KR20010063116A

KR20010063116A - 위상동기루프 발진기의 탱크회로

Info

Publication number: KR20010063116A
Application number: KR1019990059992A
Authority: KR
Inventors: 최규환
Original assignee: 이형도; 삼성전기주식회사
Priority date: 1999-12-21
Filing date: 1999-12-21
Publication date: 2001-07-09

Abstract

본 발명은 위상동기루프(PLL) 발진기(oscillator)의 탱크회로(tank circuit)에 관한 것으로, 본 발명은 위상동기루프 발진기의 탱크회로에 있어서, 위사동기루프 발진기(21)에 커플링 커패시터(C1,C2)에 의해 결합되고, 튜닝전압(VT)에 의해서 바랙터다이오드(D1)의 커패시턴스를 제공하고, 선택전압(VHF-S)에 따라 스위칭다이오드(D0)가 스위칭되고, 이에따라 VHF-고역과 VHF-저역에 해당하는 공진주파수를 위사동기루프 발진기(21)에 제공하도록 구성하여, 위상동기 루프 발진기의 탱크회로의 사용소자를 줄이고, 패턴길이를 짧게 함으로서, 재료비의 절감하여 제품단가를 낮추고 위상노즈이즈 특성을 향상시킬 수 있다.

Description

위상동기루프 발진기의 탱크회로{TANK CIRCUIT OF PHASE LOCKED LOOP OSCILLATOR}

본 발명은 위상동기루프(PLL) 발진기(oscillator)의 탱크회로(tank circuit)에 관한 것으로, 특히 위상동기 루프 발진기의 탱크회로의 사용소자를 줄이고, 패턴길이를 짧게 함으로서, 재료비의 절감하여 제품단가를 낮추고 위상노즈이즈 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 위상동기루프 발진기의 탱크회로에 관한 것이다.

일반적으로, 위상동기루프(PLL) 발진기(oscillator)는 믹서와, 위상동기루프(PLL) 및 발진기를 하나의 IC(집적회로)로 구현한 것으로서, 이는 텔레비젼 튜너에 적용된다.

도 1은 종래의 위상동기루프 발진기의 탱크회로도로서, 도 1을 참조하면, 종래의 위상동기루프 발진기의 탱크회로는 PLL 발진기(11)에 탱크회로(12)가 외부에 구성되어, 이 PLL 발진기(11)에 원하는 대역선택을 위한 공진주파수를 제공하는데, 상기 탱크회로(12)의 동작을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 튜닝전압(VT)가 제공되고, VHF-고역선택전압(VHF-H)을 하이레벨(대략,5V)로 제공하고, VHF-저역선택전압(VHF-L)을 로우레벨(대략, 0V)을 제공하면, 스위칭다이오드(D0)가 턴온되고, 이에따라 탱크회로는 바랙터다이오드(D1), 커패시터(C3), 저항(R1) 및 인덕터(L1)로 이루어져, VHF-고역에 해당하는 공진주파수를 상기 PLL 발진기(11)에 제공한다.

한편, 튜닝전압(VT)가 제공되고, VHF-고역선택전압(VHF-H)을 로우레벨(대략,0V)로 제공하고, VHF-저역선택전압(VHF-L)을 하이레벨(대략, 5V)을제공하면, 스위칭다이오드(D0)가 턴오프되고, 이에따라 탱크회로는 바랙터다이오드(D1), 커패시터(C3), 저항(R1) 및 인덕터(L1,L2)로 이루어져, VHF-저역에 해당하는 공진주파수를 상기 PLL 발진기(11)에 제공한다.

이와같은 종래 위상동기루프 발진기의 탱크회로는 밴드스위칭을 하기 위해서 스위칭다이오드(D0), 복수의 커패시터(C4,C5), 복수의 저항(R2,R3,R4,R5)등의 많은 소자를 사용하고 있는데, 이와같이 많은 소자를 사용하면 사용소자 개수의 증가로 생산단가가 상승하게 되고, 또한 소자가 많으므로 그들간을 연결하는 패턴길이가 길어지게 되므로, 발진기의 내부저항(Rs)이 증가하게 되어 발진정지를 초래시킬 수 있으며, 이와같은 발진정지를 방지하기 위해서는 커플링 커패시터(C1,C2)의 커패시턴스를 크게 하여야 하는데, 이는 위상노이즈 특성이 저하시키는등 여러 가지 문제점이 있었던 것이다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 따라서, 본 발명의 목적은 위상동기 루프 발진기의 탱크회로의 사용소자를 줄이고, 패턴길이를 짧게 함으로서, 재료비의 절감하여 제품단가를 낮추고 위상노즈이즈 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 위상동기루프 발진기의 탱크회로를 제공하는데 있다.

도 1은 종래의 위상동기루프 발진기의 탱크회로도이다.

도 2는 본 발명에 따른 위상동기루프 발진기의 탱크회로도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

21 : PLL 발진기 22 : 탱크회로

R1,R2 : 바이어스 저항 C1,C2 : 커플링 커패시터

C3 : 블록킹 커패시터 C4 : 바이패스 커패시터

L1,L2 : 인덕터 D0 : 스위칭다이오드

D1 : 바랙터다이오드 VT : 튜닝전압

VHF-S : 밴드선택전압

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로써, 본 발명의 회로는 위상동기루프 발진기의 탱크회로에 있어서, 위사동기루프 발진기에 커플링 커패시터에 의해 결합되고, 튜닝전압에 의해서 바랙터다이오드의 커패시턴스를 제공하고, 선택전압에 따라 스위칭다이오드가 스위칭되고, 이에따라 VHF-고역과 VHF-저역에 해당하는 공진주파수를 위사동기루프 발진기에 제공하도록 구성함을 특징으로 한다.

이하, 본 발명에 따른 위상동기루프 발진기의 탱크회로에 대해서 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도 2는 본 발명에 따른 위상동기루프 발진기의 탱크회로도로서, 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 위상동기루프 발진기의 탱크회로는 위사동기루프 발진기(21)에 커플링 커패시터(C1,C2)에 의해 결합되고, 튜닝전압(VT)에 의해서 바랙터다이오드(D1)의 커패시턴스를 제공하고, 선택전압(VHF-S)에 따라 스위칭다이오드(D0)가 스위칭되고, 이에따라 VHF-고역과 VHF-저역에 해당하는 공진주파수를 위사동기루프 발진기(21)에 제공하도록 구성한다.

상기 탱크회로(22)는 위상동기루프 발진기(21)의 발진단에 커플링 커패시터(C1,C2)를 통해 일단이 접속되는 제1 인덕터(L1)와, 제1 인덕터(L1)의 타단에 일단을 접속하고 그 타단을 접지시킨 제2 인덕터(L2)와, 튜닝전압(VT)에 저항(R1)을 통해 캐소드단을 접속하고 그 애노드단을 상기 제1 인덕터의 일단에 접속한 바랙터 다이오드(D1)와, 밴드를 선택하기 위한 선택전압(VHF-S)단과, 상기 선택전압(VHF-S)단에 저항(R2)을 통해 애노드단을 접속하고, 그 캐소드단을 상기 제2 인덕더(L2)의 일단에 접속한 스위칭다이오드(D1)와, 상기 스위칭다이오드(D0)의 애노드단과 바랙터다이오드(D1)의 캐소드단을 접속한 제3 커패시터(C3)와, 상기 스위칭다이오드(D0)의 애노드단과 접지사이에 접속한 제4 커패시터(C4)로 구성한다.

이와같이 구성된 본 발명의 회로에 따른 동작을 첨부도면에 의거하여 하기에 상세히 설명한다.

본 발명은 밴드를 선택하기 위해서, 하나의 선택전압을 사용하여, 밴드스위칭을 위해서 사용되는 소자를 줄여 생산단가를 줄이고, 또한 소자들간을 연결하는 패턴길이를 짧게 함으로서, 발진기의 내부저항을 낮추어 위상노이즈 특성을 향상시킬 수 있게 하는 것이다.

먼저, 도 3을 참조하여 VHF-하이밴드선택을 설명하면, 튜닝전압(VT)가 공급되면 바랙터다이오드(D1)에서 커패시턴스가 결정되고, 이때 선택전압(VHF-S)을 하이레벨(대략, 5V)로 공급하면, 스위칭다이오드(D0)가 턴온되고, 이에따라 상기 제2 인덕터(L2)의 일단이 제4 커패시터(C4)를 통해서 교류적으로 접지된다.

이때, 탱크회로(22)는 제1 인덕터(L1)와 바랙터다이오드(D1)로 이루어지며, 이 제1 인덕터(L1)와 바랙터다이오드(D1)에 의해서 결정되는 VHF-하이밴드에 해당하는 공진주파수가 커플링커패시터(C1,C2)를 통해서 상기 PLL 발진기(21)로 제공된다.

상기 PLL 발진기(21)는 제공되는 공진주파수를 발진시키고 위상동기시켜 제공하게 된다.

다음으로, 도 3을 참조하여 VHF-로우밴드선택을 설명하면, 튜닝전압(VT)가 공급되면 바랙터다이오드(D1)에서 커패시턴스가 결정되고, 이때 선택전압(VHF-S)을 로우레벨(대략, 0V)로 공급하면, 스위칭다이오드(D0)가 턴오프되고, 이에따라 커플링커패시터(C1,C2)에 결합되는 인덕터는 제1, 제2 인덕터(L1,L2)가 된다.

이때, 탱크회로(22)는 제1 및 제2 인덕터(L1,L2)와 바랙터다이오드(D1)로 이루어지며, 이 제1 및 제2 인덕터(L1,L2)와 바랙터다이오드(D1)에 의해서 결정되는 VHF-로우밴드에 해당하는 공진주파수가 커플링커패시터(C1,C2)를 통해서 상기 PLL 발진기(21)로 제공된다.

상술한 바와같은 본 발명에 따르면, 위상동기 루프 발진기의 탱크회로의 사용소자를 줄이고, 패턴길이를 짧게 함으로서, 재료비의 절감하여 제품단가를 낮추고 위상노즈이즈 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 특별한 효과가 있는 것이다.

이상의 설명은 본 발명의 일실시예에 대한 설명에 불과하며, 본 발명은 그 구성의 범위내에서 다양한 변경 및 개조가 가능하다.

Claims

위상동기루프 발진기의 탱크회로에 있어서,

위사동기루프 발진기(21)에 커플링 커패시터(C1,C2)에 의해 결합되고,

튜닝전압(VT)에 의해서 바랙터다이오드(D1)의 커패시턴스를 제공하고,

선택전압(VHF-S)에 따라 스위칭다이오드(D0)가 스위칭되고,

이에따라 VHF-고역과 VHF-저역에 해당하는 공진주파수를 위사동기루프 발진기(21)에 제공하도록 구성함을 특징으로 하는 위상동기루프 발진기의 탱크회로.
제1항에 있어서, 상기 탱크회로(22)는

위상동기루프 발진기(21)의 발진단에 커플링 커패시터(C1,C2)를 통해 일단이 접속되는 제1 인덕터(L1);

제1 인덕터(L1)의 타단에 일단을 접속하고 그 타단을 접지시킨 제2 인덕터(L2);

튜닝전압(VT)에 저항(R1)을 통해 캐소드단을 접속하고 그 애노드단을 상기 제1 인덕터의 일단에 접속한 바랙터 다이오드(D1);

밴드를 선택하기 위한 선택전압(VHF-S)단;

상기 선택전압(VHF-S)단에 저항(R2)을 통해 애노드단을 접속하고, 그 캐소드단을 상기 제2 인덕더(L2)의 일단에 접속한 스위칭다이오드(D1);

상기 스위칭다이오드(D0)의 애노드단과 바랙터다이오드(D1)의 캐소드단을 접속한 제3 커패시터(C3);

상기 스위칭다이오드(D0)의 애노드단과 접지사이에 접속한 제4 커패시터(C4);를 구비함을 특징으로 하는 위상동기루프 발진기의 탱크회로.