KR20010062218A - 개선된 막 특성을 위한 2 단계 ＡｌＮ-ＰＶＤ - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제 1 챔버 압력에서 기판상에 제 1 알루미늄 질화물층을 증착하고, 다음으로 제 1 챔버 압력보다 높은 제 2 챔버 압력에서 알루미늄 질화물 핵형성층상에 제 2 알루미늄 질화물층을 증착하는 단계를 포함하는 처리 챔버내의 기판상에 알루미늄 질화물층을 형성하는 방법에 관한 것이다. 제 1 알루미늄 질화물층은 처리 챔버내의 질소 및 불활성 가스 플라즈마에 대략 1.5 내지 대략 3 밀리토르의 챔버 압력에서 알루미늄 타겟을 스퍼터링함으로써 증착된다. 제 2 알루미늄 질화물층은 질소 및 불활성 가스 플라즈마에 대략 5 내지 대략 10 밀리토르의 챔버 압력에서 알루미늄 타겟을 스퍼터링함으로써 증착된다. 이 처리공정은 바람직하게는 대략 125℃ 내지 대략 500℃ 사이의 온도로 유지되는 기판을 가진 동일한 물리기상증착 챔버내에서 수행될 수 있다. 본 발명에 따르면 우선 결정 배향 및 개선된 층 특성을 가진 알루미늄 질화물에 대한 높은 증착속도가 제공된다.
Description
본 발명은 반도체 디바이스를 제조하기 위한 금속화 처리공정에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 알루미늄 질화물 막을 증착하는 방법에 관한 것이다.
탄성 표면파(SAW) 및 탄성 벌크파(BAW) 디바이스는 전기 신호를 음향파로 변환하고, 음향파를 전기 신호로 변환함으로써 신호를 처리하는 회로 디바이스이다. 음파를 전기 데이터로, 그리고 전기 데이터를 음파로 변환하는 능력은 통신 및 관련 분야에서 필터, 공진기, 지연 라인, 및 기타 전기-음향 디바이스로서 널리 사용되는 SAW 및 BAW를 발생시켰다. 특히, SAW 및 BAW 디바이스는 음향파 디바이스가 이동 통신 전자기기 분야에서 사용되는 효과적인 무선 여과 특성을 제공하는 간단한 구성을 가지기 때문에 이동 통신 분야에서 널리 사용된다. 최근에, 이동 무선통신 분야에서 더욱 빠른 정보 전송에 대한 증대되는 요구에 충족시키기 위해 고주파에서 동작하는 SAW 및 BAW 디바이스에 대한 요구가 증대되었다.
일 예로서, SAW 디바이스는 인터디지털 변환기(IDT)라는 도전성 막, 예를 들어 금속의 전극을 압전(piezoelectiric) 기판상에 형성함으로써 제조되고, 이 전극은 전자 신호와 탄성 표면파를 상호변환시킨다. 탄성 표면파의 특성은 압전 기판상의 전극의 전파 특성에 의존한다. 고주파수에서 동작하는 탄성 표면파 디바이스에 있어서, 압전 기판 및 전극은 음향파에 대해 높은 전파속도를 가져야 한다.
높은 전파속도, 고주파 응답, 및 높은 커플링 계수 등의 바람직한 전자기계적 특성을 가지는 압전 물질은 벌크파 전파 매체, 표면파 전파 기판 및 기계적 공진기로서 사용된 물질을 가지는 압전 박막의 합성물을 이용하여 얻어질 수 있다. 따라서, 음향파 디바이스의 고주파 동작을 발생시키는 바람직한 하나의 방법은 압전 막 또는 기판상에 고속의 음향파 전파 막을 증착하는 것이다.
알루미늄 질화물(AlN) 막은 대략 6000m/s의 높은 전파속도, 전기 에너지에서 음향파 에너지로의 전환 효율을 나타내는 대략 0.07의 높은 커플링 계수, 우수한 압전 특성, 및 높은 열적 안정성을 가지는 알루미늄 질화물의 우수한 전자기계적 특성 때문에 온-칩 고주파 GHz-대역의 음향파 디바이스 제조용으로 바람직한 압전 물질로서 간주되어왔다. 이러한 전자기계적 특성은 결정 구조, 결정 배향(orientation), 및 막의 두께를 포함하는 막의 물리적 파라미터에 의존한다. 막의 파라미터를 최적화함으로써, 원하는 전자기계적 특성을 가지는 디바이스는 SAW 응용분야에서 특정 용도로 사용될 수 있다. 따라서, SAW 응용분야에 사용하기 위해, 특히, 집적 회로용 온-칩 음향파 디바이스의 제조에 사용하기 위해, 우수한 결정 품질, 바람직한 입자(grain) 방향(종종 결정 배향라 불림), 및 균일한 두께의 알루미늄 질화물 막을 생산하려는 상당한 노력이 행해져오고 있다.
통상적으로, 박막 알루미늄 질화물(AlN) 막은 화학기상증착(CVD) 및 분자 빔 에피탁시(MBE) 기술에 의해 증착된다. 탄성 표면파 기술에 의해 평가될 때 AlN 막은 매우 우수한 음향파 특성을 나타내는 반면에, AlN 막에 대한 이 증착 방법은 통상적으로 1000℃를 초과하는 높은 기판 온도를 필요로 한다. 이 높은 증착 온도는온-칩 음향파 디바이스 제조를 위한 현재의 반도체 직접 회로의 제조 방법과 양립하지 않는다.
500℃ 이하의 온도에서 AlN 막을 증착하기 위한 선택적인 일 방법은 PVD 스퍼터링 방법에 의해 AlN 막을 증착하는 것이다. 그러나, PVD 방법에 의해 증착된 알루미늄 질화물층은 무질서한(random) 결정 배향을 가진 층을 형성하기 쉽다. 기판상에 무질서하게 형성되는 알루미늄 질화물 결정 구조는 우선 입자 방향이 없는 다결정 막을 생성한다. 무질서한 결정 배향은 낮은 커플링 계수 및 더 높은 전파 손실을 가진 손실된 음향 전파속도를 가지는 막을 생성함으로써 전자 신호 및 탄성 표면파 사이의 변환의 감소를 초래한다. 따라서, 다결정 막의 결정 배향은 증착된 막의 SAW 및 BAW 특성에 영향을 주는 중요한 물질 파라미터이고, AlN 막에서의 결정 배향의 형성은 보다 우수한 음향 특성을 가지는 막의 형성에 중요하다.
