CN110718496A

CN110718496A - 一种晶圆中心对准方法

Info

Publication number: CN110718496A
Application number: CN201910890264.1A
Authority: CN
Inventors: 王胜利; 林生财; 魏纯; 林武林
Original assignee: SHENZHEN SIDEA SEMICONDUCTOR EQUIPMENT CO Ltd
Current assignee: SHENZHEN SIDEA SEMICONDUCTOR EQUIPMENT CO Ltd
Priority date: 2019-09-20
Filing date: 2019-09-20
Publication date: 2020-01-21

Abstract

本发明公开了一种晶圆中心对准方法。所述晶圆中心对准方法使晶圆中心与载片部中心沿竖直方向对准，晶圆在重力作用下位于导向部沿竖直方向设置的导向内斜通孔中，校正气流沿导向内斜通孔中轴线从晶圆下方作用于晶圆，断开校正气流使晶圆在重力作用下重新止抵于导向内斜通孔中且晶圆中心位于所述导向内斜通孔中轴线；载片部正对应所述导向内斜通孔，所述载片部中心位于所述导向内斜通孔中轴线。

Description

一种晶圆中心对准方法

技术领域

本发明涉及一种晶圆中心对准方法。

背景技术

保证晶圆中心所在的位置关系着晶圆测试难度和准确度；将晶圆中心与载片部中心对准用于保证晶圆测试的位置精度。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提出一种晶圆中心对准方法。

本发明的技术方案为：一种晶圆中心对准方法，使晶圆中心与载片部中心沿竖直方向对准，晶圆在重力作用下位于导向部沿竖直方向设置的导向内斜通孔中，校正气流沿导向内斜通孔中轴线从晶圆下方作用于晶圆，断开校正气流使晶圆在重力作用下重新止抵于导向内斜通孔中且晶圆中心位于所述导向内斜通孔中轴线；载片部正对应所述导向内斜通孔，所述载片部中心位于所述导向内斜通孔中轴线。

进一步的，校正气流由气流孔产生，所述气流孔为多个并沿导向内斜通孔中轴线均匀分布。

进一步的，所述多个气流孔横截面积相同以及导气深度相同。

进一步的，所述多个气流孔连接于同一校正气流控制部，所述多个气流孔位于同一水平面。

进一步的，所述气流孔设置于所述载片部。

进一步的，所述气流孔能够用于真空吸附。

进一步的，所述气流孔设置于气流发生部，所述气流发生部连接于导向部；所述气流孔数量为3个或多于3个。

进一步的，载片部吸附所述晶圆后，所述气流发生部产生气流作用于晶圆。

进一步的，所述导向内斜通孔从上至下内壁直径逐渐减小。

进一步的，所述导向内斜通孔下端直径小于晶圆直径。

本发明的有益效果在于：通过采用校正气流使位于导向内斜通孔中的晶圆置于水平，从而保证晶圆中心与载片部中心沿导向内斜通孔中轴线对准；校正气流不会损坏晶圆，便于对校正气流的调节。

附图说明

图1为能够使用本发明技术方案的实体结构示意图；

图2为位于导向内斜通孔中晶圆第一次施加校正气流示意图；

图3为位于导向内斜通孔中晶圆第二次施加校正气流示意图；

图4为晶圆位于导向内斜通孔中且晶圆中心与载片部中心对准示意图；

图5为气流孔设置于气流发生部示意图；

图6为带有切边的晶圆示意图；

图7为气流发生部示意图；

图8为放片吸附部将晶圆放入导向内斜通孔示意图。

具体实施方式

为便于本领域技术人员理解本发明的技术方案，下面将本发明的技术方案结合具体实施例作进一步详细的说明。

如图1、图2、图3、图4和图5所示，一种晶圆中心对准方法，使晶圆中心w（如图2、图3和图4中，晶圆中轴线b与晶圆20相交处）与载片部中心z（如图2、图3和图4中，导向内斜通孔中轴线a与载片部30相交处）沿竖直方向s对准，所述晶圆中心w为晶圆20的几何中心，由于晶圆20为圆形片状结构，晶圆20的质量沿其几何中心均匀分布；对于有切边211的晶圆21（如图6）由于其质量损失小，其质量仍然视为沿其完整圆几何中心w1均匀分布；所述载片部中心z为选择的对应晶圆中心w的位置，即所述载片部30中心仅仅说明用于对应晶圆20中心的位置，并不用于限定为载片部30的几何中心位置；晶圆20在重力作用下位于导向部40沿竖直方向设置的导向内斜通孔41中（导向内斜通孔中轴线a沿竖直方向s），校正气流c沿导向内斜通孔中轴线a从晶圆20下方作用于晶圆20，此处并不限定校正气流c通过导向内斜通孔中轴线a作用于晶圆20，用于解释成晶圆20受到沿导向内斜通孔中轴线a均匀分布的、校正气流c施加的作用力，也就是对于单一校正气流c沿导向内斜通孔中轴线a作用于晶圆20，对于多束校正气流c沿导向内斜通孔中轴线a均匀分布并作用于晶圆20；断开校正气流c使晶圆20在重力作用下重新止抵于导向内斜通孔41中且晶圆中心w位于所述导向内斜通孔中轴线a，由于放置于导向内斜通孔41中的晶圆20的晶圆中轴线b与导向内斜通孔中轴线a有一夹角α（由于晶圆20与导向内斜通孔41之间摩擦力，晶圆20并不会在重力作用下自行沿导向内斜通孔41滑移直至水平），即所述晶圆20并不位于水平位置，校正气流c使晶圆离开导向内斜通孔41，断开校正气流c后，晶圆20在重力作用下，即利用校正气流c使晶圆20运动，减小晶圆20与导向内斜通孔41之间的摩擦力，晶圆20在重力作用下调整姿态而位于水平；所述晶圆20为部分离开导向内斜通孔41或者晶圆20整体离开导向内斜通孔41；载片部30正对应所述导向内斜通孔41，所述载片部30中心位于所述导向内斜通孔41轴线，从而使位于导向内斜通孔41中的晶圆20与载片部中心z对准。

