KR20000073110A - Tsi 공정에 의한 초미세 패턴의 형성방법 - Google Patents
Tsi 공정에 의한 초미세 패턴의 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20000073110A KR20000073110A KR1019990016180A KR19990016180A KR20000073110A KR 20000073110 A KR20000073110 A KR 20000073110A KR 1019990016180 A KR1019990016180 A KR 1019990016180A KR 19990016180 A KR19990016180 A KR 19990016180A KR 20000073110 A KR20000073110 A KR 20000073110A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- seconds
- photoresist
- photoresist film
- gas
- pattern
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
본 발명은 TSI 공정에 의한 초미세 패턴의 형성방법에 관한 것으로, TSI 공정에 있어서 소프트 베이크, 프리실릴레이션 베이크(presilylation bake) 및 실릴레이션 과정의 온도와 시간을 결정하고, 적절한 실릴화제(silylation agent)를 선정하는 등, 초미세 패턴을 형성하기에 최적화된 본 발명의 TSI 공정을 이용하면 기존의 미세 패턴 형성 공정에 비하여 매우 효과적으로 4G DRAM 또는 16G DRAM 반도체 제조공정에 적용할 수 있는 초미세 패턴을 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 TSI 공정 (Top Surface Imaging Process)에 의한 초미세 패턴의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 TSI 공정에 있어서 소프트 베이크, 프리실릴레이션 베이크(presilylation bake) 및 실릴레이션 (silylation)과정의 온도와 시간을 결정하고, 적절한 실릴화제(silylation agent)를 선정하는 등, 각 공정의 조건을 조절함으로써 초미세 패턴을 형성하기에 최적화된 TSI 공정을 제공한다.
초미세 패턴을 형성할 때 예상되는 가장 큰 문제는 현상 공정시 패턴의 무너짐 현상이 발생할 수 있다는 점과 해상력이 부족하다는 점이다. 또한 100nm 이하의 초미세 회로를 사용한 4G DRAM 또는 16G DRAM 제조에 있어서, 패턴이 미세화됨에 따라 포토레지스트의 두께가 얇아져야 패턴 형성이 가능하다. 그러나 패턴의 두께가 얇아지면 에칭이 불가능해지므로, 포토레지스트가 가져야 할 필수조건은 에칭 내성이다. 그러나 이 에칭 내성의 극복은 사실상 매우 곤란하다. 아울러 ArF 또는 EUV 등과 같은 원자외선으로 패턴을 형성할 때에는, 광학계의 광에너지에 의해 패턴이 변형되는 문제가 있다. 따라서 적은 양의 광에너지에서도 패턴 형성이 가능한 고감도의 포토레지스트의 개발이 요구된다.
상기와 같은 문제점들을 극복할 수 있는 유일한 대안은, 실릴레이션 (silylation)을 이용한 TSI 공정이다. 그러나 TSI 공정을 사용하더라도 기존의 KrF 엑시머 레이저를 사용하여 4G 또는 16G DRAM 반도체 제조공정에 적용할 수 있는 초미세 패턴을 형성하는 것을 불가능하다. 따라서 ArF를 이용한 TSI용 포토레지스트를 이용하여야 0.10㎛ L/S 이하의 초미세 패턴을 형성할 수 있다.
현재, 전세계적으로 많은 연구진들이 일본 스미토모 (SUMITOMO)사의 ArF TSI용 포토레지스트 제품인 NTS-4를 이용하여 TSI 공정에 의한 초미세 패턴을 형성하기 위하여 연구 중이나, 제시되는 패턴의 형태는 실제 반도체 공정에 적용하기에 어려운 정도의 형태이다. 스미토모사가 제시한 사진 (도 1 참조)에서 보는 바와 같이 패턴의 갈라짐 현상이 완전하지 못하고, 밑부분에는 포토레지스트가 건식 현상 후임에도 불구하고 많은 부분 남아 있으며, 패턴의 윗 부분은 지나친 건식 현상에 의하여 많은 부분이 식각되었음을 알 수 있다. 따라서 이러한 패턴을 실제 반도체 공정에 적용하기에는 큰 문제가 있다.
이에 본 발명자들은 상기와 같은 문제점들을 해결하고자 연구를 계속하던 중, 4G DRAM 또는 16G DRAM의 초미세 패턴을 해상하기 위한 TSI 공정을 최적화함으로써 기존의 미세 패턴에 비하여 뛰어난 초미세 패턴을 얻을 수 있는 방법을 알아내어 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 TSI 공정에 의하여 4G DRAM 또는 16G DRAM에 적용 가능한 초미세 패턴을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 TSI 공정을 이용하여 얻어진 초미세 패턴이고,
(왼쪽 : 0.13㎛ 초미세 패턴 / 오른쪽 : 0.14㎛ 초미세 패턴)
도 2는 본 발명의 TSI 공정에 의한 초미세 패턴 형성과정을 나타낸 개략도이고,
도 3은 본 발명의 TSI 공정을 이용하여 얻어진 초미세 패턴이다.
(왼쪽 : 0.13㎛ 초미세 패턴 / 오른쪽 : 0.14㎛ 초미세 패턴)
< 도면의 주요부분에 대한 설명 >
1 : 마스크 2: 포토레지스트 층
3 : 피식각층
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 TSI 공정에 있어서,소프트 베이크, 프리실릴레이션 베이크 및 실릴레이션 과정의 온도와 시간을 결정하고, 적절한 실릴화제를 선정하는 등, 각 공정의 조건을 조절함으로써 초미세 패턴을 형성하기에 최적화된 TSI 공정을 제공한다.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에서는 우선 TSI 공정에 의하여 초미세 패턴을 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명의 TSI 공정에 의한 초미세 패턴의 형성방법은 ; 기판에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트막을 형성하고, 상기 포토레지스트막을 소프트 베이크한 후, 상기 포토레지스트막을 노광하고, 상기 포토레지스트막을 프리실릴레이션 베이크한 다음, 상기 포토레지스트막을 실릴화제로 실릴레이션 시키고, 이를 건식현상한 다음 오버 에칭함으로써 수행된다.
TSI 공정에서는 소프트 베이크와 프리실릴레이션 베이크의 최적 온도와 최적 시간을 선정하는 것이 일차적으로 중요하며, 실릴화제는 사용되는 포토레지스트와의 결합력에 적합하도록 선정하는 것이 바람직하다. 실릴화제로는 많은 실라잔 계통의 물질이 사용되는데 KrF 또는 ArF의 노광 조건에 가장 큰 흡수도를 보이는 벤젠 고리의 화학 구조, 예를 들어 폴리비닐페놀 등이 이들 실릴레이션 공정의 매트릭스 수지로 사용된다. 폴리비닐페놀과 같이 열적 안정성이 큰 수지는 테트라메틸 디실라잔과 같은 비교적 높은 증기압력을 가진 실릴화제가 사용되나 열적 안정성이 낮은 수지를 매트릭스 수지로 사용한 포토레지스트의 경우 디메틸 아민 디실라잔과 같은 비교적 낮은 온도에서 증기화가 일어나는 실릴화제를 사용하는 것이 바람직하다, 특히 본 발명에서 주로 사용한 테트라메틸 디실라잔은 높은 온도에서의 확산 속도가 매우 빠르고 짧은 시간의 실릴레이션 공정 중에서도 포토레지스트에 대한 충분한 실릴레이션을 시킬 수 있다는 큰 장점이 있다.
또한 실릴레이션의 온도와 시간은 공정 중에 형성되는 실릴레이션 층의 두께를 결정하는데, 이 층의 두께는 차후 공정인 건식 현상 공정의 조건을 결정하는데 중요한 역할을 한다. 이 때 건식 현상은 2단계로 나눌 수 있는데, 포토레지스트와 실릴화제의 화학적 결합에 의하여 형성된 실릴레이션층을 불소계, 염소계, 산소계 혼합가스의 최적 조건 분위기 하에서 건식 현상을 시키면(1단계) 노광 지역과 비노광 지역에 선택적으로 SiOx층이 형성되고, 이 SiOx층을 배리어 마스크 (barrier mask)로 산소계 또는 이산화탄소계 가스의 혼합가스를 이용하여 최적 조건에서 나머지 부분을 건식 현상 시킨 다음(2단계), 오버 에칭함으로써 초미세 패턴을 얻을 수 있다.
상기 최적의 TSI 공정을 이용한 본 발명의 초미세 패턴 형성방법은 하기와 같이 요약될 수 있다;
(a) 기판에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계;
(b) 상기 포토레지스트막을 70∼170℃의 온도에서 20∼300초 동안 소프트 베이크하는 단계;
(c) 상기 포토레지스트막을 노광하는 단계;
(d) 상기 포토레지스트막을 70∼170℃의 온도에서 30∼300초 동안 프리실릴레이션 베이크하는 단계;
(e) 상기 포토레지스트막을 실릴화제를 이용하여 70∼250℃의 온도에서 5∼400초 동안 실릴레이션시키는 단계;
(f) 불소계 또는 염소계 가스와 산소계 가스의 혼합 가스로 1∼100초 동안 건식 현상하여 실릴레이션된 층을 현상하는 단계;
(g) 산소계 또는 이산화탄소계 가스의 혼합가스로 10∼500초 동안 (f) 단계에서 현상되지 않은 나머지 부분을 건식 현상하는 단계; 및
(h) 상기 (g) 단계의 결과물을 10 내지 80% 오버 에칭하는 단계.
