KR20010068504A - 멀티 칩 패키지 및 이를 이용하는 적층 패키지 - Google Patents

멀티 칩 패키지 및 이를 이용하는 적층 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20010068504A
KR20010068504A KR1020000000453A KR20000000453A KR20010068504A KR 20010068504 A KR20010068504 A KR 20010068504A KR 1020000000453 A KR1020000000453 A KR 1020000000453A KR 20000000453 A KR20000000453 A KR 20000000453A KR 20010068504 A KR20010068504 A KR 20010068504A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
package
chip
semiconductor chip
circuit
substrate
Prior art date
Application number
KR1020000000453A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100650049B1 (ko
Inventor
송영재
김영수
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1020000000453A priority Critical patent/KR100650049B1/ko
Publication of KR20010068504A publication Critical patent/KR20010068504A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100650049B1 publication Critical patent/KR100650049B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/074Stacked arrangements of non-apertured devices
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

본 발명은 멀티 칩 패키지 및 이를 이용하는 적층 패키지에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 패키지 몸체에 의해 두께가 증가하는 것을 방지하기 위한 멀티 칩 패키지를 제공하는 데 있다. 이러한 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 실시예는 회로 패턴이 형성된 제 1 회로면과 제 2 회로면을 갖는 기판, 제 1 활성면을 갖는 제 1 반도체 칩, 제 2 활성면을 갖는 제 2 반도체 칩 및 외부 접속 단자를 포함하는 멀티 칩 패키지에 있어서, 제 1 회로면과 제 2 회로면은 각각 기판의 상부면 및 하부면에 형성되고, 제 1 반도체 칩은 제 1 활성면이 기판의 제 1 회로면을 마주보고, 제 2 반도체 칩은 제 2 활성면이 기판의 제 2 회로면을 마주보며, 제 1 반도체 칩과 제 2 반도체 칩은 금속 범프에 의해서 기판과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지와 이를 사용하여 제조하는 적층 패키지를 제공한다.

Description

멀티 칩 패키지 및 이를 이용하는 적층 패키지{Multichip module and assembly-stacked package using the same}
본 발명은 멀티 칩 패키지 및 이를 이용하는 적층 패키지에 관한 것이다.
최근에 전자 산업의 발전 그리고 사용자의 요구에 따라 전자 부품은 더욱 더 소형화, 박형화 및 경량화가 요구되고 있다. 이에 주로 적용되는 기술 중의 하나가 복수 개의 반도체 칩을 하나의 패키지로 구성한 멀티 칩 패키징(Multi-chip Packaging) 기술이다. 동일한 기능의 반도체 칩 또는 서로 다른 반도체 칩, 예를 들면 메모리 기능을 수행하는 플래시 메모리와 에스램(SRAM;Synchronous RAM) 칩을 하나의 TSOP(Thin Small Outline Package)로 구성하면, 각각의 반도체 칩을 내장하는 단위 반도체 칩 패키지 두 개를 이용하는 것보다 크기, 무게 및 실장 면적에서 소형화 및 경량화를 이룰 수 있어 유리하다.
일반적으로 복수 개의 반도체 칩을 하나의 패키지 내에 구성하는 방법에는 반도체 칩을 상하로 적층하는 방법과 수평하게 병렬로 배열하는 방법이 있다. 전자의 경우 반도체 칩을 상하로 적층하는 구조이므로 공정이 복잡하고 한정된 두께에서 안정된 공정을 확보하기 어려운 단점이 있고, 후자의 경우 동일 평면상에 여러 개의 반도체 칩을 배열하는 구조이므로 실장 면적 감소에 의한 소형화의 이점을 얻기가 어렵다. 따라서, 소형화와 경량화가 필요한 패키지에 적용되는 형태로는 반도체 칩을 상하로 적층하는 형태가 많이 사용된다.
도 1은 종래 기술에 따른 멀티 칩 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 멀티 칩 패키지(10)은 다이 패드(12), 내부 리드(14) 및 외부 리드(16)로 구성되는 리드프레임을 포함하며, 각각의 활성면(22, 32)이 서로 반대 방향으로 향하도록 제 1 및 제 2 반도체 칩(20, 30)이 비전도성 접착제(28, 38)에 의해서 다이 패드(12)의 상부면과 하부면에 접착된다. 활성면(22, 32)은 본딩 패드(24, 34)를 포함한 회로가 형성된 반도체 칩(20, 30)의 표면이다. 제 1 및 제 2 반도체 칩(20, 30)의 본딩 패드(24, 34)는 금속세선(Metal Wire; 26, 36)에 의해서 대응하는 내부 리드(14)와 전기적으로 연결된다.
반도체 칩(20, 30)의 활성면(22, 32)을 포함한 전기적 연결 부분을 외부로부터 보호하기 위해서 몰딩 수지(Molding Resin)로 패키지 몸체(18)를 형성한다. 그런데, 금속세선(26, 36)이 노출되어 손상되는 것을 방지하기 위해서 패키지 몸체(18)는 금속세선(26, 36)의 높이 이상으로 형성되어야 한다. 따라서, 패키지 몸체(18)의 두께가 커지게 되어 실장 밀도의 증가에 걸림돌이 된다. 또한, 한정된 두께의 패키지 몸체(18) 내에 반도체 칩(20, 30)과 리드프레임을 조립하여야 하므로 공정상 제어가 곤란하고, 수율의 저하가 생길 수 있다.
도 2는 종래 기술에 따른 다른 멀티 칩 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 멀티 칩 패키지(50)은 리드프레임 대신에 인쇄 회로 기판(52)을 사용한다. 제 1 반도체 칩(20)은 금속 범프(66)에 의해서 인쇄 회로 기판(52)과 전기적으로 연결되고, 제 2 반도체 칩(30)은 금속세선(36)에 의해서 연결된다. 또한, 멀티 칩 패키지(50)은 외부 단자로서 솔더 볼(56)을 사용한다. 멀티 칩 패키지(50) 또한 도 1에 도시된 멀티 칩 패키지과 마찬가지로 금속세선(36)을 보호하기 위해서 패키지 몸체(18)를 형성한다. 따라서, 패키지 몸체(18) 만큼 멀티 칩 패키지(50)의 두께가 증가한다.
따라서, 본 발명의 목적은 패키지 몸체에 의해 두께가 증가하는 것을 방지하기 위한 멀티 칩 패키지를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 멀티 칩 패키지를 나타내는 단면도,
도 2는 종래 기술에 따른 다른 멀티 칩 패키지를 나타내는 단면도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 멀티 칩 패키지를 나타내는 단면도,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지를 나타내는 단면도,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 적층 패키지를 나타내는 단면도이다.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
10, 50, 100, 100a, 100b, 200; 멀티 칩 패키지
12; 다이 패드 14; 내부 리드
16; 외부 리드 18; 패키지 몸체
20, 30, 120, 130; 반도체 칩 22, 32, 122, 132; 활성면
24, 34, 124, 134; 본딩 패드 26, 36; 금속세선
28, 38; 비전도성 접착제 52, 152; 인쇄 회로 기판
56; 솔더 볼 66, 126, 136; 금속 범프
114; 회로 패턴
116, 116a, 116b, 256; 외부 접속 단자
118; 내부 봉지부 152a, 152b; 회로면
이러한 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 실시예는 회로 패턴이 형성된 제 1 회로면과 제 2 회로면을 갖는 기판, 제 1 활성면을 갖는 제 1 반도체 칩, 제 2 활성면을 갖는 제 2 반도체 칩 및 외부 접속 단자를 포함하는 멀티 칩 패키지에 있어서, 제 1 회로면과 제 2 회로면은 각각 기판의 상부면 및 하부면에 형성되고, 제 1 반도체 칩은 제 1 활성면이 기판의 제 1 회로면을 마주보고, 제 2 반도체 칩은 제 2 활성면이 기판의 제 2 회로면을 마주보며, 제 1 반도체 칩과 제 2 반도체 칩은 금속 범프에 의해서 기판과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지과 이를 사용하여 제조하는 적층 패키지를 제공한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 및 적층 패키지를 보다 상세히 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 멀티 칩 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 멀티 칩 패키지(100)는 기판(152), 반도체 칩(120, 130), 내부 봉지부(Under-fill Encapsulant; 118)로 이루어진다. 기판(152)은 일반적으로 인쇄 회로 기판(152)을 사용한다. 인쇄 회로 기판(152)에는 관통 구멍(Via Hole)이 형성되고, 상부면과 하부면에 회로 패턴(114)이 형성된다. 관통 구멍의 내벽은 전도성 물질로 도포되어 있어서 회로 패턴(114)이 형성된 상부면과 하부면의 회로면(152b, 152a)을 전기적으로 연결한다.
반도체 칩(120)의 일면은 집적 회로가 형성되는 활성면(122)으로서, 본딩 패드(124)는 활성면(122)의 주변부 또는 중심부에 위치한다. 반도체 칩(120)과 인쇄 회로 기판(152)의 회로 패턴(114)을 전기적, 기계적으로 연결하기 위해서 본딩 패드(124)에는 금속 범프(126)가 형성된다. 금속 범프(126)가 형성된 반도체 칩(120)은 활성면(122)이 인쇄 회로 기판(152) 하부의 회로면(152a)을 마주보며 접착된다. 금속 범프(136)가 형성된 다른 반도체 칩(130)은 활성면(132)이 인쇄 회로 기판(152) 상부의 회로면(152b)을 마주보며 접착된다. 각각의 금속 범프(126, 136)는 인쇄 회로 기판(152)의 대응하는 회로 패턴(114)에 접착된다.
반도체 칩(120, 130)과 인쇄 회로 기판(152)의 전기적 연결 부분을 외부로부터 보호하고 결합을 강화하기 위해서 내부 봉지부(118)가 형성된다. 내부 봉지부(118)는 반도체 칩(120, 130)과 인쇄 회로 기판(152) 사이에 형성된다. 멀티 칩 패키지(100)의 두께가 증가하는 것을 방지하기 위해서 내부 봉지부(118)는 반도체 칩(120, 130)의 활성면(122, 132)과 인쇄 회로 기판(152)의 회로면(152a, 152b) 사이에 형성되는 것이 바람직하다. 멀티 칩 패키지(100)를 외부 장치와 연결하기 위해서 금속 리드로 외부 접속 단자(116)를 형성한다. 외부 접속 단자(116)는 인쇄 회로 기판(152)의 회로 패턴(114)에 접착되어 멀티 칩패키지(100)와 외부 장치를 전기적, 기계적으로 연결한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 멀티 칩 패키지(200)의 외부 접속 단자(256)로 솔더 볼을 사용한다. 전술한 금속 리드 또는 솔더 볼 이외에 외부 접속 단자로서 클립 리드(Clip Lead)를 사용할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 적층 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 적층 패키지(300)는 도 4에 도시된 멀티 칩 패키지를 수직으로 적층하여 구성된다. 도 5에는 2개의 멀티 칩 패키지(100a, 100b)를 사용한 적층 패키지(300)를 도시하였으나, 3개 이상의 멀티 칩 패키지를 적층할 수도 있다. 적층된 멀티 칩 패키지(100a, 100b)는 대응하는 외부 접속 단자(116a, 116b)가 서로 접착되어 전기적으로 연결된다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따르면 동일한 개수의 반도체 칩을 갖는 멀티 칩 패키지 및 적층 패키지의 두께를 줄여서 실장 밀도를 증가시킬 수 있다.

Claims (4)

  1. 회로 패턴이 형성된 제 1 회로면과 제 2 회로면을 갖는 기판, 제 1 활성면을 갖는 제 1 반도체 칩, 제 2 활성면을 갖는 제 2 반도체 칩 및 외부 접속 단자를 포함하는 멀티 칩 패키지에 있어서,
    상기 제 1 회로면과 상기 제 2 회로면은 각각 상기 기판의 상부면 및 하부면에 형성되고,
    상기 제 1 반도체 칩은 상기 제 1 활성면이 상기 기판의 상기 제 1 회로면을 마주보고, 상기 제 2 반도체 칩은 상기 제 2 활성면이 상기 기판의 상기 제 2 회로면을 마주보며,
    상기 제 1 반도체 칩과 상기 제 2 반도체 칩은 금속 범프에 의해서 상기 기판과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 멀티 칩 패키지는 내부 봉지부를 더 포함하여, 상기 봉지부는 상기 1 활성면과 상기 기판의 상기 제 1 회로면 사이 및 상기 제 2 활성면과 상기 기판의 상기 제 2 회로면 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 복수개의 관통 구멍을 더 포함하며, 상기 관통 구멍의 내벽에는 상기 제 1 회로면의 회로 패턴과 상기 제 2 회로면의 회로 패턴을 전기적으로 연결하는 전도성 물질이 도포되는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.
  4. 제 1항의 멀티 칩 패키지를 사용하는 적층 패키지로서, 상기 적층 패키지는 복수개의 상기 멀티 칩 패키지가 수직으로 적층되고, 대응하는 상기 멀티 칩 패키지의 상기 외부 접속 단자가 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 적층 패키지.
KR1020000000453A 2000-01-06 2000-01-06 멀티 칩 패키지를 이용하는 적층 패키지 KR100650049B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000000453A KR100650049B1 (ko) 2000-01-06 2000-01-06 멀티 칩 패키지를 이용하는 적층 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000000453A KR100650049B1 (ko) 2000-01-06 2000-01-06 멀티 칩 패키지를 이용하는 적층 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010068504A true KR20010068504A (ko) 2001-07-23
KR100650049B1 KR100650049B1 (ko) 2006-11-27