박막 증착 처리공정은 일반적으로 절연된 핵형성 위치(site)의 증착으로 시작된다. PVD 증착시, 타겟의 각각의 스퍼터링된 부분이 기판을 가격하고, 다음으로 기타 부분을 기판상에 증착시킬 때 이 위치가 생성된다. CVD 증착시, 핵형성 위치가 생성되고, 여기서 전구체(precursor)는 기판상에 증착된다. 핵형성 위치의 성장속도의 차이가 막의 방향을 결정한다. 특히, PVD 스퍼터링에 의해 증착된 막은 임의의 핵형성 위치로부터 발생하여 성장하는 다결정 막을 형성한다. 기판에 수직 방향으로 성장하는 성장속도처럼 빠른 성장속도를 나타내는 결정 배향을 가지는 핵형성 위치는 더 느린 성장속도를 나타내는 방향을 가진 위치에 두드러지게 나타날 것이다. 그 결과로 PVD 스퍼터링 처리공정으로부터의 막 구조는 다양한 크기및 다결정 배향의 다중 입자를 가진다.
우선(preferred) 결정 배향각으로 PVD에 의해 알루미늄 질화물 막을 형성하는 원하는 일 방법이 이시하라(Ishihara) 등의 "반응성 스퍼터링 방법에 의해 형성된 AlN 막의 우선 방향의 제어"에서 개시되어 있다. 이시하라 등의 고체 박막(Thin Solid Films) 316, pp. 152-157(1998)은 우선 결정 배향을 가지는 알루미늄 질화물 막을 증착시키는 스퍼터링 처리 방법을 제공한다. 그러나, 이시하라 등의 처리 방법은 상당한 응력을 받고 비균일한 두께의 막을 가지는 막을 형성한다. 막의 높은 응력은 알루미늄 질화물 막의 전자기계적 특성에 악영향을 미치는 막에서 적층의 결함을 발생시킨다. 또한, SAW 디바이스의 전송 주파수 및 주파수 응답이 막의 균일한 두께에 상당히 의존하기 때문에, 비균일한 막은 변동하며 일정하지 않은 SAW 성능을 제공한다. 게다가, 이시하라 등의 처리 방법은 분 당 대략 1000 옹그스트롬 이상의 상업적으로 수용 가능한 증착속도와 비교할 때 분 당 대략 200 옹그스트롬 이하의 낮은 증착속도를 제공하고, 이에 의해 처리공정의 상업적 애플리케이션을 제한한다.
따라서, 본 발명의 목적은 우선 결정 배향 및 높은 증착속도를 가진 개선된 막 특성을 제공하는 알루미늄 질화물 막을 증착하는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 PVD 처리공정을 형성하기에 적합한 PVD 챔버의 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 처리공정을 제어하기에 적합한 컴퓨터 프로그램의 계층적 제어 구조를 도시한 단순 블록도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호 설명*
36 : PVD 챔버 102 : 챔버 수용부
104 : 타겟 106 : 기판 지지체
108 : 가스 흡입구 110 : 가스 배출구
116 : 기판 118 : 기판 지지 리프트 어셈블리
120 : 리프트 핀 어셈블리 122 : 후면판
126 : 이음부 128 : 밀봉체
130 : 자석 어셈블리 132 : 하부 실드
134 : 클램프 링 136 : 내부 종단
140 : 상부 실드 146 : 처리 공동
156 : 배출 밸브 158 : 배출 펌프
본 발명은 일반적으로 물리기상증착 기술을 이용하여 기판상에 알루미늄 질화물층을 형성하는 2 단계 처리공정을 제공한다. 본 발명의 일 측면에서, 증착 처리공정은 제 1 챔버 압력, 바람직하게는 대략 1.5 내지 대략 3.0 밀리토르 사이의 압력에서 제 1 알루미늄 질화물층을 증착하여 우선 결정 배향각으로 핵형성층을 제공하는 단계 및 제 1 챔버 압력보다 높은 제 2 챔버 압력, 바람직하게는 대략 5 내지 대략 10 밀리토르 사이의 압력에서 제 2 알루미늄 질화물층을 증착하는 단계를 포함한다. 제 1 알루미늄 질화물층은 바람직하게는 소량의 불활성 가스를 함유한 질소 플라즈마에 알루미늄 타겟을 스퍼터링함으로써 증착되고 제 2 알루미늄 질화물층은 질소 및 불활성 가스 플라즈마에 알루미늄 타겟을 스퍼터링함으로써 증착된다. 바람직하게는, 제 1 및 제 2 증착 단계는 대략 125℃ 내지 대략 500℃ 사이의 기판 온도로 동일한 PVD 챔버내에서 수행된다.
본 발명의 다른 측면에서, 제 1 질화 가스를 처리 챔버내에 삽입하여 제 1 챔버 압력을 형성하고, 제 1 알루미늄 질화물층을 증착하기 위하여 알루미늄 타겟을 스퍼터링하고, 제 2 질화 가스를 처리 챔버내에 삽입하여 제 1 챔버 압력보다 높은 제 2 챔버 압력을 형성하며, 제 2 알루미늄 질화물층을 증착하기 위하여 알루미늄 타겟을 스퍼터링함으로써 처리 챔버내의 기판상에 알루미늄 질화물 막이 증착된다. 이 증착 처리공정은 개선된 막 특성을 가지는 우선 결정 배향을 제공한다. 증착 처리공정은 또한 알루미늄 질화물 막을 형성하가 위해 고속으로 증착된다.
따라서, 상술한 본 발명의 특징, 장점 및 목적이 달성되고 상세히 이해될 수 있는 방식, 특히 간략히 요약된 본 발명의 설명은 첨부된 도면에서 설명된 본 발명의 실시예를 참조로 이루어질 수 있다.
그러나, 첨부된 도면은 본 발명의 일반적인 실시예만을 도시하고 있기 때문에 본 발명의 권리범위를 제한적으로 해석해서는 안되며, 다른 동등한 효과의 실시예로 실시될 수도 있다.
본 발명은 일반적으로 기판상에 압전 막을 증착하는 2 단계 처리공정을 제공한다. 더욱 구체적으로는, 본 발명은 개선된 막 특성을 가지는 알루미늄 질화물층을 형성하는 2 단계 처리공정을 제공하고, 여기서 제 1 알루미늄 질화물층은 제 1 챔버 압력보다 높은 제 2 챔버 압력에서 증착된다. 2 단계 증착 처리공정은 대략 1.5 내지 대략 3 밀리토르 사이의 챔버 압력에서 질화 가스, 바람직하게는 질소, 및 불활성 가스 플라즈마, 바람직하게는 아르곤 플라즈마에 알루미늄 타겟을 스퍼터링하고, 다음으로 대략 5 내지 대략 10 밀리토르 사이의 챔버 압력에서 질화 가스, 바람직하게는 질소, 및 불활성 가스 플라즈마, 바람직하게는 아르곤 플라즈마에 알루미늄 타겟을 스퍼터링하는 단계를 포함한다. 2 단계 막 증착 처리공정은 바람직하게는 대략 125℃ 내지 대략 500℃ 사이의 기판 온도에서 수행된다. 본 발명은 낮은 막 응력 및 개선된 두께의 균일성으로 바람직한 각도의 결정 배향을 가지는 높은 증착속도로 형성하는 장점을 가진다.
장치
본 발명의 방법은 캘리포니아, 산타 클라라에 소재한 어플라이드 머티리얼스사의 상업적으로 이용 가능한 PVD 챔버를 이용하여 수행될 수 있다. PVD 챔버의 일반적인 특징이 아래에 기술된다. 하기될 PVD 챔버가 발명자에게 공지되어 있지만, 다른 챔버 또한 효과적으로 사용되거나 변형 사용되어 본 발명의 방법을 수행할 수 있다.
PVD 챔버(36)는 일반적으로 챔버 수용부(enclosure)(102), 타겟(104), 기판 지지체(106), 가스 흡입구(108) 및 가스 배출구(110)를 포함한다. 챔버 수용부(102)는 챔버 기저부(112) 및 챔버 측벽(114)을 포함한다. 슬릿 밸브(115)는 챔버 측벽(114)에 배치되어 기판(116)을 PVD 챔버(36) 내부 및 외부로의 이동을 용이하게 한다. 기판 지지체(106)는 챔버 기저부(112)를 통과하는 기판지지 리프트 어셈블리(118)상에 배치된다. 통상적으로, 히터 등의 온도 제어 엘리먼트(도시되지 않음)는 기판 지지체(106) 내에 장착되어 처리공정 동안 기판(116)의 온도를 제어한다. 바람직하게는, 기판 지지체(106)는 스텐레스강으로 이루어지며, 온도 제어 엘리먼트는 백금/로듐 히터 코일을 포함한다. 기판 지지 리프트 어셈블리(118)는 기판 이동 위치 및 기판 처리 위치 사이에서 수직으로 기판 지지체(106)를 이동시킨다. 리프트 핀 어셈블리(120)는 기판 지지체(106)에서 기판(116)을 상승시켜 챔버 및 챔버 내부 및 외부로 기판을 이동시키는데 사용되는 로봇 블래이드(도시되지 않음) 사이에서 기판(116)의 이동을 용이하게 한다.
타겟(104)은 챔버 수용부(102)의 상부에 배치된다. 바람직하게는, 타겟(104)은 기판 지지체(106) 바로 위에 배치된다. 타겟(104)은 일반적으로 스퍼터링 가능한 물질(124)의 판을 지지하는 후면판(122)을 포함한다. 알루미늄 질화물 막용 통상적인 타겟 물질은 기술된 반응성 스퍼터링 처리공정에 사용되는 알루미늄이다. 후면판(122)은 챔버 수용부(102)에 고정되는 이음부(flange portion)(126)를 포함한다. 바람직하게는, O-링 등의 밀봉체(seal)(128)은 후면판(122)의 이음부(126) 및 챔버 수용부(102) 사이에 제공되어 처리공정 동안챔버 내에 진공 환경을 형성하고 유지시킨다. 자석 어셈블리(130)는 후면판(122)상에 배치되어 타겟 물질의 스퍼터링을 증가시키기 위해 타겟 스퍼터링 표면(전자를 포획함으로써)에 인접한 플라즈마 밀도를 증가시키는 자계 증가를 제공한다.
하부 실드(shield)(132)는 챔버 수용부(102)의 내부면이 증착되는 것을 방지하도록 챔버 내에 배치된다. 하부 실드(132)는 챔버 측벽(114)의 상부로부터 처리 위치인 기판 지지체(106)의 주변 에지까지 연장된다. 클램프 링(134)은 사용될 수 있고 하부 실드(132)의 내부 단자(136)상에 제거 가능하도록 배치된다. 기판 지지체(106)가 처리 위치로 이동할 때, 내부 종단(terminus)(136)은 기판 지지체(106)를 둘러싸고, 기판(116)의 주변부(138)는 클램프 링(134)의 내부 종단(133)을 사용하여 클램프 링(134)을 하부 실드(132)의 내부 종단(136)에서 상승시킨다. 클램프 링(134)은 증착 처리공정 동안 기판(116)을 클램핑하거나 지탱하고 기판(116)의 주변부(138)를 보호한다. 선택적으로, 클램프 링(134) 대신에, 실드 커버링(도시되지 않음)은 하부 실드의 내부 종단 상에 배치된다. 기판 지지체가 처리 위치로 이동할 때, 실드 커버링의 내부 종단은 즉시 기판의 주변부 상에 위치하여 기판 지지체(106)의 주변부가 증착되는 것을 방지한다.
바람직하게는, 상부 실드(140)는 하부 실드(132)의 상부내에 배치되어 챔버 측벽(114)의 상부로부터 클램프 링(134)의 주변 에지(142)까지 연장된다. 바람직하게는, 상부 실드(140)는 알루미늄, 티타늄 및 기타 물질 등의 타겟을 포함하는 물질과 유사한 물질을 포함한다. 상부 실드(140)는 바람직하게는 접지된 상부 실드에 비해 플라즈마의 이온화가 증가된다. 증가된 이온화는 더 많은 이온들을 타겟(104)에 충돌시켜 타겟(104)으로부터의 증가된 스퍼터링으로 인한 더 높은 증착속도를 초래한다. 선택적으로, 상부 실드(140)는 증착 처리공정 동안 접지될 수 있다.
챔버 수용부(102)의 챔버 측벽(114)에 배치된 가스 흡입구(108)는 처리 가스가 챔버 수용부(102)에 삽입되어 상부 실드(140) 및 하부 실드(132) 사이에 흐름으로써 처리 공동(146)에 들어간다. 처리 공동(146)은 타겟(104), 처리 위치인 기판 지지체(106)상에 배치된 기판(116) 및 상부 실드(140)에 의해 형성된다. 통상적으로, 아르곤은 플라즈마에 대한 처리 가스원으로서 가스 흡입구(108)를 통해 삽입된다. 가스 배출구(110)는 챔버 측벽(114)상에 배치되어 증착 처리공정 이전에 챔버를 비우고 증착 처리공정 동안 챔버 압력을 제어한다. 바람직하게는, 가스 흡입구(110)는 배출 밸브(156) 및 배출 펌프(158)를 포함한다. 배출 밸브(156)는 챔버(36) 내부 및 배출 펌프(158) 사이의 컨덕턴스를 제어한다.
타겟(104)에 바이어스를 공급하기 위하여, 전원(152)이 타겟(104)에 연결된다. 전원(152)은 DC 발생기 및 타겟(104)에 커플링된 DC 매칭 회로망을 포함할 수 있다. 전원(152)은 처리 공동에 에너지를 공급하여 증착 처리공정 동안 처리 공동내에 처리 가스의 플라즈마를 가격하고 유지한다.
가스 배출구(110)는 챔버 측벽(114)상에 증착되어 증착 처리공정 이전에 챔버를 비우고 증착 처리공정 동안 챔버 압력을 제어한다. 바람직하게는, 가스 배출구(110)는 배출 밸브(156) 및 배출 펌프(158)를 포함한다. 배출 펌프(158)는 바람직하게는 챔버의 펌프 하강 시간을 최소화하기 위하여 저온 펌프(cryopump)와 관련된 터보분자(turbomolecular) 펌프를 포함한다. 선택적으로, 배출 펌프(158)는 저압, 고압 펌프 또는 저압 및 고압 펌프의 조합물을 포함한다.
도 1에서, 스퍼터링 처리공정은 바람직하게는 알루미늄으로 구성된 스퍼터링 타겟(104) 및 기판(116) 사이에 위치한 영역 또는 처리 공동(146)을 처리하여 수행된다. 타겟(104)은 챔버(36)로부터 절연되어 스퍼터링 플라즈마를 발생시키는 처리 전극으로서 기능한다. 스퍼터링 처리공정 동안, 스퍼터링 가스, 통상적으로는 아르곤 또는 크세논 등의 희가스가 챔버(36)의 처리 공동(146)내에 삽입된다. 다음으로, 전원이 음의 전압을 가지는 스퍼터링 타겟(104)에 공급되어 벽을 가지는 챔버(36)내에, 그리고 바람직하게는, 챔버(36)에 배치되는 기판 지지체(106)가 접지된다. 그 결과로 챔버(36)의 전계는 스퍼터링 가스를 이온화하여 기판상에 물질을 증착시키는 타겟(104)을 스퍼터링하는 스퍼터링 플라즈마를 형성한다. 스퍼터링 처리공정시, 플라즈마는 일반적으로 대략 100 내지 대략 20,000 와트까지, 더욱 일반적으로는 대략 100 내지 대략 10,000 와트까지, 더욱 바람직하게는 대략 4000 내지 대략 7000 와트 사이의 스퍼터링 타겟에 전력 레벨로 DC 또는 RF 전압을 적용함으로써 발생된다.
제어 시스템
박막을 증착하기 위한 방법은 예를 들어 캘리포니아에 소재한 신에너지 마이크로시스템사의 상업적으로 이용 가능한 68400 마이크로프로세서 등의 주변 제어 소자에 상호접속된 중앙제어장치(CPU)를 포함하는 통상적인 컴퓨터 시스템을 동작시키는 컴퓨터 프로그램 제품(161)을 이용하여 수행될 수 있다. 컴퓨터 프로그램코드는 예를 들어 68000 어셈블리 언어, C, C++, 자바, 또는 파스칼 등의 통상적인 컴퓨터 판독가능 프로그래밍 언어로 기록될 수 있다. 적합한 프로그램 코드는 종래 텍스트 에디터를 이용하여 단일 파일 또는 다중 파일로 입력되며 컴퓨터 메모리 시스템과 같은 컴퓨터 사용가능 매체에 저장 또는 수록된다. 상기 기입된 코드 텍스트가 고급 언어라면, 상기 코드는 컴파일링되고, 다음에 얻어진 컴파일링 코드는 미리 컴파일링된 라이브러리 루틴의 목적 코드와 링크된다. 상기 링크된 목적 코드를 실행하기 위하여, 시스템 사용자는 상기 목적 코드를 호출하여 컴퓨터 시스템이 상기 코드를 메모리에 로딩하도록 하는데, 상기 CPU가 프로그램에서 식별된 태스크(task)를 수행하기 위기 위하여 코드를 판독하고 실행한다.
도 2는 컴퓨터 프로그램(161)의 계층적 제어 구조의 블록도를 도시한다. 라이트 펜 인터페이스를 사용하여, 사용자는 CRT 모니터 상에 표시된 메뉴 또는 스크린에 응답하여 처리 세트 번호와 처리 챔버 번호를 처리 선택 서브루틴(162)에 기입한다. 기입된 처리를 수행하는데 필요한 소정 처리 파라미터 세트인 상기 처리 세트는 소정 세트 번호에 의해 식별된다. 처리 선택 서브루틴(162)은 (ⅰ) 요구된 처리 챔버, 및 (ⅱ) 상기 요구된 처리를 수행하기 위해 처리 챔버를 동작하는데 필요한 요구된 파라미터 세트를 식별한다. 특정 처리를 수행하기 위한 상기 처리 파라미터는 예를 들어 처리 가스 혼합과 흐름속도, 온도, 고주파수 및 RF 전력 레벨과 저주파수 DC 전원 레벨등의 플라즈마 조건, 및 챔버 벽 온도와 같은 조건 처리에 관련한다. 상기 처리 파라미터는 사용자에게 사용법의 형태로 제공되고 라이트펜/CRT 모니터 인터페이스(도시되지 않음)를 사용하여 기입될 수 있다.
처리 시퀀서 서브루틴(163)은 상기 식별된 처리 챔버와 처리 선택 서브루틴(162)으로부터의 처리 파라미터 세트를 수용하고 여러 처리 챔버의 동작을 제어하기 위한 프로그램 코드를 포함한다. 다중 사용자가 처리 세트 번호와 처리 챔버 번호를 기입할 수 있고, 또는 단일 사용자가 다중 처리 세트 번호와 처리 챔버 번호를 기입할 수 있어 시퀀서 서브루틴(163)은 요구된 시퀀스내의 선택된 처리를 스케줄링하도록 동작한다. 바람직하게, 시퀀스 서브루틴(163)은 (ⅰ) 챔버가 사용되고 있다면 처리 챔버의 동작을 모니터링하고, (ⅱ) 어떤 처리가 사용되고 있는 챔버에서 수행되는가를 결정하며, (ⅲ) 처리의 유용성과 수행될 처리의 타입에 기초한 요구된 처리를 실행하는 단계를 수행하는 프로그램 코드를 포함한다. 상기 처리 챔버를 모니터링하는 일반적 방법, 이를테면 폴링(polling)이 사용될 수 있다. 수행될 수 있는 처리를 스케줄링할 때, 시퀀서 서브루틴(163)은 선택된 처리에 대해 요구된 조건, 또는 각각의 특별한 사용자 기입 요구서의 "수명", 또는 스케줄링 우선 순위를 결정하기 위해 시스템 프로그래머가 포함하기를 요구하는 어떤 다른 관련 인자와 비교하여 사용되어지는 현재 처리 챔버의 조건을 고려한다.
시퀀서 서브루틴(163)이 다음에 실행되어야 하는 처리 챔버와 처리 세트 조합을 결정할 때, 상기 시퀀서 서브루틴(163)은 특별한 처리 세트 파라미터를 시퀀서 서브루틴(163)에 의해 결정된 처리 세트에 따라 도 1의 PVD 챔버(36) 및 기타 가능한 챔버(도시되지 않음)에서의 다중 프로세싱 작업을 제어하는 챔버 매니저 서브루틴(164a-c)에 전달함으로써 상기 처리 세트의 실행을 시작한다.
또한 챔버 매니저 서브루틴(164)은 상기 선택된 처리 세트를 실행하는데 필요한 여러 챔버 부품 서브루틴 또는 프로그램 코드 모듈의 실행을 제어한다. 챔버 부품 서브루틴의 예는 기판 위치 설정 서브루틴(165), 처리 가스 제어 서브루틴(166), 압력 제어 서브루틴(167), 히터 제어 서브루틴(168), 및 플라즈마 제어 서브루틴(169)이다. 당업자는 어떤 처리가 처리 챔버(36)(도 1에서 도시된)에서 실행될 수 있는가에 의존하여 다른 챔버 제어 서브루틴이 포함될 수 있다는 것을 쉽게 알 수 있을 것이다. 동작중, 챔버 매니저 서브루틴(164a)은 실행되는 특별한 처리에 따라 처리 부품 서브루틴을 스케줄링하거나 호출한다. 챔버 매니저 서브루틴(164a)은 시퀀서 서브루틴(163)이 다음에 실행될 수 있는 처리 챔버(36)와 처리 세트를 스케줄링하는 것과 매우 유사하게 처리 부품 서브루틴을 스케줄링한다. 전형적으로, 챔버 매니저 서브루틴(164a)은 여러 챔버 부품을 모니터링하고, 실행될 처리 세트를 위한 처리 파라미터에 기초하여 동작되는데 필요한 부품을 결정하며, 상기 모니터링과 결정 단계에 응답하여 챔버 부품 서브루틴의 실행을 시작하는 단계를 포함한다.
증착 처리공정
본 발명은 전술한 처리 시스템을 이용하여 수행되는 바람직한 처리공정 시퀀스를 참조로 기술될 것이다. 압전 막을 이용하여, 종종 (001) 입방 결정 배향이라는 알루미늄 질화물의 6각 결정 배향(0002)는 방향이 다른 알루미늄 질화물 결정 배향에 대한 큰 전자기계적 커플링 계수 및 더 우수한 전자기계적 특성을 제공하기 때문에 바람직하게 성장한다. 알루미늄 질화물은 통상적인 PVD 처리공정 방법에 의해 (0002) 결정 배향로 성장하기 어렵지만, 본 발명은 대략 1000Å/min 또는 그이상의 상업적으로 바람직한 증착속도의 (0002) 결정 배향을 가지는 알루미늄 질화물 막을 증착하는 것이 제공된다. 본 발명의 제 1 알루미늄 질화물 증착 단계는 (0002) 우선 결정 배향로 형성된 핵형성 위치의 성장을 촉진시킴으로써 결정 배향각을 제어한다. 본 발명의 제 2 알루미늄 질화물 증착 단계는 결정 배향의 선택으로부터 알루미늄 질화물 막의 증착속도를 분리시킨다.
알루미늄 질화물 증착 처리공정에 있어서, 바람직하게는 동일한 물리기상증착(PVD) 챔버는 2 단계의 처리공정에서 모두 사용되며, 여기서 기판은 바람직하게는 대략 125℃ 내지 대략 500℃ 사이의 온도에서 유지된다. 기판은 전술한 바와 같이 알루미늄 타겟을 포함하는 PVD 챔버내에 삽입된다.
제 1 알루미늄 질화물 증착 단계에서, 질소 등의 질화 가스, 아르곤 등의 불활성 가스를 포함하는 처리 가스는 일 주기의 시간 동안 PVD 챔버내에 삽입되어 (0002) 방향을 가지는 알루미늄 질화물 막을 증착하도록 대략 1.5 내지 대략 3 밀리토르 사이의 제 1 챔버 압력을 형성한다. 처리 가스가 바람직한 챔버 압력에 도달하면, 타겟에 대략 4000 와트(4kW) 내지 대략 7000 와트(7kW)의 전원이 공급되어 플라즈마가 가격된다. 처리 가스 플라즈마는 알루미늄 타겟을 스퍼터링하여 기판 바로위에 질소를 증착하거나 플라즈마에 함유된 질소종(species)과 반응하는 알루미늄종을 형성하고 다음으로 기판 표면상에 증착된 알루미늄 질화물을 형성한다.
바람직한 (0002) 방향 등의 방향성 핵형성 위치의 형성속도 및 핵형성 위치의 대응 성장속도는 결정 성장 유니트의 증착속도에 의해 제어된다. 특히, 핵형성 위치의 방향 및 성장은 성장 유니트 하부의 결합체(bonds)의 수에 의해 결정된다.성장 단위가 Al 및 N 등의 원자일 때, 우선 결정 배향(0002)가 발전되어 다른 형성 결정 배향을 조절한다. 성장 단위가 Al-N 등의 2분자체(dimer)일 때, (0002) 방향와 다른 결정 배향이 형성된다. 원자 성장 단위 및 2분자체 성장 단위의 형성은 증착 처리공정동안 Al 및 N종의 상호작용에 의해 영향받는다. Al 및 N종 사이의 상호작용이 활발할수록, 2분자체 성장 단위가 형성될 가능성이 더 높다. 따라서, Al 및 N종 사이의 상호작용을 제어함으로써, 바람직한 각도의 결정 배향이 달성될 수 있다.
약 1.5 내지 대략 3 밀리토르 사이의 압력은 스퍼터링 동안 Al 및 N종의 상호작용을 최소화하는데 사용되고, 이에 의해 큰 각도의 (0002) 방향을 가지는 핵형성 위치의 형성 및 성장을 증가시킨다. 증착된 (0002) 방향성 막은 다음에 증착된 알루미늄 질화물층에 대한 우선 결정 배향을 제공한다. 그러나, 낮은 챔버 압력에서의 알루미늄 질화물의 증착은 낮은 증착속도를 제공하고 그 결과로 큰 방향성 막은 높은 압축력 및 두께의 비균일성의 증가를 나타낸다. 바람직하지 못한 막 특성을 최소화하기 위하여, 제 1 알루미늄 질화물층은 대략 300Å 이하의 박막 두께를 포함한다. 그러나, 애플리케이션에 따라, 더 두꺼운 제 1 알루미늄 질화물 막이 증착될 수 있다.
제 2 알루미늄 질화물 증착 단계시, 챔버 압력은 대략 5 내지 대략 10 밀리토르 사이에서 증가된다. 또한 제 2 증착 단계의 처리 가스는 질화 가스, 바람직하게는 질소 및 아르곤(Ar) 등의 불활성 가스를 포함한다. 바람직하게는, 제 2 증착 단계의 압력의 증가는 불활성 가스 및 질소 함유 가스의 흐름속도를 증가시킴으로써 수행된다. 바람직한 챔버 압력 및 처리 가스의 흐름속도가 달성되면, 플라즈마는 대략 4kW 내지 대략 7kW 사이의 전원을 타겟에 공급함으로써 가격된다. 처리 가스의 플라즈마는 알루미늄 타겟을 스퍼터링하여 질소종과 반응하여 다음으로 기판 표면상에 증착된 알루미늄 질화물을 형성하는 알루미늄종을 형성한다(AlN은 또한 타겟 및 챔버와 기판의 다른 표면상에 형성할 수 있다). 제 2 증착 단계는 더 빠른 증착속도를 제공하고 고 압축력 및 균일한 두께를 가지는 개선된 막 대신에 저 인장력을 가지는 막을 형성하는 더 높은 챔버 압력에서 수행된다.
제 2 증착 단계의 높은 증착속도는 바람직한 (0002) 결정 배향 없이 막을 형성함으로써 달성될 수 있다. Al 및 N종의 상호작용은 상호작용이 발생할 더 많은 시간을 허용함으로써, 예를 들어 "긴 스로우(throw)" PVD 챔버를 사용함으로써, 또는 종의 반응 능력을 증가시킴으로써 AlN 2분자체를 형성하도록 증가될 수 있다. 바람직하게는, 대략 5 내지 대략 10 밀리토르 사이의 챔버 압력이 질소 및 알루미늄종이 AlN 2분자체와 반응하고 형성할 능력을 증가시키는데 사용된다. 더 높은 압력 증착 방법은 더 많은 량의 플라즈마 및 스퍼터링 물질을 제공하고, 이에 의해 Al 및 N종 각각보다 더 높은 증착속도 및 더 빠른 결정 성장속도를 초래한다. 또한, 2분자체 성장 단위로부터 형성된 결정 구조는 스퍼터링 처리공정동안 분리되는 (0002) 결정 배향의 원자 성장 단위로 형성된 결정 구조보다 낮은 가능성을 갖고, (0002) 결정 배향 증착 때보다 더 높은 증착속도를 허용한다.
2 단계 증착 처리공정시, 제 1 알루미늄 질화물층은 제 2 증착 단계 동안 증착된 성장중인 제 2 알루미늄 질화물층에 우선 결정 배향을 전달한다. 2 단계 증착 처리공정은 제 2 층의 높은 증착속도 및 개선된 막 특성으로 제 1 층의 원하는 결정 배향을 나타내는 막을 형성한다. 따라서, 본 발명은 증착된 챔버 압력 및 반응성 종의 혼합물을 제어하고, 이에 의해 막의 결정 배향각 및 달성될 수 있는 증착속도를 제어한다.
결정 배향을 결정하는 플라즈마종의 상호작용 이외에, 개선된 막 특성이 더 높은 챔버 압력 증착 방법으로부터 영향을 받을 수 있다. 비교적 높은 챔버 압력은 더 높은 충돌속도 및 2분자체 형성속도를 증가시키고, 여기서 2분자체는 Al 및 N종의 충돌전 운동에너지를 결합 에너지로 변환함으로써 형성되고, 이에 의해 더 낮은 충돌후 운동에너지를 가지는 Al-N종을 형성한다. 증착 동안 에너지를 가진 입자의 충돌은 압축력을 나타내기 때문에, 기판상에 증착되는 2분자체종의 낮은 운동에너지는 낮은 압축력을 가진 막을 형성한다. 이 낮은 압축력의 막은 기판 등의 인접한 물질에 더 견고하게 부착되고, 막 크래킹 및 막 불연속성 등의 더 적은 수의 층을 형성하게되는 결점을 가진다. 따라서, 본 발명의 증착 처리공정은 높은 응력 물질을 가지는 박막층을 낮은 응력 특성을 가지는 물질의 벌크 증착과 결합함으로써 막의 응력을 극복하고, 이에 의해 더 낮은 전체 응력을 가진 전체 알루미늄 질화물 막을 형성한다.
또한, 2분자체종의 더 높은 충돌속도 및 더 낮은 운동에너지는 심지어 플라즈마종의 분배를 허용하고, 기판의 더 일정한 플라즈마 밀도를 제공하며, 이에 의해 기판상에 더 균일한 증착을 제공하여 균일한 두께를 가진 개선된 막을 제공하게된다.
당업자는 시간, 챔버 압력, 온도, 및 가변 장치에 관한 본 발명의 처리공정의 본질적 특성을 유지하지만, 2 단계 증착 처리공정을 수정할 필요성을 인식할 것이다.
2 단계 증착의 실시예
알루미늄 질화물층은 본 발명에 따라 다음과 같이 증착된다. 기판은 처리 플랫폼(예를 들어, 캘리포니아 산타 클라라에 소재한 어플라이드 머티리얼스사의 엔듀라 플랫폼)에 배치되고 PVD 챔버로 이동된다. 챔버 압력이 대략 3.1 밀리토르에서 안정화될 때까지 대략 60초의 시간 동안 질소는 대략 56 sccm의 속도로 삽입되고 아르곤은 대략 9 sccm의 흐름속도로 챔버내에 삽입된다. 플라즈마가 가격되고 알루미늄은 알루미늄 타겟으로부터 질소/아르곤 플라즈마에 스퍼터링된다. 타겟은 대략 4kW의 전원으로 대략 15초 동안 스퍼터링되어 대략 300Å 이하의 두께를 가지는 알루미늄 질화물층을 형성한다.
다음으로 제 2 알루미늄 질화물층이 제 1 알루미늄 질화물층에 증착된다. 질소 및 아르곤은 질소에 대해 대략 56 sccm 및 아르곤에 대해 대략 144 sccm의 흐름속도로 챔버내에 흘러 들어가서 대략 9.1 밀리토르의 챔버 압력을 달성한다. 플라즈마가 가격되기 전에 가스는 대략 10초의 시간 동안 삽입된다. 알루미늄은 알루미늄 타겟으로부터 질소 및 아르곤 플라즈마에 스퍼터링된다. 타겟의 스퍼터링은 대략 4kW의 전원으로 대략 695초 동안 발생된다. 기판은 응력, 균일한 두께의 층 및 결정 배향을 위해 제거되고 검사된다. 그 결과는 아래의 표Ⅰ에 나열되어있다.
1 단계 증착의 비교 실시예
알루미늄 질화물 막은 전술한 제 1 알루미늄 질화물 증착 단계를 반영하는 조건하에서 낮은 챔버 압력에서 증착된다. 다른 알루미늄 질화물 막은 제 2 증착 단계 동안 전술한 높은 챔버 압력의 조건에서 증착된다. 다음으로 증착된 알루미늄 질화물층은 균일한 두께의 층, 막 응력, 균일한 두께의 막 및 증착된 알루미늄 질화물의 결정 배향에 대해 검사된다.
저압 알루미늄 질화물 증착은 PVD 챔버내에 제 1 기판을 배치함으로써 수행된다. 기판이 챔버내에 배치되면, 대략 30 sccm의 흐름속도를 갖는 질소 가스 및 대략 9 sccm의 흐름속도를 갖는 아르곤 가스가 대략 60초 동안 챔버내에 삽입되어 플라즈마 가격 이전에 대략 2.0 밀리토르의 챔버 압력을 제공한다. 알루미늄은 질소 플라즈마의 알루미늄 타겟으로부터 증착된 알루미늄 질화물층에 대략 710초 동안 대략 4kW의 전원으로 스퍼터링된다.
고압 알루미늄 질화물 증착은 제 2 기판을 PVD 챔버내에 장착함으로써 수행된다. 기판이 챔버내에 장착되면, 질소 및 아르곤은 대략 9.1 밀리토르의 챔버 압력이 플라즈마의 가격 이전에 형성될 때까지 대략 60초 동안 각각 56 sccm 및 144 sccm의 흐름속도로 삽입된다. 플라즈마가 가격되면, 알루미늄 타겟은 질소 플라즈마에 스퍼터링되어 알루미늄 질화물층을 증착하며, 여기서 이 층은 대략 710초 동안 대략 4kW의 전원으로 증착된다.
표 Ⅰ은 2 단계의 증착 처리공정 및 2 단계의 비교 검사로부터의 정보를 요약한다.
표 Ⅰ: 2 단계의 알루미늄 질화물 PVD 증착 및 비교 실시예의 요약.
표 Ⅰ은 저압 1 단계 증착 처리공정 및 고압 1 단계 증착 처리공정과 비교하여 본 발명의 2 단계 증착의 여러 중요한 측면을 나타낸다.
(0002) 피크의 X-RAY 회절(XRD) 카운트는 (0002) 방향로 형성된 결정의 수를 결정하고, 여기서 피크의 카운트가 클수록, (0002) 방향로 형성된 결정의 수는 더 많아진다. 표 Ⅰ에서 도시된 바와 같이, (0002) 피크의 높은 XRD 카운트는 저압 또는 고압 증착 처리공정에서 보다는 2 단계의 증착 처리공정에서 (0002) 방향로 형성된다는 것을 나타낸다. 이것은 제 1 알루미늄 질화물 증착 단계가 2 단계의 증착 처리공정 중 제 2 알루미늄 질화물 증착 단계에서 다음으로 증착된 벌크 알루미늄 질화물 막을 정렬하는 결정 구조를 제공한다는 것을 나타낸다.
요동(rocking) 곡선 데이터는 다른 결정 방향을 가지는 결정 구조와 비교할 때 (0002) 방향을 가지는 결정 구조의 상대적인 양을 가리킨다. 특히, 요동 곡선의 전체 폭의 절반 크기(FHWM)의 각도가 더 작거나 좁을수록, 막의 (0002) 방향의 바람직한 각도는 더 커진다. 특히, 본 발명의 2 단계 증착 처리공정은 저압 증착 단계보다 큰 (0002) 결정 배향각을 가진다. 이것은 2 단계 증착 처리공정에 의해 증착된 막이 높은 방향성 (0002) 결정 막을 제공한다. 알루미늄 질화물 막의 우선 결정 배향은 SAW 및 BAW의 우수한 전자기계적 특성을 제공하는데 필수적이기 때문에, 높은 XRD 카운트 및 표 Ⅰ의 좁은 요동 곡선 데이터는 본 발명에 따라 고품질의 결정 막을 제공하는 증착 처리공정을 나타낸다.
표 Ⅰ은 또한 1 단계 저압 또는 1 단계 고압 증착에 대한 본 발명의 장점을 예시하고 있다. 전술한 바와 같이 보다 우수한 품질의 결정 막을 제공하는 반면에, 2 단계 증착 처리공정은 또한 상업적으로 수용 가능한 증착속도(즉, 〉1000Å/min)를 제공한다. 2 단계의 증착 처리공정의 증착속도는 고압 알루미늄 질화물 방법의 증착속도에 상응한다. 또한, 본 발명에 따라 생성된 (0002) 방향성 막의 전체 응력은 1 단계의 저압 알루미늄 질화물 증착 처리공정에서 증착된 (0002) 방향성 막보다 상당히 적다. 따라서, 본 발명은 낮은 막 응력(즉, 대략 8×109 dynes/cm)를 가지는 고품질의 (0002) 막을 생성하고, 증착 동안 층이 덜 쌓이는 결점을 초래한다. 마지막으로, 1 단계의 증착과 비교할 때 본 발명은 또한 균일한 두께를 가지는 개선된 층을 제공한다. 균일한 두께를 가지는 개선된 층은 우수한 전자기계적 특성 및 SAW 디바이스에서 일정한 성능의 막을 제공한다.
전술한 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 나타내지만, 본 발명의 기타 및 추가의 실시예들이 본 발명의 권리범위를 벗어나지 않고 실시될 수 있으며, 본 발명의 권리범위는 다음의 청구범위에 의해 한정된다.
본 발명은 결정 배향 및 개선된 막 특성을 제공하는 알루미늄 질화물 막이 고속으로 증착되는 효과를 가진다.
Claims (18)
- 처리 챔버내의 기판상에 알루미늄 질화물층을 형성하는 방법에 있어서,a. 제 1 챔버 압력에서 제 1 알루미늄 질화물층을 증착하는 단계; 및b. 상기 제 1 챔버 압력보다 높은 제 2 챔버 압력에서 제 2 알루미늄 질화물층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 알루미늄 질화물층은 1.5 내지 3 밀리토르 사이의 제 1 챔버 압력에서 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 알루미늄 질화물층은 5 내지 10 밀리토르 사이의 제 2 챔버 압력에서 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 알루미늄 질화물층은 동일한 처리 챔버내에 연속해서 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 알루미늄 질화물층은 질소 및 불활성 가스를 포함하는 플라즈마에 알루미늄 타겟을 스퍼터링함으로써 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 알루미늄 질화물층은 질소 및 불활성 가스를 포함하는 플라즈마에 알루미늄 타겟을 스퍼터링함으로써 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 처리 챔버내의 기판을 처리하는 방법에 있어서,a. 제 1 챔버 압력에서 상기 처리 챔버내에 제 1 질화 가스를 삽입하는 단계;b. 제 1 알루미늄 질화물층을 증착하도록 알루미늄 타겟을 스퍼터링하는 단계;c. 상기 제 1 챔버 압력보다 높은 제 2 챔버 압력에서 상기 처리 챔버내에 제 2 질화 가스를 삽입하는 단계; 및d. 제 2 알루미늄 질화물층을 증착하도록 알루미늄 타겟을 스퍼터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 챔버 압력은 대략 1.5 내지 대략 3 밀리토르 사이인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 질화 가스는 질소를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 2 챔버 압력은 5 내지 10 밀리토르 사이인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 2 질화 가스는 질소 및 불활성 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 질화 가스는 4kW 내지 7kW 사이의 전력에서 생성된 플라즈마에 스퍼터링되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 불활성 가스는 아르곤인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 기판은 대략 125℃ 내지 대략 500℃ 사이의 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 처리 챔버내의 기판상에 알루미늄 질화물층을 형성하는 방법에 있어서,a. 대략 1.5 내지 대략 3 밀리토르 사이의 챔버 압력에서 질소 플라즈마에 알루미늄 타겟을 스퍼터링함으로써 제 1 알루미늄 질화물층을 증착하는 단계; 및b. 대략 5 내지 대략 10 밀리토르 사이의 챔버 압력에서 질소 및 불활성 가스 플라즈마에 알루미늄 타겟을 스퍼터링함으로써 제 2 알루미늄 질화물층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 제 1 알루미늄 질화물층은 상기 제 2 알루미늄 질화물층의 증착을 핵형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 불활성 가스는 아르곤인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 기판은 대략 125℃ 내지 대략 500℃ 사이의 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
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|---|---|---|---|---|
| US7043129B2 (en) * | 2000-06-16 | 2006-05-09 | Wayne State University | Wide bandgap semiconductor waveguide structures |
| US6848295B2 (en) * | 2002-04-17 | 2005-02-01 | Wayne State University | Acoustic wave sensor apparatus, method and system using wide bandgap materials |
| JP3509709B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2004-03-22 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜共振子及び圧電薄膜共振子の製造方法 |
| US6521100B2 (en) * | 2001-02-02 | 2003-02-18 | Nokia Mobile Phones Ltd | Method of producing a piezoelectric thin film and bulk acoustic wave resonator fabricated according to the method |
| GB0116688D0 (en) * | 2001-07-07 | 2001-08-29 | Trikon Holdings Ltd | Method of depositing aluminium nitride |
| US6853075B2 (en) * | 2003-01-28 | 2005-02-08 | Wayne State University | Self-assembled nanobump array stuctures and a method to fabricate such structures |
| US20040144927A1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-07-29 | Auner Gregory W. | Microsystems arrays for digital radiation imaging and signal processing and method for making microsystem arrays |
| JP4240445B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2009-03-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子とその製造方法 |
| US6944922B2 (en) | 2002-08-13 | 2005-09-20 | Trikon Technologies Limited | Method of forming an acoustic resonator |
| WO2004050943A2 (de) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zur plasmabehandlung von oberflächen in vakumm und anlage hierfür |
| US7182816B2 (en) * | 2003-08-18 | 2007-02-27 | Tokyo Electron Limited | Particulate reduction using temperature-controlled chamber shield |
| JP2007059850A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Ngk Insulators Ltd | Ｉｉｉ族窒化物成膜用基板及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置 |
| US20080083611A1 (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-10 | Tegal Corporation | High-adhesive backside metallization |
| US20090053401A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Maxim Integrated Products, Inc. | Piezoelectric deposition for BAW resonators |
| US8383439B2 (en) * | 2007-10-25 | 2013-02-26 | Showa Denko K.K. | Apparatus for manufacturing group-III nitride semiconductor layer, method of manufacturing group-III nitride semiconductor layer, group-III nitride semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp |
| US8512800B2 (en) | 2007-12-04 | 2013-08-20 | Triquint Semiconductor, Inc. | Optimal acoustic impedance materials for polished substrate coating to suppress passband ripple in BAW resonators and filters |
| US20090236689A1 (en) * | 2008-03-24 | 2009-09-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated passive device and method with low cost substrate |
| US8691057B2 (en) * | 2008-03-25 | 2014-04-08 | Oem Group | Stress adjustment in reactive sputtering |
| US20090246385A1 (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | Tegal Corporation | Control of crystal orientation and stress in sputter deposited thin films |
| JP5888689B2 (ja) * | 2010-07-01 | 2016-03-22 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | スカンジウムアルミニウム窒化物膜の製造方法 |
| US9388494B2 (en) | 2012-06-25 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
| KR102317822B1 (ko) | 2012-07-02 | 2021-10-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 물리 기상 증착에 의한 알루미늄-질화물 버퍼 및 활성 층들 |
| KR102069192B1 (ko) * | 2013-02-08 | 2020-01-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 나노 결정 형성 방법 및 나노 결정의 형성된 박막을 포함한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US9583485B2 (en) * | 2015-05-15 | 2017-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fin field effect transistor (FinFET) device structure with uneven gate structure and method for forming the same |
| US10269814B2 (en) * | 2015-11-30 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor structure |
| US9758868B1 (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-12 | Lam Research Corporation | Plasma suppression behind a showerhead through the use of increased pressure |
| FR3052592B1 (fr) | 2016-06-08 | 2018-05-18 | Soitec | Structure pour applications radiofrequences |
| JP2019021994A (ja) * | 2017-07-12 | 2019-02-07 | 株式会社サイオクス | 圧電膜を有する積層基板、圧電膜を有する素子および圧電膜を有する積層基板の製造方法 |
| DE102018101558A1 (de) * | 2018-01-24 | 2019-07-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements |
| JP7128515B2 (ja) * | 2018-11-08 | 2022-08-31 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 圧電体薄膜、その製造方法およびその利用 |
| CN109786514B (zh) * | 2018-12-27 | 2020-08-18 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片的制造方法 |
| US20230009085A1 (en) * | 2019-12-31 | 2023-01-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for deposition of piezo-electric materials |
| CN117604471A (zh) * | 2023-11-22 | 2024-02-27 | 松山湖材料实验室 | 一种硅基氮化铝复合衬底及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4959136A (en) * | 1986-09-17 | 1990-09-25 | Eastman Kodak Company | Method for making an amorphous aluminum-nitrogen alloy layer |
| JPS63203772A (ja) | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Hitachi Ltd | 銅薄膜の気相成長方法 |
| JPH01312851A (ja) | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5108569A (en) | 1989-11-30 | 1992-04-28 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for forming stoichiometric layer of a metal compound by closed loop voltage controlled reactive sputtering |
| US5178739A (en) | 1990-10-31 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes |
| US5171412A (en) | 1991-08-23 | 1992-12-15 | Applied Materials, Inc. | Material deposition method for integrated circuit manufacturing |
| US5270263A (en) * | 1991-12-20 | 1993-12-14 | Micron Technology, Inc. | Process for depositing aluminum nitride (AlN) using nitrogen plasma sputtering |
| JP3343620B2 (ja) | 1992-04-09 | 2002-11-11 | アネルバ株式会社 | マグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法および装置 |
| US5431799A (en) | 1993-10-29 | 1995-07-11 | Applied Materials, Inc. | Collimation hardware with RF bias rings to enhance sputter and/or substrate cavity ion generation efficiency |
| US5639357A (en) | 1994-05-12 | 1997-06-17 | Applied Materials | Synchronous modulation bias sputter method and apparatus for complete planarization of metal films |
| US5985103A (en) | 1995-12-19 | 1999-11-16 | Micron Technology, Inc. | Method for improved bottom and side wall coverage of high aspect ratio features |
| US5830330A (en) | 1997-05-22 | 1998-11-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for low pressure sputtering |
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