JPH0536012A - 接合フエライト - Google Patents
接合フエライトInfo
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- JPH0536012A JPH0536012A JP18778991A JP18778991A JPH0536012A JP H0536012 A JPH0536012 A JP H0536012A JP 18778991 A JP18778991 A JP 18778991A JP 18778991 A JP18778991 A JP 18778991A JP H0536012 A JPH0536012 A JP H0536012A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ヘッドに用いる接合フェライトの高品質
化を図る。 【構成】 単結晶フェライト材２と多結晶フェライト材
３を接合してなる接合フェライト１４において、単結晶
フェライト材２と多結晶フェライト材３の界面に、Ｔ
ｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はこれらの合
金群より選ばれた第１の金属膜１１と貴金属よりなる第
２金属膜１２を有して構成する。
化を図る。 【構成】 単結晶フェライト材２と多結晶フェライト材
３を接合してなる接合フェライト１４において、単結晶
フェライト材２と多結晶フェライト材３の界面に、Ｔ
ｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はこれらの合
金群より選ばれた第１の金属膜１１と貴金属よりなる第
２金属膜１２を有して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドに用いられ
る接合フェライトに関する。
る接合フェライトに関する。
【０００２】
【従来の技術】接合フェライトは、単結晶フェライトと
多結晶フェライトを接合したフェライト基板であり、図
１０に示すような磁気ヘッド１に用いられている。この
磁気ヘッド１は、接合フェライトにより作製されてお
り、磁気ギャップｇを有する摺動面側を単結晶フェライ
ト材２とし、磁路の大部分を多結晶フェライト材３で構
成される。図１０は所謂フェライトヘッドに適用した場
合であるが、その他、磁気ギャップｇに高飽和磁束密度
の金属磁性膜を有した所謂メタルインギャップヘッドに
おいても接合フェライトが用いられる。この接合フェラ
イトによる磁気ヘッド１は表１に示すように単結晶フェ
ライトで作製した磁気ヘッドあるいは多結晶フェライト
で作製した磁気ヘッド１に比べて変調ノイズ、摺動ノイ
ズが小さいという利点がある。
多結晶フェライトを接合したフェライト基板であり、図
１０に示すような磁気ヘッド１に用いられている。この
磁気ヘッド１は、接合フェライトにより作製されてお
り、磁気ギャップｇを有する摺動面側を単結晶フェライ
ト材２とし、磁路の大部分を多結晶フェライト材３で構
成される。図１０は所謂フェライトヘッドに適用した場
合であるが、その他、磁気ギャップｇに高飽和磁束密度
の金属磁性膜を有した所謂メタルインギャップヘッドに
おいても接合フェライトが用いられる。この接合フェラ
イトによる磁気ヘッド１は表１に示すように単結晶フェ
ライトで作製した磁気ヘッドあるいは多結晶フェライト
で作製した磁気ヘッド１に比べて変調ノイズ、摺動ノイ
ズが小さいという利点がある。
【０００３】
【表１】
【０００４】そして、従来の接合フェライト４は、図８
に示すように単結晶フェライト材２と多結晶フェライト
材３を用意し（図８Ａ）、両フェライト材２及び３を重
ね合せて加圧した状態で１３００℃〜１４００℃の熱処
理を行い（図８Ｂ）、固相反応によって両フェライト材
２及び３間を接合して作製していた（図８Ｃ）。
に示すように単結晶フェライト材２と多結晶フェライト
材３を用意し（図８Ａ）、両フェライト材２及び３を重
ね合せて加圧した状態で１３００℃〜１４００℃の熱処
理を行い（図８Ｂ）、固相反応によって両フェライト材
２及び３間を接合して作製していた（図８Ｃ）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の接合
フェライト４は、上述したように１３００℃〜１４００
℃の高温熱処理による固相反応法で作製されるため、単
結晶フェライト材２と多結晶フェライト材３の熱膨張係
数を合せる必要があり、このため単結晶フェライト材２
及び多結晶フェライト材３の材料選定に自由度が無かっ
た。また、図９に示すように（但し、図９Ａは熱処理前
の状態、図９Ｂは熱処理後の状態を比較して示す）、熱
処理によって接合界面部では多結晶フェライト材３が単
結晶化してしまう。このことは磁気ヘッドにした際に、
単結晶フェライト材２の体積が多くなることによって摺
動ノイズが大きくなるという欠点があった。また、接合
界面が一線上になく、乱れるので、かかる接合フェライ
ト４より多数個の磁気ヘッドを作製する時には単結晶フ
ェライト材２の体積が磁気ヘッド間でばらつき、結果的
にヘッド出力のばらつきが多い磁気ヘッドとなってい
た。
フェライト４は、上述したように１３００℃〜１４００
℃の高温熱処理による固相反応法で作製されるため、単
結晶フェライト材２と多結晶フェライト材３の熱膨張係
数を合せる必要があり、このため単結晶フェライト材２
及び多結晶フェライト材３の材料選定に自由度が無かっ
た。また、図９に示すように（但し、図９Ａは熱処理前
の状態、図９Ｂは熱処理後の状態を比較して示す）、熱
処理によって接合界面部では多結晶フェライト材３が単
結晶化してしまう。このことは磁気ヘッドにした際に、
単結晶フェライト材２の体積が多くなることによって摺
動ノイズが大きくなるという欠点があった。また、接合
界面が一線上になく、乱れるので、かかる接合フェライ
ト４より多数個の磁気ヘッドを作製する時には単結晶フ
ェライト材２の体積が磁気ヘッド間でばらつき、結果的
にヘッド出力のばらつきが多い磁気ヘッドとなってい
た。
【０００６】一方、上述の固相反応法による接合フェラ
イト４において、ＨＩＰ処理（熱間静水圧プレス）した
多結晶フェライト材３を使用した場合には、１３００℃
〜１４００℃の高温熱処理で多結晶フェライト材３に再
び気孔が発生し、ＨＩＰ処理した意味がなくなってしま
う。但し、ＨＩＰ処理とは、アルゴンなどのガスを圧力
媒体として１００ｋｇｆ／ｃｍ2 以上の圧力と、１００
０℃以上の温度との相乗効果を利用して加圧処理する技
術であって、ＨＩＰ処理された多結晶フェライト材は気
孔が減少し磁気特性が高められるとされている。
イト４において、ＨＩＰ処理（熱間静水圧プレス）した
多結晶フェライト材３を使用した場合には、１３００℃
〜１４００℃の高温熱処理で多結晶フェライト材３に再
び気孔が発生し、ＨＩＰ処理した意味がなくなってしま
う。但し、ＨＩＰ処理とは、アルゴンなどのガスを圧力
媒体として１００ｋｇｆ／ｃｍ2 以上の圧力と、１００
０℃以上の温度との相乗効果を利用して加圧処理する技
術であって、ＨＩＰ処理された多結晶フェライト材は気
孔が減少し磁気特性が高められるとされている。
【０００７】このため、接合フェライト４を作製後にＨ
ＩＰ処理を行い多結晶中の気孔を低減する方法もある
が、この方法では図１１に示すような単結晶フェライト
材２と多結晶フェライト材３を交互に積層した積層接合
フェライト５の場合には、各多結晶フェライト材３内で
気孔解消による寸法変化にばらつきが生じ、ピッチＰが
ばらつき、後加工時にピッチ送りが出来ず作業性を悪化
させてしまう。従って従来ではＨＩＰ処理済多結晶フェ
ライト材を用いた接合フェライトの作製は困難であり、
接合フェライトヘッドの出力向上は難しいものであっ
た。
ＩＰ処理を行い多結晶中の気孔を低減する方法もある
が、この方法では図１１に示すような単結晶フェライト
材２と多結晶フェライト材３を交互に積層した積層接合
フェライト５の場合には、各多結晶フェライト材３内で
気孔解消による寸法変化にばらつきが生じ、ピッチＰが
ばらつき、後加工時にピッチ送りが出来ず作業性を悪化
させてしまう。従って従来ではＨＩＰ処理済多結晶フェ
ライト材を用いた接合フェライトの作製は困難であり、
接合フェライトヘッドの出力向上は難しいものであっ
た。
【０００８】本発明は、上述の点に鑑み、接合界面での
多結晶フェライトの単結晶化がないと共に、材料選定の
自由度があり、さらにＨＩＰ処理済の多結晶フェライト
を用いることも可能にした接合フェライトを提供するも
のである。
多結晶フェライトの単結晶化がないと共に、材料選定の
自由度があり、さらにＨＩＰ処理済の多結晶フェライト
を用いることも可能にした接合フェライトを提供するも
のである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、単結晶フェラ
イト２と多結晶フェライト３（又は３３）を接合してな
る接合フェライトにおいて、単結晶フェライト２と多結
晶フェライト３（又は３３）の界面にＴｉ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はこれらの合金群より選ばれ
た少なくとも１種の第１金属膜１１及び貴金属よりなる
第２金属膜１２を有して成る。
イト２と多結晶フェライト３（又は３３）を接合してな
る接合フェライトにおいて、単結晶フェライト２と多結
晶フェライト３（又は３３）の界面にＴｉ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はこれらの合金群より選ばれ
た少なくとも１種の第１金属膜１１及び貴金属よりなる
第２金属膜１２を有して成る。
【００１０】
【作用】本発明においては、単結晶フェライト２と多結
晶フェライト３とが、その界面に存する第１金属膜１１
及び貴金属の第２金属膜１２により低温熱拡散で接合さ
れる。従って、界面の多結晶フェライト３の単結晶化が
抑えられ、接合界面が一線上となる良好な接合フェライ
ト１４が得られる。この接合フェライト１４を用いるこ
とにより、特性上ばらつきの少ない接合フェライトヘッ
ドが得られる。
晶フェライト３とが、その界面に存する第１金属膜１１
及び貴金属の第２金属膜１２により低温熱拡散で接合さ
れる。従って、界面の多結晶フェライト３の単結晶化が
抑えられ、接合界面が一線上となる良好な接合フェライ
ト１４が得られる。この接合フェライト１４を用いるこ
とにより、特性上ばらつきの少ない接合フェライトヘッ
ドが得られる。
【００１１】また、低温熱拡散で接合されているので、
単結晶フェライト２と多結晶フェライト３の熱膨張係数
を合せる必要がなく、材料選定の自由度が増し、接合フ
ェライト１４の作製が容易となる。
単結晶フェライト２と多結晶フェライト３の熱膨張係数
を合せる必要がなく、材料選定の自由度が増し、接合フ
ェライト１４の作製が容易となる。
【００１２】さらに、低温熱拡散で接合されているの
で、多結晶フェライトとして例えばＨＩＰ処理した多結
晶フェライト３３を用いても接合時に多結晶フェライト
３３に再び気孔が発生することもなく、磁気特性のよい
接合フェライト３４が得られる。
で、多結晶フェライトとして例えばＨＩＰ処理した多結
晶フェライト３３を用いても接合時に多結晶フェライト
３３に再び気孔が発生することもなく、磁気特性のよい
接合フェライト３４が得られる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明による接合フェ
ライトの実施例を説明する。
ライトの実施例を説明する。
【００１４】図１は本発明に係る接合フェライトの一例
であり、作製法と共に示す。本例においては、図１Ａに
示すように、例えばＭｎＺｎフェライト、ＮｉＺｎフェ
ライト等による夫々磁性単結晶フェライト材２と、磁性
多結晶フェライト材３を用意し、両フェライト材２及び
３の夫々の接合面を鏡面仕上げする。
であり、作製法と共に示す。本例においては、図１Ａに
示すように、例えばＭｎＺｎフェライト、ＮｉＺｎフェ
ライト等による夫々磁性単結晶フェライト材２と、磁性
多結晶フェライト材３を用意し、両フェライト材２及び
３の夫々の接合面を鏡面仕上げする。
【００１５】次に、図１Ｂに示すように、両フェライト
材２及び３の接合面２ａ及び３ａ上に夫々例えばスパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に
代表される真空薄膜形成技術を用いて第１金属膜１１を
形成し、さらにその上に貴金属の第２金属膜１２を形成
する。第１金属膜１１としては、例えばＣｒ，Ｔｉ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はこれらの合金群の
少なくとも１種より選択可能である。この第１金属膜は
フェライトと第２金属膜１２間の密着性を確保する為に
使われ、その膜厚は５０〜１０００Å程度とすることが
好ましい。第２金属膜１２としては例えばＡｕ，Ａｇ，
Ｐｔ，Ｐｄの中より選択可能であり、その膜厚としては
１００〜２０００Å程度が好ましい。
材２及び３の接合面２ａ及び３ａ上に夫々例えばスパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に
代表される真空薄膜形成技術を用いて第１金属膜１１を
形成し、さらにその上に貴金属の第２金属膜１２を形成
する。第１金属膜１１としては、例えばＣｒ，Ｔｉ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はこれらの合金群の
少なくとも１種より選択可能である。この第１金属膜は
フェライトと第２金属膜１２間の密着性を確保する為に
使われ、その膜厚は５０〜１０００Å程度とすることが
好ましい。第２金属膜１２としては例えばＡｕ，Ａｇ，
Ｐｔ，Ｐｄの中より選択可能であり、その膜厚としては
１００〜２０００Å程度が好ましい。
【００１６】次に、図１Ｃに示すように、両フェライト
材２及び３を互の第２金属膜１２が対接するように突き
合せ、例えば１００ｋｇｆ／ｃｍ2 程度の圧力をかけな
がら真空炉を用いて２５０℃、１時間の熱処理を行い、
第２金属膜１２同士の熱拡散接合により、図１Ｄに示す
単結晶フェライト材２と多結晶フェライト材３を接合し
てなる接合フェライト１４を形成する。例えば第２金属
膜１２としてＡｕを用いた場合、Ａｕ同士が熱拡散し、
接合一体化して強固な接合状態の接合フェライト１４が
得られる。
材２及び３を互の第２金属膜１２が対接するように突き
合せ、例えば１００ｋｇｆ／ｃｍ2 程度の圧力をかけな
がら真空炉を用いて２５０℃、１時間の熱処理を行い、
第２金属膜１２同士の熱拡散接合により、図１Ｄに示す
単結晶フェライト材２と多結晶フェライト材３を接合し
てなる接合フェライト１４を形成する。例えば第２金属
膜１２としてＡｕを用いた場合、Ａｕ同士が熱拡散し、
接合一体化して強固な接合状態の接合フェライト１４が
得られる。
【００１７】加圧圧力範囲としては、１ｋｇｆ／ｃｍ2
〜１０００ｋｇｆ／ｃｍ2 、熱処理温度範囲としては５
０℃〜１０００℃が望ましい。試験によれば、例えば第
１金属膜にＣｒを用い、第２金属膜にＡｕを用いたとき
に、上記の１００ｋｇｆ／ｃｍ2 の加圧下で２５０℃、
１時間の熱処理で、または５ｋｇｆ／ｃｍ2 の加圧下で
８００℃の熱処理で接合を行うことができた。
〜１０００ｋｇｆ／ｃｍ2 、熱処理温度範囲としては５
０℃〜１０００℃が望ましい。試験によれば、例えば第
１金属膜にＣｒを用い、第２金属膜にＡｕを用いたとき
に、上記の１００ｋｇｆ／ｃｍ2 の加圧下で２５０℃、
１時間の熱処理で、または５ｋｇｆ／ｃｍ2 の加圧下で
８００℃の熱処理で接合を行うことができた。
【００１８】次に、図２〜図３、図４〜図６を用いてか
かる接合フェライトを用いた磁気ヘッドの製法例を示
す。
かる接合フェライトを用いた磁気ヘッドの製法例を示
す。
【００１９】先ず、図２Ａに示すように、上記のように
して作製した単結晶フェライト材２と多結晶フェライト
材３を接合してなる１対の接合フェライトコアブロック
１６Ａ及び１６Ｂを用意し、次いで図２Ｂに示すように
両コアブロック１６Ａ及び１６Ｂの接合面側に夫々単結
晶フェライト材２と多結晶フェライト材３に跨るように
巻線溝１７を形成する。次に、図３Ｃに示すように両コ
アブロック１６Ａ及び１６Ｂの接合面を鏡面仕上げして
両コアブロック１６Ａ及び１６Ｂをギャップ材を介して
接合合体する。例えば図３Ｄに示すようにギャップ材と
してＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ，ＺｒＯ2 等によるギャップ材
１８を用いるときはガラス１９により接着合体する。又
は図３Ｆに示すようにギャップ材として例えばＣｒ等の
第１金属膜１１と例えばＡｕ等の第２金属膜１２を用い
てＡｕの低温熱拡散で接合合体することもできる。しか
る後、鎖線位置２０より切断して磁気ギャップｇを有す
る磁気ヘッド２１を得る。
して作製した単結晶フェライト材２と多結晶フェライト
材３を接合してなる１対の接合フェライトコアブロック
１６Ａ及び１６Ｂを用意し、次いで図２Ｂに示すように
両コアブロック１６Ａ及び１６Ｂの接合面側に夫々単結
晶フェライト材２と多結晶フェライト材３に跨るように
巻線溝１７を形成する。次に、図３Ｃに示すように両コ
アブロック１６Ａ及び１６Ｂの接合面を鏡面仕上げして
両コアブロック１６Ａ及び１６Ｂをギャップ材を介して
接合合体する。例えば図３Ｄに示すようにギャップ材と
してＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ，ＺｒＯ2 等によるギャップ材
１８を用いるときはガラス１９により接着合体する。又
は図３Ｆに示すようにギャップ材として例えばＣｒ等の
第１金属膜１１と例えばＡｕ等の第２金属膜１２を用い
てＡｕの低温熱拡散で接合合体することもできる。しか
る後、鎖線位置２０より切断して磁気ギャップｇを有す
る磁気ヘッド２１を得る。
【００２０】図４〜図６は多数個取りに適した磁気ヘッ
ドの他の製法例を示す。図４Ａに示すように、単結晶フ
ェライト材２と多結晶フェライト材３を交互に複数枚重
ね合わせて上述した第１金属膜１１及び第２金属膜１２
を介して低温接合で合体した積層接合フェライトブロッ
ク２３を形成する。次に、積層接合フェライトブロック
２３を鎖線位置２４から切り出して図４Ｂに示すよう
に、所定幅を有する素ブロック２５を形成する。次に、
図５Ｃに示すようち、素ブロック２５の一面２５ａに複
数の巻線溝１７を形成し、その面を鏡面化仕上げして各
鎖線位置２６より切断して図５Ｄに示す単結晶フェライ
ト材２と多結晶フェライト材３が接合され、巻線溝１７
を有したコアブロック２７を形成する。次に、図６Ｅに
示すように１対のコアブロック２５をギャップ材を介し
て接合合体する。しかる後、鎖線位置２８より切断して
図６Ｆに示す磁気ギャップｇを有する磁気ヘッド２９を
得る。
ドの他の製法例を示す。図４Ａに示すように、単結晶フ
ェライト材２と多結晶フェライト材３を交互に複数枚重
ね合わせて上述した第１金属膜１１及び第２金属膜１２
を介して低温接合で合体した積層接合フェライトブロッ
ク２３を形成する。次に、積層接合フェライトブロック
２３を鎖線位置２４から切り出して図４Ｂに示すよう
に、所定幅を有する素ブロック２５を形成する。次に、
図５Ｃに示すようち、素ブロック２５の一面２５ａに複
数の巻線溝１７を形成し、その面を鏡面化仕上げして各
鎖線位置２６より切断して図５Ｄに示す単結晶フェライ
ト材２と多結晶フェライト材３が接合され、巻線溝１７
を有したコアブロック２７を形成する。次に、図６Ｅに
示すように１対のコアブロック２５をギャップ材を介し
て接合合体する。しかる後、鎖線位置２８より切断して
図６Ｆに示す磁気ギャップｇを有する磁気ヘッド２９を
得る。
【００２１】上述した接合フェライト１４によれば、単
結晶フェライト材２と多結晶フェライト材３とが第１金
属膜１１及び第２金属膜１２を用いて１０００℃以下の
低温熱拡散接合法で接合して構成することにより、接合
界面での多結晶フェライト材３が単結晶化することがな
くなる。従って、この接合フェライト１４から磁気ヘッ
ドを作製した際、単結晶フェライトの体積増大はなく摺
動ノイズの小さい磁気ヘッドが得られる。
結晶フェライト材２と多結晶フェライト材３とが第１金
属膜１１及び第２金属膜１２を用いて１０００℃以下の
低温熱拡散接合法で接合して構成することにより、接合
界面での多結晶フェライト材３が単結晶化することがな
くなる。従って、この接合フェライト１４から磁気ヘッ
ドを作製した際、単結晶フェライトの体積増大はなく摺
動ノイズの小さい磁気ヘッドが得られる。
【００２２】また、多結晶フェライト材３が単結晶化せ
ず接合フェライト１４の接合界面が一線上に存するの
で、多数個の磁気ヘッドを作製する時に単結晶フェライ
ト材の体積が磁気ヘッド間でばらつかず、結果的にヘッ
ド出力を均一にした磁気ヘッドが得られる。
ず接合フェライト１４の接合界面が一線上に存するの
で、多数個の磁気ヘッドを作製する時に単結晶フェライ
ト材の体積が磁気ヘッド間でばらつかず、結果的にヘッ
ド出力を均一にした磁気ヘッドが得られる。
【００２３】また、接合フェライト１４が低温接合のた
め、単結晶フェライト材２及び多結晶フェライト材３の
熱膨張係数にとらわれることなく材料の選定が行える。
即ち例えば組成の異なるフェライト材同士の接合も可能
になり、材料選択の自由度が増し、好ましい接合フェラ
イトの作製が容易となる。
め、単結晶フェライト材２及び多結晶フェライト材３の
熱膨張係数にとらわれることなく材料の選定が行える。
即ち例えば組成の異なるフェライト材同士の接合も可能
になり、材料選択の自由度が増し、好ましい接合フェラ
イトの作製が容易となる。
【００２４】また熱拡散接合法で接合されるので、熱処
理時間の短縮も図れる。さらに、第２金属膜として貴金
属を用いるので耐候性にも優れるものである。
理時間の短縮も図れる。さらに、第２金属膜として貴金
属を用いるので耐候性にも優れるものである。
【００２５】図７は、本発明に係る接合フェライトの他
の例を示す。本例においては、図７Ａに示すように、例
えばＭｎＺｎフェライト、ＮｉＺｎフェライト等による
磁性単結晶フェライト材２と、ＨＩＰ処理済の例えばＭ
ｎＺｎフェライト、ＮｉＺｎフェライト等による磁性多
結晶フェライト材３３を用意し、両フェライト材２及び
３３の接合面を鏡面仕上げする。
の例を示す。本例においては、図７Ａに示すように、例
えばＭｎＺｎフェライト、ＮｉＺｎフェライト等による
磁性単結晶フェライト材２と、ＨＩＰ処理済の例えばＭ
ｎＺｎフェライト、ＮｉＺｎフェライト等による磁性多
結晶フェライト材３３を用意し、両フェライト材２及び
３３の接合面を鏡面仕上げする。
【００２６】次いで、前述と同様に図７Ｂに示すよう
に、両フェライト材２及び３３の接合面上に夫々例えば
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング
法等により例えばＣｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ又はこれらの合金群から選択した第１金属膜
１１を形成し、この第１金属膜１１上に例えばＡｕ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，Ｐｄ等の貴金属より選択した第２金属膜１２
を形成する。第１金属膜１１の膜厚は５０〜１０００Å
程度、第２金属膜１２の膜厚は１００〜２０００Å程度
とする。そして、図７Ｄに示すように、両フェライト材
２及び３３を互の第２金属膜１２が対接するように突き
合せ１ｋｇｆ／ｃｍ2 〜１０００ｋｇｆ／ｃｍ2 例えば
１００ｋｇｆ／ｃｍ2程度に加圧しながら、５０℃〜１
０００℃例えば２５０℃、１時間の熱処理を行って、第
２金属膜１２同士の熱拡散で接合合体し、目的の接合フ
ェライト３４を得る。
に、両フェライト材２及び３３の接合面上に夫々例えば
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング
法等により例えばＣｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ又はこれらの合金群から選択した第１金属膜
１１を形成し、この第１金属膜１１上に例えばＡｕ，Ａ
ｇ，Ｐｔ，Ｐｄ等の貴金属より選択した第２金属膜１２
を形成する。第１金属膜１１の膜厚は５０〜１０００Å
程度、第２金属膜１２の膜厚は１００〜２０００Å程度
とする。そして、図７Ｄに示すように、両フェライト材
２及び３３を互の第２金属膜１２が対接するように突き
合せ１ｋｇｆ／ｃｍ2 〜１０００ｋｇｆ／ｃｍ2 例えば
１００ｋｇｆ／ｃｍ2程度に加圧しながら、５０℃〜１
０００℃例えば２５０℃、１時間の熱処理を行って、第
２金属膜１２同士の熱拡散で接合合体し、目的の接合フ
ェライト３４を得る。
【００２７】かかる接合フェライト３４においては、貴
金属の第２金属膜１２による低温熱拡散で接合して構成
されるのでＨＩＰ処理済の多結晶フェライト材３３の気
孔が接合時に再び発生することはない。従って、ＨＩＰ
処理済の多結晶フェライト材３３を用いた接合フェライ
トの作製を可能にする。そして、この接合フェライト３
４は多結晶フェライト材３３に気孔がない為に磁気特性
が向上し、高出力磁気ヘッドの作製を可能にするもので
ある。
金属の第２金属膜１２による低温熱拡散で接合して構成
されるのでＨＩＰ処理済の多結晶フェライト材３３の気
孔が接合時に再び発生することはない。従って、ＨＩＰ
処理済の多結晶フェライト材３３を用いた接合フェライ
トの作製を可能にする。そして、この接合フェライト３
４は多結晶フェライト材３３に気孔がない為に磁気特性
が向上し、高出力磁気ヘッドの作製を可能にするもので
ある。
【００２８】また、本例では、ピッチ精度の高い積層接
合フェライトの作製ができるため、磁気ヘッド作製工程
でのピッチ送りによる加工が可能となる。
合フェライトの作製ができるため、磁気ヘッド作製工程
でのピッチ送りによる加工が可能となる。
【００２９】なお、上例では単結晶フェライト材２と多
結晶フェライト材３又は３３を接合した接合フェライト
１４又は３３について述べたが、第１金属膜１１及び第
２金属膜１２を用いた低温熱拡散接合は、単結晶フェラ
イト材同士、多結晶フェライト材同士の接合にも適用す
ることができる。
結晶フェライト材３又は３３を接合した接合フェライト
１４又は３３について述べたが、第１金属膜１１及び第
２金属膜１２を用いた低温熱拡散接合は、単結晶フェラ
イト材同士、多結晶フェライト材同士の接合にも適用す
ることができる。
【００３０】また、上例では本発明の接合フェライトを
フェライトヘッドに適用したが、その他、メタルインギ
ャップヘッド等にも適用できることは勿論である。
フェライトヘッドに適用したが、その他、メタルインギ
ャップヘッド等にも適用できることは勿論である。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、接合界面での多結晶フ
ェライトの単結晶化が無くなり、品質のよい接合フェラ
イトを提供することができる。また単結晶フェライト、
多結晶フェライトの材料選定の自由度が増し、ＨＩＰ処
理済の多結晶フェライトの使用も可能となり、接合フェ
ライトの製造を容易にするものである。従って、この接
合フェライトを用いることによりヘッド特性に優れ、且
つ特性上ばらつきの少ない磁気ヘッドを作製することが
できる。
ェライトの単結晶化が無くなり、品質のよい接合フェラ
イトを提供することができる。また単結晶フェライト、
多結晶フェライトの材料選定の自由度が増し、ＨＩＰ処
理済の多結晶フェライトの使用も可能となり、接合フェ
ライトの製造を容易にするものである。従って、この接
合フェライトを用いることによりヘッド特性に優れ、且
つ特性上ばらつきの少ない磁気ヘッドを作製することが
できる。
【図１】本発明による接合フェライトの一例を示す製造
工程順の断面図である。
工程順の断面図である。
【図２】本発明の接合フェライトを用いた磁気ヘッドの
一例を示す製造工程図（その１）である。
一例を示す製造工程図（その１）である。
【図３】本発明の接合フェライトを用いた磁気ヘッドの
一例を示す製造工程図（その２）である。
一例を示す製造工程図（その２）である。
【図４】本発明の接合フェライトを用いた磁気ヘッドの
他例を示す製造工程図（その１）である。
他例を示す製造工程図（その１）である。
【図５】本発明の接合フェライトを用いた磁気ヘッドの
他例を示す製造工程図（その２）である。
他例を示す製造工程図（その２）である。
【図６】本発明の接合フェライトを用いた磁気ヘッドの
他例を示す製造工程図（その３）である。
他例を示す製造工程図（その３）である。
【図７】本発明による接合フェライトの他例を示す製造
工程順の断面図である。
工程順の断面図である。
【図８】従来の接合フェライトを示す製造工程図であ
る。
る。
【図９】従来の接合フェライトの説明図である。
【図１０】接合フェライトによる磁気ヘッドの構成図で
ある。
ある。
【図１１】積層接合フェライトの斜視図である。
１，２１，２９ 磁気ヘッド ２ 単結晶フェライト材 ３，３３ 多結晶フェライト材 ４，１４，３４ 接合フェライト １１ 第１金属膜 １２ 第２金属膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年９月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】先ず、図２Ａに示すように、上記のように
して作製した単結晶フェライト材２と多結晶フェライト
材３を接合してなる１対の接合フェライトコアブロック
１６Ａ及び１６Ｂを用意し、次いで図２Ｂに示すように
両コアブロック１６Ａ及び１６Ｂの接合面側に夫々単結
晶フェライト材２と多結晶フェライト材３に跨るように
巻線溝１７を形成する。次に、図３Ｃに示すように両コ
アブロック１６Ａ及び１６Ｂの接合面を鏡面仕上げして
両コアブロック１６Ａ及び１６Ｂをギャップ材を介して
接合合体する。例えば図３Ｄに示すようにギャップ材と
してＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ，ＺｒＯ2 等によるギャップ材
１８を用いるときはガラス１９により接着合体する。又
は図３Ｅに示すようにギャップ材として例えばＣｒ等の
第１金属膜１１と例えばＡｕ等の第２金属膜１２を用い
てＡｕの低温熱拡散で接合合体することもできる。しか
る後、鎖線位置２０より切断して磁気ギャップｇを有す
る磁気ヘッド２１を得る。
して作製した単結晶フェライト材２と多結晶フェライト
材３を接合してなる１対の接合フェライトコアブロック
１６Ａ及び１６Ｂを用意し、次いで図２Ｂに示すように
両コアブロック１６Ａ及び１６Ｂの接合面側に夫々単結
晶フェライト材２と多結晶フェライト材３に跨るように
巻線溝１７を形成する。次に、図３Ｃに示すように両コ
アブロック１６Ａ及び１６Ｂの接合面を鏡面仕上げして
両コアブロック１６Ａ及び１６Ｂをギャップ材を介して
接合合体する。例えば図３Ｄに示すようにギャップ材と
してＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ，ＺｒＯ2 等によるギャップ材
１８を用いるときはガラス１９により接着合体する。又
は図３Ｅに示すようにギャップ材として例えばＣｒ等の
第１金属膜１１と例えばＡｕ等の第２金属膜１２を用い
てＡｕの低温熱拡散で接合合体することもできる。しか
る後、鎖線位置２０より切断して磁気ギャップｇを有す
る磁気ヘッド２１を得る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 印牧 洋一 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 青木 薫 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 単結晶フェライトと多結晶フェライトを
接合してなる接合フェライトにおいて、 上記単結晶フェライトと上記多結晶フェライトの界面
に、Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はこれ
らの合金群より選ばれる少なくとも１種の第１金属膜及
び貴金属よりなる第２金属膜を有して成る接合フェライ
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18778991A JPH0536012A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 接合フエライト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18778991A JPH0536012A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 接合フエライト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536012A true JPH0536012A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16212254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18778991A Pending JPH0536012A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 接合フエライト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536012A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000072694A1 (fr) * | 1999-05-28 | 2000-12-07 | Meiji Seika Kaisha Ltd. | Procede d'amelioration des caracteristiques gustatives d'une masse de cacao et ses produits de transformation |
| WO2001054117A1 (fr) * | 2000-01-20 | 2001-07-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Tete em, procede de fabrication de cette tete, et dispositif d'enregistrement magnetique et de reproduction |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP18778991A patent/JPH0536012A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000072694A1 (fr) * | 1999-05-28 | 2000-12-07 | Meiji Seika Kaisha Ltd. | Procede d'amelioration des caracteristiques gustatives d'une masse de cacao et ses produits de transformation |
| WO2001054117A1 (fr) * | 2000-01-20 | 2001-07-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Tete em, procede de fabrication de cette tete, et dispositif d'enregistrement magnetique et de reproduction |
| US6493193B2 (en) | 2000-01-20 | 2002-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | MR head with MR element and reinforcing body mounted via non-organic film |
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