CN109786514B - 一种发光二极管外延片的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长AlN缓冲层、3D成核层、二维缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层；其中，在所述衬底上生长所述AlN缓冲层包括：将所述衬底放至物理气相沉积设备的反应腔中，将所述反应腔抽真空；将氩气和氮气的阀门开口调至全开，向反应腔中通入氩气和氮气，在所述衬底上沉积第一AlN缓冲层；将氩气和氮气的阀门开口调至半开，同时将反应腔中通入的氩气和氮气的流量减半，在所述第一AlN缓冲层上沉积第二AlN缓冲层。采用该制造方法可以延长冷泵的再生周期，提高PVD设备单位时间内的产能。

Description

一种发光二极管外延片的制造方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管外延片的制造方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。

外延片是LED中的主要构成部分，现有的GaN基LED外延片包括蓝宝石衬底以及生长在蓝宝石衬底上的GaN外延层。由于蓝宝石和GaN材料之间存在晶格失配和热失配问题，而AlN材料与GaN材料、蓝宝石衬底间仅有较小的晶格不匹配，因此常将AlN作为缓冲层置入到蓝宝石衬底和GaN之间。具体地，先在PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)设备中采用PVD法在蓝宝石衬底上沉积一层AlN薄膜，得到AlN缓冲层，再在AlN缓冲层上生长GaN外延层，制成LED外延片。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

采用PVD法沉积AlN薄膜的过程中，在Al靶材表面可能会形成AlN薄膜。Al靶材表面的AlN薄膜会阻挡Al靶材溅射出Al原子，Al靶材溅射出的Al原子减少，导致AlN薄膜的沉积速率下降，同时反应腔中的部分反应气体无法与Al原子反应，使得反应腔中剩余的反应气体逐渐增多。为了使反应腔中的压力维持在一定范围内，需要采用冷泵将多余的气体抽出，而冷泵的容积是固定的，因此需要进行多次抽取，增加了冷泵的抽取次数。在抽取一定次数后，冷泵需要再生，以使泵内吸附凝结所贮存的气体解析和脱附。因此反应腔中的反应气体增多会导致冷泵的再生周期缩短，使得PVD设备单位时间内的产能减少。

发明内容

本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制造方法，可以延长冷泵的再生周期，提高PVD设备单位时间内的产能。所述技术方案如下：

本发明提供了一种发光二极管外延片的制造方法，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长AlN缓冲层、3D成核层、二维缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层；

其中，在所述衬底上生长所述AlN缓冲层包括：

将所述衬底放至物理气相沉积设备的反应腔中，将所述反应腔抽真空；

将氩气和氮气的阀门开口调至全开，向反应腔中通入氩气和氮气，在所述衬底上沉积第一AlN缓冲层；

将氩气和氮气的阀门开口调至半开，同时将反应腔中通入的氩气和氮气的流量减半，在所述第一AlN缓冲层上沉积第二AlN缓冲层。

进一步地，沉积所述第一AlN缓冲层时，反应腔中通入的氩气的流量为20～300sccm，反应腔中通入的氮气的流量为20～300sccm。

进一步地，沉积所述第一AlN缓冲层时，反应腔中通入的氩气和氮气的流量比为1:2～1:10。

进一步地，所述物理气相沉积设备在沉积所述第一AlN缓冲层和所述第二AlN缓冲层时的溅射功率为1～6kW。

进一步地，所述物理气相沉积设备沉积所述第一AlN缓冲层时的溅射功率小于所述物理气相沉积设备沉积所述第二AlN缓冲层时的溅射功率，且所述第二AlN缓冲层的沉积时间小于所述第一AlN缓冲层的沉积时间。

进一步地，所述在所述衬底上生长所述AlN缓冲层，还包括：

向所述物理气相沉积设备的反应腔中通入氧气。

进一步地，所述反应腔中通入的氧气的流量为0.5～5sccm。

进一步地，沉积所述第一AlN缓冲层时，所述反应腔中通入的氧气的流量与所述氩气和氮气流量之和的比值大于沉积所述第二AlN缓冲层时，所述反应腔中通入的氧气的流量与所述氩气和氮气流量之和的比值。

进一步地，沉积所述第一AlN缓冲层时，所述反应腔中通入的氧气的流量为所述氩气和氮气流量之和的0.5％～10％；

沉积所述第二AlN缓冲层时，所述反应腔中通入的氧气的流量为所述氩气和氮气流量之和的0.5％～20％。

进一步地，所述AlN缓冲层的厚度为10～100nm。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过调整AlN缓冲层沉积时的工艺条件，使AlN缓冲层的沉积过程分为两部分：首先将氩气和氮气的阀门开口调至全开，向反应腔中通入氩气和氮气，在衬底上沉积第一AlN缓冲层。然后再将氩气和氮气的阀门开口调至半开，同时将通入的氩气和氮气的流量减半，在第一AlN缓冲层上沉积第二AlN缓冲层。由于在沉积完第一AlN缓冲层后，Al靶材的表面可能会形成AlN薄膜，使得Al靶材溅射出的Al原子减少，因此，在沉积第二AlN缓冲层时，将氮气的阀门开口调至半开，同时将通入的氩气和氮气的流量减半，可以减少反应腔中通入的反应气体的体积，从而减少反应腔中剩余的反应气体的体积，使反应腔内的压力保持稳定。无需使用冷泵抽取多余的气体，延长了冷泵的再生周期，增加了PVD设备单位时间内的产能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制造方法流程图；

图2是本发明实施例提供的另一种发光二极管外延片的制造方法流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制造方法流程图，如图1所示，该制造方法包括：

步骤101、提供一衬底。

其中，衬底可采用[0001]晶向的Al₂O₃蓝宝石衬底。

步骤102、在衬底上生长AlN缓冲层。

具体地，步骤102可以包括：

将衬底放至物理气相沉积设备的反应腔中，将反应腔抽真空；

将氩气和氮气的阀门开口调至全开，向反应腔中通入氩气和氮气，在衬底上沉积第一AlN缓冲层；

将氩气和氮气的阀门开口调至半开，同时将反应腔中通入的氩气和氮气的流量减半，在第一AlN缓冲层上沉积第二AlN缓冲层。

具体地，将蓝宝石衬底放置在SiC材质的托盘上，将托盘放入PVD溅射机台，并传送至PVD的反应腔中。然后将反应腔抽真空，直至反应腔中的压力低于1*10^-7torr。

步骤103、在AlN缓冲层上依次生长3D成核层、二维缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。

本发明实施例通过调整AlN缓冲层沉积时的工艺条件，使AlN缓冲层的沉积过程分为两部分：首先将氩气和氮气的阀门开口调至全开，向反应腔中通入氩气和氮气，在衬底上沉积第一AlN缓冲层。然后再将氩气和氮气的阀门开口调至半开，同时将通入的氩气和氮气的流量减半，在第一AlN缓冲层上沉积第二AlN缓冲层。由于在沉积完第一AlN缓冲层后，Al靶材的表面可能会形成AlN薄膜，使得Al靶材溅射出的Al原子减少，因此，在沉积第二AlN缓冲层时，将氮气的阀门开口调至半开，同时将通入的氩气和氮气的流量减半，可以减少反应腔中通入的反应气体的体积，从而减少反应腔中剩余的反应气体的体积，使反应腔内的压力保持稳定。无需使用冷泵抽取多余的气体，延长了冷泵的再生周期，增加了PVD设备单位时间内的产能。

图2是本发明实施例提供的另一种发光二极管外延片的制造方法流程图，如图2所示，该制造方法包括：

步骤201、提供一衬底。

其中，衬底可采用[0001]晶向的Al₂O₃蓝宝石衬底。

步骤202、在衬底上生长AlN缓冲层。

具体地，步骤202可以包括：

将衬底放至物理气相沉积设备的反应腔中，将反应腔抽真空。

将氩气和氮气的阀门开口调至全开，向反应腔中通入氩气和氮气，在衬底上沉积第一AlN缓冲层。

将氩气和氮气的阀门开口调至半开，同时将反应腔中通入的氩气和氮气的流量减半，在第一AlN缓冲层上沉积第二AlN缓冲层。

在本实施例中，将蓝宝石衬底放置在SiC材质的托盘上，将托盘放入PVD溅射机台，并传送至PVD的反应腔中。然后将反应腔抽真空，直至反应腔中的压力低于1*10^-7torr。

进一步地，步骤202还可以包括：

在抽真空的同时对衬底进行加热升温，并使加热温度稳定在350～750℃，以对衬底进行烘烤，烘烤时间为2～12分钟，将衬底烘干。

在本实施例中，可以采用磁控溅射法在衬底上沉积AlN缓冲层。衬底与Al靶材之间加有电压，会形成电场，电子在电场的作用加速飞向衬底的过程中与氩气提供的Ar原子发生碰撞，电离出大量的Ar离子和电子，电子飞向衬底，在此过程中不断和Ar原子碰撞，产生更多的Ar离子和电子。Ar离子在电场的作用下加速轰击Al靶材，Al靶材会溅射出Al原子与氮气提供的N原子反应，在衬底上形成AlN薄膜。

可选地，沉积第一AlN缓冲层时，反应腔中通入的氩气和氮气的流量为20～300sccm。

需要说明的是，沉积AlN缓冲层时，反应腔中通入的氮气的流量大于氩气的流量。例如，反应腔中通入的氩气的流量为20sccm，反应腔中通入的氮气的流量为300sccm。

若通入的氩气的流量过低，则氩气提供的Ar原子较少，电离出的Ar离子较少，Ar离子轰击Al靶材的能量较低，Al靶材无法溅射出足够的Al原子与N原子反应，会导致AlN薄膜的沉积速率下降。若通入的氩气的流量过低，则Ar离子轰击Al靶材的能量较高，可能会损坏靶材。

若通入的氮气的流量过低，则无法提供足够的N原子与Al原子反应，会导致AlN薄膜的沉积速率下降。若通入的氮气的流量过高，会导致反应腔中的剩余的反应气体较多，使得反应腔中内的压力较大，导致AlN缓冲层无法在真空环境下沉积。

可选地，沉积第一AlN缓冲层时，反应腔中通入氩气和氮气的流量比为1:2～1:10。若氩气和氮气的流量比低于1:2，则反应腔中通入的氮气的流量过低，无法提供足够的N原子与Al原子反应，会导致AlN薄膜的沉积速率下降。若氩气和氮气的流量比高于1:10，则反应腔中通入的氮气的流量过高，会导致反应腔中的剩余的反应气体较多，使得反应腔中内的压力较大，导致AlN缓冲层无法在真空环境下沉积。

在本实施例中，反应室中通入的氩气和氮气的流量的取值应满足上述比例关系。

可选地，物理气相沉积设备在沉积第一AlN缓冲层和第二AlN缓冲层时的溅射功率为1～6Kw。由于溅射功率越大，所产生的轰击靶材的Ar离子越多。若溅射功率低于1Kw，则所产生的轰击靶材的Ar离子较少，Al靶材溅射出的Al原子的数量较少，会导致AlN薄膜的沉积速率下降。若溅射功率高于6kW，则所产生的轰击靶材的Ar离子过多，Ar离子轰击Al靶材的能量较高，可能会损坏靶材。

优选地，物理气相沉积设备沉积第一AlN缓冲层时的溅射功率小于物理气相沉积设备沉积第二AlN缓冲层时的溅射功率，且第二AlN缓冲层的沉积时间小于第一AlN缓冲层的沉积时间。

由于AlN缓冲层在沉积过程中，沉积速率会下降。因此，在沉积第二AlN缓冲层时，将溅射功率提高，可以提高第二AlN缓冲层的沉积速率，以保证在设定溅射时间内，沉积出所需厚度的AlN缓冲层。同时由于第二AlN缓冲层的溅射速率提高，因此将第二AlN缓冲层的沉积时间减少，可以缩短AlN缓冲层的生产时间，提高产能。

优选地，第一溅射功率可以为3～3.5Kw，第二溅射功率可以为4～4.5Kw。

可选地，沉积AlN缓冲层时，反应腔内的压力为1～10mtorr。若反应腔内的压力低于1mtorr，则会导致反应腔内抽真空较为困难，若反应腔内的压力高于10mtorr，则会导致沉积出的AlN缓冲层的晶体质量较差。

可选地，沉积AlN缓冲层时，反应腔内的温度为500～750℃。若反应腔内的温度低于500℃，则会影响沉积出的AlN缓冲层的均匀性，若反应腔内的温度高于750℃，则会超过Al靶材的熔点，影响Al靶材的正常工作。

需要说明的是，在沉积AlN缓冲层时，向反应腔中通入反应气体后，调节反应腔温度为500～750℃，然后使反应腔温度保持在500～750℃，保持10～60s，直至反应腔中的温度稳定之后，再开通溅射电源对Al靶材进行溅射，以保证生长出的AlN缓冲层的晶体质量。

进一步地，步骤202还可以包括：

向物理气相沉积设备的反应腔中通入氧气。AlN缓冲层中掺氧，有利于释放AlN缓冲层中的压应力。

可选地，反应腔中通入的氧气的流量为0.5～5sccm。若反应腔中通入的氧气的流量过低，则起不到释放压应力的作用，若反应腔中通入的氧气的流量过高，则会导致沉积出的AlN缓冲层的晶体质量较差。

可选地，沉积第一AlN缓冲层时，反应腔中通入的氧气的流量与氩气和氮气流量之和的比值大于沉积第二AlN缓冲层时，反应腔中通入的氧气的流量与氩气和氮气流量之和的比值。随着AlN缓冲层的厚度逐渐增加，AlN缓冲层中的压应力会逐渐累积，因此，第二AlN缓冲层中反应腔内通入的氧气的比例增加，有利于释放AlN缓冲层累积的压应力，从而改善AlN缓冲层和后续外延层的翘曲。

优选地，沉积第一AlN缓冲层时，反应腔中通入的氧气的流量为氩气和氮气流量之和的0.5％～10％。沉积第二AlN缓冲层时，反应腔中通入的氧气的流量为氩气和氮气流量之和的0.5％～20％。

进一步地，AlN缓冲层的厚度为10～100nm。若AlN缓冲层的厚度过薄，会导致AlN缓冲层的表面较为疏松和粗糙，不能为后续GaN外延层的生长提供一个好的模板，随着AlN缓冲层厚度的增加，AlN缓冲层的表面逐渐变得较为致密和平整，有利于后续GaN外延层的生长。但是若AlN缓冲层的厚度过厚，则会导致AlN缓冲层的表面过于致密，不利于后续GaN外延层的生长，无法减少外延层中的晶格缺陷。

优选地，第一AlN缓冲层和第二AlN缓冲层的厚度相等，以便于生长条件的控制。

步骤203、将沉积有AlN缓冲层的衬底放入金属有机化合物化学气相沉淀设备中。

具体地，执行完步骤202后，待沉积有AlN缓冲层的衬底降至室温后，将沉积有AlN缓冲层的衬底从PVD设备中取出，然后放在石墨托盘上送入MOCVD(Metal-organicChemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备的反应室中进行外延材料的生长。

在本实施例中，采用三甲基镓或三乙基镓镓源，高纯氮气作为氮源，三甲基铟作为铟源，三乙基硼作为硼源，N型掺杂剂选用硅烷，P型掺杂剂选用二茂镁。

进一步地，步骤203还可以包括：

将沉积有AlN缓冲层的衬底放置在MOCVD的反应室中进行原位退火处理，退火温度为1000～1200℃，退火压力为200～500torr，退火时间为5～10min，以去除杂质。

需要说明的是，外延层中的未掺杂的3D成核层、二维缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、前级多量子阱层、多量子阱层以及P型层均可以采用MOCVD方法生长。因此下述生长过程中控制的温度和压力实际上是指MOCVD反应室内的温度和压力。

步骤204、在AlN缓冲层上生长3D成核层。

在本实施例中，3D成核层可以为GaN层。

具体地，将反应室温度调节至1000～1080℃，反应室压力控制在250～550torr，生长厚度为400～600nm的3D成核层，生长时间为10～30min。

步骤205、在3D成核层上生长二维缓冲层。

在本实施例中，二维缓冲层可以为GaN层。

具体地，将反应室温度调节至1050～1150℃，反应室压力控制在100～500torr，生长厚度为500～800nm的二维缓冲层，生长时间为20～40min。

步骤206、在二维缓冲层上生长未掺杂的GaN层。

具体地，将反应室温度调节至1050～1200℃，反应室压力控制在100～500torr，生长厚度为1～2um的未掺杂的GaN层。

步骤207、在未掺杂的GaN层上生长N型层。

在本实施例中，N型层可以为掺Si的GaN层，Si掺杂浓度可以为10¹⁸cm^-3～10²⁰cm^-3。

具体地，将反应室温度调节至1050～1200℃，反应室压力控制在100～500torr，生长厚度为1～3um的N型层。

步骤208、在N型层上生长前级多量子阱层。

在本实施例中，前级多量子阱层由5～10个周期的In_xGa_1-xN/GaN超晶格结构组成，0<x<0.6。通过生长前级多量子阱层，可以释放外延生长过程中产生的应力和缺陷，提高多量子阱层的生长质量，进而提高LED的发光效率。

具体地，将反应室温度调节至760～840℃，反应室压力控制在100～300torr，生长厚度为1nm的In_xGa_1-xN层。将反应室温度调节至820～920℃，反应室压力控制在100～300torr，生长厚度为10nm的GaN层。

步骤209、在前级多量子阱层上生长多量子阱层。

在本实施例中，前级多量子阱层由6～12个周期的In_yGa_1-yN/GaN超晶格结构组成，0<y<1。

具体地，将反应室温度调节至750～830℃，反应室压力控制在100～500torr，生长厚度为3～4nm的In_yGa_1-yN阱层。将反应室温度调节至850～900℃，反应室压力控制在100～500torr，生长厚度为9～20nm的GaN垒层。

其中，In_yGa_1-yN阱层中的In组分大于前级多量子阱层中的In_xGa_1-xN层中的In组分，即y＞x。

步骤210、在多量子阱层上生长P型层。

其中，P型层可以包括低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层。

在本实施例中，低温P型层可以为掺Mg的Al_aIn_bGa_1-a-bN层，0<a<0.2，0<b<0.4，Mg的掺杂浓度为1×10¹⁸～1×10²⁰cm^-3，低温P型层设置在多量子阱层和电子阻挡层之间，以缓解电子阻挡层高温生长对多量子阱层的影响。低温P型层中掺有Al，可以使得低温P型层与电子阻挡层之间的晶格更匹配，从而可以提高在低温P型层上生长出的电子阻挡层的晶体质量。同时低温P型层也可以起到阻挡部分电子的作用。

电子阻挡层可以为掺Mg的Al_zGa_1-zN层，0.1<z<0.5。电子阻挡层设置在多量子阱层和P型半导体层之间，以避免电子跃迁到P型半导体层中与空穴进行非辐射复合，影响LED的发光效率。

高温P型层可以为掺Mg的GaN层，Mg的掺杂浓度为1×10¹⁸～1×10²⁰cm^-3。

P型接触层可以为重掺Mg的GaN层，P型接触层铺设在P型半导体层上，以与芯片制作工艺中形成的透明导电薄膜或者电极之间形成欧姆接触。

进一步地，Al_zGa_1-zN电子阻挡层中的Al组分大于Al_aIn_bGa_1-a-bN低温P型层中的Al组分，即z＞a。由于电子阻挡层中的Al组分大于低温P型层中的Al组分，因此，电子阻挡层的势垒高度高于低温P型层的势垒高度，当部分电子跃过低温P型层至电子阻挡层时，电子阻挡层可以阻挡该部分电子继续向P型层方向迁跃，从而更好的阻挡电子。

具体地，步骤210可以包括：

将反应室温度调节至750～850℃，反应室压力控制在100～500torr，生长厚度为30～50nm的低温P型层。

将反应室温度调节至900～1000℃，反应室压力控制在100～500torr，生长厚度为30～100nm的电子阻挡层。

将反应室温度调节至850～950℃，反应室压力控制在100～300torr，生长厚度为100～300nm的高温P型层。

将反应室温度调节至850～1000℃，反应室压力控制在100～300torr，生长厚度为5～100nm的P型接触层。

在上述步骤完成之后，将反应室的温度降至650～850℃，在氮气气氛进行退火处理5～15min，而后逐渐降至室温，结束发光二极管的外延生长。

本发明实施例通过调整AlN缓冲层沉积时的工艺条件，使AlN缓冲层的沉积过程分为两部分：首先将氩气和氮气的阀门开口调至全开，向反应腔中通入氩气和氮气，在衬底上沉积第一AlN缓冲层。然后再将氩气和氮气的阀门开口调至半开，同时将通入的氩气和氮气的流量减半，在第一AlN缓冲层上沉积第二AlN缓冲层。由于在沉积完第一AlN缓冲层后，Al靶材的表面可能会形成AlN薄膜，使得Al靶材溅射出的Al原子减少，因此，在沉积第二AlN缓冲层时，将氮气的阀门开口调至半开，同时将通入的氩气和氮气的流量减半，可以减少反应腔中通入的反应气体的体积，从而减少反应腔中剩余的反应气体的体积，使反应腔内的压力保持稳定。无需使用冷泵抽取多余的气体，延长了冷泵的再生周期，增加了PVD设备单位时间内的产能。

以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长AlN缓冲层、3D成核层、二维缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层；

其中，在所述衬底上生长所述AlN缓冲层包括：

将所述衬底放至物理气相沉积设备的反应腔中，将所述反应腔抽真空；

将氩气和氮气的阀门开口调至全开，向反应腔中通入氩气和氮气，在所述衬底上沉积第一AlN缓冲层；

将氩气和氮气的阀门开口调至半开，同时将反应腔中通入的氩气和氮气的流量减半，在所述第一AlN缓冲层上沉积第二AlN缓冲层；

所述物理气相沉积设备在沉积所述第一AlN缓冲层和所述第二AlN缓冲层时的溅射功率为1～6kW；

所述物理气相沉积设备沉积所述第一AlN缓冲层时的溅射功率小于所述物理气相沉积设备沉积所述第二AlN缓冲层时的溅射功率，且所述第二AlN缓冲层的沉积时间小于所述第一AlN缓冲层的沉积时间。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，沉积所述第一AlN缓冲层时，反应腔中通入的氩气的流量为20～300sccm，反应腔中通入的氮气的流量为20～300sccm。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，沉积所述第一AlN缓冲层时，反应腔中通入的氩气和氮气的流量比为1:2～1:10。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底上生长所述AlN缓冲层，还包括：

向所述物理气相沉积设备的反应腔中通入氧气。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述反应腔中通入的氧气的流量为0.5～5sccm。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，沉积所述第一AlN缓冲层时，所述反应腔中通入的氧气的流量与所述氩气和氮气流量之和的比值大于沉积所述第二AlN缓冲层时，所述反应腔中通入的氧气的流量与所述氩气和氮气流量之和的比值。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，沉积所述第一AlN缓冲层时，所述反应腔中通入的氧气的流量为所述氩气和氮气流量之和的0.5％～10％；

沉积所述第二AlN缓冲层时，所述反应腔中通入的氧气的流量为所述氩气和氮气流量之和的0.5％～20％。

8.根据权利要求1～7任一项所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为10～100nm。

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