KR20010092682A - 만곡형상 와이어의 형성방법 - Google Patents

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고마치야스유키
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후지야마 겐지
가부시키가이샤 신가와
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Abstract

와이어에 걸린 백텐션의 영향을 받지 않고 안정된 고품질의 형상을 얻을 수 있다.
도 3(a)에 도시하는 바와 같이 와이어 본딩장치에 의해 핀형상 와이어(10)를 형성하고, 도 3(c)에 도시하는 바와 같이 핀형상 와이어(10)에 캐필러리(4)를 삽통한 상태에서, 도 3(d) 내지 (j)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4)를, 형성된 만곡형상 와이어(11)의 형상을 따라서 이동시켜서 만곡형상 와이어(11)를 형성한다.

Description

만곡형상 와이어의 형성방법{METHOD FOR FORMING CURVE-FORM WIRE}
본 발명은 만곡형상 와이어의 형성방법에 관한 것이다.
종래, 만곡부를 갖는 만곡형상 와이어를 와이어 본딩장치로 형성하는 방법으로서, 예를 들면 일본국 특표평 11－514493호 공보에 나타나는 것을 들을 수 있다. 이 방법은 캐필러리에 삽통(揷通)되어서 이 캐필러리의 하면으로부터 뻗어 있는(延在) 와이어의 선단에 볼을 형성하고, 캐필러리를 하강시켜서 볼을 전극패드에 본딩한다. 그 후는 캐필러리의 궤적이 만곡형상으로 되도록 이동시켜서 만곡형상 와이어의 형상을 형성한다. 다음에 와이어의 절단위치보다 상방으로 캐필러리를 상승시키고, 전자적 화염사출, 나이프 등의 기계적 수단으로 와이어를 절단하여 만곡형상 와이어를 형성한다.
와이어 본딩장치는 캐필러리에 삽통된 와이어에 백텐션이 걸려서, 와이어에 일정한 텐션을 주고 있다. 또 와이어를 유지하기 위하여 캐필러리의 상방에 와이어 클램퍼가 설치되어 있다.
상기 종래기술은 캐필러리를 이동시켜서 만곡형상 와이어의 형상을 형성한 후에 와이어를 절단하므로, 다음과 같은 문제가 있었다. 캐필러리를 이동시켜서 만곡형상 와이어의 형상을 형성할 때에는 캐필러리로부터 와이어를 빼 낼 필요가 있으므로 와이어 클램퍼는 개방된 상태에 있다. 이 때문에 와이어에 걸린 백텐션에 의해 절단전의 만곡형상 와이어의 형상이 상방으로 끌어당겨져서 변형되어서, 안정된 형상을 얻을 수 없다. 또 단지 형성되는 만곡형상 와이어의 형상을 따라서 캐필러리를 이동시켜서 만곡형상 와이어의 형상을 형성하므로, 와이어의 탄성력에 의해 만곡형상 와이어의 만곡부 및 경사부의 형상이 변형되어, 이런 점에서도 안정된 형상을 얻을 수 없다.
본 발명의 제 1의 과제는 와이어에 걸린 백텐션의 영향을 받지 않고, 안정된 고품질의 형상을 얻을 수 있는 만곡형상 와이어의 형성방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 제 2의 과제는 와이어가 갖는 여분의 탄성력을 흡수하여 일정량의 탄성력으로, 더욱 안정된 고품질의 형상을 얻을 수 있는 만곡형상 와이어의 형성방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 제 3의 과제는 전자회로소자 등에 본딩된 볼보다 상방의 와이어 길이를 임의로 설정할 수 있고, 또 코스트가 높아지는 일도 없음과 동시에, 핀형상 와이어의 길이가 일정하게 되어 안정된 일정량의 길이의 만곡형상 와이어의 형성방법을 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 만곡형상 와이어의 형성방법의 한 실시형태에 있어서의 핀형상 와이어의 형성을 도시하는 공정도,
도 2는 도 1의 계속공정으로서, 본 발명의 만곡형상 와이어의 형성의 한 실시형태를 도시하는 공정도,
도 3은 본 발명의 만곡형상 와이어의 형성방법의 다른 실시형태를 도시하는 공정도, 및
도 4는 핀형상 와이어의 형성의 다른 실시형태를 도시하는 공정도.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
1 : 와이어 1a : 볼
1b : 흠 1c : 압착볼
2 : 제 2 와이어 클램퍼 3 : 제 1 와이어 클램퍼
4 : 캐필러리 5 : 전기토치
6 : 커터 7 : 전자회로소자
8 : 전극패드 10 : 핀형상 와이어
11 : 만곡형상 와이어 12 : 제 1 만곡부
13 : 제 1 경사부 15 : 제 2 만곡부
16 : 제 2 경사부
상기 제 1의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제 1 의 수단은, 와이어 본딩장치에 의해 핀형상 와이어를 형성하고, 이 핀형상 와이어에 캐필러리를 삽통시킨 상태에서 캐필러리의 궤적이 만곡형상으로 되도록 이동시켜서 만곡형상 와이어를 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제 2의 수단은, 와이어 본딩장치에 의해 핀형상 와이어를 형성하고, 이 상태에서 상기 핀형상 와이어에 캐필러리가 삽통되고, 또한 핀형상 와이어에서 절단된 와이어도 캐필러리내에 있고, 캐필러리의 궤적이 만곡형상으로 되도록 이동시켜서 만곡형상 와이어를 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1의 관제를 해결하기 위한 본 발명의 제 3의 수단은, 와이어 본딩장치에 의해 핀형상 와이어를 형성하고, 이 핀형상 와이어에 빈 캐필러리가 삽통하고, 캐필러리의 궤적이 만곡형상으로 되도록 이동시켜서 만곡형상 와이어를 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 및 제 2의 과제를 행결하기 위한 본 발명의 제 4의 수단은, 상기 제 1, 제 2 또는 제 3의 수단에 있어서, 상기 캐필러리를 이동시켜서 만곡형상 와이어의 만곡부에 굴곡(癖)지게 경사부를 형성한 후에 캐필러리를 약간 하강시켜서 이 캐필러리로 상기 경사부를 눌러내리는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 및 제 3의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제 5의 수단은, 상기 제 1, 제 2 또는 제 3의 수단에 있어서, 상기 핀형상 와이어의 형성은 캐필러리에 삽통된 와이어의 선단에 볼을 형성한 후, 캐필러리의 하단에서 와이어가 뻗어 있게 하고, 와이어 본딩장치에 설치된 흠내기수단에 의해 상기 볼과 상기 캐필러리 사이의 와이어부분에 흠을 내고, 상기 볼을 상기 캐필러리를 사용하여 전자회로소자 등의 전극패드에 본딩하고, 다음에 캐필러리를 상승시킨 후에, 와이어를 상방으로 끌어당겨서 상기 흠부분에서 와이어를 절단하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 및 제 3의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제 6의 수단은, 상기 제 1, 제 2 또는 제 3의 수단에 있어서, 상기 핀형상 와이어의 형성은 캐필러리와 함께 상하이동하는 제 1 와이어 클램퍼와 상하이동 하지 않는 제 2 와이어 클램퍼를 갖는 와이어 본딩장치를 사용하고, 제 2 와이어 클램퍼 및 제 1 와이어 클램퍼를 통하여 캐필러리에 와이어가 삽통되고, 상기 제 2 와이어 클램퍼를 개방하며, 상기 제 1 와이어 클램퍼를 닫은 상태에서, 캐필러리에 삽통된 와이어의 선단에 볼을 형성한 후, 상기 제 1 와이어 클램퍼를 개방하고, 상기 와이어에 걸려 있는 백텐션의 작용에 의해 볼이 캐필러리의 하단에 맞닿며, 다음에 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 하강시키고, 계속해서 제 2 와이어 클램퍼를 닫고서 부터 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 상승시켜서 캐필러리의 하단에서 와이어를 뻗어 있게 하고, 다음에 제 1 와이어 클램퍼를 닫고, 제 2 와이어 클램퍼를 개방한 상태에서 와이어 본딩장치에 설치한 흠내기수단에 의해 상기 볼과 상기 캐필러리 사이의 와이어부분에 흠을 내고, 계속해서 제 1 와이어 클램퍼를 개방하여 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 하강시켜서, 상기 볼을 상기 캐필러리를 사용해서 전자회로소자 등의 전극패드에 본딩하고, 다음에 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 상승시켜 이 상승도중에 제 1 와이어 클램퍼를 닫고 와이어를 상방으로 끌어당겨서 상기 흠부분에서 와이어를 절단하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
(발명의 실시형태)
본 발명의 한 실시형태를 도 1 및 도 2에 의해 설명한다. 도 1(a)에 도시하는 바와 같이 와이어(1)는 제 2 와이어 클램퍼(2) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)를 통과하여 캐필러리(4)에 삽통되고, 캐필러리(4)의 하단으로부터 뻗어 있다. 이 상태에서는 제 2 와이어 클램퍼(2)가 개방되고 제 1 와이어 클램퍼(3)가 닫힌 상태에 있다. 여기서 제 2 와이어 클램퍼(2)는 상하이동 하지않고, 제 1 와이어 클램퍼(3)는 캐필러리(4)와 함께 상하이동하도록 되어 있다. 이 상태에서 도 1(b)에 도시하는 바와 같이 와이어(1)의 선단에 전기토치(5)에 의한 방전에 의해 볼(1a)을 만든다. 그 후 전기토치(5)는 화살표방향으로 이동한다.
다음에 도 1(c)에 도시하는 바와 같이 제 1 와이어 클램퍼(3)가 개방된다. 이것에 의해 와이어(1)에 걸려 있는 백텐션의 작용에 의해 볼(1a)이 캐필러리(4)의 하단에 맞닿는다. 계속해서 도 1(d)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)가 길이(L1)만큼 하강한다. 다음에 도 1(e)에 도시하는 바와 같이 제 2 와이어 클램퍼(2)가 닫히고 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)가 원래의 위치로 상승, 즉 길이(L1)만큼 상승한다. 이것에 의해 캐필러리(4)의 하단으로부터 와이어(1)가 길이(L1)만큼 뻗어 있다.
다음에 도 1(f)에 도시하는 바와 같이 제 1 와이어 클램퍼(3)가 닫힌 후에 제 2 와이어 클램퍼(2)가 개방되고, 캐필러리(4)의 하단에서 길이(L2)만큼 하방으로 배열설치되어 있는 도시하지 않은 와이어 본딩장치에 설치된 커터(6)가 왕복동작하여 와이어(1)를 절단하는 개소에 흠(1b)을 낸다. 이 때 커터(6)가 와이어(1)에 대향하도록 맞닿아서 대략 동일하게 파고 들으므로, 흠(1b)은 대향한 위치에 대략 동등한 크기로 난다.
커터(6)가 퇴피한 후, 도 1(g)에 도시하는 바와 같이 제 1 와이어 클램퍼(3)가 개방되고 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)가 하강하여, 볼(1a)을 IC, LSI 등의 전자회로소자(7)의 전극패드(8)에 압접시킨다. 다음에 캐필러리(4)에 초음파진동을 인가하고 볼(1a)을 전극패드(8)에 본딩하여 볼(1a)이 압착볼(1c)로 된다.
다음에 도 1(h)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4)와 제 1 와이어 클램퍼(3)가 함께 상승하고 이 상승도중에 제 1 와이어 클램퍼(3)가 닫힌다. 이것에 의해 흠(1b)부분에서 와이어(1)가 절단되어서, 핀형상 와이어(10)가 형성된다. 이 경우 제 1 와이어 클램퍼(3)가 닫히는 타이밍은 핀형상 와이어(10)가 캐필러리(4)내에 있고 다음의 도 2에 도시하는 공정에서 형성되는 만곡형상 와이어(11)(도 2(g) 참조)의 형성공정의 스타트위치까지 상승한 때이다. 상기 흠(1b)부분은 와이어(1)가 대항하는 위치와 동등한 크기로 나 있으므로 절단면은 스캐터링 없이 일정해지고, 또 핀형상 와이어(10)의 길이는 안정되어 일정량의 길이(L4)를 얻을 수 있다.
다음에 만곡형상 와이어(11)의 형성방법을 도 2에 의해 설명한다. 또한 도 2(a) 내지 (f)는 제 2 와이어 클램퍼(2)를 생략하여 도시하였다. 도 1(h)의 상태에서 도 2(a)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)는 수평으로 이동한다. 이것에 의해 캐필러리(4)의 하단에 맞닿는 제 1 만곡부(12)로 굴곡이 지고, 압착볼(1c)로부터 제 1 만곡부(12)까지에 제 1 경사부(13)가 형성된다. 계속해서 도 2(b)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)는 약 100㎛ 정도 하강한다. 이것에 의해 제 1 경사부(13)가 캐필러리(4)의 하면에 의해 눌려 내려간다. 다음에 도 2(c)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)는 상승한다.
