KR20010051372A - 웨이퍼 처리 장치 - Google Patents

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KR20010051372A
KR20010051372A KR1020000064537A KR20000064537A KR20010051372A KR 20010051372 A KR20010051372 A KR 20010051372A KR 1020000064537 A KR1020000064537 A KR 1020000064537A KR 20000064537 A KR20000064537 A KR 20000064537A KR 20010051372 A KR20010051372 A KR 20010051372A
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요고가키츠요시
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가네코 히사시
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Abstract

본 발명에서는, 진공 처리실(001')내에 웨이퍼를 소정의 위치로 정렬할 수 있는 웨이퍼 처리장치가 기재되어 있다. 진공 처리실(001')은 웨이퍼 스테이지(003)의 상부면으로 연장될 수 있고 그 내로 수축될 수 있는 경사부(050)를 가진 웨이퍼 상승핀(005)을 구비한 웨이퍼 스테이지(003)를 포함할 수 있다. 또한, 다수의 가스 분출 구멍(004)은 웨이퍼 스테이지(003)의 상부면에 형성될 수 있다. 가스 분출 구멍(003)의 가스 분출은 웨이퍼 스테이지(003)의 상부면위에 웨이퍼를 부유시킬 수 있다.

Description

웨이퍼 처리 장치{Wafer processing apparatus}
본 발명은 일반적으로 웨이퍼 처리 장치에 관한 것으로서, 특히 처리실에서 웨이퍼를 위치시킬 수 있는 웨이퍼 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조는 제어된 환경에서 웨이퍼를 처리하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 제어된 환경은 예를 들면 가스, 온도, 적용되는 전기장 및 압력의 형태를 포함할 수 있다. 몇몇의 대기 가스들이 웨이퍼에 역효과를 발생시킬 수 있기 때문에(예를 들면, 산화 및/또는 오염), 많은 처리 단계들은 진공에서 웨이퍼를 이송, 저장 및/또는 처리하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 대기압에 대하여 저압(진공)으로 연속적으로 "펌프-다운(pumped-down)"될 수 있는 챔버(chamber)로 웨이퍼가 이송될 수 있다.
그리고, 웨이퍼는 처리실내의 스테이지에 종종 위치될 수 있다. 많은 경우에, 스테이지위의 웨이퍼 위치는 어떻게 웨이퍼가 처리되는 지에 대하여 영향을 미칠 수 있다. 결과적으로, 많은 웨이퍼 처리 장치는 처리실내에서 웨이퍼를 센터링(centering)하거나 또는 위치시키기 위한 몇몇 종류의 매카니즘을 포함할 수 있다.
종래의 웨이퍼 처리 장치를 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참고로 하여서 설명한다. 도 2는 웨이퍼 처리 장치의 평면도이다. 도 3a는 도 2의 웨이퍼 처리 장치에 포함될 수 있는 종래의 진공 처리실의 측방향 단면도이다. 도 3b는 도 3a의 웨이퍼 처리 장치에 포함될 수 있는 종래의 웨이퍼 스테이지의 평면도이다.
도 2에서, 웨이퍼 처리 장치는 3개가 도면 부호 001로 도시된 다수의 진공 처리실을 포함할 수 있다. 진공 처리실(001)은 이러한 웨이퍼에 하나 이상의 처리 단계를 실행하고 웨이퍼를 수용할 수 있다. 많은 경우에, 진공 처리실(001)은 진공으로 될 수 있다. 그러나, 몇몇 장치에서, 진공 처리실(001)은 어느 정도의 다른 압력으로 있을 수 있다. 또한, 진공 처리실(001)은 초기에는 진공으로 있을 수 있으나, 처리하는 동안에 다른 압력으로 연속적으로 있을 수 있다.
중심 챔버(009)는 하나 이상의 처리실(001)에서 처리될 것이나 또는 처리되어져 왔는 웨이퍼를 저장하기 위하여 포함될 수 있다.
진공 처리실(001)과 중심 챔버(009)는 이송 챔버(008)주위에 위치될 수 있다. 로봇(006)은 아암(007)을 포함하는 이송 챔버(008)내에 위치될 수 있다. 로봇(006)과 대응되는 아암(007)은 처리실(001) 및/또는 중심 챔버(009)사이에서 웨이퍼를 이송할 수 있다.