由于载片部上表面31为水平面，采用上述技术方案用于保证后续载片部30沿导向内斜通孔41竖直向上作用于晶圆20，位于载片部上表面31的晶圆20的晶圆中心w与载片部中心z沿竖直方向s正对应从而满足对晶圆20测试的位置要求。

如图1、图2、图3、图4和图5所示，校正气流c由气流孔32产生，所述气流孔32为多个并沿导向内斜通孔中轴线a均匀分布，用于保证所述晶圆20受到的校正气流c作用力的受力位置（多个校正气流c施加的合力）位于导向内斜通孔中轴线a，所述晶圆20在自身重力作用下产生滑移至水平的趋势；所述多个气流孔32横截面积相同以及导气深度相同；当晶圆20倾斜着位于导向内斜通孔41中时，晶圆中心w偏离导向内斜通孔中轴线a并位于晶圆20位置偏高一侧，此时气流孔32产生的作用力位于晶圆20位置偏低的一侧，从而校正气流c将晶圆20位置偏低一侧“抬起”且不高于晶圆20位置偏高一侧，晶圆20位置偏高一侧在重力作用下滑移直至晶圆中轴线b与导向内斜通孔中轴线a重合，从而使晶圆20沿水平面放置于导向内斜通孔41中。

如图1所示，所述多个气流孔32连接于同一校正气流控制部33，以保证多个气流孔32产生的气压相同，所述多个气流孔32位于同一水平面；当晶圆20不平整时，由于晶圆20位置偏高处距离气流孔32较远而受到的校正气流c作用力较小，晶圆20位置较低处受到校正气流c作用力比晶圆20位置偏高处，从而能够将晶圆20位置较低处“抬起”，在校正气流c作用力下，所述晶圆20位置偏低处仍然低于晶圆20位置偏高处，从而晶圆20在重力作用下向位置较低一侧滑移，保证晶圆20位置较高处与位置较低处逐渐趋于相同高度，通过一次或多次上述校正气流c操作最终实现晶圆20水平放置，使晶圆中心w与载片部中心z沿内斜通孔中轴线a对准。

如图1、图2、图3和图4所示，所述气流孔32设置于所述载片部30，由于载片部30能够沿着所述内斜通孔中轴线a竖直运动，设置于载片部30上的气流孔32的位置也能够沿竖直方向运动，从而在校正气流c气压一定的前提下，通过载片部30运动实现改变气流孔32到晶圆20的距离，实现对校正气流c对晶圆20作用力的调节；所述气流孔32能够用于真空吸附，载片部30为了固定位于其上的晶圆20，载片部30需要将晶圆20真空吸附其上，采用气流孔32同时具有真空吸附功能的技术方案，能够利用气流孔32实现对晶圆20作用校正气流c，以及将晶圆中心w（如图2、图3和图4中，晶圆中轴线b与晶圆20相交处）与载片部中心z（如图2、图3和图4中，导向内斜通孔中轴线a与载片部30相交处）沿竖直方向s对准的晶圆20吸附于载片部30，从而实现载片部30稳定可靠地将晶圆20搬运到测试位置；即将载片部30具有真空吸附功能的气流孔32增加吹气（校正气流c）功能，增强载片部30的使用功能。

如图5所示，气流孔32a设置于气流发生部34，所述气流发生部34连接于导向部40；所述气流孔32a为多个并沿导向内斜通孔中轴线a均匀布置；所述气流孔32a数量为3个或多于3个；当所述气流孔32a数量为3个或多于3个时，能够保证晶圆20无论如何倾斜在导向内斜通孔41中均能够受到的校正气流c作用力能够，最终实现对晶圆20的调整目的；当气流孔32a数量为1时，气流孔32a不能设置在穿过导向内斜通孔中轴线a的位置（载片部30需要沿导向内斜通孔中轴线a运动），然而将仅有的1个气流孔32a偏离导向内斜通孔中轴线a会影响对晶圆20的调整（例如，晶圆20位置较高部分正对应所述气流孔32a，无论如何控制校正气流c均不可能实现对晶圆20的调整）；当然，本领域技术人员可以将只设置有1个气流孔32a的气流发生部34可运动安装于导向部40，需要施加校正气流c时将气流孔32a运动到穿过导向内斜通孔中轴线a位置，当需要载片部30运动时，让气流发生部34偏移导向内斜通孔中轴线a位置；当所述气流孔32a为2个时，此时施加的校正气流c作用力如果位于等高处，仍然会影响对晶圆20的调整；只有气流孔32a数量多于3个（包括3个）时，校正气流c对晶圆20施加的作用力才能实现对晶圆20的调整；所述气流发生部34（如图7）设置有第一贯通孔341，所述第一贯通孔341正对应导向内斜通孔41用于满足载片部30运动至导向内斜通孔41中并接触晶圆20的使用要求。

如图5所示，载片部30吸附所述晶圆20后，所述气流发生部34产生气流作用于晶圆20，用于检测吸附于载片部30上的晶圆20是否稳定可靠；当然所述气流发生部34产生气流作用力不能大于载片部30对晶圆20的吸附力，所述气流发生部34产生气流作用于晶圆20的作用力更不能损坏晶圆20；此时气流发生部34产生气流仅仅用于判断载片部30上产生吸附力的系统是否发生故障（如吸附力不足）。

如图2、图3、图4和图5所示，所述导向内斜通孔41从上至下内壁直径逐渐减小；保证晶圆20能够从导向部40放入导向内斜通孔41，晶圆20在重力作用下掉落于导向内斜通孔41直到晶圆20与导向内斜通孔41内壁之间产生的摩擦力使晶圆20停止运动；也即是因为所述晶圆20与导向内斜通孔41内壁之间产生的摩擦力造成晶圆20倾斜着位于导向内斜通孔41内壁中需要采取措施（如校正气流c）使晶圆20水平放置；所述导向内斜通孔41下端直径小于晶圆直径，防止晶圆20从导向内斜通孔41下端掉落。

如图8所示，放片吸附部50将晶圆20放入导向内斜通孔41；用于将晶圆20放入导向内斜通孔41中，利用导向部40和校正气流c实现对晶圆20实现水平调节；所述载片部30沿竖直方向贴合于晶圆20，使晶圆中心w与载片部中心z均通过导向内斜通孔中轴线a，保证位于载片部30上的晶圆20，晶圆中心w与载片部中心z重合，便于实现对晶圆20中心定位便于测试。

需要说明的是，图2、图3和图4构成一个完整的对晶圆20调整的过程，但是此处并不限定对晶圆20的调整必须要有上述过程，图2到图3为第一次调整，图3至图4为第二次调整，对于调整次数的选择需要以满足晶圆20满足使用要求为准，也即是，对晶圆20的调整可能仅仅进行了一次调整（图3至于4）；也可能进行了多次调整（包括但不限于，图2至图3，以及图3至图4）。

以上是本发明的较佳实施例，不用于限定本发明的保护范围。应当认可，本领域技术人员在理解了本发明技术方案后所作的非创造性变形和改变，应当也属于本发明的保护和公开的范围。

Claims

1.一种晶圆中心对准方法，使晶圆中心与载片部中心沿竖直方向对准，其特征在于：晶圆在重力作用下位于导向部沿竖直方向设置的导向内斜通孔中，校正气流沿导向内斜通孔中轴线从晶圆下方作用于晶圆，断开校正气流使晶圆在重力作用下重新止抵于导向内斜通孔中且晶圆中心位于所述导向内斜通孔中轴线；载片部正对应所述导向内斜通孔，所述载片部中心位于所述导向内斜通孔中轴线。

2.根据权利要求1所述的晶圆中心对准方法，其特征在于：校正气流由气流孔产生，所述气流孔为多个并沿导向内斜通孔中轴线均匀分布。

3.根据权利要求2所述的晶圆中心对准方法，其特征在于：所述多个气流孔横截面积相同以及导气深度相同。

4.根据权利要求2或3所述的晶圆中心对准方法，其特征在于：所述多个气流孔连接于同一校正气流控制部，所述多个气流孔位于同一水平面。

5.根据权利要求2所述的晶圆中心对准方法，其特征在于：所述气流孔设置于所述载片部。

6.根据权利要求5所述的晶圆中心对准方法，其特征在于：所述气流孔能够用于真空吸附。

7.根据权利要求2所述的晶圆中心对准方法，其特征在于：所述气流孔设置于气流发生部，所述气流发生部连接于导向部；所述气流孔数量为3个或多于3个。

8.根据权利要求7所述的晶圆中心对准方法，其特征在于：载片部吸附所述晶圆后，所述气流发生部产生气流作用于晶圆。

9.根据权利要求1所述的晶圆中心对准方法，其特征在于：所述导向内斜通孔从上至下内壁直径逐渐减小。

10.根据权利要求1所述的晶圆中心对准方法，其特征在于：所述导向内斜通孔下端直径小于晶圆直径。