KR20010071820A - 에피택설 리액터 내의 입자를 감소시키기 위한 시스템 및방법 - Google Patents

에피택설 리액터 내의 입자를 감소시키기 위한 시스템 및방법 Download PDF

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KR20010071820A
KR20010071820A KR1020017000387A KR20017000387A KR20010071820A KR 20010071820 A KR20010071820 A KR 20010071820A KR 1020017000387 A KR1020017000387 A KR 1020017000387A KR 20017000387 A KR20017000387 A KR 20017000387A KR 20010071820 A KR20010071820 A KR 20010071820A
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transfer chamber
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알란 디. 돌리
데니스 엘. 굿윈
케네쓰 오닐
게르벤 브리즈버그
데이비드 로드리구에쯔
라빈더 아가왈
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러셀 엔. 페어뱅크스, 쥬니어
에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드
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Abstract

리액터에서 입자를 감소시키는 장치 및 방법. 장치(10)는 반도체 웨이퍼를 공정하기 위한 챔버를 포함한다. 챔버는 이격 게이트 밸브(18)에 의해 공정 챔버(20)에 연결된 웨이퍼 핸들링 챔버(16)를 갖는다. 부가적으로, 장치는 퍼지가스를 웨이퍼 핸들링 챔버916)로 이송하기 위한 파이프(24, 26), 퍼지가스가 챔버로 들어갈 때 교란을 줄이기 위해 챔버로부터의 퍼지가스의 이송 및 제거를 조절하기 위한 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40), 매엽식 웨이퍼를 들어올려 지지하기 위한 유동 제어 베르누이 완드(36), 웨이퍼 핸들링 챔버로 들어가는 퍼지가스 라인과 퍼지가스 분자를 이온화하기 위한 로드록에 있는 이온화기(21a 내지 21d), 및 리액터에서 밸브를 스위칭할 때 가스 유동 교란을 줄이기 위한 수단을 포함하며, 이온화된 가스는 반도체 장비 내부의 모든 정전기를 방출하고 웨이퍼가 전하를 띈 입자로 유인되는 것을 방지한다.

Description

에피택설 리액터 내의 입자를 감소시키기 위한 시스템 및 방법{System and method for reducing particles in epitaxial reactors}
반도체 웨이퍼 상에 재료의 막을 성장시키는데 이용되는 대부분의 반도체 제조장비에서, 웨이퍼는 하나 또는 다수의 로드록에 로딩되고 웨이퍼 핸들링 챔버를 통해 리액터로 이송되는데, 그 경우에 가스나 증기에 의해 재료가 실질적으로 반도체 웨이퍼 상에 증착된다. 로드록, 웨이퍼 핸들링 챔버 및 리액터에 있는 가스는, 반도체 웨이퍼 표면에서의 결함의 수를 줄이기 위해 가능한 한 입자가 없어야 한다.
반도체 제조장비의 성능에 대한 개선이 놀랄만한 속도로 계속되고 있다. 리토그래피(lithography)와 에칭 장비의 성능이 향상됨에 따라 웨이퍼 상의 회로 밀도가 늘어나고, 회로 밀도의 증가와 더불어 공정 장비 내에서 입자없는 환경을 위한 시방(specification)도 향상되고 있다. 리토그래피와 에칭의 개선으로 달성된 결과적인 회로 밀도 외에도, 웨이퍼의 크기가 300㎜로 늘어났다. 반도체 제조업자들은 반도체 장치를 제조하기 위하여 그 장비의 사용으로 반도체 장치의 수율을 늘림으로써 생산성의 개선을 더 요구하고 있다. 호모에피택셜이든 헤테로에피택셜이든 기저 기판층 상의 에피택셜층을 성장시키는 것은 연관된 반도체 웨이퍼의 수율에 상당한 영향을 미친다. 기본적인 예로는 반도체 웨이퍼 기판에 에피택셜 실리콘을 성장시키는 것이다. 에피택셜 실리콘층의 성장은 전형적으로, 기체 실리콘 화합물이 웨이퍼를 지나 열분해나 분해에 영향을 미치는 동안에 웨이퍼가 가열되는 화학증착 공정에서 실행된다. 일반적으로 에피택셜 증착, 특히 실리콘 에피택셜 증착은, 개별 트랜지스터와 장치의 구성요소들이 에피택셜층에 형성되기 때문에, 특히 발전된 이극, NMOS와 CMOS 기술에 대한 VLSI 공정의 필수 부분이다.
에피택시를 이용하여 고품질의 발전된 NMOS, CMOS와 이극 IC 칩을 공정 처리하는 능력은 (1) 벌크 반도체 웨이퍼에 대해 그리고 벌크 웨이퍼 표면에 대해, (2) 그리고 에피택셜 실리콘층을 증착하는 단계 동안에, 실질적으로 결함없는 상태를 유지하느냐에 따라 강하게 좌우된다. 간단하게 그리고 후술하는 것처럼, 하부 표면(sub-surface) 및 표면의 결점을 제거하는 것은 현재 및 장래의 기술에서 좋은 수율을 획득하는데 필수적이다. 이는 특히 그러한 기술이 서브미크론의 최소 장치 특징 크기를 향해 진행하고 있기 때문이다.
표면 결함은 대개 바람직하지 못한 입자와 관련되어 있다. 바람직하지 못한 결함이 제거되어야 하는 서브미크론 최소 장치 특징 크기를 위해 그리고 대형 칩영역을 위해서는, 그러한 장치에서는 단 하나의 결함이라도 장치의 기능 장애를 초래하고, 제곱 센티미터당 하나만큼 적은 결함(4인치 웨이퍼당 약 8개의 결함)도 웨이퍼 공정 수율에 대해 치명적인 효과를 가질 수 있기 때문이다. 증착된 에피택셜층 또는 에피층의 결정학적 성질 및 결함의 레벨이 모(parent) 또는 벌크 기판 웨이퍼를 반영하는 것이 에피택셜 공정의 특징이다. 그러므로, 예를 들어 기판 상에 결함이 증착하면 에피택셜 증착 결함을 야기할 수 있고, 기판에서의 전위(dislocation)가 에피층을 통해 전달될 수 있다. 이 외에도 피트 및 미시 오염(micro-contamination)과 같은 에피택셜 결함이 벌크 기판 웨이퍼 표면의 입자로부터 생긴다. 결과적으로, 모 기판이 실질적으로 결함이 없는 경우라도 (1970년대 중반에 실질적으로 결함이 없는 실리콘 웨이퍼 시동 물질의 도입으로 이러한 가능성이 제공되었다), 결함없는 에피택셜층의 성장은 모 기판 웨이퍼의 표면 상의 입자를 제거하도록 요구한다. 불운하게도 오늘날의 에피택셜 공정 기술을 이용하면, 원치않는 입자의 제거 또는 실질적 감소 및 입자와 관련된 아주 작은 결함 밀도의 성취는 광범위한 실행 및 웨이퍼 검사에 의해 달성되지만 아주 낮은 웨이퍼 수율의 결과를 초래한다.
반도체 제조장비가 벽을 통해 또는 가스 유동과 함께 들어갈 수 없도록 구성되긴 하지만, 입자는 반도체 웨이퍼가 로드록에 놓일 때, 장비 유지보수 동안에 또는 다른 간접적인 소스 등 다른 수단에 의해 반도체 제조장비로 들어갈 수도 있다. 입자는 장비의 내표면으로 이송되어 거기에 고착할 수 있다. 입자가 가스에 존재한다면 또는 갑자기 장비의 내표면으로부터 방출되면 입자는 반도체 웨이퍼의 표면으로 이송되어 결함을 야기할 수 있다. 제조 공정 중에 반도체 웨이퍼에 증착될 입자를 포함한 바람직하지 못한 입자들은 반도체 제조장비의 내표면으로 유인되어 증착하여 유지될 수 있다. 일단 반도체 제조장비의 내표면으로 유인되면 분자력(반데르발스 힘), 모세관 힘 및 정전기력을 포함한 여러 다른 힘들이 바람직하지 않은 입자들을 반도체 제조장비의 내표면에 유지시킨다. 어떤 이유로 이들 입자가 방출된다면 그것들은 공수되어 반도체 장비의 표면에 정착하여 결과적으로 공정 처리된 웨이퍼에 결함을 생성할 수 있다. 공기 교란은 이들 바람직하지 않은 입자들이 반도체 제조장비의 내표면에 고착된 상태에서 방출될 수 있는 한가지 방법이다.
일단 공수되면 반도체 제조장비의 내면의 입자들의 이동은 중력, 주변 가스 유동의 유체 드래그(fluid drag) 및 전정기력의 여러 다른 힘을 받는다. 중력은 소형 입자에 대해 매우 약한 힘이다. 보통은 입자없는 환경을 만들어내기 위해 입자없는 가스로 하는 퍼징이 반도체 제조장비 내내 유지된다. 그 장비의 내표면으로부터 방출된 입자들은 퍼지가스의 유체 드래그에 의해 가스 배기구로 이송된다. 그러나 정전기력은 퍼지가스 유동에 의한 입자의 제거에 대해 부정적인 영향을 미친다. 입자들은 정전기력에 의해 반도체 웨이퍼로 이송되어, 반도체 웨이퍼의 공정 동안 거기에 머무를 수 있는데, 그것으로 웨이퍼의 표면에 결함이 생긴다.
정전기력에 의한 입자의 유지는, 갑작스런 정전기 방전이 정전기력을 제거할 수 있기 때문에 변덕스럽다. 장비의 내벽으로부터 방출된 입자들은 반도체 웨이퍼의 표면으로 이송되어 결함을 생성할 수 있다. 그러므로 입자와 반도체 제조장비의 내벽 사이에 정전기력을 제거하여, 그로써 퍼지가스 유동이 장비의 내표면으로부터 입자들을 제거할 수 있게 하는 것이 바람직하다. 분자력에 의해 내표면에 유지된 입자들을 방출하기 위해서는 대량의 에너지가 필요하다. 그러므로 분자력에 의해 장비의 내표면에 유지된 입자들은 계속 거기에 머무르고 반도체 웨이퍼에 결함을 일으키지 않을 가능성이 매우 높다.
모세관 힘은 장비의 습기 감소에 의해 줄어든다. 습기는 저 습기 투과성을 갖는 건축 재료의 이용 및 입자와 습기가 없는 가스 유동을 장비를 통해 사용함으로써 줄어든다. 건조 질소 같은 건조하고 입자없는 가스 퍼지는 습기를 증발시키고, 장비의 내표면에 모세관 힘에 의해서만 유지되는 입자들을 퍼지한다.
로가(Logar)의 미국특허 제5,373,806호는 유지된 입자의 문제를 해결하기 위한 시도의 일예이다. 로가 특허에서, 복사 에너지원을 이용한 생산 증착에 앞서 공정 온도보다 낮은 특정 온도로 기판을 가열함으로써 정전기 방출이 줄어든다. 이것은 제조 공정에서 취해야 할 별도 단계로 제조 시간과 비용을 증가시킨다.
일반적으로 입자들은 웨이퍼 핸들링 챔버를 입자없는 가스로 퍼징함으로써 웨이퍼 핸들링 챔버의 내표면과 로드록으로부터 제거된다. 반도체 웨이퍼는 웨이퍼 핸들링 챔버와 로드록을 통해 이송된다. 층류 가스가 제공되어 입자들을 웨이퍼 핸들링 챔버와 로드록 내에 위치한 배기 유출구를 통해 퍼지가스로 픽업 및 운반될 수 있다. 그러나 갑작스런 압력 또는 가스 변동이 생겼을 때, 가스 유동이 교란되어 입자들이 교반되고 반도체 웨이퍼의 표면으로 이송되어, 웨이퍼 반도체 챔버에 머물게 된다.
반도체 제조장비 내의 압력을 조절하는데 이용되는 기존의 시스템은, 공정챔버와 배기 출구 사이에 위치한 단일 스테이지 역압 레귤레이터의 이용을 흔히 채용한다. 그러나 단일 스테이지 역압 레귤레이터는 대량의 가스 유동에 대한 압력을 조절하는데 어려움이 있다.
기존 시스템이 갖고 있는 또 다른 문제는, 웨이퍼 핸들링 챔버를 로드록이나 공정 챔버와 이격시키는 게이트 밸브가 개방될 때 생긴다. 두 챔버 사이에 압력차가 있으면 한쪽 챔버에서의 가스가 다른 쪽 챔버로 우회되어, 양쪽 챔버에서 교란이 생기게 한다. 단일 스테이지 역압 레귤레이터가 완전히 개방되지 않기 때문에 입자, 증기 및 가스가 배기 출구로부터 양쪽 챔버로 되돌아간다.
그러므로 반도체 웨이퍼 공정 중에 에피택셜 리액터에 입자를 줄이기 위한 장치와 방법을 갖는다면 현저한 장점이 된다. 그러한 장치와 방법을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
[발명의 요약]
반도체 웨이퍼 공정 중에 이용되는 에피택셜 리액터에 입자를 줄이기 위한 방법과 장치는 반도체 웨이퍼를 공정하기 위한 챔버를 포함한다. 퍼지가스 이송 시스템은 바람직하지 못한 입자를 그 챔버로부터 제거한다. 시스템에는 챔버로부터 퍼지가스의 배출을 조절하기 위한 파일롯 작동 역압 레귤레이터가 포함되어 있다. 시스템은 또한 퍼지가스 이송 시스템에 일체형으로 연결된 퍼지가스를 조절하기 위한 이온화 소스를 포함한다.
파일롯 작동 역압 레귤레이터는 퍼지가스 유동을 조절하기 위한 돔 레귤레이터, 돔 레귤레이터를 가동하기 위한 밸브 및 파일롯 가스를 돔 레귤레이터로 이송하기 위한 압력 레귤레이터를 포함한다.
챔버에는 웨이퍼 핸들링 챔버와 공정 챔버가 있다. 웨이퍼 핸들링 챔버 내에 위치한 로봇 아암은 반도체 웨이퍼를 들어올려 웨이퍼 핸들링 챔버와 공정 챔버 사이로 이송하는 베르누이 완드 엔드 이펙터이다. 베르누이 완드가 웨이퍼를 웨이퍼 카세트 내로 또는 공정 챔버 내에 위치한 웨이퍼 서셉터 상으로 방출할 때의 압력 상승을 꺽기 위한 댐퍼 메커니즘이 포함된다.
웨이퍼 핸들링 챔버는 이격 게이트 밸브에 의해 공정 챔버에 연결된다. 이격 게이트 밸브는, 웨이퍼 핸들링 챔버와 공정 챔버 사이에 압력차가 있을 때의 교란을 감소시키는 절차에 따라 개폐된다.
본 발명은 리액터 챔버 내에서 운반가스를 이용하여 반도체 웨이퍼 상에 재료의 막을 형성하는 공정에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 특정 재료를 실리콘 웨이퍼 상에 에피택셜 증착하는 것에 관한 것이고, 마무리된 웨이퍼 상에 입자 재료 및 결과적으로 생긴 입자와 관련된 결함을 줄이거나 없애는 시스템과 방법에 관한 것이다.
도1은 본 발명의 교시 내용에 따라 로드록과 웨이퍼 핸들링 챔버와 연관된 퍼지가스 라인을 도시하는 반도체 제조장비의 다이아그램,
도2는 로드록, 웨이퍼 핸들링 챔버와 에피택셜 리액터를 도시하는 반도체 제조장비의 사시도,
도3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이격 밸브 어셈블리의 개략도,
도4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 돔 로딩 레귤레이터 회로를 도시하는 개략적인 다이아그램,
도5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 파일롯 작동 역압 레귤레이터의 개략적인 다이아그램, 및
도6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 파일롯 작동 역압 레귤레이터의 단면도이다.
반도체 제조장비의 일부(에피택셜 리액터(10))를 도시하는 도1, 그리고 도2를 참조하면, 로드록(14, 15)과 웨이퍼 핸들링 챔버(16)를 포함하는 웨이퍼 이송 챔버와 연관된 가스 퍼지 시스템(12)이 도시되어 있다. 에피택셜 리액터(10)는 웨이퍼 핸들링 챔버(16), 로드록(14, 15)과 공정 챔버(20)로 구획되어 있으며, 공정 챔버(20)는 이격 게이트 밸브(18)에 의해 로드록(14, 15)과 웨이퍼 핸들링 챔버(16)와 이격해 있다.
반도체 웨이퍼를 공정하기에 앞서, 로드록(14, 15)과 웨이퍼 핸들링 챔버(16)는 제어 시스템을 포함하는 가스 소스(22)로부터의 퍼지가스에 의해 퍼지된다. 이 퍼지가스는 파이프(24, 26)를 통해 소스(22)로부터 로드록(14, 15)과 웨이퍼 핸들링 챔버(16)로 유동한다.
작동 시에, 반도체 웨이퍼(미도시)의 카세트는 로드록 포탈(32, 34)을 통해 로드록(14, 15)에 배치된다. 웨이퍼 카세트를 로드록(14, 15)에 로딩한 후에, 로드록 포탈(32, 34)은 폐쇄되어 웨이퍼를 주변 대기와 이격시킨다. 로드록은 가스 소스(22)로부터의 퍼지가스에 의해 퍼지된다. 건조 질소와 같은 퍼지가스는 파이프(24)를 통해 로드록(14, 15)으로 유동한다. 퍼지가스는, 로드록 포탈(32, 34)이 웨이퍼 카세트를 수용하기 위해 개방될 때 로드록(14, 15)에 들어오는 산소, 습기 및 바람직하지 못한 입자를 제거한다.
퍼지를 완료한 후에 로드록(14, 15)은 전형적으로 가장자리(6)에 위치한 기밀 시일(seal)을 파열하는 승강기(8)에 의해 카세트를 낮추어서 웨이퍼 핸들링 챔버로 개방되고, 웨이퍼는 베르누이 완드(36) 엔드 이펙터를 갖는 이송 아암(29)에 의해 카세트로부터 공정 챔버(20)로 순차적으로 이송된다. 웨이퍼가 웨이퍼 핸들링 챔버(16)를 통해 이송되는 동안에 웨이퍼 핸들링 챔버(16)는 가스 소스(22)로부터의 가스에 의해 퍼지된다.
가스 소스로부터의 퍼지가스는 로드록(14)에 연결된 이온화기(21a), 로드록(15)에 연결된 이온화기(21b), 웨이퍼 핸들링 챔버(16)에 연결된 이온화기(21c) 및 로봇 아암(29)에 연결된 플렉시블관(30)에 의해 베르누이 완드(36)에 연결되는 이온화기(21d)를 통과함으로써 약간의 도전성을 갖는다. 도시된 실시예에서 이온화기(21a, 21b, 21c, 21d)는 에피택셜 리액터(10) 내부로부터 정전기력을 감소하거나 제거한다. 약간의 도전성을 갖는 퍼지가스는 처리되는 웨이퍼 또는 챔버의 내표면으로부터 어떤 입자든 방출할 수 있다.
이온화기들은 모델 2201(뉴욕주 그랜드 아일랜드의 NRD, Inc.에 의해 제조된 알파 입자 이온화기)와 같은 장치, 또는 바람직하게는 캘리포니아주 버클리의 Ion Systems에 의해 제조된 모델 4210과 같은 전자 이온화기이다.
퍼지가스는 압력을 받으며 이온화기(21a, 21b, 21c, 21d)를 통해 유동한다. 질소 퍼지가스의 유량은 저유량으로는 분당 15리터(slm)이고, 고유량으로는 분당 50slm으로 측정된다. 유량은 챔버의 체적에 따라 달라지고, 교란을 일으키지 않는 가능한 높은 것으로 선택된다.
고유량은 교란을 일으키고 입자를 교반하여 퍼지가스 내에 부유하게 하기 때문에 15slm의 유량이 일반적이다. 고유량은 에피택셜 리액터(10)에 웨이퍼가 없을 때 유지보수 모드 중에만 사용되는데, 이는 입자를 교반하여 장비의 세척을 용이하게 해주기 때문이다. 그러나 퍼지가스가 약간의 도전성을 가질 때는 장비의 정전기가 줄어들거나 제거되어, 입자들이 정전기력에 의해 반도체 웨이퍼(미도시) 등의 표면으로 유인되지 않는다.
바람직하게, 이온화기(21a, 21b, 21c, 21d)는 그 효과를 높이기 위해 로드록(14, 15)과 웨이퍼 핸들링 챔버(16)와 가능한 가깝게 위치한다. 부가적으로 이온화기(21a, 21b, 21c, 21d)를 로드록(14, 15)과 웨이퍼 핸들링 챔버(16)에 연결시키는 파이프에 굴곡이 없는 것이 좋다.
로드록(14, 15)과 웨이퍼 핸들링 챔버(16)의 퍼지에 이어, 이격 밸브(18)가 개방된다. 이송 아암(29)은 웨이퍼 공정 처리를 위해 웨이퍼를 로드록(14 또는 15)으로부터 공정 챔버(20)로 이동시키는데 이용된다. 저 흡입 베르누이 완드(36)를 포함하는 이송 아암(29)은 웨이퍼 핸들링 챔버(16) 내에 있다. 작동 시에 베르누이 완드(36)는 반도체 웨이퍼를 로드록(14, 15) 중 하나에 있는 카세트(미도시)로부터 한번에 하나씩 픽업한다. 그리고 나서 각 웨이퍼는 개방된 이격 게이트 밸브(18)를 통해 공정 챔버(20) 내의 서셉터(38)로 이송된다. 베르누이 완드(36)는 웨이퍼의 상면과 저면에 접촉하는 것을 피함으로써 에피택셜 리액터(10) 내의 입자 축적을 감소시키는데 이용된다. 베르누이 완드(36)는 신규한 논스파이킹(non-spiking) 가스 시스템을 활용하고 완드 가스 공급 라인(28)을 통해 질소가스를 이용한다. 그러나 베르누이 완드(36)가 웨이퍼를 픽업하여 그것을 공정 챔버(20) 내의 서셉터에 이송할 때, 웨이퍼 핸들링 챔버(16)로 방출된 가스의 결과적 임펄스가 웨이퍼 핸들링 챔버(16)에서의 압력 스파이크 및 그로 인한 가스 교란을 야기한다. 어떤 교란이든 웨이퍼 핸들링 챔버(16) 내에 존재하는 입자들을 교란시켜 퍼지가스 내로 부유하게 한다. 그러므로 입자들이 웨이퍼 표면으로 이송될 수 있는데, 그렇지만 댐퍼(44)의 존재는 베르누이 완드(36)의 작동으로 발생된 압력 스파이크를 완화하고 압력 스파이크와 그로 인한 교란의 생성을 방지한다.
베르누이 완드(36)를 사용할 때 웨이퍼를 목적지에 떨어뜨리기 위해 가스 유동이 정지하고, 나머지 가스는 웨이퍼 핸들링 챔버(16)로 송풍된다. 이러한 갑작스런 가스 유동의 분출은 갑작스런 압력 상승을 야기한다. 가스 유동을 일정하게 하기 위해, 웨이퍼 핸들링 챔버(16)에서의 압력 스파이크를 낮추기 위해 댐퍼(44)와 오리피스(46)가 이용된다. 웨이퍼가 놓일 때 돔 레귤레이터(90)는 닫히고, 동시에 밸브(95)는 개방되어 나머지 가스 유동을 댐퍼(44)와 유동 저항오리피스(46)로 방출한다. 댐퍼(44)의 크기와 오리피스(46)의 크기가 적당할 때, 갑작스런 분출을 보상하기 위해 가스는 웨이퍼 핸들링 챔버(16)로 점진적으로 증가하면서 유동한다. 오리피스(46)는 웨이퍼 핸들링 챔버(16)로의 압력 분출을 조절하기 위한 튜닝 메커니즘을 제공할 수 있는 크기이다.
댐퍼(44)와 오리피스(46)는, 웨이퍼 핸들링 챔버(16)에 연결된 배기 라인(42)에 위치한 역압 레귤레이터(40)와 연계하여 사용된다. 역압 레귤레이터(40)는 웨이퍼 핸들링 챔버(16)와 로드록(14, 15)에서 일정한 압력을 유지한다. 승강기(8)가 가장자리(6)에 대하여 실링을 유지하며 눌려질 때, 밸브(41)가 개방되어 로드록(14, 15)으로부터 가스가 배출될 수 있다.
가스 유동이 교란되는 또 다른 영역은, 웨이퍼를 웨이퍼 핸들링 챔버(16)와 공정 챔버(20) 사이로 이송할 때 이격 게이트 밸브(18)가 갑자기 개방되거나 폐쇄될 때 생긴다. 이러한 가스 유동의 교란을 최소화하기 위해, 이격 게이트 밸브는, 압력이 웨이퍼 핸들링 챔버(16)와 공정 챔버(20) 사이에 균일하도록 이격 게이트 밸브(18)가 소량만 개방되도록 구성되는 밸브 어셈블리(80)를 포함한다. 도3은 이격 게이트 밸브 어셈블리(80)의 개략도이다. 일단 압력이 웨이퍼 핸들링 챔버(16)와 공정 챔버(20) 사이에서 균등해지면, 이격 게이트 밸브(18)는 빠른 속도로 계속 개방된다. 이로써 여전히 이격 게이트 밸브(18)의 빠른 작동을 허용하면서 압력과 가스 유동의 교란이 최소화되는 결과가 된다.
이격 게이트 밸브 어셈블리(80)는 이격 게이트 밸브(18)와 기계적으로 연결되어 이격 게이트 밸브(18)를 개방할 수 있는 엑츄에이터(82)를 포함한다. 부가적으로 이격 게이트 밸브(18)는 제2 엑츄에이터(84)와 기계적으로 연결되며, 제2 엑츄에이터(84)는 이격 게이트 밸브(18)의 초기 개방을 제어 가능하게 작동시켜 웨이퍼 핸들링 챔버(16)와 공정 챔버(20) 사이에 압력의 균일화를 가능케 한다. 액츄에이터(84)는 또 이격 게이트 밸브의 최종 폐쇄를 제어할 수 있다. 이 이격 게이트 밸브 어셈블리(80)는, 종래 기술의 이격 게이트 밸브의 초기 단계에서 생기는 가스 유동 분출을 감소 또는 제거할 수 있는 다중 속도 이격 게이트 밸브를 제공한다.
각 웨이퍼가 공정 처리된 후에 이격 게이트 밸브(18)는 개방되고 베르누이완드(36)는 처리된 웨이퍼를 회수하여 그 웨이퍼를 로드록(14 또는 15) 중 하나에 있는 카세트에 로딩한다. 모든 웨이퍼가 처리된 후에 로드록에 위치한 카세트는 포탈(32 또는 34)을 통해 분리된다.
퍼지가스의 유동과 압력의 교란은 또한, 가스를 반도체 제조장비로 공급하는 가스 밸브의 갑작스런 개방 또는 폐쇄 중에 일어날 수도 있다. 돔 로딩 레귤레이터 회로(90)는 가스를 반도체 제조장비로 공급하기 위해 이용된다. 도4는 돔 로딩 레귤레이터 회로(90)를 도시하는 개략적인 다이아그램으로, 돔 로딩 레귤레이터(92), 밸브(94), 압력 레귤레이터(96)와 니들 밸브(98)를 포함한다. 장비로의 가스 유동은, 한정된 가스 유동을 제어하는 밸브(94)에 의해 공압적으로 작동되는 돔 로딩 레귤레이터(92)에 의해 증분적으로 증가된다. 가스 유동은 압력 레귤레이터(96)로부터 시작된다. 부가적으로 니들 밸브(98)는 가스 유동의 한정량을 제어한다. 그러나 니들 밸브(98)는, 퍼지가스의 서로 다른 상승 및 하강 유량을 조절하기 위해 복수의 니들 밸브와 체크 밸브가 될 수도 있다.
도5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40)의 개략적인 다이아그램이다. 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40)는 압력 릴레이 시스템(52)에 의해 작동되는, 공압식 작동 드로틀 밸브(50)를 포함한다. 압력 릴레이 시스템(52)은 보통 22:1 비로 압력 릴레이를 하는데, 드로틀 밸브(50)와 도관(101, 102)에 걸쳐 감지된 압력으로부터 공압식 작동 드로틀 밸브(50)의 개방을 조절한다. 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40)는 또한 가변 로드 스프링(54)과 드로틀 밸브 액츄에이터(56)를 포함한다. 부가적으로 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40)는 드로틀 밸브 유입구(58)를 포함한다.
도6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40)의 단면도이다. 도6을 참조하여 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40)의 작동에 대해 지금 설명할 것이다. 웨이퍼 핸들링 챔버(16) 내의 압력을 조절하기 위해 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40)는 압력을 조절하기 위해 공압식 작동 드로틀 밸브(50)를 이용한다. 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40)는 바람직한 실시예에서 22:1 압력 릴레이인 역압 릴레이 시스템(52)과 공압식 작동 드로틀 밸브(50)를 포함한다. 압력 릴레이 시스템(52)은 소형 압력 감소 레귤레이터(60)를 구동시키는 대형 피스톤(58)을 포함한다. 고압 파일롯 서플라이(바람직한 실시예에서 80 PSI)가 통로(62)를 통해 공급된다. 가변 로드 스프링(54)은 소형 압력 레귤레이터(60)를 개방시킨다. 소형 압력 레귤레이터(60)의 개방으로 챔버(64)로부터의 동적 가스가 통로(66)를 거쳐 챔버(68)로 들어가도록 허용된다. 동적 가스는 그리고 나서 블리드 통로(70)를 통해 통로(72)로 유동한다. 통로(72)로부터 동적 가스는 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40)의 유출구(74)를 통해 배출된다. 이 동적 가스 유동은, 드로틀 밸브(50)의 개방을 구동시키는데 필요한 압력 바로 밑의 레벨에서 드로틀 밸브 액츄에이터(56) 상에 바이어스 압력을 생성한다. 블리드 통로(70), 챔버(68)와 챔버(57)의 크기가 드로틀 밸브(50)의 개방을 구동하는데 필요한 반응 시간과 압력차를 결정한다. 블리드 통로(70)와 챔버(57)가 작을수록 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40)의 반응이 더 빠르다. 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40)의 유입구(76)에서의 압력의 적은 증가가 채널(78)을 거쳐, 소형 레귤레이터(60)를 압력 릴레이의비와 곱해서 나온 더 높은 압력으로 구동시키는 통로(66)를 통해 대형 피스톤(58)의 상부로 이송된다. 이는 드로틀 밸브 액츄에이터(56)의 상부에서의 압력을 증가시키고 드로틀 밸브(50)의 개방을 구동시켜, 파일롯 작동 역압 레귤레이터(40)의 유입구(76)에서의 압력을 경감시키고, 그리하여 드로틀 밸브 유입구(58)에서의 압력을 조절한다.

Claims (43)

  1. 반도체 웨이퍼 공정장치에 있어서,
    반도체 웨이퍼를 공정 처리하기 위한 리액터 챔버,
    상기 리액터 챔버로 그리고 상기 리액터 챔버로부터 반도체 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하기 위한 이송 수단을 포함하는 웨이퍼 이송 챔버,
    가스를 상기 웨이퍼 이송 챔버로 전달하기 위해 작동 가능하게 연결된 가스 이송 시스템, 및
    상기 웨이퍼 이송 챔버로 이송하기에 앞서 상기 가스를 조절하기 위한 이온화 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 이송 챔버는 가스 유출구를 포함하며,
    상기 장치는 상기 웨이퍼 이송 챔버에 있는 상기 가스를 조절하기 위해 상기 가스 유출구와 연결된 파일롯 작동 역압 레귤레이터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 파일롯 작동 역압 레귤레이터는, 조절 가능하며 상기 유출구에 연결된 밸브 개구부를 갖는 공압 구동 드로틀 밸브, 및 상기 공압 구동 드로틀 밸브에 대한 압력을 감지하도록, 그리고 상기 감지된 압력에 대응하여 상기 조절가능한 밸브 개구를 조절하도록 연결된 압력 감지 릴레이 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 이온화 수단은 상기 이송 수단에 연결된 제1 이온화기 및 상기 제1 이온화기를 상기 가스 이송 시스템에 연결시키는 제1 라인을 포함하며,
    상기 장치는 상기 제1 이온화기로의 상기 가스 이송을 조절하기 위해 상기 제1 라인과 상기 이송 시스템에 일체형으로 연결된 돔 로딩 레귤레이터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 이온화 수단은 상기 웨이퍼 이송 챔버에 연결된 제2 이온화기와, 상기 가스 이송 시스템을 상기 제2 이온화기에 연결시는 제2 라인을 포함하며,
    상기 가스 이송 시스템과 직렬로 연결된 댐퍼와, 상기 댐퍼와 상기 제2 이온화기 사이에 위치한 가스 유동 한정 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브와, 제2 속도가 뒤에 오는 적어도 제1 속도에서 상기 이격 밸브의 개방을 제어하는 수단을더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브와, 제2 속도가 뒤에 오는 적어도 제1 속도에서 이격 밸브의 개방을 조절하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 이온화 수단은 상기 이송 시스템에 연결된 제1 이온화기 및 상기 제1 이온화기를 상기 가스 이송 시스템에 연결시키는 제1 라인을 포함하며,
    상기 장치는 상기 제1 이온화기로의 가스 이송을 조절하기 위해 제1 라인에서 상기 가스 이송 시스템에 일체형으로 연결된 돔 로딩 레귤레이터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 이온화 수단은 상기 웨이퍼 이송 챔버에 연결된 제2 이온화기와, 상기 가스 이송 시스템을 상기 제2 이온화기에 연결시키는 제2 라인을 포함하며,
    상기 제1 라인에서 상기 가스 이송 시스템과 직렬로 연결된 댐퍼와 상기 댐퍼와 상기 제1 이온화기 사이에 위치한 가스 유동 한정 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 반도체 웨이퍼 공정장치에 있어서,
    반도체 웨이퍼를 공정 처리하기 위한 리액터 챔버,
    가스 유출구와 상기 리액터 챔버로 그리고 상기 리액터 챔버로부터 반도체 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하기 위한 수단을 갖는 웨이퍼 이송 챔버,
    가스를 상기 웨이퍼 이송 챔버로 전달하기 위해 작동 가능하게 연결된 가스 이송 시스템, 및
    상기 웨이퍼 이송 챔버에서 가스를 조절하기 위해 상기 가스 유출구에 연결된 파일롯 작동 역압 레귤레이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 파일롯 작동 역압 레귤레이터는, 조절 가능하며 상기 유출구에 연결된 밸브 개구부를 갖는 공압 구동 드로틀 밸브, 및 상기 공압 구동 드로틀 밸브에 대한 압력을 감지하도록, 그리고 상기 감지된 압력에 대응하여 상기 조절가능한 밸브 개구를 조절하도록 연결된 압력 감지 릴레이 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 가스 이송 시스템은 적어도 하나의 가스 소스와, 상기 가스 소스를 상기 웨이퍼 이송 챔버에 연결시키는 제1 라인을 포함하며,
    상기 장치는 상기 웨이퍼 이송 챔버로의 가스 이송을 조절하기 위해 상기 제1 라인에서 상기 가스 이송 시스템에 일체형으로 연결된 돔 로딩 레귤레이터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 가스 이송 시스템은 상기 가스 소스를 상기 웨이퍼 이송 시스템에 연결시키는 제2 라인을 더 포함하며,
    상기 장치는 상기 제2 라인에서 상기 가스 이송 시스템과 직렬로 연결된 댐퍼와, 상기 댐퍼와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 직렬로 위치한 가스 유동 한정 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브와,
    제2 속도가 뒤에 오는 적어도 제1 속도에서 상기 이격 밸브의 개방을 제어하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 가스 이송 시스템은 적어도 하나의 가스 소스와, 상기 가스 소스를 상기 웨이퍼 이송 챔버에 연결시키는 제1 라인을 포함하며,
    상기 장치는 상기 제1 라인에서 상기 가스 이송 시스템과 직렬로 연결된 댐퍼와, 상기 댐퍼와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 직렬로 위치한 가스 유동 한정 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브와,
    제2 속도가 뒤에 오는 적어도 제1 속도에서 상기 이격 밸브의 개방을 제어하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 반도체 웨이퍼 공정장치에 있어서,
    반도체 웨이퍼를 공정 처리하기 위한 리액터 챔버,
    상기 리액터 챔버로 그리고 상기 리액터 챔버로부터 반도체 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하기 위한 수단을 갖는 웨이퍼 이송 챔버,
    상기 웨이퍼 이송 챔버에 작동 가능하게 연결된 가스 이송 시스템, 및
    상기 웨이퍼 이송 챔버로의 가스의 전달을 제거하기 위해, 제1 라인에 의해 상기 제1 라인에서 상기 가스 이송 시스템과 일체형으로 연결된 돔 로딩 레귤레이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 가스 이송 시스템은 상기 가스 소스를 상기 웨이퍼 이송 시스템에 연결시키는 제2 라인을 더 포함하며,
    상기 장치는 상기 제2 라인에서 상기 가스 이송 시스템과 직렬로 연결된 댐퍼와, 상기 댐퍼와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 가스 유동 한정 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브와,
    제2 속도가 뒤에 오는 적어도 제1 속도에서 상기 이격 밸브의 개방을 제어하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브와,
    제2 속도가 뒤에 오는 적어도 제1 속도에서 상기 이격 밸브의 개방을 제어하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 반도체 웨이퍼 공정장치에 있어서,
    반도체 웨이퍼를 공정 처리하기 위한 리액터 챔버,
    상기 리액터 챔버로 그리고 상기 리액터 챔버로부터 반도체 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하기 위한 수단을 포함하는 웨이퍼 이송 챔버,
    가스를 상기 웨이퍼 이송 챔버로 전달하기 위해 작동 가능하게 연결된 가스 이송 시스템,
    상기 가스 이송 시스템에 연결된 댐퍼, 및
    상기 댐퍼와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 가스 유동 한정 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브와,
    제2 속도가 뒤에 오는 적어도 제1 속도에서 상기 이격 밸브의 개방을 제어하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 반도체 웨이퍼 공정장치에 있어서,
    반도체 웨이퍼를 공정 처리하기 위한 리액터 챔버,
    상기 리액터 챔버로부터 그리고 상기 리액터 챔버로 반도체 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하기 위한 수단을 갖는 웨이퍼 이송 챔버,
    상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브, 및
    제2 속도가 뒤에 오는 적어도 제1 속도에서 상기 이격 밸브의 개방을 제어하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 반도체 웨이퍼 공정장치에 있어서,
    로드록 챔버,
    반도체 웨이퍼를 공정 처리하기 위한 리액터 챔버,
    상기 로드록 챔버와 상기 리액터 챔버 사이에 연결되며, 상기 리액터 챔버와 상기 로드록 챔버 사이로 반도체 웨이퍼를 이송하기 위한 수단을 갖는 웨이퍼 이송 챔버,
    상기 로드록 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브, 및
    제2 속도가 뒤에 오는 적어도 제1 속도에서 상기 이격 밸브의 개방을 제어하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 웨이퍼 이송 챔버와 리액터 챔버를 갖는 반도체 리액터에서 반도체 웨이퍼를 공정 처리하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼 핸들링 챔버 내의 입자를 감소시키는 단계를 포함하고,
    상기 입자 감소 단계는 가스를 상기 웨이퍼 핸들링 챔버로 이송하는 단계와, 상기 가스를 이온화 수단으로 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 웨이퍼 이송 챔버는 가스 유출구를 포함하며,
    상기 입자 감소 단계는 상기 웨이퍼 이송 챔버 내의 가스 압력을 상기 가스 유출구와 작동 가능하게 연결된 파일롯 작동 역압 레귤레이터로 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 웨이퍼 이송 챔버는 제1 라인에 의해 상기 제1 라인의 제1 이온화기에서 상기 가스 이송 시스템에 연결되는 이송 수단을 포함하며,
    상기 방법은, 상기 이온화기로의 상기 가스의 이송을 돔 로딩 레귤레이터로 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 이온화 수단은 제2 라인에 의해 상기 웨이퍼 이송 챔버에 연결되는 제2 이온화기를 포함하며,
    상기 방법은, 상기 제2 이온화 수단으로의 가스 이송을 직렬로 댐핑하는 단계와, 상기 제2 이온화 수단으로의 상기 가스의 유동을 한정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 반도체 장비는 상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브를 더 포함하며,
    상기 입자 감소 방법은 제2 스피드가 따르는 제1 스피드에서 상기 이격 밸브를 처음으로 개방하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제25항에 있어서,
    상기 웨이퍼 이송 챔버는 제1 라인에 의해 상기 가스 이송 시스템에 연결된이송 수단과 상기 제1 라인의 제1 이온화기를 포함하며,
    상기 방법은 상기 제1 이온화기로의 가스의 이송을 돔 로딩 레귤레이터로 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제25항에 있어서,
    상기 이온화 수단은 제1 라인에 의해 상기 웨이퍼 이송 챔버에 연결된 제1 이온화기를 포함하며,
    상기 방법은 상기 제1 이온화기로의 가스의 이송을 직렬로 댐핑하는 단계와, 상기 제1 이온화기로의 상기 가스의 유동을 한정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제25항에 있어서,
    상기 반도체 장비는 상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브를 더 포함하며,
    상기 입자 감소 방법은 제2 스피드가 따르는 제1 스피드에서 상기 이격 밸브를 처음으로 개방하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 가스 유출구를 갖는 웨이퍼 이송 챔버와 리액터 챔버를 갖는 반도체 리액터에서 반도체 웨이퍼를 공정 처리하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼 핸들링 챔버에서 입자를 감소하는 단계를 포함하며,
    상기 입자 감소 단계는 가스를 상기 웨이퍼 핸들링 챔버로 이송하는 단계와, 상기 웨이퍼 이송 챔버 내의 가스 압력을 상기 가스 유출구에 작동 가능하게 연결된 파일롯 작동 역압 레귤레이터로 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 가스 이송 시스템은 적어도 하나의 가스 소스와, 상기 가스 소스를 상기 웨이퍼 이송 챔버에 연결시키는 제1 라인을 포함하며,
    상기 방법은 상기 제 1 라인에서 상기 웨이퍼 이송 챔버로의 상기 가스의 이송을 돔 로딩 레귤레이터로 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제33항에 있어서,
    상기 가스 이송 시스템은 상기 가스 소스를 상기 웨이퍼 이송 시스템에 연결시키는 제2 라인을 포함하며,
    상기 방법은 상기 제2 라인에서 상기 웨이퍼 이송 챔버 수단으로의 가스 이송을 댐핑하는 단계와, 상기 웨이퍼 이송 챔버로의 상기 가스 유동을 한정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제35항에 있어서,
    상기 반도체 장비는 상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브를 더 포함하며,
    상기 입자를 감소하는 방법은 제2 스피드가 따르는 제1 스피드에서 상기 이격 밸브를 처음으로 개방하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 제33항에 있어서,
    상기 반도체 장비는 상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브를 더 포함하며,
    상기 입자를 감소하는 방법은 제2 스피드가 따르는 제1 스피드에서 상기 이격 밸브를 처음으로 개방하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  38. 웨이퍼 이송 챔버와 리액터 챔버를 갖는 반도체 리액터에서 반도체 웨이퍼를 공정 처리하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼 핸들링 챔버에서 입자를 감소하는 단계를 포함하며,
    상기 입자를 감소하는 단계는 가스를 상기 웨이퍼 핸들링 챔버로 이송하는 단계와, 상기 웨이퍼 이송 챔버로의 상기 가스 이송을 돔 로딩 레귤레이터로 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 가스 이송 시스템은 적어도 하나의 가스 소스와, 상기 가스 소스를 상기 웨이퍼 이송 시스템에 연결시키는 제2 라인을 포함하며,
    상기 방법은, 상기 제1 라인에서 상기 웨이퍼 이송 챔버 수단으로의 가스 이송을 댐핑하는 단계와, 상기 웨이퍼 이송 챔버로의 상기 가스 유동을 한정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  40. 제38항에 있어서,
    상기 반도체 장비는 상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브를 더 포함하며,
    상기 입자를 감소하는 방법은, 제2 스피드가 따르는 제1 스피드에서 상기 이격 밸브를 처음으로 개방하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 가스 유출구를 갖는 웨이퍼 이송 챔버와 리액터 챔버를 갖는 반도체 리액터에서 반도체 웨이퍼를 공정 처리하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼 핸들링 챔버에서 입자를 감소하는 단계를 포함하며,
    상기 입자를 감소하는 단계는, 상기 웨이퍼 핸들링 챔버 수단으로의 상기 가스의 이송을 직렬로 댐핑하는 단계와, 상기 웨이퍼 이송 챔버로의 상기 가스 이송을 한정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  42. 제41항에 있어서,
    상기 반도체 장비는 상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브를 더 포함하며,
    상기 입자를 감소하는 방법은 제2 스피드가 따르는 제1 스피드에서 상기 이격 밸브를 처음으로 개방하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  43. 가스 유출구를 갖는 웨이퍼 이송 챔버와, 리액터 챔버와, 상기 리액터 챔버와 상기 웨이퍼 이송 챔버 사이에 위치한 이격 밸브를 갖는 반도체 리액터에서 반도체 웨이퍼를 공정 처리하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼 핸들링 챔버에서 입자를 감소하는 단계를 포함하며,
    상기 입자를 감소하는 단계는, 가스를 상기 웨이퍼 핸들링 챔버로 이송하는 단계와, 제2 속도가 따르는 제1 속도에서 상기 이격 밸브를 처음으로 개방하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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