도 3a에서, 종래의 진공 처리실(001)은 웨이퍼(020)가 위치될 수 있는 웨이퍼 스테이지(021)를 포함할 수 있다. 웨이퍼 상승핀(022)은 웨이퍼 스테이지(021)의 상부면으로 부터 돌출될 수 있다. 또한, 웨이퍼 스테이지(021)의 상부면은 안내 링(024)을 포함할 수 있다. 안내 링(024)은 웨이퍼 스테이지(021)의 상부면 모서리 주위에서 접촉되는 구조가 될 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 스테이지(021)은 웨이퍼 상승핀 구멍(023)을 포함할 수 있다. 웨이퍼 상승 핀 구멍(023)은 웨이퍼 스테이지(021)의 중심으로 부터 균일한 간격으로 이격된 웨이퍼 스테이지(021)의 상부면의 개구가 될 수 있다. 웨이퍼 상승 핀(022)은 웨이퍼 상승핀 구멍(023)내에 위치될 수 있고, 구동 기구에 의하여 웨이퍼 상승핀 구멍내로 부터 상향으로 구동될 수 있다. 상향으로 구동될 때에, 웨이퍼 상승핀(022)은 웨이퍼(020)를 지지할 수 있다.
도 2의 웨이퍼 처리 장치와, 도 3a 및 도 3b의 종래의 진공 처리실(001)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 처리 장치의 작동이 설명된다.
웨이퍼는 처음에는 중심 챔버(009)내로 안착될 수 있다. 로봇(006)은 중심 챔버(009)내로 아암(007)을 연장하고 웨이퍼(020)를 복귀시킬 수 있다. 그 다음, 상기 로봇(006)과 아암(007)은 웨이퍼(020)를 진공 처리실(001)로 이송시킬 수 있다.
진공 처리실(001)내에서, 웨이퍼(020)는 웨이퍼 스테이지(021)의 상부면위로 연장되는 웨이퍼 상승핀(022)에 위치될 수 있다. 그 다음, 아암(007)은 진공 처리실(001)로 부터 복귀될 수 있다. 웨이퍼 상승핀(022)은 대응되는 웨이퍼 상승핀 구멍(023)내로 하강됨으로써, 웨이퍼(020)를 웨이퍼 스테이지(021)의 상부면으로 위치시킨다.
그러나, 로봇(006)과 아암(007)은 중심 챔버(009)와 진공 처리실(001)사이에서 웨이퍼를 이송시킬 수 있고, 이러한 이송 방법은 웨이퍼 스테이지(021)에서 웨이퍼를 바람직한 위치로 위치시키는 정밀함을 항상 가질 수 없다. 웨이퍼 스테이지(021)에 웨이퍼를 정렬시키는 것을 돕기 위하여, 안내 링(024)은 웨이퍼 스테이지(021)에 위치된다. 안내 링(024)은 웨이퍼 스테이지(021)의 상부면의 외부 원주에 위치될 수 있다.
이러한 방법의 단점은 웨이퍼(020)의 오정렬이 될 수 있다. 특히, 웨이퍼가 안내링(024)내에 종결될 수 있고, 웨이퍼(020)는 웨이퍼 스테이지(021)의 중심에 대하여 오정렬으로 종결될 수 있다.
본 발명과 관련된 기술은 일본 특허출원 공개소 62-21237 호에 기재되어 있다. 상기 공개소 62-21237 호는 평면부의 상부면을 가지는 테이블의 장치를 도시하고 있다. 상기 평면부는 웨이퍼보다 더 큰 직경을 가진다. 가스 분사 구멍은 상기 테이블의 상부면에 형성될 수 있다. 상기 게이트 분사 구멍은 웨이퍼 외주 근처에 위치될 수 있다. 상기 웨이퍼의 수평 위치는 가스 분사 구멍의 가스 분출에 의하여 제한될 수 있으므로, 상기 웨이퍼를 바람직한 위치에 위치시킨다.
상기 공개소 62-21237 호에 기재된 것과 같은 방법의 단점은 웨이퍼 외주 근처에서만 가스 분사 구멍이 위치되는 것이며, 웨이퍼 오정렬이 여전히 발생될 수 있다. 또한, 상기 가스 분사 구멍 장치는 하나의 크기의 웨이퍼를 위하여 작용할 수 있으며, 따라서 다른 크기의 웨이퍼를 위해서는 작용을 할 수 없다.
상술된 설명의 관점으로 부터, 종래 기술의 단점과, 관련 기술의 단점이 없이 웨이퍼를 정렬시킬 수 있는 웨이퍼 처리 장치를 제조하는 것이 바람직하다. 또한, 하나 이상의 크기를 가지는 웨이퍼를 수용할 수 있는 웨이퍼 처리 장치를 제조하는 것이 바람직하다.
도 1a는 일 실시예에 따른 진공 처리실의 측방향 단면도.
도 1b는 도 1a의 진공 처리실에 포함될 수 있는 웨이퍼 처리의 평면도.
도 2는 웨이퍼 처리 장치의 평면도.
도 3a는 도 2의 웨이퍼 처리 장치에 포함될 수 있는 종래의 진공 처리실의 측방향 단면도.
도 3b는 도 3a의 진공 처리실에 포함될 수 있는 종래의 웨이퍼 스테이지의 평면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
001': 진공 처리실 002: 웨이퍼
003: 웨이퍼 스테이지 004: 가스 분출 구멍
005: 웨이퍼 상승핀 006: 로봇
007: 아암 008: 이송 챔버
010: 상승핀 구멍 050: 경사부
본 발명에 따라서, 웨이퍼 처리 장치는 진공실내에 위치되는 웨이퍼 스테이지를 포함할 수 있다. 웨이퍼 스테이지는 웨이퍼 스테이지의 상부면위로 연장되고 그 곳으로 복귀될 수 있는 다수의 웨이퍼 상승핀을 포함할 수 있다. 웨이퍼 상승핀은 수직에 대하여 소정의 각도로 있는 경사부를 포함할 수 있다. 가스는 웨이퍼 스테이지에 형성된 다수의 가스 분출 구멍을 통하여 웨이퍼 스테이지의 상부면으로 분출될 수 있다.
일 실시예에 따라서, 웨이퍼는 웨이퍼 스테이지의 상부면에 위치될 수 있고, 어떠한 가스도 가스 분출 구멍을 바깥으로 흐르지 않으며, 상기 웨이퍼 상승핀은 복귀된다. 그 다음, 가스는 가스 분출구멍 바깥으로 분출될 수 있으며, 웨이퍼 상승핀은 상향으로 구동될 수 있다. 웨이퍼가 소정의 정렬 포인트(즉, 웨이퍼 스테이지의 중심)로 부터 오프셋(offset)된다면, 먼저 웨이퍼와 접촉하는 경사부는 상기 오정렬 방향에 대향되게 웨이퍼를 이동시킬 수 있다. 대향된 경사부는 웨이퍼가 오정렬 포인트에 대하여 정렬될 때 까지 상기와 같은 방법으로 웨이퍼를 계속하여서 이동시킬 수 있다.
본 발명의 하나의 특징에 따라서, 웨이퍼 처리 장치는 상술한 바와 같이 웨이퍼 스테이지를 각각 포함하는 2개 이상의 진공 처리실을 포함할 수 있다. 또한, 중심 챔버가 포함될 수 있다. 이송 챔버는 중심 챔버와 진공 처리실을 연결시킬 수 있다. 이송 챔버내에서의 이송 장치는 중심 챔버와 선택된 진공 처리 챔버사이에서 웨이퍼를 이송시킬 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따라서, 웨이퍼 상승핀은 웨이퍼 스테이지의 중심에 대하여 동일한 간격으로 위치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따라서, 웨이퍼 상승핀의 경사부는 정렬 포인트로 부터 외향으로 연장되는 단부를 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따라서, 웨이퍼 상승핀의 경사부는 정렬 포인트를 향하여 내향으로 연장될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따라서, 상기 가스는 불활성 가스를 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예는 도면을 참고로 하여서 상세하게 설명된다. 도 1a는 일 실시예에 따른 진공 처리실을 도시하는 측방향 단면도이다. 도 1b는 도 1a의 진공 처리실에 포함될 수 있는 종래의 웨이퍼 스테이지의 평면도이다.
본 발명의 일시예에서, 웨이퍼 처리 장치는 도 2에 도시된 것과 같은 챔버 장치를 포함할 수 있다. 그러나, 이러한 웨이퍼 처리 장치는 도 1a에 도시된 것과 같은 진공 처리실(001')을 포함할 수 있다.
도 1a에서, 일 실시예에 따른 진공 처리실(001')은 웨이퍼 스테이지(003)에 위치될 수 있는 웨이퍼(002)를 수용할 수 있다. 웨이퍼 스테이지(003)는 웨이퍼 스테이지(003)의 표면위로 연장될 수 있는 웨이퍼 상승핀(005)을 포함할 수 있다. 특히 도 1a 및 도 1b에서, 웨이퍼 상승핀(005)은 웨이퍼 스테이지(003)의 상부면의 중심으로 부터 동일한 거리로 동일하게 이격된 간격으로 위치될 수 있다. 웨이퍼 상승핀(005)은 수직에 대하여 소정의 각도로 정렬되는 경사부(050)를 포함할 수 있다.
도 1b에서, 웨이퍼 스테이지(003)는 웨이퍼 상승핀(005)이 복귀될 수 있는 상승핀 구멍(010)을 또한 포함할 수 있다. 도 1b의 특정 장치에서, 상승핀 구멍(010)은 예를 들면, 웨이퍼 스테이지(003)의 중심에 대하여 발생될 수 있는 정렬 포인트주위에서 동일한 간격으로 정렬되는 형상인 직사각형이 될 수 있다. 또한, 상기 상승핀 구멍(010)은 직사각형 상승핀 구멍(010)의 긴 측부에 대한 정렬 포인트로 부터 반경방향으로 연장될 수 있다.
웨이퍼 상승핀(005)은 웨이퍼 스테이지(003)의 상부면위에서 상승핀 구멍(010)내로 부터 연장될 수 있다. 또한, 웨이퍼 상승핀(005)은 웨이퍼 스테이지(003)내에서 상승핀 구멍(010)내로 복귀될 수 있다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 스테이지(003)는 웨이퍼 스테이지(003)의 상부면내에 형성된 가스 분출 구멍(004)을 부가로 포함할 수 있다. 불활성 가스와 같은 가스는 화살표 040으로 도시된 바와 같이 가스 분출 구멍(004)의 바깥으로 분출될 수 있다. 가스는 잘 공지된 기술에 따라서 가스 분출 구멍(004)에 공급될 수 있다. 가스 분출 구멍(004)의 바깥으로 분출되는 가스는 웨이퍼 스테이지(003)의 상부면위에 웨이퍼(002)가 부유되도록 한다.
일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치와 진공 처리실(001')의 일반 장치를 설명하였고, 상기 장치와 챔버의 작동은 도 1a,1b 및 2를 참고로 하여서 설명될 것이다.
작동에서, 웨이퍼 처리 장치는 웨이퍼가 초기에 안착될 수 있는 중심 챔버(009)를 포함할 수 있다. 로봇(006)의 아암(007)은 중심 챔버(009)로 들어가서 그립할 수 있거나, 웨이퍼(002)를 픽업할 수 있다.
로봇(006)과 아암(007)은 진공 처리실(001')내로 선택된 웨이퍼(002)를 안착시킬 수 있다. 아암(007)은 웨이퍼(002)를 웨이퍼 스테이지(003)위에 위치시킬 수 있다. 그 다음, 웨이퍼 상승핀(005)은 웨이퍼 스테이지(003)의 상부면위에서 구동될 수 있으며, 아암(007)위로 부터 웨이퍼(002)를 상승시킨다. 그 다음, 아암(007)은 진공 처리실(001')로 부터 복귀되며 이송 챔버(008)로 리턴될 수 있다. 웨이퍼(002)는 이러한 포인트에서 웨이퍼 스테이지(003)에 대하여 오정렬될 수 있다.
가스는 가스 분출 구멍(004)를 통하여 웨이퍼 스테이지(003) 바깥으로 분출될 수 있다. 이러한 가스 흐름은 웨이퍼 스테이지(003)위에서 웨이퍼(002)가 부유될 수 있도록 한다. 하나의 특정의 장치에서, 가스 분출 구멍(004)의 바깥으로 분출되는 가스는 불활성 가스가 될 수 있다.
웨이퍼 상승핀(005)이 상향으로 구동될 때, 웨이퍼(002)는 하나 이상의 웨이퍼 상승핀(005)이 웨이퍼와 접촉할 수 있도록 하나의 방향으로 오정렬될 수 있으며, 다른 웨이퍼 상승핀(005)은 웨이퍼(002)로 부터 분리되게 남아 있을 수 있다. 상기 웨이퍼 상승핀(005)가 계속하여서 상승될 때, 먼저 웨이퍼(002)와 접촉하는 웨이퍼 상승핀(005)의 경사부(050)는 웨이퍼(002)를 오정렬 방향에 대향되게 밀 수 있다. 이러한 교정은 웨이퍼가 정렬될 때 까지 "백-앤드-포스(back-and-forth)" 형태에서 발생될 수 있다. 이러한 방법에서, 상기 웨이퍼 상승핀(005)의 경사부(050)는 웨이퍼(002)를 정렬시킬 수 있다.
다음, 가스 분출 구멍(004)의 바깥으로 흐르는 가스는 정지되고, 웨이퍼 상승핀(005)은 상승핀 구멍(010)내로 하강될 수 있다. 웨이퍼 상승핀(005)이 웨이퍼 스테이지(003)내로 복귀될 때에, 웨이퍼(002)는 스테이지위에 정렬될 수 있다.
상술된 실시예에서, 웨이퍼(002)는 스테이지위에서 부유될 수 있으며, 그 다음 웨이퍼 상승핀(005)의 경사부(050)에 의하여 정렬된다. 그 다음, 웨이퍼(002)는 웨이퍼 스테이지(003)위로 정렬된 위치로 하강될 수 있다. 이러한 방법은 도 3a 및 도 3b에서 024로 도시된 바와 같은 안내 링을 가지고 분배될 수 있다. 이러한 방법에서, 종래의 방법에서 발생될 수 있는 안내 링에 대하여 웨이퍼를 연마하는 것은 피할 수 있다.
경사부(050)를 가진 웨이퍼 상승핀(005)과, 가스 분출 구멍(004)의 바깥으로 분출되는 가스의 조합은, 안내 링을 갖고 단지 직선의 웨이퍼 상승핀을 사용하거나, 또는 가스 분사 구멍으로 부터 가스 흐름만을 사용하는 방법보다 더 정확한 웨이퍼의 정렬을 제공할 수 있다.
상기 설명된 실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치는 웨이퍼 크기의 범위를 수용할 수 있다. 특히, 경사부(050)의 길이 및/또는 각은 정렬될 수 있는 웨이퍼 크기의 범위를 결정할 수 있다. 이러한 점은 하나의 특정의 안내 링 원주 또는 하나의 특정의 가스 분사 구멍의 장치를 구비할 수 있는 종래의 방법과 대비된다.
물론, 상기 특정의 실시예가 웨이퍼 스테이지의 중심에 대하여 웨이퍼를 정렬할 수 있는 방법을 설명하지만, 이것은 본 발명을 제한하는 것은 아니다. 서로 다른 정렬 장치가 웨이퍼 상승핀의 경사부 위치 및/또는 웨이퍼 상승핀의 위치를 이동시킴으로써 성취될 수 있다.
또한, 도시된 특정 형태의 웨이퍼 상승핀은 변화될 수 있다. 가능한 예중의 하나로서, 도 1a의 웨이퍼 상승핀(005)은 정렬 포인트로 부터 외향으로 연장되는 단부를 구비하는 경사부(050)를 포함할 수 이쏙, 다른 장치는 정렬 포인트를 향하여 하향으로 굽혀지는 단부를 가지는 경사부(050)를 포함할 수 있다.
그래서, 설명된 웨이퍼 처리 장치는 경사부를 가지는 웨이퍼 상승핀과, 높은 정밀도로서 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지에 위치되도록 할 수 잇는 가스 분출 수단을 포함한다.
상술된 설명이 하나의 진공 처리실과 대응되는 웨이퍼 스테이지를 설명하였지만, 웨이퍼 처리 장치에서 다수의 챔버 및/또는 웨이퍼 스테이지를 포함하는 것이 유리함으로써, 상기 장치가 다수 또는 상기 모든 챔버를 갖도록 한다.
그래서, 다양한 특정의 실시예가 상세히 설명되었지만, 본 발명은 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변화, 대체 및 교체가 될 수 있다.
본 발명에 따라서, 웨이퍼의 오정렬이 발생되지 않으며, 또한, 하나 이상의 크기를 가지는 웨이퍼를 수용할 수 있는 웨이퍼 처리 장치를 제조할 수 있다.

Claims (20)

  1. 웨이퍼를 처리하기 위한 소정의 분위기를 발생시키기 위한 적어도 하나의 처리실과;
    표면위에 웨이퍼를 수용하기 위하여 적어도 하나의 처리실내에 있는 웨이퍼 스테이지를 포함하고, 상기 웨이퍼 스테이지는,
    표면으로 부터 그리고 그 곳내로 이격되게 연장될 수 있는 다수의 복귀가능한 웨이퍼 상승핀과, 표면으로 부터 가스 흐름을 제공하는 다수의 가스 분출 구멍을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 웨이퍼 상승핀은 표면에 대하여 직각이 아닌 각도로 연장되는 경사부를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 처리 장치는 다수의 처리실을 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 중심 챔버로 부터 처리실중의 하나로 웨이퍼를 이송하기 위한 이송챔버를 또한 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 처리 장치는 대응되는 처리실에서 다수의 웨이퍼 스테이지를 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 상승핀은 정렬 포인트주위에서 동일한 이격 간격으로 정렬되는 웨이퍼 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 정렬 포인트는 웨이퍼 스테이지 표면의 중심인 웨이퍼 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 경사부는 정렬부로 부터 이격되게 연장되는 단부를 가지는 웨이퍼 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 경사부는 정렬 포인트를 향하여 연장되는 단부를 가지는 웨이퍼 처리 장치.
  9. 처리 하기 위한 반도체 웨이퍼를 수용할 수 있는 표면과;
    상승핀 구멍내로 부터 상기 표면위로 구동되고 상기 표면아래의 상승핀 구멍내로 복귀될 수 있으며, 상기 표면에 대하여 직각이 아닌 각도에서 경사부를 가지는 다수의 웨이퍼 상승핀을 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 웨이퍼 상승핀의 경사부는 표면위의 정렬 포인트에 대하여 반경방향으로 정렬되는 웨이퍼 처리 장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 웨이퍼 상승핀이 표면위에서 구동될 때, 상기 경사부는 표면위의 정렬 포인트로 부터 이격되게 연장되는 말단부를 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 웨이퍼 상승핀이 표면위에서 구동될 때, 상기 경사부는 표면위의 정렬 포인트를 향하여 연장되는 말단부를 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
  13. 제 9 항에 있어서, 표면 바깥으로 분출되는 다수의 가스 스트림을 제공하는 표면에 다수의 가스 분출 구멍이 형성되는 웨이퍼 처리 장치.
  14. 제 9 항에 있어서, 상기 상승핀 구멍은 표면의 정렬 포인트에 대하여 반경방향 방법으로 배향되는 긴 측부를 가지는 직사각형 형상인 웨이퍼 처리 장치.
  15. 가스 분출 구멍으로 부터 흐르는 가스에 반도체 웨이퍼를 정렬하기 위한 다수의 웨이퍼 상승핀을 포함하고, 각각의 웨이퍼 상승핀은 가스 분출 구멍의 바깥 방향으로 흐르는 가스에 대하여 직각이 아닌 각도로 있는 경사부를 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 웨이퍼 상승핀은 표면내로 복귀되는 웨이퍼 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 가스 분출 구멍은 표면에 형성되고, 가스 흐름 방향은 표면에 대하여 거의 수직인 웨이퍼 처리 장치.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 웨이퍼 상승핀은 정렬 포인트주위에서 원주방향으로 정렬되는 웨이퍼 처리 장치.
  19. 제 15 항에 있어서, 상기 웨이퍼 상승핀은 정렬 포인트에 대하여 서로로 부터 동일한 거리로 이격되는 웨이퍼 처리 장치.
  20. 제 15 항에 있어서, 상기 가스 분출 구멍은 반도체 웨이퍼의 중심아래 정렬 포인트에 근접되는 웨이퍼 상승핀 사이에 형성된 적어도 하나의 중심 가스 분출 구멍을 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
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