KR20010110762A - 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서 - Google Patents
신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (14)
- 방사선을 투과하는 기판과,상기 기판 상에 설치된 반사성 금속 박막과,상기 반사성 금속 박막 전체를 덮는 보호막과,상기 보호막 상에 퇴적한 신틸레이터를 구비하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
- 방사선을 투과하는 기판과,상기 기판 상에 설치된 반사성 금속 박막과,상기 반사성 금속 박막 상에 설치된 보호막과,상기 보호막 상의 가장자리부를 제외하는 위치에 퇴적한 신틸레이터를 구비하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반사성 금속 박막은 Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh, Pt 및 Au로 이루어지는 군 중의 물질을 포함하는 재료로 이루어지는 막인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호막은 LiF, MgF2,SiO2, Ti02, Al203, MgO, SiN 및 폴리이미드로 이루어지는 군 중의 물질을 포함하는 재료로 이루어지는 막인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호막은 Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh 및 Pt로 이루어지는 군 중의 물질을 포함하는 재료로 이루어지는 산화막인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호막은 무기막 및 유기막에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 신틸레이터는 유기막으로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
- 제 7 항에 있어서, 상기 유기막은 더욱 상기 기판 표면의 적어도 일부를 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
- 제 7 항에 있어서, 상기 유기막은 더욱 상기 기판 표면 전체를 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 신틸레이터 패널의 상기 신틸레이터에 대향하여 촬상 소자를 배치한 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서.
- 유리제 기판과,상기 기판 상에 설치된 반사막과,상기 반사막 상에 퇴적한 신틸레이터와,상기 신틸레이터를 덮는 투명 유기막을 구비하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
- 제 11 항에 있어서,상기 투명 유기막은 더욱 상기 기판 표면의 적어도 일부를 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
- 제 11 항에 있어서,상기 투명 유기막은 더욱 상기 기판 표면 전체를 피복하고 있는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널.
- 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 신틸레이터 패널의 상기 신틸레이터에 대향하여 촬상 소자를 배치한 것을 특징으로 하는 방사선 이미지 센서.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101026621B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2011-04-04 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선상 변환 패널, 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지센서 |
KR101026620B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2011-04-04 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선상 변환 패널, 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지센서 |
KR101042065B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2011-06-16 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선상 변환 패널, 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지센서 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU4168699A (en) * | 1998-06-18 | 2000-01-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of organic film deposition |
FR2812089B1 (fr) * | 2000-07-21 | 2007-11-30 | Trixell Sas | Detecteur de rayonnement a duree de vie accrue |
EP1326093A4 (en) | 2000-09-11 | 2006-11-15 | Hamamatsu Photonics Kk | SCINTILLATE PANEL, RADIATION IMAGE SENSOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
USRE42281E1 (en) | 2000-09-11 | 2011-04-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them |
US6835936B2 (en) * | 2001-02-07 | 2004-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator panel, method of manufacturing scintillator panel, radiation detection device, and radiation detection system |
JP4393048B2 (ja) | 2002-09-11 | 2010-01-06 | キヤノン株式会社 | 放射線変換基板、放射線撮影装置および放射線撮影システム |
US7355184B2 (en) * | 2003-04-07 | 2008-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus and method for manufacturing the same |
US7112802B2 (en) * | 2003-04-11 | 2006-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator panel, radiation detecting apparatus, and radiation detection system |
EP1678525A1 (en) * | 2003-10-22 | 2006-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection device, scintillator panel, method of making the same, making apparatus, and radiation image pick-up system |
CN101002110B (zh) | 2004-08-10 | 2010-12-08 | 佳能株式会社 | 放射线探测装置、闪烁体板及其制造方法和放射线探测系统 |
JP4594188B2 (ja) | 2004-08-10 | 2010-12-08 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
DE102006038969B4 (de) * | 2006-08-21 | 2013-02-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgenkonverterelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2008139064A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | シンチレータパネルの製造方法、シンチレータパネル及び真空蒸着装置 |
US7732788B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image converting panel, scintillator panel and radiation image sensor |
EA015114B1 (ru) | 2007-06-15 | 2011-06-30 | Хамамацу Фотоникс К.К. | Панель преобразования радиационного изображения и датчик радиационного изображения |
KR101352359B1 (ko) * | 2007-07-23 | 2014-01-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 엑스선 검출기 및 그 제조 방법 |
CN101477204B (zh) * | 2009-01-12 | 2011-12-14 | 深圳市尚荣医疗股份有限公司 | 一种x射线探测器及其利用探测器实现x射线成像的方法 |
KR101198067B1 (ko) | 2010-04-15 | 2012-11-07 | 한국전기연구원 | 수직 적층형 섬광체 구조물을 이용한 방사선 검출 장치 |
JP5473835B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-04-16 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器、放射線画像撮影装置及び放射線検出器の製造方法 |
JP6298264B2 (ja) | 2012-10-31 | 2018-03-20 | キヤノン株式会社 | シンチレータ、放射線検出装置、および、それらの製造方法 |
US9513380B2 (en) * | 2014-07-25 | 2016-12-06 | General Electric Company | X-ray detectors supported on a substrate having a surrounding metal barrier |
US9535173B2 (en) * | 2014-09-11 | 2017-01-03 | General Electric Company | Organic x-ray detector and x-ray systems |
US10126433B2 (en) | 2014-11-10 | 2018-11-13 | Halliburton Energy Services, Inc. | Energy detection apparatus, methods, and systems |
JP6487263B2 (ja) * | 2015-04-20 | 2019-03-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器及びその製造方法 |
JP6676372B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2020-04-08 | 株式会社S−Nanotech Co−Creation | シンチレータ及び電子検出器 |
JP2018036198A (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータパネル |
CN108663705B (zh) * | 2017-03-28 | 2020-04-14 | 中国科学院高能物理研究所 | 复合晶体的包覆方法及复合晶体探测器 |
JP6985824B2 (ja) * | 2017-06-15 | 2021-12-22 | キヤノン株式会社 | シンチレータプレート、放射線撮像装置およびシンチレータプレートの製造方法 |
US11249202B2 (en) | 2019-10-28 | 2022-02-15 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | CsI(Tl) scintillator crystal including multi valence cations to reduce afterglow, and a radiation detection apparatus including the scintillation crystal |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0303730A3 (en) * | 1983-11-09 | 1989-04-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Scintillation crystal for a radiation detector and method for producing same |
JPH01191087A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
JPH01269083A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-26 | Hitachi Ltd | 放射線検出素子 |
JPH0560871A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-12 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出素子 |
US5227635A (en) * | 1991-11-22 | 1993-07-13 | Xsirious, Inc. | Mercuric iodide x-ray detector |
KR100514547B1 (ko) * | 1997-02-14 | 2005-12-14 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선검출소자및그제조방법 |
EP1024374B1 (en) * | 1998-06-18 | 2002-06-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
-
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-
2001
- 2001-10-09 US US09/971,943 patent/US20020017613A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101026621B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2011-04-04 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선상 변환 패널, 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지센서 |
KR101026620B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2011-04-04 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선상 변환 패널, 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지센서 |
KR101042065B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2011-06-16 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선상 변환 패널, 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지센서 |
Also Published As
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