KR20010043944A - 복합 전도체 코팅으로 이루어진 다중소자 음향 프로브와그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 백킹 (1) 과, 기본 압전 변환기 (Ti1) 에 접속된 스트립 도체 (Pi1) 를 갖는 전기 회로 (2) 를 구비하는 다중 소자 음향 프로브에 관한 것이다. 프로브는 압전 변환기 (Ti1k) 와 스트립 도체 (Pi1) 사이에 위치한 복합 재료 전기 도전성 코팅을 더 구비한다. 표준 방식에서, 압전 변환기는 음향면에서 결합되지 않고 전기적으로 결합된 소자들을 얻기 위해 서브 소자들로 나뉘어진다. 복합 재료 전기 도전성 코팅이 존재함으로써, 스트립 도체들이 서브 소자에 관해서 크기가 조정될 수 있게 하고, 백킹 (1) 과 압전 변환기 사이의 열팽창 변동에 대응하는 중간 소자를 구성한다.
Description
일반적으로, 음향 프로브는 상호 접속망을 통하여 전극 제어 장치에 접속된 압전 변환기의 조립으로 이루어진다.
이들 압전 변환기는 주어진 매체에서 반사된 후에, 이 매체에 관한 정보를 제공하는 음파를 송신한다.
통상, 의료용 화상 분야 내에서 음향 프로브는 독자적으로 여기될 수 있는 여러개의 압전 소자로 이루어져 있다. 이러한 프로브 제조방법은 출원인에 의해서 특히, 유럽 특허 0 190 948호의 1차원 프로브 또는 프랑스 특허 93/02586호의 2차원 프로브에 관한 여러 문서에 기재되어 왔다. 이 방법은, 음향 정합 판, 압전 세라믹 판, 금속 트랙으로 이루어진 전기 회로로 형성된 조립체를 커팅하는 것으로 이루어져 있고, 이 조립체는 “백킹(backing)”이라는 용어로 알려진 음향 지지체 표면에 일반적으로 위치하고 있다. 그러므로, 이러한 커팅은 독립적으로 여기될 수 있는 기본 변환기를 정의할 수 있게 한다. 이는 각 변환기가 전기적인 여기를 허용하도록 하기 위해 전기 회로의 한 트랙(금속화된 트랙을 가진 폴리이미드막 또는 금속 박막으로부터 커팅된 트랙)에 접속되어 있기 때문이다.
바람직하지 않은 진동 모드 특히, 횡모드를 방지하기 위하여, 기본 변환기는 몇개의 압전 부소자로 서브커트(subcut)되어 기계적으로 분리되지만 동일한 전기 접점에 접속된다. 단반향성 다중소자 프로브의 일례의 단면도를 도시하고 있는 도 1 에 예시된 바와 같이, 서브커트는 금속 트랙을 넘어 커팅함으로써 얻어진다. 이러한 구성에 의하면, 백킹 (1) 은 도전성 트랙 (pi1) 이 있는 전기 회로 (2) 와 부소자 (ti1k) 를 포함하고 있는 기본 변환기 (ti1) 자체를 지지한다. 전형적으로 트랙 (pi1) 의 폭은 약 100㎛이고, 이것이 압전 부소자의 수를 제한한다. 또, 커팅한 트랙은 깨지기 쉬워서 전기적 및 기계적 스트레스를 잘 견뎌내지 못한다.
또한, 압전 소자는 상이한 임피던스를 갖는 음향 정합 소자 (L1i1k, L2i1k) 로 이루어지고 소자 (L2i1k) 는 그것들이 접지되도록 하기 위하여 하부 면 상에서 금속화되도록 할 수 있다.
또한, 접지는 얇은 금속막을 판 (L2i1k) 과 세라믹 사이에 삽입하거나, 1차원 프로브의 경우에는 더 적은 크기의 스트립 (L1i1k, L2i1k) 을 이용함으로써 행해질 수 있고, 따라서 세라믹의 스트립들은 접지전극을 세라믹 단부에 닿을 수 있게끔 한다. 후자의 경우에서는 접지를 납땜하거나 금속막을 세라믹의 “프리(free)”단부에 접착되도록 결합시킴으로써 행해진다.
본 발명의 분야는 특히, 의료 또는 수중 화상이나 비파괴 시험에 사용될 수 있는 음향 변환기 분야이다.
상술한 단점을 완화하기 위해서, 본 발명은 복합 도전성 재료의 막으로 구성된 음향 프로브를 제공한다.
좀더 구체적으로, 본 발명의 과제는 기본 압전 변환기와 하나 이상의 금속 트랙을 하나 이상의 기본 변환기에 접속하도록 금속 트랙으로 구성되는 전기 회로로 이루어진 음향 프로브로서, 각 기본 변환기는 기계적으로 분리되고 동일한 트랙에 접속되는 압전 부소자로부터 형성되고, 또한 전기 회로와 기본 변화기들 사이에 놓여진 복합 도전성 재료막을 구비하고, 동일한 기본 변환기의 압전 부소자들은 상기 막속으로 바로 연장하는 갭들에 의해 기계적으로 분리되는 것을 특징으로 한다.
통상적으로, 본 발명에 의한 음향 프로브의 전기 회로는 음향 지지체로서 동작하기 위해 정합된 임피던스의 백킹에 부착된다.
이러한 프로브는 특히 다음의 잇점들을 갖는다.
-도전성 재료의 막에서 압전 부소자를 정의하는 갭들이 체재하므로, 전기 회로의 트랙들은 더 이상 “서브커트”하지 않게 되어 약화되지 않는다.
-복합 도전성 재료막은, 압전 소자들과 전기 회로가 프랑스 특허 93/02586 에 구체적으로 설명된 바와 같이 비어(via)들을 통과하지 않고 전기적으로 접속되도록 한다.
-복합 도전성 재료막은, 압전 재료의 것과 “백킹”을 형성하는 재료의 것 사이의 열팽창 중간 물질을 가질 수 있으므로, 일반적으로 고온에서 행해지는 조립시의 열 응력에 기인한 변형이 흡수되도록 한다.
-전기 회로의 트랙들은, 갭들이 복합 도전성 재료막에 체재하고 있으므로, 얻기를 원하는 압전 부소자들의 개수에 따라 더 이상 크기가 조정되어야 할 필요가 없다.
편리하게, 복합 도전성 재료막은 에폭시 수지형의 유기 재료로 이루어지고, 이것은 특히 은, 구리 또는 니켈과 같은 금속으로 이루어진 도전성 입자들로 채워질 수 있다.
또한, 본 발명의 과제는 본 발명에 의한 음향 프로브 제조를 향상시키는 것이고, 이것은 다음 단계들을 더 포함하고 있다.
-하나 이상의 압전 재료층, 하나의 복합 도전성 재료막, 및 금속 트랙을 이루는 하나의 전기 회로의 조립하는 단계;
-전기적으로 분리되는 기본 압전 변환기들을 정의하도록, 압전 재료층과 복합 도전성 재료막을 커팅하는 단계; 및
-기계적으로 분리되고 전기적으로 접속되는 압전 부소자들을 정의하도록, 기본 변환기와 복합 재료막 부분을 서브커팅하는 단계.
본 발명의 공정의 일 실시예에 의하면, 커팅과 서브커팅 단계는 다이아몬드 톱으로 한 단계에서 행해질 수 있다.
본 발명은, 첨부된 도면을 참조하고 주어진 한정적이지 않은 실시예들을 이용하여 후술되는 설명을 읽음으로써, 좀더 명확히 이해되고 또다른 잇점들이 나타날 것이다.
도 1 은 종래 기술에 의한 1차원 음향 프로브의 일례를 통한 단면을 도시하고 있다.
도 2 는 1차원 프로브에 관한 본 발명의 제 1 실시예를 도시하고 있다.
도 3 은 2차원 프로브에 관한 본 발명의 제 2 실시예를 도시하고 있다.
일반적으로, 본 발명에 의한 음향 프로브는 복합 도전성 재료막을 통하여 백킹 상에 놓여진 전기 회로의 표면 상에 놓여진 금속 트랙에 접속된 기본 압전 변환기 (Tij) 를 포함하고 있다.
일반적으로, 이러한 유형의 프로브를 제조하기 위해 예컨대 1/4파 형의 하나 또는 두개의 음향 정합 판들이 전력 전달을 향상시키기 위해 압전 변환기들의 표면에 고정된다.
이들 정합판들의 재료는, 그 비율이 바라는 음향 특성을 얻기 위해 조정되는 광물 입자들로 채워진 폴리머형일 수 있다. 일반적으로, 이들 스트립들은 몰딩이나 규격화에 의해 형성되어, 압전 변환기 면들중 하나 위에 접착 결합되어 조립된다.
좀더 구체적으로는, 기본 변환기들의 그룹을 가진 프로브의 경우에 압전 변환기들을 기계적으로 분리하려는 시도가 이루어진다. 기본 변환기들 사이에 음향 커플링을 방지하도록 음향 정합 판들의 커팅을 행하는 것은 중요하다.
또한, 이러한 유형의 다중 소자 프로브에서 각 기본 압전 변환기는 접지에 한쪽이, 양의 콘택(또한 라이브 포인트라고도 부름)에 다른쪽이 접속되어야만 한다. 일반적으로, 접지는 전달 매체를 향하여 배치되고, 즉 그것은 음향 정합 소자면 상에 있어야만 한다. 통상적으로, 접지 전극은 금속층일 수 있고 그것의 위치는 프로브의 특성, 즉 그것이 단방향 또는 양방향 프로브이냐에 따라 달라질 수 있다.
단방향 프로브의 예
이러한 유형의 프로브를 제조하기 위해서는, 다음과 같이 시행할 수 있다.
예컨대, 에폭시 형의 접착제를 사용하여 백킹에 접착되도록 결합된, 새로 형성된 트랙을 포함하는 전기 회로의 표면 상에, 압전 재료층이 도전막 (3) 을 통해 상기 백킹에 결합되고, 이것은 그것의 특성 때문에, 전체 어셈블리가 접착되도록 결합되도록 한다. 복합 도전성 재료막은 에폭시 수지와, 원하는 음향 특성들에 따른 체적의 50% 와 80% 사이의 충진제 내용물을 가진 금속 입자들(은, 구리, 니켈 등)의 혼합물로 이루어져 있다. 이 막은 그것은 임피던스가 백킹의 그것에 가깝고, 그것의 두께(약 20 내지 100㎛)가 압전 재료에 의해 발생된 초음파의 파장에 비해 작게 유지되므로, 프로브의 음향 특성에 아무런 영향을 미치지 않는다.
그 다음, 음향 정합 판들이 예컨대 에폭시형의 접착제를 사용하여 압전 재료층의 표면에 접착되도록 결합된다.
그 다음, 사전에 제조된 어셈블리는 약 100 내지 150 마이크론의 폭을 가진 기본 변환기 (Ti1) 를 얻기 위해, 다이아몬드 톱에 의해 커팅된다. 동일한 동작에서, 폭이 약 40 내지 70 마이크론인 압전 부소자를 정의할 수 있게 하는 서브커트가 행해질 수 있다. 도 2 에 예시된 바와 같이, 커트가 백킹에서 중지되는데 반해 서브커트는 복합 재료막의 두께 내에서 중지되어 이들 음향 정합 소자들 (L1I1k, L2I1k) 에 의해 얹혀진 동일한 소자 (Ti1) 의 다양한 압전 부소자 (Ti1k) 사이의 전기적인 접속을 유지할 수 있게 한다.
하부 음향 정합판은, 프로브의 표면 상의 접지를 확보하도록 그것의 하부면 상에서 금속으로 피복될 수 있다.
양방향 프로브의 예
복합 도전막과 압전 물질층의 전기 회로를 포함하는 백킹의 어셈블리는, 단방향 프로브의 경우에서 상술한 것과 일반적으로 동일할 수 있다. 프로브의 이러한 유형에서의 접지면을 제조하기 위해서는, 공개된 프랑스 특허 2,756,447호에서 출원인에 의해 설명된 공정이나, 변환 소자와 음향 정합 판들 사이의 접지면을 합체시킴으로써 시행할 수 있다.
좀더 구체적으로는, 본 발명의 범위 내에서, 백킹/복합 도전막/압전 층 어셈블리를 만든 후에,2개의 수직 축들을 따라 다이아몬드 톱을 사용하여 소자 (Tij, Tijk) 를 정의할 수 있도록 커팅 및 서브커팅이 행해진다. 이렇게 형성된 어셈블리는 도전성 접지 전극(M)에 의해 피복되고, 이것은 그 다음 접착되도록 결합되며, 일반적으로 금속 또는 금속으로 피복된 폴리머막일 수 있다.
그 다음, 음향 정합 물질 (L1, L2) 의 2개 판들의 접착 결합이 행해진다. 첫번째 판은 약 5 내지 12 메가 래이레이의 높은 임피던스를 가지고, 두번째 판은 약 2 내지 4 메가 래이레이의 더 작은 임피던스를 가진다. 다음에, 음향 정합 판들의 커팅이, 접지 전극(M)을 커팅하지 않고 행해진다.
이러한 결과를 얻기 위해, 본 커팅 동작은 레이저에 의해 수행될 수 있다. 예컨대, 사용된 레이저는 CO2의 적외선 레이저나 엑시머형, 또는 3중 또는 4중 YAG형의 자외선 레이저가 될 수 있다. 그 다음, 도 3 에 예시된 양방향 프로브가 얻어진다.
Claims (12)
- 기본 압전 변환기 (Tij) 와 하나 이상의 금속 트랙이 하나 이상의 기본 변환기에 접속하도록 금속 트랙 (Pij) 으로 구성되는 전기 회로로 이루어진 음향 프로브로서, 각 기본 변환기는 기계적으로 분리되고 동일한 트랙에 접속되는 압전 부소자 (Tijk) 로부터 형성되고, 전기 회로와 기본 변화기들 사이에 놓여진 복합 도전성 재료의 막을 더 구비하며, 동일한 기본 변환기 (Tij) 의 압전 부소자 (Tijk) 들은 상기 막속으로 바로 연장하는 갭들에 의해 기계적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 음향 프로브.
- 제 1 항에 있어서,“백킹”이라고 불리는 음향 지지체, 백킹의 것과 유사한 음향 특성을 갖는 복합 재료막을 포함하는 것을 특징으로 하는 음향 프로브.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,복합 재료막은 도전성 입자로 이루어지며, 그것의 크기는 프로브에 의해 발생된 초음파의 파장보다 더 작은 것을 특징으로 하는 음향 프로브.
- 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,복합 도전성 막은, 도전 입자들을 이루는 에폭시 수지 또는 폴리이미드 형의 유기 재료로 이루어지는 막인 것을 특징으로 하는 음향 프로브.
- 제 4 항에 있어서,도전 입자들은 은, 구리 또는 니켈과 같은 금속 입자들인 것을 특징으로 하는 음향 프로브.
- 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,복합 재료막은 체적의 50% 와 30% 사이의 도전성 충진제를 갖는 것을 특징으로 하는 음향 프로브.
- 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서,복합 재료의 두께는 수십 마이크론의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 음향 프로브.
- 제 1 항 내지 제 7 항중 어느 한 항에 있어서,기본 변환기는 전기 회로쪽으로 바로 연장하는 갭에 의해 전기적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 음향 프로브.
- 제 1 항 내지 제 7 항에 의한 음향 프로브의 제조 공정에 있어서,-하나 이상의 압전 재료판, 하나의 복합 도전성 재료막, 및 금속 트랙들을 포함하는 하나의 전기 회로를 조립하는 단계;-전기적으로 분리되는 기본 압전 변환기 (Tij) 들을 정의하도록, 압전 재료판과 복합 도전성 재료막을 커팅하는 단계; 및-기계적으로 분리되고 전기적으로 접속되는 압전 부소자 (Tijk) 들을 정의하도록, 기본 변환기 (Tij) 와 복합 재료막 부분을 서브커팅하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 음향 프로브의 제조 공정
- 제 9 항에 있어서,상기 커팅 및 서브커팅 단계는 다이아몬드 톱으로 행해지는 것을 특징으로 하는 음향 프로브의 제조 공정
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 커팅 및 서브커팅 단계는 동시에 행해지는 것을 특징으로 하는 음향 프로브의 제조 공정.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 전기 회로는 음향 지지체의 표면 상에 놓여지고, 기본 압전 변환기를 정의하기 위한 커팅이 상기 음향 지지체로 바로 행해지는 것을 특징으로 하는 음향 프로브의 제조 공정.
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