KR20000062915A - 리브 형성용 절연 페이스트 조성물 및 리브 패턴의 형성방법 - Google Patents

리브 형성용 절연 페이스트 조성물 및 리브 패턴의 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 리브 형성용 절연 페이스트 조성물은 절연재, 유기 결합제, 광 흡수 물질 및 유기 용매를 포함한다. 본 발명의 조성물로 이루어진 절연층을 석판 인쇄로 형성된 수지 패턴 마스크를 사용하여 샌드블래스팅(sandblasting)하여 리브 패턴을 형성시킨다. 본 발명의 조성물은 단면 윤곽 및 치수 정밀성이 우수한 리브 패턴을 제공할 수 있는 반사 방지 절연층을 형성시킨다.

Description

리브 형성용 절연 페이스트 조성물 및 리브 패턴의 형성방법 {Insulating paste composition for rib formation and method of rib pattern formation}
본 발명은 각종 전자 표시장치의 제조에 있어서의 리브(rib) 형성용 절연 페이스트 조성물 및 이를 사용하는 리브의 형성방법에 관한 것이다. 보다 특히, 치수 정밀성 및 단면 윤곽이 우수한 리브 패턴(rib pattern)을 형성할 수 있는 절연 페이스트 조성물 및 이를 사용하는 리브 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
각종 전자 표시장치(예: 반도체 또는 액정 표시장치 및 플라즈마 표시 패널)의 제조는 일반적으로 전극들 또는 셀 격벽들 사이에 스페이서를 제공하기 위한 기판 위에의 리브 형성을 포함한다. 리브는, 예를 들면, 절연재, 유기 결합제 및 유기 용매를 포함하는 절연 페이스트 조성물을 스크린 인쇄에 의하거나 리브 패턴을 형성시키기 위한 롤 피복기를 사용하여 기판에 직접 도포함을 포함하는 방법에 의해 형성되거나, 절연 페이스트 조성물로 이루어진 미가공 시이트를 형성하고 미가공 시이트를 기판 위로 운반함을 포함하는 방법에 의해 형성된다. 그러나, 통상적인 리브 형성 방법은 복잡한 단계를 포함하며 정밀성이 높은 직사각형 단면 윤곽을 갖는 우수한 리브 패턴을 형성하기가 매우 어렵다. 또한, 이러한 방법은 미세한 라인 패턴을 형성하기에는 적합하지 못하며, 최신의 미세 가공 기술로 대처할 수도 없다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 절연 페이스트 조성물을 목적하는 두께로 기판에 도포시키고, 기판 위에 감광성 수지로 이루어진 패턴 마스크를 형성시키며, 샌드블래스팅(sandblasting)에 의해 보호 마스크로서의 절연 페이스트 조성물 층의 노출 부위를 제거함을 포함하는 석판 인쇄술이 제안되어 왔다. 공지된 석판 인쇄술과 관련된 문제는, 절연 페이스트 조성물이 높은 반사율을 갖는 경우, 감광성 수지 패턴 형성시에 절연 페이스트 조성물의 광 반사에 의해 석판 인쇄로 형성된 패턴 마스크의 치수 정밀성이 악영향을 받는다는 것이다. 석판 인쇄술로 형성된 리브는 치수 정밀성이 낮을 뿐만 아니라 단면 윤곽도 불량한데, 이는 화상 명도를 향상시키기 위해 화이트 리브를 형성시키는 플라즈마 표시 패널(이후로는 "PDP"라고 함)의 제조시에 특히 문제가 되며, 충분히 실용적인 PDP의 제조를 어렵게 한다.
따라서, 높은 반사율을 갖는 절연재를 함유하는 절연 페이스트 조성물을 사용하더라도 윤곽이 선명하고 치수 정밀성이 우수한 리브 패턴이 형성될 수 있는 PDP의 제조방법의 개발이 요구되고 있다.
위에서 언급한 환경하에서, 본 발명자들은 광범위한 연구를 수행하였으며, 이 결과 광 흡수 물질을 함유하는 절연 페이스트 조성물이 반사율이 높은 절연재를 포함하더라도 윤곽 및 치수 정밀성이 우수한 리브 패턴을 제공한다는 것을 밝혀내었다.
본 발명의 목적은 단면 윤곽 및 치수 정밀성이 우수한 리브 패턴을 형성하는 절연 페이스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 단면 윤곽 및 치수 정밀성이 우수한 리브 패턴을 형성하는 편리한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 절연재, 유기 결합제, 광 흡수 물질 및 유기 용매를 포함하는 리브 형성용 절연 페이스트 조성물을 제공한다. 또한, 본 발명은 절연 페이스트 조성물을 사용함을 포함하는 리브의 형성방법을 제공한다.
본 발명의 리브 형성 절연 페이스트 조성물은, 당해 조성물 위에 제공된 감광성 수지 층에 활성 광선을 조사하는 경우에 당해 조성물 표면으로부터의 불규칙 반사를 막는 리브 형성 층을 형성한다. 결과적으로, 감광성 수지 층은 직사각형 단면 윤곽을 갖는 수지 패턴을 형성시킨다. 형성된 수지 패턴을 마스크로서 사용하여 리브 형성 층을 샌드블래스팅해서, 단면 윤곽 및 치수 정밀성이 우수한 리브 패턴을 제공한다. 본 발명의 조성물은 높은 반사율을 갖는 화이트 리브 패턴의 형성시 특히 효과적이다. 리브 패턴의 소성에 의해, 선명하고 정밀성이 높은 리브를 제공한다.
본 발명의 리브 형성 방법에 따라, 리브 패턴을 낮은 생산비로 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명에서 사용될 수 있는 절연재는 무기 물질(예: Al2O3, PbO, B2O3, SiO2, ZnO, MgO 및 SnO2)로 구성된다. 특히, 리브 형성이 PDP의 제조에서와 같은 소성 단계를 포함하는 경우에 있어서 상기 무기 물질과 혼합되어 소성시에 결합제로서 작용하는 저융점 유리 분말을 사용하는 것이 바람직하다. 저융점 유리 분말은 저융점 납 유리 및 저 융점 아연 유리를 포함하며, 이의 연화점 범위는 대략 350 내지 600℃이다. 알루미나 분말과 저융점 납 유리 분말과의 혼합물이 특히 바람직한 절연재이다.
유기 결합제 및 유기 용매는 절연재를 필름 성형 특성을 갖는 페이스트 형태로 제조하는 데 사용된다. 절연재에 대해 불활성이며 소성시에 연소되는 한, 어떠한 유기 결합제 및 용매라도 사용될 수 있다. 적합한 유기 결합제의 예는 셀룰로즈계 중합체(예: 니트로셀룰로즈, 아세틸 셀룰로즈, 에틸 셀룰로즈, 카복시메틸 셀룰로즈, 하이드록시에틸 셀룰로즈, 하이드록시프로필 셀룰로즈, 메틸 셀룰로즈, 에틸하이드록시셀룰로즈 및 카복시메틸에틸 셀룰로즈), 천연 고무, 폴리부타디엔, 클로로프렌 고무, 아크릴 고무 및 이소프렌 합성 고무, 천연 고중합체(예: 폐환 고무) 및 합성 중합체(예: 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸 아크릴레이트, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리비닐 알콜, 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 아세테이트, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리비닐 클로라이드, 폴리아민 및 폴리우레탄)이다. 이러한 중합체는 독립적으로 또는 혼합하여 사용되거나 공중합체 형태로 사용될 수 있다.
유기 용매는 선택된 유기 결합제를 균질하게 용해시키거나 분산시킬 수 있는 용매들로부터 선택된다. 유용한 용매의 예는 탄화수소(예: 톨루엔 및 크실렌), 알콜(예: 메탄올, 에탄올, 2-프로판올 및 α-테르피네올), 케톤(예: 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 사이클로헥사논 및 이소포론), 에스테르(예: 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트 및 부틸 아세테이트), 에틸렌 글리콜 에테르(예: 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 및 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트) 및 디에틸렌 글리콜 에테르(예: 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 및 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트)이다. 이러한 용매는 독립적으로 사용되거나 두 가지 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다.
절연 페이스트 조성물에 혼입될 수 있는 광 흡수 물질은 패턴 마스크를 형성하는 감광성 수지 조성물을 노출시키는 데 사용되는 광을 흡수하는 염료를 포함하며, 감광성 수지 조성물 중의 감광성 성분의 민감한 파장 영역에 속하는 광은 형성된 절연 페이스트 조성물 층의 표면에서의 정상파 또는 불규칙 반사의 발생을 방지하며 PDP의 형광 특성에 대해 악영향을 끼치지 않는다. 이러한 요건을 만족시키는 염료는 벤조페논 염료, 아조 염료, 폴리엔 염료, 퀴놀린 염료, 아미노케톤 염료, 안트라퀴논 염료, 벤조트리아졸 염료 및 시아노아크릴레이트 염료를 포함한다. 적합한 염료의 특정한 예는 크리스탈 바이올렛[Crystal Violet: 바스프(BASF)에서 제조한 벤조페논 염료], 오일 옐로우 105[Oil Yellow 105: 오리엔트 가가쿠 고교 가부시키가이샤(Orient Kagaku Kogyo K.K.)가 제조한 아조 염료], 디아레신 레드 지[Diaresin Red G: 미쓰비시 고교 가부시키가이샤(Mitubishi Chemical Corporation)가 제조한 안트라퀴논 염료], 라틸 옐로우 3지[Latyl Yellow 3G: 이. 아이. 듀 퐁(E.I. de Pont)이 제조한 퀴놀린 염료] 및 두라놀 브릴리언트 오렌지 티지[Duranol Brilliant Orange TG: 아이씨아이(ICI)가 제조한 아미노케톤 염료]이다. 이러한 염료는 독립적으로 사용되거나 두 가지 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다.
본 발명의 절연 페이스트 조성물은, 경우에 따라, 가소제를 함유할 수 있다.
절연 페이스트 조성물의 바람직한 제형은 절연재 50 내지 95중량%, 유기 결합제 0.5 내지 15중량%, 광 흡수 물질 0.1 내지 15중량%, 유기 용매 1 내지 50중량% 및 가소제 0 내지 15중량%를 포함한다. 광 흡수 물질의 양이 0.1% 미만인 경우, 반사 억제 효과가 실질적이지 못하다. 15%를 초과하는 경우, 너무 많은 빛이 흡수되어 만족할 만한 패턴을 형성하기가 어렵다.
본 발명의 절연 페이스트 조성물을 사용하는 리브 형성은, 예를 들면, 다음과 같이 수행될 수 있다.
페이스트형 조성물을 기판(예: 유리판)에 도포시키고, 건조시켜 리브 형성 층을 형성시킨다. 리브 형성 층을 감광성 수지 조성물(이후 상세히 설명함)로 피복시키고, 건조시켜 감광성 수지 층을 형성시킨다. 감광성 수지 층은 가요성 지지 필름과 박리 필름과의 사이에 감광성 수지를 갖는 무수 필름을 형성시키고, 박리 필름을 제거한 다음, 무수 필름을 압축시켜 리브 형성 층 위에 부착시킴으로써 형성될 수 있다. 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통하여 감광성 수지 층에 활성 광선을 조사하고 감광성 수지 층을 현상하여 수지 패턴을 형성시킨다. 노출 부위의 리브 형성 층을 샌드블래스팅에 의해 에칭한다. 수산화나트륨, 수산화칼륨, 과요오드산, 과요오드산나트륨, 유기 알칼리 등을 함유하는 제거제를 사용하여 수지 패턴을 제거함으로써, 기판 위에 리브 패턴을 형성시킨다. PDP의 제조시, 이렇게 하여 제조한 리브 패턴은 500℃ 이상에서 소성되는 것이 바람직하다. 샌드블래스팅에 사용되는 연마재는 입자 크기가 약 1 내지 500㎛인 유리 비드, SiC, SiO2, Al2O3, ZrO2, 유기 플라스틱 등의 미립자를 포함한다.
수지 패턴 형성에 사용될 수 있는 감광성 수지 조성물은 소성에 의해 또는 제거제를 사용하여 용이하게 제거될 수 있는 한 특별히 제한되지는 않는다. 예를 들면, JP-A 제9-127692호(본 명세서에서 사용되는 "JP-A"라는 용어는 일본 미심사 공개특허공보를 의미한다)에 기재되어 있는, 2개 이상의 아크릴로일 그룹 또는 메타크릴로일 그룹을 갖는 광중합성 우레탄 (메트)아크릴레이트 화합물, 알칼리 가용성 중합체 및 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물이 바람직하다. 2개 이상의 아크릴로일 그룹 또는 메타크릴로일 그룹을 갖는 광중합성 우레탄 (메트)아크릴레이트 화합물은 이소시아네이트 말단화 화합물(디올 화합물과 디이소시아네이트 화합물과의 반응에 의해 수득할 수 있음)과 하이드록실 그룹을 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물과의 반응에 의해 수득한 반응 생성물을 포함한다. 특히, 1분자당 우레탄 결합이 3개 이상인 우레탄 아크릴레이트가 바람직하다. 알칼리 가용성 중합체는 아크릴산 수지, 메타크릴산 수지, 아크릴산 또는 메타크릴산 공중합체 및 알칼리 가용성 셀룰로즈 수지(예: 카복시메틸 셀룰로즈 및 셀룰로즈 아세테이트 프탈레이트)를 포함한다. 아크릴산 또는 메타크릴산 공중합체의 공단량체는 푸마르산, 말레산, 크로톤산, 신남산, 메틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 부틸 아크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 이소부틸 아크릴레이트, 이소부틸 메타크릴레이트, 모노메틸 푸마레이트, 모노에틸 푸마레이트, 모노프로필 푸마레이트, 모노메틸 말레에이트, 모노에틸 말레에이트, 모노프로필 말레에이트 및 소르브산을 포함한다. 셀룰로즈의 부분 아세트산 에스테르와 디카복실산 또는 트리카복실산(예: 석신산, 아디프산 또는 트리멜리트산)과의 반응으로 수득한 셀룰로즈 화합물이 또한 바람직하다.
광중합 개시제는 벤조페논 및 이의 유도체[예: 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 및 3,3-디메틸-4-메톡시벤조페논], 안트라퀴논 및 이의 유도체(예: 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 3급 부틸안트라퀴논 및 1-클로로안트라퀴논), 벤조인 및 이의 알킬 에테르(예: 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르 및 벤조인 프로필 에테르), 아세토페논 및 이의 유도체{예: 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-하이드록시-2-메틸프로피오페논, 4'-이소프로필-2-하이드록시-2-메틸프로피오페논 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판올}, 티오크산톤 유도체(예: 2-클로로티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤 및 디이소프로필티오크산톤), 벤질, 2,4,6-(트리할로메틸)-s-트리아진, 2-(ο-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸릴 이량체, 9-페닐아크리딘, 1,7-비스(9-아크리디닐)헵탄, 1,5-비스(9-아크리디닐)펜탄, 1,3-비스(9-아크리디닐)프로판, 디메틸벤질 케탈, 트리메틸벤조일디페닐포스핀 옥사이드, 트리브로모메틸페닐 설폰, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등을 포함한다. 이러한 광중합 개시제는 독립적으로 사용되거나 두 가지 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다.
바람직한 감광성 수지 조성물은 2개 이상의 아크릴로일 그룹 또는 메타크릴로일 그룹을 갖는 광중합성 우레탄 (메트)아크릴레이트 화합물 50 내지 90중량%(전체 조성물을 기준으로 함), 알칼리 가용성 중합체 5 내지 50중량%(전체 조성물을 기준으로 함), 광중합 개시제 0.1 내지 20중량%[우레탄 (메트)아크릴레이트 및 알칼리 가용성 중합체의 총량을 기준으로 함]를 포함한다.
다음 실시예를 참고로 본 발명을 보다 상세히 설명하지만, 본 발명이 이로써 제한받는 것으로 간주되어서는 않된다. 달리 언급하지 않는 한, 모든 부와 퍼센트는 중량부 및 중량%이다.
실시예 1
PbO, 에틸 셀룰로즈 2중량부, 디부틸 프탈레이트(가소제) 5중량부, α-테르피네올 20중량부 및 오일 옐로우 105(오리엔트 가가쿠 고교 가부시키가이샤로부터 구입 가능한 아조 염료) 5중량부를 함유하는 저융점 투명 유리 프릿(frit) 100중량부로부터 3롤 밀(three-roll mill)로 혼련시켜 리브 형성 절연 페이스트 조성물을 제조한다.
절연 페이스트 조성물을 스크린 인쇄에 의해 소다 유리판에 도포시키고, 건조시켜 두께가 150㎛인 리브 형성 층을 형성시킨다. 리브 형성 층에 감광성 수지 조성물로 이루어진 무수 필름 내식막, 즉 도교 오카 고교 캄파니 리미티드(Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)가 제공하는 ORDYL BF-703을 적층한다. 감광성 수지 필름을 시험 마스크를 통하여 3.5W의 초고압 수은등으로부터의 200mJ/㎠의 강도의 빛에 노출시키고, 0.2% 탄산나트륨 수용액을 사용하여 분무 현상시켜 경화된 수지 패턴을 제공한다. 수지 패턴은 시험 마스크와의 치수 차이가 0.2㎛로서 작은 치수 차이를 나타내며 선명도가 높고 치수 정밀성이 우수한 직사각형 단면 윤곽을 갖는다.
이렇게 하여 노출된 리브 형성 층을 유리 비드 #800[도시바 발리오티니 캄파니 리미티드(Toshiba Baliotini Co., Ltd.)로부터 구입 가능함]을 사용하는 샌드블래스팅에 의해 에칭하여 시험 마스크 패턴에 충실한 치수 정밀성이 우수하고 직사각형 단면 윤곽을 갖는 리브 패턴을 형성시킨다. 이러한 기판을 12% 모노에탄올아민 수용액에 침지시켜 수지 층을 제거하고, 520℃에서 소성시킨다. 생성된 기판은 연소 잔류물을 갖지 않으며, 리브 패턴은 치수 정밀성이 우수하고 윤곽이 뛰어나다.
실시예 2
오일 옐로우 105를 씨. 아이. 애시드 블랙 123[C.I. Acid Black: 석시네이트 염료, 오리엔트 가가쿠 고교 가부시키가이샤로부터 구입 가능]로 대체하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 리브 형성 절연 페이스트 조성물을 제조한다. 생성된 페이스트 조성물에 소다 유리를 도포하고, 실시예 1과 동일한 방식으로 건조시켜 리브 형성 층을 형성시키고, 실시예 1과 동일한 방식으로 리브 형성 층 위에 수지 패턴 마스크를 형성시킨다. 수지 패턴 마스크는 시험 마스크와의 치수 차이가 0.3㎛이고 선명도가 높고 치수 정밀성이 우수한 직사각형 단면 윤곽을 갖는다.
이렇게 하여 노출된 리브 형성 층을 샌트블래스팅에 의해 에칭하고, 수지 층을 제거한 다음, 기판을 실시예 1과 동일한 방식으로 520℃에서 소성시킨다. 생성된 기판은 연소 잔류물을 갖지 않으며, 리브 패턴은 치수 정밀성이 우수하고 윤곽이 뛰어나다.
비교실시예 1
리브 형성 절연 페이스트 조성물로부터 오일 옐로우 105를 생략하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 수지 패턴을 형성시킨다. 생성된 수지 패턴은 시험 마스크와의 치수 차이가 0.51㎛이며 선명도가 불량하다.
특정한 예를 언급하여 본 발명을 상세하게 설명했지만, 본 발명의 취지 및 범위에서 벗어나지 않는 한, 다양한 변화와 변형이 가능함은 당해 분야의 숙련가에게는 명백할 것이다.
본 발명에 따라, 절연 페이스트 조성물에 광 흡수 물질을 함유시킴으로써, 절연 페이스트 조성물이 반사율이 높은 절연재를 함유하는 경우라도 단면 윤곽 및 치수 정밀성이 우수한 리브 패턴을 형성시킬 수 있다.

Claims (10)

  1. 절연재, 유기 결합제, 광 흡수 물질 및 유기 용매를 포함하는, 리브 형성용 절연 페이스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 절연재 50 내지 95중량%, 유기 결합제 0.5 내지 15중량%, 광 흡수 물질 0.1 내지 15중량% 및 유기 용매 1 내지 50중량%를 포함하는, 리브 형성용 절연 페이스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 광 흡수 물질이 벤조페논 염료, 아조 염료, 폴리엔 염료, 퀴놀린 염료, 아미노케톤 염료, 안트라퀴논 염료, 벤조트리아졸 염료 및 시아노아크릴레이트 염료로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질인, 리브 형성용 절연 페이스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 절연재가 Al2O3, PbO, B2O3, SiO2, ZnO, MgO 및 SnO2로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질인, 리브 형성용 절연 페이스트 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 절연재가, 연화점이 대략 350 내지 600℃인 저융점 유리 분말을 추가로 포함하는, 리브 형성용 절연 페이스트 조성물.
  6. 절연재, 유기 결합제, 광 흡수 물질 및 유기 용매를 포함하는 절연 페이스트 조성물을 사용하여 기판을 피복시키는 단계,
    페이스트 조성물을 건조시켜 리브 형성 절연층을 형성시키는 단계,
    형성된 리브 형성 절연층 위에 감광성 수지 조성물을 사용하여 수지 패턴을 형성시키는 단계 및
    형성된 수지 패턴을 마스크로서 사용하여 절연층을 샌드블래스팅해서 에칭시키는 단계를 포함하는, 리브 패턴의 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 절연 페이스트 조성물이 절연재 50 내지 95중량%, 유기 결합제 0.5 내지 15중량%, 광 흡수 물질 0.1 내지 15중량% 및 유기 용매 1 내지 50중량%를 포함하는, 리브 패턴의 형성방법.
  8. 제6항에 있어서, 광 흡수 물질이 벤조페논 염료, 아조 염료, 폴리엔 염료, 퀴놀린 염료, 아미노케톤 염료, 안트라퀴논 염료, 벤조트리아졸 염료 및 시아노아크릴레이트 염료로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 물질인, 리브 패턴의 형성방법.
  9. 제6항에 있어서, 절연재가 Al2O3, PbO, B2O3, SiO2, ZnO, MgO 및 SnO2로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 재료인, 리브 패턴의 형성방법.
  10. 제9항에 있어서, 절연재가, 연화점이 대략 350 내지 600℃인 저융점 유리 분말을 추가로 포함하는, 리브 패턴의 형성방법.
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