여기서 도 2(b)의 공정을 행하지 않고, 도 2(a)의 공정으로부터 도 2(c)의 공정을 행하면 제 1 경사부(13)의 탄성에 의해 제 1 경사부(13)의 경사각도(형상)가 변화한다. 본 실시형태와 같이 도 2(a)의 공정과 도 2(c)의 공정간에 도 2(b)의 공정을 행함으로써 제 1 경사부(13)의 탄성변형분을 흡수하므로, 도 2(c)와 같이 캐필러리(4)가 상승한 때에 제 1 경사부(13)의 경사각도(형상)가 안정된다.
다음에 도 2(d)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)는 도 2(a)에 도시하는 이동방향과 반대방향으로 수평으로 압착볼(1c)의 중심선(14)상보다 약간(약 100㎛정도) 많이 이동한다. 이것에 의해 캐필러리(4)의 하단에 맞닿는 제 2 만곡부(15)로 굴곡지고, 제 1 만곡부(12)로부터 제 2 만곡부(15)까지에 상기 제 1 경사부(13)와 반대방향의 제 2 경사부(16)가 형성된다. 계속해서 도 2(e)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)는 약 100㎛정도 하강한다. 이것에 의해 제 2 경사부(16)가 캐필러리(4)의 하면에 의해 눌려 내려간다. 다음에 도 2(f)에 도시하는 바와 같이 압착볼(1c)의 중심선(14)상으로 경사지게 상승한다. 상기 도 2(e)의 공정에 의해 상기한 도 2(b)의 공정과 동일하게 제 2 경사부(16)의 경사각도(형상)가 안정된다.
다음에 도 2(g)에 도시하는 바와 같이 제 2 와이어 클램퍼(2)가 닫히고, 제 1 와이어 클램퍼(3)가 개방되며, 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)는 상승하고, 캐필러리(4)의 하단에서 와이어(1)가 뻗어 있다. 다음에 제 2 와이어 클램퍼(2)가 개방되고, 제 1 와이어 클램퍼(3)가 닫히며, 다음의 전극패드(8)의 상방으로 이동해서, 도 1(a)의 상태로 된다. 이것에 의해 만곡형상 와이어(11)가 형성된다. 이후 도 1(a) 내지 (h), 도 2(a) 내지 (g)의 공정을 행해서 순차적으로 만곡형상 와이어(11)를 형성한다.
이와 같이 본 실시형태에 있어서는 먼저 도 1(h)에 도시하는 바와 같이 와이어(1)로부터 절단된 핀형상 와이어(10)를 형성하고, 이 핀형상 와이어(10)에 도 2(a) 내지 (g)에 도시하는 공정으로 만곡형상 와이어(11)를 형성하므로, 이 만곡형상 와이어(11) 형성시에는 와이어(1)에 미리 걸려 있는 백텐션이 전혀 작용하지 않고, 형성된 만곡형상 와이어(11)가 변형하는 일이 없다. 또 만곡형상 와이어(11)의 제 1 경사부(13) 및 제 2 형사부(16)를 형성할 경우, 도 2(b) 및 (e)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4)를 약간 하강시켜서 눌러내리는 공정을 설치함으로써 더 안정된 만곡형상 와이어(11)를 얻을 수 있다.
또 핀형상 와이어(10)를 형성할 경우, 도 1(f)에 도시하는 바와 같이 와이어(1)에 커터(6)로 흠(1b)을 내는 공정은, 볼(1a)을 전극패드(8)에 본딩하기 위하여 캐필러리(4)가 하강하기 이전에 행해진다. 따라서 전극패드(8)와 캐필러리(4) 사이는 커터(6)를 배열설치하는데 충분한 간격이 있어서, 어떤 지장도 없다. 또 이미 밀집되어 도 2(g)에 도시하는 만곡형상 와이어(11)가 형성되어 있는 경우도 커터(6)는 만곡형상 와이어(11)에서 이격된 상방에서 작동하므로, 커터가 만곡형상 와이어(11)에 접촉하는 일도 없다. 이들에 의해 흠(1b)을 내는 와이어(1)의 부분에 제한은 없고 핀형상 와이어(10)의 길이(L3)를 임의로 설정할 수 있다.
또 제 2 와이어 클램퍼(2)를 사용함으로써 도 1(e)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4)의 하단에서 일정량의 길이(L1) 만큼 와이어(1)를 뻗어있게 할 수 있으므로, 도 1(f)에 도시하는 바와 같이 미리 결정된 와이어(1)의 길이(L3)의 위치에 흠(1b)을 낼 수 있다. 이것에 의해 볼(1a)로부터 흠(1b)까지의 길이(L3)는 안정된 일정량으로 된다. 따라서 도 1(h)에 도시하는 바와 같이 형성된 핀형상 와이어(10)의 길이가 일정하게 되어 상기 길이(L3)와 대략 동등한 안정된 일정량의 길이(L4)를 얻을 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태를 도시한다. 본 실시형태는 와이어 본딩장치에 의한 일련의 공정으로서 만곡형상 와이어(11)를 형성하였다. 본 실시형태는 와이어 본딩장치로 핀형상 와이어(10)를 미리 형성하고, 그 후 별도 공정에서 와이어 본딩장치의 빈 캐필러리(4)(와이어(1)가 삽통되어 있지 않은 캐필러리(4))로 만곡형상 와이어(11)를 형성한다.
먼저 도 3(a)에 도시하는 핀형상 와이어(10)의 형성방법에 대해서 설명한다. 이 핀형상 와이어(10)의 형성은 도 1(a) 내지 (g) 및 도 3(a)의 공정에 의해 형성된다. 즉 상기 실시형태의 도 1(h)의 공정이 도 3(a)의 공정으로 변할 뿐이다. 그래서 도 1(a) 내지 (g)까지의 공정의 설명은 생략하고 도 1(g)의 공정이 종료된 상태부터 설명한다.
도 1(g)에 도시하는 바와 같이 볼(1a)을 전극패드(8)에 본딩하고 볼(1a)은 압착볼(1c)로 된다. 다음에 캐필러리(4)가 도 1(g)에 도시하는 흠(1b)보다 상방으로 제 1 와이어 클램퍼(3)가 함께 상승하고, 이 상승도중에 제 1 와이어 클램퍼(3)가 닫힌다. 이것에 의해 도 3(a)에 도시하는 바와 같이 흠(1b)부분에서 와이어(1)가 절단되고 핀형상 와이어(10)가 형성되며 또 캐필러리(4)의 하면으로부터와이어(1)가 뻗어 있다. 이 도 1(a) 내지 (g) 및 도 3(a)의 공정을 행하고 순차적으로 핀형상 와이어(10)를 형성한다.
다음에 만곡형상 와이어(11)의 형성방법을 도 3(b) 내지 (j)에 의해 설명한다. 본 실시형태의 도 3(d) 내지 (j)는 각각 상기 실시형태의 도 2(a) 내지 (g)에 대응한다. 즉 도 2(a) 내지 (g)에 있어서는 캐필러리(4) 내에 와이어(1)의 하방부가 위치하고 있었지만, 도 3(d) 내지 (j)에 있어서는 와이어(1)가 없는 점이 상이하다.
먼저 도 3(b)에 도시하는 바와 같이 핀형상 와이어(10)의 상방에 빈 캐필러리(4)가 위치하고 계속해서 캐필러리(4)가 하강하며 도 3(c)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4)에 핀형상 와이어(10)가 삽통된다.
다음에 도 3(d)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4)는 화살표로 도시하는 수평방향으로 이동한다. 이것에 의해 캐필러리(4)의 하단에 맞닿는 제 1 만곡부(12)로 굴곡지고, 압착볼(1c)로부터 제 1 만곡부(12)까지 제 1 경사부(13)가 형성된다. 계속해서 도 3(e)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4)는 약 100㎛ 정도 하강한다. 이것에 의해 제 1 경사부(13)가 캐필러리(4)의 하면에 의해 눌려 내려간다. 다음에 도 3(f)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4)는 상승한다.
다음에 도 3(g)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4)는 상기와 반대방향으로 화살표로 도시하는 수평방향으로 압착볼(1c)의 중심선(14)상보다 약간(약 100㎛ 정도) 많이 이동한다. 이것에 의해 캐필러리(4)의 하단에 맞닿는 제 2 만곡부(15)로 굴곡지고 제 1 만곡부(12)로부터 제 2 만곡부(15)까지 상기 제 1 경사부(13)와 반대방향의 제 2 경사부(16)가 형성된다. 계속해서 도 3(h)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4)는 약 100㎛ 정도 하강한다. 이것에 의해 제 2 경사부(16)가 캐필러리(4)의 하면에 의해 눌려 내려간다. 다음에 도 3(i)에 도시하는 바와 같이 압착볼(1c)의 중심선(14)상으로 화살표로 도시하는 경사진 방향으로 상승한다.
다음에 도 3(j)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4)는 상승하고 만곡형상 와이어(11)가 형성된다. 이후 도 3(b) 내지 (j)의 공정을 행해서 핀형상 와이어(10)에 순차적으로 만곡형상 와이어(11)를 형성한다.
본 실시형태에 있어서도 상기 실시형태와 동일하게 먼저 도 3(a)에 도시하는 바와 같이 와이어(1)에서 절단된 핀형상 와이어(10)를 형성하고, 이 핀형상 와이어(10)에 도 3(b) 내지 (j)에 도시하는 공정으로 만곡형상 와이어(11)를 형성하므로, 이 만곡형상 와이어(11) 형성시에는 와이어(1)에 미리 걸려있는 백텐션이 전혀 작용하지 않아서, 형성된 만곡형상 와이어(11)가 변형하는 일이 없다. 또 만곡형상 와이어(11)의 제 1 경사부(13) 및 제 2 경사부(16)를 형성할 경우, 도 3(e) 및 (h)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4)를 약간 하강시켜서 눌러 내리는 공정을 설치함으로써 더욱 안정된 만곡형상 와이어(11)를 얻을 수 있다.
또한 도 1 및 도 2에 도시하는 실시형태에 있어서는 일련의 공정으로 만곡형상 와이어(11)를 형성하였으므로, 도 1(f)에 도시하는 바와 같이 미리 절단위치에 흠(1b)이 나게 할 필요가 있었다. 그러나 도 3에 도시하는 실시형태에 있어서는 핀형상 와이어(10)를 형성하고 그 후에 빈 캐필러리(4)로 만곡형상 와이어(11)를 형성하므로 핀형상 와이어(10)의 형성방법은 상기 도 1(a) 내지 (g), 도 3(a)의 공정에 한정되지 않는다. 예를 들면 도 4에 도시하는 방법에 의해 핀형상 와이어(10)를 형성해도 좋다.
도 4(a)에 도시하는 바와 같이 와이어(1)는 제 2 와이어 클램퍼(2) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)를 통과해서 캐필러리(4)에 삽통되고, 캐필러리(4)의 하단으로부터 뻗어 있다. 이 상태에 있어서는 제 2 와이어 클램퍼(2)가 개방되고 제 1 와이어 클램퍼(3)가 닫힌 상태로 있다. 이 상태에서 도 4(b)에 도시하는 바와 같이 와이어(1)의 선단에 전기토치(5)에 의한 방전에 의해 볼(1a)을 만든다. 그 후 전기토치(5)는 화살표방향으로 이동한다.
다음에 도 4(c)에 도시하는 바와 같이 제 1 와이어 클램퍼(3)가 개방된다. 이것에 의해 와이어(1)에 걸려 있는 백텐션의 작용에 의해 볼(1a)이 캐필러리(4)의 하단에 맞닿는다. 계속해서 도 4(d)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)가 하강해서 볼(1a)을 IC, LSI 등의 전자회로소자(7)의 전극패드(8)에 압접시킨다. 다음에 캐필러리(4)에 초음파진동을 인가해서 볼(1a)을 전극패드(8)에 본딩하고, 볼(1a)은 압착볼(1c)로 된다.
다음에 도 4(e)에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)는 핀형상 와이어(10)의 길이 및 테일 길이분량만큼 상승한다. 계속해서 도 4(f)에 도시하는 바와 같이 제 1 와이어 클램퍼(3)가 닫힌 후, 커터(6)가 왕복이동하여 와이어(1)를 절단한다. 커터(6)가 퇴피한 후, 도 4(g) 에 도시하는 바와 같이 캐필러리(4) 및 제 1 와이어 클램퍼(3)가 상승하고 핀형상 와이어(10)가 형성된다. 이와 같은 방법으로 핀형상 와이어(10)를 형성해도 좋다.
본 발명의 제 1의 수단은 와이어 본딩장치에 의해 핀형상 와이어를 형성하고, 이 핀형상 와이어에 캐필러리를 삽통한 상태에서, 캐필러리의 궤적이 만곡형상으로 되도록 이동시켜서 만곡형상 와이어를 형성하므로, 와이어에 걸린 백텐션의 영향을 받지 않고 안정된 고품질의 형상을 얻을 수 있다.
본 발명의 제 2 또는 제 3의 수단은 와이어 본딩장치에 의해 핀형상 와이어를 형성하고 이 상태에서 상기 핀형상 와이어에 캐필러리가 삽통되고, 또는 핀형상 와이어에서 절단된 와이어도 캐필러리내에 있고, 캐필러리의 궤적이 만곡형상으로 되도록 이동시켜서 만곡형상 와이어를 형성하든가 또는 와이어 본딩장치에 의해 핀형상 와이어를 형성하고 이 핀형상 와이어에 빈 캐필러리가 끼워 통하게 하고 캐필러리의 궤적이 만곡형상으로 되도록 이동시켜서 만곡형상 와이어를 형성하므로, 상기 제 1의 수단과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 제 4의 수단은 상기 제 1, 제 2 또는 제 3의 수단에 있어서, 상기 캐필러리를 이동시켜서 만곡형상 와이어의 만곡부에 굴곡지게 경사부를 형성한 후에 캐필러리를 약간 하강시켜서 이 캐필러리로 상기 경사부를 눌러내리는 공정을 가지므로, 상기 효과 이외에, 가지고 있는 여분의 탄성력을 흡수하여 일정량의 탄성력으로 하여 더욱 안정된 고품질의 형상을 얻을 수 있다.
본 발명의 제 5의 수단은 상기 제 1, 제 2 또는 제 3의 수단에 있어서, 상기 핀형상 와이어의 형성은 캐필러리에 삽통된 와이어의 선단에 볼을 형성한 후, 캐필러리의 하단으로부터 와이어가 뻗어있게 하고, 와이어 본딩장치에 설치된 흠내기수단에 의해 상기 볼과 상기 캐필러리 사이의 와이어부분에 흠을 내게 하고, 상기 볼을 상기 캐필러리를 사용해서 전자회로소자 등의 전극패드에 본딩하고, 다음에 캐필러리를 상승시킨 후에, 와이어를 상방으로 끌어당겨서 상기 흠부분에서 와이어를 절단하여 형성하므로, 상기 제 1의 수단의 효과 이외에 전자회로소자 등에 본딩된 볼에서 상방의 와이어 길이를 임의로 설정할 수 있고, 또 코스트가 오르는 일도 없음과 동시에 핀형상 와이어의 길이가 일정하게 되어, 안정된 일정량의 길이로 된다.

Claims (6)

  1. 와이어 본딩장치에 의해 핀형상 와이어를 형성하고, 캐필러리에 이 핀형상 와이어가 삽통된 상태에서, 캐필러리의 궤적이 만곡형상으로 되도록 이동시켜서 만곡형상 와이어를 형성하는 것을 특징으로 하는 만곡형상 와이어의 형성방법.
  2. 와이어 본딩장치에 의해 핀형상 와이어를 형성하고, 이 상태에 있어서, 캐필러리에 상기 핀형상 와이어가 삽통되고, 또한 핀형상 와이어에서 분리된 와이어도 캐필러리내에 있고, 캐필러리의 궤적이 만곡형상으로 되도록 이동시켜서 만곡형상 와이어를 형성하는 것을 특징을 하는 만곡형상 와이어의 형성방법.
  3. 와이어 본딩장치에 의해 핀형상 와이어를 형성하고, 빈 캐필러리에 이 핀형상 와이어가 삽통되고, 캐필러리의 궤적이 만곡형상으로 되도록 이동시켜서 만곡형상 와이어를 형성하는 것을 특징으로 하는 만곡형상 와이어의 형성방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐필러리를 이동시켜서 상기 핀형상 와이어를 굴곡지게 해서 경사부를 형성한 후에, 캐필러리를 약간 하강시켜서 이 캐필러리로 상기 경사부를 눌러내리는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 만곡형상 와이어의 형성방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 핀형상 와이어의 형성은, 캐필러리에 삽통된 와이어의 선단에 볼을 형성한 후, 캐필러리의 하단으로부터 와이어를 뻗어있게 하고, 와이어 본딩장치에 설치된 흠내기수단에 의해 상기 볼과 상기 캐필러리 사이의 와이어부분에 흠을 내고, 상기 볼을 상기 캐필러리를 사용하여 전자회로소자 등의 전극패드에 본딩하고, 다음에 캐필러리를 상승시킨 후에, 와이어를 상방으로 끌어 당겨서 상기 흠부분에서 와이어를 절단하여 형성하는 것을 특징으로 하는 만곡형상 와이어의 형성방법.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 핀형상 와이어의 형성은 캐필러리와 함께 상하이동하는 제 1 와이어 클램퍼와 상하이동하지 않는 제 2 와이어 클램퍼를 갖는 와이어 본딩장치를 사용하고, 제 2 와이어 클램퍼 및 제 1 와이어 클램퍼를 통과하여 캐필러리에 와이어가 삽통되며, 상기 제 2 와이어 클램퍼를 개방하고, 상기 제 1 와이어 클램퍼를 닫은 상태에서, 캐필러리에 삽통된 와이어의 선단에 볼을 형성한 후, 상기 제 1 와이어 클램퍼를 개방하고 상기 와이어에 걸려있는 백텐션의 작용에 의해 볼이 캐필러리의 하단에 맞닿고, 다음에 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 하강시키며, 계속해서 제 2 와이어 클램퍼를 닫고나서 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 상승시켜서 캐필러리의 하단으로부터 와이어가 뻗어있게 하고, 다음에 제 1 와이어 클램퍼를 닫고, 제 2 와이어 클램퍼를 개방한 상태에서 와이어 본딩장치에 설치된 흠내기수단에 의해 상기 볼과 상기 캐필러리 사이의 와이어부분에 흠을 내고, 계속해서 제 1 와이어 클램퍼를 개방하여 캐필러리 및제 1 와이어 클램퍼를 하강시켜서 상기 볼을 상기 캐필러리를 사용하여 전자회로소자 등의 전극패드에 본딩하고, 다음에 캐필러리 및 제 1 와이어 클램퍼를 상승시키며, 이 상승도중에 제 1 와이어 클램퍼를 닫고 와이어를 상방으로 끌어 당겨서 상기 흠부분에서 와이어를 절단하여 형성하는 것을 특징으로 하는 만곡형상 와이어의 형성방법.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7229906B2 (en) * 2002-09-19 2007-06-12 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method and apparatus for forming bumps for semiconductor interconnections using a wire bonding machine
JP4509043B2 (ja) * 2006-02-14 2010-07-21 株式会社新川 スタッドバンプの形成方法
CN101505905A (zh) * 2006-10-18 2009-08-12 库利克和索夫工业公司 改进的导电凸块、包括改进的导电凸块的线圈及形成方法
JP4467631B1 (ja) * 2009-01-07 2010-05-26 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
US8177495B2 (en) * 2009-03-24 2012-05-15 General Electric Company Method and apparatus for turbine interstage seal ring
CN102437111B (zh) * 2011-12-01 2014-03-26 中南大学 利用线夹制造折点的快速引线成弧方法及装置
US9087815B2 (en) * 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9082753B2 (en) * 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
TWI543284B (zh) * 2014-02-10 2016-07-21 新川股份有限公司 半導體裝置的製造方法以及打線裝置
WO2022130617A1 (ja) 2020-12-18 2022-06-23 株式会社新川 ワイヤボンディング装置、ワイヤ切断方法及びプログラム
US20230282613A1 (en) * 2021-06-07 2023-09-07 Shinkawa Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and wire bonding apparatus
TWI824354B (zh) * 2021-12-15 2023-12-01 日商新川股份有限公司 打線接合裝置、打線切斷方法以及程式

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5917707A (en) * 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US5476211A (en) * 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US5813115A (en) * 1994-08-03 1998-09-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of mounting a semiconductor chip on a wiring substrate
US5734546A (en) * 1994-09-21 1998-03-31 Rohm Co. Ltd. Capacitor element for solid electrolytic capacitor and process for making the same
KR20030096425A (ko) 1994-11-15 2003-12-31 폼팩터, 인크. 인터포저
JP3189115B2 (ja) * 1996-12-27 2001-07-16 株式会社新川 半導体装置及びワイヤボンディング方法

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