상기 과정에 있어서, 포토레지스트는 폴리비닐페놀계, 폴리이미드계, 폴리안하이드라이드계, 폴리노르보넨계, 폴리아미딘계 등의 단중합체 또는 공중합체와 디아조나프토퀴논 또는 멜라민(melamine)과 같은 가교제를 포함하는 KrF, ArF, EUV, E-빔 또는 X-레이용 포토레지스트인 것이 바람직하다.
또한 실릴레이션의 선택비를 높이기 위하여 가교제로서 멜라민을 사용하는 것이 바람직하며, 가교제는 포토레지스트에 대하여 0.5∼10 중량%의 양으로 포함될 수 있다.
또한 상기 공정에서 (c)의 노광 단계는 KrF, ArF, EUV, E-빔 및 X-레이로 이루어지는 군으로부터 선택되는 광원을 이용하여 수행될 수 있다.
또한 (e) 단계의 실릴화제는 헥사메틸 디실라잔, 테트라메틸 디실라잔, 비스디메틸아미노 디메틸실란, 비스디메틸아미노 메틸실란, 디메틸실릴 디메틸아민, 디메틸실릴 디에틸아민, 트리메틸실릴 디메틸아민, 트리메틸실릴 디에틸아민 및 디메틸아미노 펜타메틸디실란으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
실릴화제를 이용한 실릴레이션은 액상 또는 기상에서 수행될 수 있으며, 기상 상태에서 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
이하 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명한다. 단 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예 1. 본 발명의 TSI 공정에 따른 초미세 패턴의 형성
본 발명의 TSI 공정에 적용하기 위하여 일본 스미토모사의 폴리비닐 페놀을 메트릭스 수지로 사용한 포토레지스트 제품인 NTS-4 를 사용하였으며, 이러한 포토레지스트를 실리콘 웨이퍼에 스핀 도포하여 박막을 제조하고, 130℃에서 90초 동안 소프트 베이크를 시행한 후 130℃에서 90초 동안 프리실릴레이션 베이크를 시행하였다. 그 후 실릴화제로 테트라 메틸 디실라잔을 이용하여 170℃ 온도에서 150초 동안 실릴레이션을 실시하였다. 그런 다음 건식 공정의 첫단계로서 불소계 가스 와 산소를 1:5 의 비율로 혼합한 가스로 실릴레이션된 층을 현상하고, 두 번째 단계에서는 산소와 설퍼디옥사이드 3:1의 혼합가스로 나머지 부분을 현상한 후 오버 에칭시킴으로써 초미세 패턴을 얻었다. 도 3은 본 실시예에서 얻어진 0.13㎛ 및 0.14㎛의 초미세 패턴이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 기존에 일본 스미토모사의 NTS-4 ArF TSI용 포토레지스트를 이용하여 얻어진 패턴의 형태 (도 1 참조)는 실제 반도체 공정에 이용할 수 없는데 반하여, 본 발명에 따라 최적화된 TSI 공정에 의해 제조된 초미세 패턴 (도 3 참조)은 4G 또는 16G DRAM의 반도체 제조 공정에 유용하게 이용될 수 있다.
Claims (7)
- (a) 기판에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계;(b) 상기 포토레지스트막을 70∼170℃의 온도에서 20∼300초 동안 소프트 베이크하는 단계;(c) 상기 포토레지스트막을 노광하는 단계;(d) 상기 포토레지스트막을 70∼170℃의 온도에서 30∼300초 동안 프리실릴레이션 베이크 (presilylation bake)하는 단계;(e) 상기 포토레지스트막을 실릴화제 (silylation agent)를 이용하여 70∼250℃의 온도에서 5∼400초 동안 실릴레이션 (silylation)시키는 단계;(f) 불소계 또는 염소계 가스와 산소계 가스의 혼합 가스로 1∼100초 동안 건식현상하여 실릴레이션된 층을 현상하는 단계;(g) 산소계 또는 이산화탄소계 가스의 혼합가스로 10∼500초 동안 (f) 단계에서 현상되지 않은 나머지 부분을 건식현상하는 단계; 및(h) 상기 (g) 단계의 결과물을 10 내지 80% 오버 에칭하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 TSI (Top Surface Imaging) 공정에 의한 초미세 패턴의 형성방법.