Family

ID=19636692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000000453A KR100650049B1 (ko) 2000-01-06 2000-01-06 멀티 칩 패키지를 이용하는 적층 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100650049B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100549299B1 (ko) * 2000-07-18 2006-02-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
US7122400B2 (en) * 2003-09-17 2006-10-17 Infineon Technologies Ag Method of fabricating an interconnection for chip sandwich arrangements
KR100800473B1 (ko) * 2006-06-30 2008-02-04 삼성전자주식회사 재배선 칩 패드를 갖는 적층 칩 및 이를 이용한 적층 칩패키지

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6267828A (ja) * 1985-09-20 1987-03-27 Sharp Corp 半導体デバイスの実装構造
KR100192179B1 (ko) * 1996-03-06 1999-06-15 김영환 반도체 패키지
KR19990060952A (ko) * 1997-12-31 1999-07-26 김영환 반도체 패키지

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100549299B1 (ko) * 2000-07-18 2006-02-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
US7122400B2 (en) * 2003-09-17 2006-10-17 Infineon Technologies Ag Method of fabricating an interconnection for chip sandwich arrangements
KR100800473B1 (ko) * 2006-06-30 2008-02-04 삼성전자주식회사 재배선 칩 패드를 갖는 적층 칩 및 이를 이용한 적층 칩패키지

Also Published As

Publication number Publication date
KR100650049B1 (ko) 2006-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100430861B1 (ko) 배선기판, 반도체장치 및 패키지 스택 반도체장치
KR100621991B1 (ko) 칩 스케일 적층 패키지
US7391105B2 (en) Unit semiconductor chip and multi chip package with center bonding pads and methods for manufacturing the same
KR100493063B1 (ko) 스택 반도체 칩 비지에이 패키지 및 그 제조방법
US6759737B2 (en) Semiconductor package including stacked chips with aligned input/output pads
US6781240B2 (en) Semiconductor package with semiconductor chips stacked therein and method of making the package
KR20020061812A (ko) 볼 그리드 어레이형 멀티 칩 패키지와 적층 패키지
KR100673379B1 (ko) 적층 패키지와 그 제조 방법
KR100650049B1 (ko) 멀티 칩 패키지를 이용하는 적층 패키지
JP3450477B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR100351922B1 (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
KR100592784B1 (ko) 멀티 칩 패키지
KR20010073345A (ko) 적층 패키지
TWI838125B (zh) 半導體封裝及其製造方法
KR20030012192A (ko) 다이 적층형 윈도우 칩 스케일 패키지
KR100480908B1 (ko) 적층 칩 패키지의 제조 방법
KR100352115B1 (ko) 반도체패키지
KR20070019359A (ko) 밀봉 수지 주입용 개구부를 구비하는 양면 실장형 기판 및그를 이용하는 멀티 칩 패키지의 제조방법
KR100788340B1 (ko) 반도체 패키지
KR100351925B1 (ko) 적층형 반도체 패키지
KR20040096138A (ko) 초박형 볼 그리드 어레이 패키지
KR100370851B1 (ko) 반도체패키지
KR20010058584A (ko) 반도체패키지
KR100501878B1 (ko) 반도체패키지
JP2001291818A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091113

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee