좋다.
또, 도 5에 도시한 바와 같이, 예컨대 스퍼터링법에 의해 보호막(40)을 형성한다. 보호막으로는 일반적으로는 Al2O3가 적합하다. 또, 도 6에 도시한 바와 같이, 그래픽 등에 의한 처리에 의해 보호막(40)의 표면을 평탄화한다. 미끄럼 이동면(60)에서는 하부 자성 요크(31), 자기 갭(38), 상부 전부 자성 요크(35)가 보호막(40)과 함께 노출하고 있다.
이어서, 도 7에 도시한 바와 같이, 평탄화된 표면 및 별도로 준비한 보강재의 표면에 각각 접착막(50a, 50b)을 형성하여, 접착막이 서로 접촉하도록 겹친다. 접착막(50a, 50b)은 예컨대 각각 Cr막, Au막을 순차적으로 성막한 2층막으로 한다.
이와 같이 하여, Au막이 서로 맞대어진 상태에서, 가압 및 가열하여 Au막끼리의 고상 접합을 행한다. 이 경우의 접합 조건으로는, 압력 : 10MPa, 온도 : 200℃를 예시할 수 있다. 열처리 온도는 MR 소자의 내열성을 고려하여 정하는 것이 바람직하다. 고특성의 MR 소자는 내열성이 낮아, 150℃보다도 높은 온도에 노출시키면 충분한 특성을 얻을 수 없는 경우도 있다.
일반적으로, 박막 프로세스를 이용하여 형성한 MR 헤드에서는 열처리에서의 계면 확산에 의해 특성이 열화한다. 통상의 AMR(Anisotropic Magneto-Resistivity)에서는 열처리 온도를 350℃ 정도 이하로 제한하는 것이 바람직하다. 따라서, AMR에서도 무기 글래스계의 재료를 사용하여 접착을 행할 수 없어, 유기계의 재료가 사용되고 있었다.
GMR(Giant Magneto-Resistivity)가 되면, 구성 재료의 막 두께가 얇기 때문에 계면 확산의 영향이 커진다. 예컨대, 스핀 밸브형 GMR의 반강자성층, α-Fe2O3의 경우에는, 그 내열 온도는 약 150℃이다. 따라서, 이와 같은 경우에는 열처리 온도를 150℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 고상 접합법에 의하면, 이와 같은 저온에서도 기판과 보강재의 접합이 가능하다.
이와 같이 접합한 도 8의 재료를 잘라내어, MR 자기 헤드를 완성한다.
상기에서는 귀금속층을 이용한 고상 접합법에 대해서 설명했지만, 고상 접합하는 금속층을 진공 중에서 성막하고, 또 연속하여 이 진공 중에서 금속층끼리를 접합하면, 거의 모든 금속 및 합금을 사용할 수 있다. 이와 같이 진공 중에서 접합 표면을 청정한 상태로 유지한 채 서로 접촉시키면, 접합하는 표면에 산화막이 생성되지 않는다. 따라서, Au와 같이 고가인 재료를 사용하지 않고 저비용으로 MR헤드를 제작할 수 있다.
여기에서도, MR 헤드의 제조방법을 요크형 MR 헤드에 대해서 설명했지만, 시일드형 MR 헤드에 대해서도 마찬가지로 본 발명을 적용할 수 있다.
도 9에 본 발명의 자기 기록 재생장치의 구성의 일례를 도시한다. 헤리컬 주행하는 회전 실린더(103)에 부착된 본 발명의 MR 헤드(80)가 경사 포스트(110) 사이를 주행하는 자기 테이프(104)와 접촉하여, 이 자기 테이프상의 신호를 재생한다. 이 신호는 신호처리회로(106)에서 영상 신호 및 음성 신호로서 출력된다. 또, 기록 헤드(81)는 특별히 제한되지 않지만, 종래의 인덕티브 헤드를 이용하면 된다.
고밀도 기록재생에는, 재생 헤드의 특성이 더 중요하다. 따라서, 이 자기 기록 재생장치는 고밀도 기록 재생에 적합하고, 또 신뢰성도 높은 것이 된다. 또, 상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 MR 헤드를 이용하면, 헤드와 자기 기록매체가 미끄럼 이동해도 MR 헤드 및 기록매체의 손상이나 헤드의 편마모를 억제할 수 있다. 이 때문에, 재생의 신뢰성 및 재생 특성의 안정성을 높게 유지할 수 있다. 이와 같이, MR 헤드 특성이 뛰어나기 때문에, 이 자기 기록 재생장치는, 특히 디지털 신호의 기록 등의 고밀도의 정보의 기록·재생에 적합하다.
또, 상기에서는 회전 실린더계로 자기 테이프가 주행하는 VTR 등의 시스템을 상정한 기록재생장치를 예시했지만, 본 발명은 디스크 형상의 매체로의 적용도 가능하다. 또, 본 발명은, GMR, TMR(Tunneling Giant Magneto-Resistivity) 소자를 이용한 MR 헤드와 같이, 내열 온도가 낮은 소자를 이용한 MR 헤드에 특히 효과가 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 신뢰성이 뛰어난 MR 헤드를 제공할 수 있다. 또, 신뢰성 및 재생 효율에 뛰어난 자기 기록 재생 장치를 제공할 수있다.

Claims (25)

  1. MR 소자부를 형성한 기판 및 보강재가 자기 기록 매체와의 미끄럼 이동면에 노출한 MR 헤드에 있어서, 상기 기판과 상기 보강재가 비유기물막을 통해 접합되고, 상기 비유기물막은 귀금속층을 포함하는 다층막인 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  2. MR 소자부를 형성한 기판 및 보강재가 자기 기록 매체와의 미끄럼 이동면에 노출한 MR 헤드에 있어서, 상기 기판과 상기 보강재가 상기 미끄럼 이동면에 노출하지 않는 접착막을 통해 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  3. 제2항에 있어서,
    미끄럼 이동면에서 기판과 보강재와의 계면을 따라 5㎛ 이내의 범위에는 접착막을 형성하지 않은 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  4. 제2항에 있어서,
    접착막은 유기물막인 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  5. 제4항에 있어서,
    유기물막의 두께는 10nm 이상 1000nm 이하인 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  6. 제2항에 있어서,
    접착막이 비유기물막인 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  7. 제1항 또는 제6항에 있어서,
    비유기물막의 두께는 20nm 이상 90nm 이하인 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  8. 제6항에 있어서,
    비유기물막은 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  9. 제6항에 있어서,
    비유기물막은 귀금속층을 포함하는 다층막인 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  10. 제1항 또는 제9항에 있어서,
    귀금속층은 Au층 또는 Pt층인 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  11. 제1항 또는 제9항에 있어서,
    귀금속층을 포함하는 다층막은, 상기 귀금속층의 양쪽에 각각 비금속층이 배치된 금속 다층막인 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  12. 제11항에 있어서,
    귀금속층의 두께는 10nm 이상 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  13. 제11항에 있어서,
    비금속층은 Cr층인 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  14. 제11항에 있어서,
    비금속층의 두께는 각각 5nm 이상 20nm 이하인 것을 특징으로 하는 MR 헤드.
  15. MR 소자부를 형성한 기판 및 보강재가 자기 기록매체와의 미끄럼 이동면에 노출한 MR 헤드의 제조방법에 있어서,
    기판의 표면에 MR 소자부를 형성하고,
    상기 MR 소자부를 형성한 기판의 표면을 평탄화하고,
    평탄화한 기판의 표면 및 보강재의 표면에 각각 금속층을 포함하는 비유기물막을 형성하고,
    상기 금속층을 고상 접합함으로써, 상기 기판과 상기 보강재를 접합하는 것을 특징으로 하는 MR 헤드의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    비유기물막은 비금속층 및 귀금속층을 이 순서대로 형성한 금속 다층막으로,상기 귀금속층을 고상 접합하는 것을 특징으로 하는 MR 헤드의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    귀금속층을 Au층 또는 Pt층으로 하는 것을 특징으로 하는 MR 헤드의 제조방법.
  18. 제16항에 있어서,
    귀금속층의 두께를 각각 5nm 이상 25nm 이하로 하는 것을 특징으로 하는 MR 헤드의 제조방법.
  19. 제16항에 있어서,
    비금속층을 Cr층으로 하는 것을 특징으로 하는 MR 헤드의 제조방법.
  20. 제16항에 있어서,
    비금속층의 두께를 각각 5nm 이상 20nm 이하로 하는 것을 특징으로 하는 MR 헤드의 제조방법.
  21. 제15항에 있어서,
    금속층의 고상 접합을 100℃ 이상 200℃ 이하에서 행하는 것을 특징으로 하는 MR 헤드의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서,
    금속층의 고상 접합을 150℃ 이하에서 행하는 것을 특징으로 하는 MR 헤드의 제조방법.
  23. 제15항에 있어서,
    감압 분위기 중에서 금속층을 형성하고, 상기 감압 분위기 중에서 연이어 고상 접합을 행하는 것을 특징으로 하는 MR 헤드의 제조방법.
  24. 제1항 또는 제2항에 기재된 MR 헤드를 조립한 것을 특징으로 하는 자기기록 재생장치.
  25. 제15항에 기재된 제조방법에 의해 얻은 MR 헤드를 조립한 것을 특징으로 하는 자기기록 재생장치.
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