- 제 1항에 있어서,상기 포토레지스트는 폴리비닐페놀계, 폴리이미드계, 폴리안하이드라이드계, 폴리노르보넨계 및 폴리아미딘계로 이루어진 군에서 선택되는 단중합체 또는 공중합체와 가교제를 포함하는 KrF, ArF, EUV, E-빔 또는 X-레이용 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2항에 있어서,가교제는 멜라민(melamine) 또는 디아조나프토퀴논인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 2항 또는 제 3항에 있어서,가교제는 포토레지스트에 대하여 0.5∼10 중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서,(c) 단계는 KrF, ArF, EUV, E-빔 및 X-레이로 이루어지는 군으로부터 선택되는 광원을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서,(e) 단계의 실릴화제는 헥사메틸 디실라잔, 테트라메틸 디실라잔, 비스디메틸아미노 디메틸실란, 비스디메틸아미노 메틸실란, 디메틸실릴 디메틸아민, 디메틸실릴 디에틸아민, 트리메틸실릴 디메틸아민, 트리메틸실릴 디에틸아민 및 디메틸아미노 펜타메틸디실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서,실릴화제를 이용한 실릴레이션은 액상 또는 기상에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-1999-0016180A KR100520669B1 (ko) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | Tsi 공정에 의한 초미세 패턴의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-1999-0016180A KR100520669B1 (ko) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | Tsi 공정에 의한 초미세 패턴의 형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000073110A true KR20000073110A (ko) | 2000-12-05 |
KR100520669B1 KR100520669B1 (ko) | 2005-10-10 |
Family
ID=19583970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-1999-0016180A KR100520669B1 (ko) | 1999-05-06 | 1999-05-06 | Tsi 공정에 의한 초미세 패턴의 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100520669B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101128901B1 (ko) * | 2008-01-28 | 2012-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | Tsi 및 이중 패터닝 공정을 이용한 패턴 형성방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0319310A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Nec Corp | レジストパターン形成方法 |
KR960010727B1 (ko) * | 1993-06-03 | 1996-08-07 | 현대전자산업 주식회사 | 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법 |
KR100269165B1 (ko) * | 1993-08-26 | 2000-10-16 | 윤종용 | 광픽업의대물렌즈구동부지지장치 |
KR0134649B1 (ko) * | 1994-06-09 | 1998-04-20 | 김광호 | 캐패시터를 구비한 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
JP2658966B2 (ja) * | 1995-04-20 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | フォトマスク及びその製造方法 |
KR0147492B1 (ko) * | 1995-11-24 | 1998-08-01 | 김주용 | 미세패턴 형성을 위한 레지스트 패턴 형성 방법 |
JP3637725B2 (ja) * | 1997-04-16 | 2005-04-13 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR19980084124A (ko) * | 1997-05-21 | 1998-12-05 | 김영환 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
-
1999
- 1999-05-06 KR KR10-1999-0016180A patent/KR100520669B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101128901B1 (ko) * | 2008-01-28 | 2012-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | Tsi 및 이중 패터닝 공정을 이용한 패턴 형성방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100520669B1 (ko) | 2005-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8658532B2 (en) | Method and material for forming a double exposure lithography pattern | |
US7759253B2 (en) | Method and material for forming a double exposure lithography pattern | |
US7527918B2 (en) | Pattern forming method and method for manufacturing a semiconductor device | |
JP2951504B2 (ja) | シリル化平坦化レジスト及び平坦化方法並びに集積回路デバイスの製造方法 | |
JP2003051443A (ja) | 半導体素子の微細パターン形成方法 | |
US20080063976A1 (en) | Photoresist Composition and Method Of Forming A Resist Pattern | |
JP2004530922A (ja) | サブリソグラフィフォトレジストフィーチャーを形成するプロセス | |
US6764808B2 (en) | Self-aligned pattern formation using wavelenghts | |
JPH0778758A (ja) | エッチング中の線幅制御を含む集積回路の作製方法 | |
US6833326B2 (en) | Method for forming fine patterns in semiconductor device | |
US7335455B2 (en) | Method of forming an underlayer of a bi-layer resist film and method of fabricating a semiconductor device using the same | |
KR100520669B1 (ko) | Tsi 공정에 의한 초미세 패턴의 형성방법 | |
US7807336B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP2674589B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
US7816070B2 (en) | Substrate used for immersion lithography process, method of manufacturing substrate used for immersion lithography process, and immersion lithography | |
CN108231550B (zh) | 半导体装置的制作方法 | |
US7157215B2 (en) | Photoresist with adjustable polarized light reaction and photolithography process using the photoresist | |
JPH03283418A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP2005114973A (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
JP2009109768A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
TW505978B (en) | Residue-free bi-layer lithographic process | |
US6989227B2 (en) | E-beam curable resist and process for e-beam curing the resist | |
KR960002764B1 (ko) | 고해상도의 미세패턴 형성방법 | |
US20030073039A1 (en) | Method of forming a patterned photoresist with a non-distorted profile | |
KR20050086992A (ko) | Cd 균일성을 향상시키기 위한 노광 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100825 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |