KR20000058029A - 연마방법 및 연마액 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 매입 배선이나 플러그 등을 형성할 때의 CMP 공정에서 부식이나 디싱의 발생을 방지하는 것을 목적으로 하고 있다. 실리콘 기판(1)상에 형성된 실리콘 산화막(3)에 오목부(dents)를 형성하고, 배리어 금속막(4) 및 구리 도금막(5)을 순서대로 형성한다. 그 후 CMP 연마에 의해 평탄화를 실행한다. 일정시간 연마를 하여 배리어 금속막(4)이 노출된 시점에서 플루오르화 수소산 함유액을 공급한다. 플루오르화 수소산 함유액으로서는 완충 플루오르화 수소산(buffered hydrofluoric acid)을 사용한다.
Description
본 발명은 매입 배선이나 스루 홀을 갖춘 반도체 장치의 제조 프로세스의 중간 단계에서 사용되는 웨이퍼 표면을 평탄화하는 화학기계적연마(CMP; Chemical Mechanical Polishing)방법 및 상기 CMP에 사용되는 연마액에 관한 것이다.
다층 배선을 갖는 반도체 집적회로 장치에서, 기판상에 하층 배선을 형성하고 상기 하층 배선상에 절연막을 형성하고 상기 절연막에는 하층 배선과 상층 배선 사이의 접속을 하기 위해서 접속 구멍을 형성한 후 절연막상에 금속막을 퇴적시키고 상기 금속막을 리소그래피 공정과 에칭 공정에 의해 패턴화함으로서 상층 배선을 형성한다. 그 때, 하층 배선이 존재하므로 절연막의 표면은 요철을 갖고 있어서 그 상태로 상층 배선을 형성하면 여러가지의 폐해가 생긴다. 즉, 상층 배선 형성을 위한 리소그래피 공정을 요철금속막에 대해 행해야 하기 때문에 미세한 패턴을 형성하는 것이 어렵게 된다. 또한, 절연막에 리크가 발생할 우려가 있거나 상층 배선의 절단과 같은 불량이 생기는 일이 있다. 그 때문에 상층 배선을 형성하는 하지가 되는 절연막 표면은 가능한 한 평탄화되는 것이 바람직하다.
그와 같은 평탄화기술의 하나로서 화학적기계적연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP)가 널리 이용되고 있다. 이하, CMP를 쓴 종래의 매입 배선의 형성방법에 관해서 도 4를 참조하여 설명한다.
우선 도 4(a)에 도시하는 바와 같이, 실리콘 기판(1)상에 실리콘 질화막(2)(막 두께 100nm) 및 실리콘 산화막(3)(막 두께 1000nm)을 순서대로 형성하고, 그 후 실리콘 산화막(3)중에 실리콘 질화막(2)에 도달하는 복수의 홀을 드라이에칭에 의해 형성한다.
다음에 도 4(b)에 도시하는 바와 같이, 전면에 Ta 및 TaN으로 이루어지는 배리어 금속막(4)을 스퍼터링법에 의해 퇴적한다. 막 두께는 20nm로 한다. 계속해서 상기 금속막(4)상에 구리도금을 성장시키기 위한 구리로 이루어지는 시딩 금속막을 스퍼터링법에 의해 퇴적시킨다(도시 않함). 계속해서 기판을 액온 약 25℃의 황산구리 수용액에 침지하고 구리 도금막(5)을 전해도금법에 의해 형성한다. 구리 도금막(5)의 막 두께는 평탄부에서 900nm 정도로 한다. 상기 상태를 도 4(b)에 도시한다.
이상과 같이 하여 도금을 시행한 기판에 대해서, 300℃로 30분정도, 어닐링을 한다. 이에 의해 구리의 그레인 사이즈가 크게 되어 저항치가 저하된다.
다음에 CMP에 의해 구리 도금막(5)을 연마하여 기판 표면을 평탄화한다. CMP는 보통 도 5에 도시하는 바와 같은 연마장치를 써서 한다. 도면 중에서 웨이퍼(10)이라 함은 상술한 바와 같이 하여 기판(1) 표면에 성막이 이루어진 것을 말한다. 웨이퍼(10)는 웨이퍼 캐리어(11)의 하면에 설치된다. 웨이퍼(10)의 성막면을 연마 패드(12)에 접촉시키면서 웨이퍼 캐리어(11)와 연마 패드(12)의 양쪽을 일정속도로 회전시킨다. 웨이퍼(10)와 연마 패드(12)의 사이에는 펌프(15)에 의해 공급구(13)로부터 연마액(14)이 공급된다.
연마액(14)으로서는 일반적으로 알루미나 입자나 실리카 입자등의 연마재를 분산시킨 슬러리가 사용된다. 보통, 연마의 진행에 따라 금속 연마용 슬러리와 절연막 연마용 슬러리가 병용된다. 금속막과 절연막의 연마속도가 크게 다르기 때문에 노출면의 종류에 응해서 연마액의 종류를 변경하지 않으면 소요의 평탄성을 얻기가 어렵기 때문이다. 예를들면, 도 4(b)의 단계에서는 금속연마용 슬러리가 쓰이고 도 4(c) 내지 (d)의 단계에서는 절연막 연마용 슬러리가 쓰인다.
연마액(14)의 선택에 관해서는 종래부터 여러가지가 제안되고 있고, 특개평8-124886호 공보에는 처음엔 금속성 연마액으로 하고 그 후 중성 연마액으로 하고 최후에 절연막용 알칼리성 연마액으로 바꾸는 방법이 개시되어 있다. 또한 특개평8-139060호 공보에는 산성 연마액을 써서 금속막을 연마한 후 알칼리성 연마액을 써서 절연막을 연마하는 방법이 나타나 있다. 이와 같이 웨이퍼의 표면 상태에 따라서 연마액의 종류를 적당히 선택함으로서 간략한 프로세스에 의해 평탄화를 하는 것이 가능해진다.
그 후, 일정시간 연마를 계속하여 도 4(d)에 도시하는 상태로 하여 매입 배선을 완성한다.
그러나, 상기 종래 기술은 이하의 문제를 갖고 있다.
제1의 문제점은 금속 매입부에서 디싱이 발생한다는 점이다. 도 4(c)의 CMP 공정에서는 실리콘 산화막(3)상의 배리어 금속막(4)이 잔존하지 않도록 연마시간을 충분히 취할 필요가 있다. 여기서, 배리어 금속막(4)과 비교하여 구리 도금막(5)의 연마속도는 대단히 크고 예를들면 배리어 금속막으로서 일반적으로 사용되는 Ta 계 금속과 비교하면 구리의 CMP 연마속도는 보통 30배 이상이 된다. 이 때문에 도 4(c)와 같이 배리어 금속막(4)이 노출된 후의 공정에서 구리 도금막(5)의 연마가 배리어 금속막(4)의 연마보다도 과잉으로 진행되어 도 7과 같이 금속막(3) 중앙부가 우묵한 형상이 된다. 이 현상을 디싱(Dishing)이라 한다. 절연막(3)상의 배리어 금속막(4)은 거의 완전히 제거하지 않으면 안되기 때문에 일정정도의 오버 연마를 할 필요가 있기 때문에 보통 일정한 정도의 디싱이 생기게 된다. 이러한 구리층의 디싱이 생기면 국소적으로 저항이 증가한다는 문제점이 발생한다. 또한, 일렉트로마이그레이션을 야기하고 소자의 신뢰성을 손상하는 경우도 있다.
제2의 문제점은 부식이 발생한다는 점이다. 상술한 바와 같이 도 4(c)의 CMP 공정에서는 일정한 오버연마 시간을 취할 필요가 있다. 여기서 배리어 금속막(4)이나 실리콘 산화막(3)과 비교하여 구리 도금막(5)의 연마속도는 대단히 크고 구리 도금막의 연마가 더욱 빠르게 진행한다. 이 때문에 배리어 금속막(4) 노출후의 CMP 공정에서는 배선 밀집부와 배선 고립부에서 CMP의 진행속도가 달르게 된다. 즉, 구리 도금막(5)의 매입부가 대부분 존재하는 배선 밀집부에서는 구리 도금막(5)의 매입부가 그다지 존재하지 않는 배선 고립부에 비해 배리어 금속막(4)이나 실리콘 산화막(3)에 가해지는 압력이 상대적으로 높게 된다. 이 때문에 배선 밀집부에서 CMP가 과잉으로 진행하여 도 4(d)와 같이 표면이 패어 버리는 것이다. 이 현상을 부식(Erosion)이라고 한다.
전술한 바와 같이 부식이 발생하면 기판 표면의 평탄성이 악화된다. 평탄성의 악화는 다층구조로 한 경우에 더욱 현저하여 배선부의 단락 등이 생기는 문제를 야기한다. 또한 매입 배선을 형성한 경우에 있어서는 단면적이 작게되어 배선저항이 커진다고 하는 문제가 있다.
이상과 같이 부식이나 디싱은 금속과 배리어 금속막 또는 절연막과의 연마속도 차이에 기인하여 발생하지만 실제의 제조 프로세스에 있어서는 상기 이외의 프로세스상의 요인에 의해서 더한층 촉진된다. 이 점에 관해서 이하 설명한다.
도 6은 연마액을 공급했을 때의 웨이퍼 표면의 상태를 도시하는 도면이다. 웨이퍼와 연마 패드는 같은 정도의 속도로 같은 방향으로 회전하고 있다. 이러한 상태로 연마를 하면 웨이퍼의 외주부는 내주부에 비하여 주속도가 크기 때문에 단위시간당에 더욱 많은 패드면에 접하는 것이 된다. 이 때문에 외주부쪽이 내주부보다도 연마가 과잉으로 진행되기 쉽게된다. 또한, 웨이퍼 표면의 연마액의 분포에 관해서도 외주부와 내주부에서 불균일이 생긴다. 연마 패드에 적하된 연마액은 웨이퍼 외주부에서 내주부로 향하여 이동하여 웨이퍼 전면에 널리 퍼져 가지만 이 과정을 고려하면 연마액의 시간평균농도는 외주부쪽이 내주부보다도 높게 된다. 이것도 외주부쪽이 내주부보다도 연마가 과잉으로 진행시키는 요인이 된다. 또한, 표면에 금속막이나 절연막이 형성된 웨이퍼는 이들의 막 형성된 면쪽이 휘여진 상태로 된다. 이 때문에 연마를 할 때에 웨이퍼를 연마 패드(12)에 꽉 눌렀을 때에 휘여짐이 일정정도 잔존하여 외주부가 더욱 연마되기 쉽게 된다.
이상과 같이, 프로세스상의 요인에 의해서 외주부쪽이 내주부보다도 연마가 과잉으로 진행하기 쉽게 되기 때문에 웨이퍼면 내의 전체에 대해서 평탄화를 완료시키기위해서는 오버연마 시간을 더욱 길게 잡지 않을 수가 없게 된다. 이 때문에 부식이나 디싱이 더욱 현저하게 되는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로서, 매입 배선이나 플러그 등을 형성할 때의 CMP 공정에서 부식이나 디싱의 발생을 방지하는 것을 목적으로 한다.
상기과제를 해결하는 본 발명에 의하면 웨이퍼 표면에 절연막을 형성하고 당해 절연막의 소정의 위치에 오목부를 마련하고 전면에 배리어 금속막, 및 금속막을 순서대로 형성한 후 당해 웨이퍼 표면에 연마 패드를 하중을 걸어 접촉시키고 웨이퍼와 연마 패드의 적어도 한편을 회전시켜 웨이퍼 표면을 평탄화하는 연마방법에 있어서, 상기 웨이퍼 표면에 대하여 연마 시작으로부터 소정시간 경과 전까지의 사이에 제1의 연마액을 공급하고 소정시간 경과 후 플루오르화 수소산을 함유하는 제2의 연마액을 공급하는 것을 특징으로 하는 연마방법이 제공된다.
상기 연마방법으로서는 소정시간 경과 후 플루오르화 수소산을 함유하는 제2의 연마액을 공급하고 있다. 플루오르화 수소산은 배리어 금속막이나 절연막을 용해한다. 한편, 구리 등의 이온화경향이 낮은 귀금속에 대하여는 용해작용을 나타내지 않는다. 따라서 배리어 금속막이나 절연막, 금속막이 노출한 상태인 때에 플루오르화 수소산을 함유하는 제2의 연마액을 공급하면 배리어 금속막이나 절연막이 선택적으로 용해, 제거된다. 이 때문에 배리어 금속막이나 절연막과 금속막과의 사이의 연마속도의 차이에 기인하여 생기는 부식이나 디싱를 유효하게 방지할 수 있는 것이다.
전술한 바와 같이, 금속막 연마용의 연마액으로서 산성인 것을 쓰는 기술에 관해서는 이미 잘 공지되어 있다. 이에 대하여 본 발명의 연마방법은 플루오르화 수소산을 써서 배리어 금속막이나 절연막을 선택적으로 용해시킴에 의해 부식이나 디싱을 방지하고 있다. 본 발명자는 산으로서 특히 플루오르화 수소산계의 액을 씀으로서 상기 작용이 발현된다는 것을 알아내 본 발명을 완성된 것이다. 예를들면 배리어 금속막으로서 널리 이용되어 있는 Ta계의 금속은 약액에 대한 내성이 대단히 높아 플루오르화 수소산이나 발연황산, 고농도 알칼리액 등 한정된 용액이외에는 용해되지 않는 것이 확인되었다. 본 발명자는 이 중에서 CMP 프로세스에 적용 가능한 것을 검토하고 플루오르화 수소산계의 약액이 아주 좋게 사용할 수 있는 것을 찾아낸 것이다.
상기의 연마방법에 있어서의 제1의 연마액 및 제2의 연마액으로서는 예컨대 알루미나 입자나 실리카 입자등의 연마재를 분산시킨 슬러리가 쓰인다. 제2의 연마액이 플루오르화 수소산을 함유하는 것이면 되고 그 밖의 성분에 관해서는 특히 제한이 없다.
또한 본 발명에 의하면, 웨이퍼 표면에 절연막을 형성하고 당해 절연막의 소정의 위치에 오목부를 마련하고 전면에 배리어 금속막, 및 금속막을 순서대로 형성한 후 당해 웨이퍼 표면에 연마 패드를 하중을 걸어 접촉시키고 웨이퍼 표면에 연마액을 공급하면서 웨이퍼와 연마 패드의 적어도 한편을 회전시켜 웨이퍼 표면을 평탄화하는 연마방법에 있어서, 연마 시작으로부터 소정시간 경과 후 웨이퍼 표면에 플루오르화 수소산 함유액을 공급하는 것을 특징으로 하는 연마방법이 제공된다.
상기 연마방법에 있어서의 연마액으로서는, 예를들면 알루미나 입자나 실리카 입자 등의 연마재를 분산시킨 슬러리가 쓰이고 그 성분에 관해서는 특히 제한이 없다. 한편, 플루오르화 수소산 함유액은 연마액과는 다른 것으로서 연마재를 포함하지 않는 것이 바람직하게 쓰인다.
이 연마방법에서는, 상술한 효과 즉, 플루오르화 수소산이 갖는 배리어 금속막이나 절연막의 용해작용에 의한 부식, 디싱의 방지효과에 추가하여, 이하의 효과가 얻어진다.
즉, 플루오르화 수소산 함유액을 연마액과 독립적으로 첨가할 수 있기 때문에 배리어 금속막의 종류나 막 두께에 응해서 플루오르화 수소산 함유액의 첨가량을 적당히 조정할 수 있고 각 프로세스 마다 관리가 가능해진다. 도 2는 본 발명의 연마방법에 쓰이는 연마장치의 일례를 도시한 것이다. 도면과 같이 배리어 금속막을 용해시키는 플루오르화 수소산 함유액(16)의 공급은 연마를 진행시키는 연마액(14)과는 독립적으로 제어된다. 따라서, 배리어 금속막과 금속막의 연마비나 각 막의 막 두께 등을 고려하여 연마액(14)과 플루오르화 수소산 함유액(16)의 첨가비를 알맞게 조정할 수 있어 더한층 양호한 평탄성을 얻을 수 있다.
또한, 상기 연마방법에 있어서, 플루오르화 수소산 함유액을 연마재를 포함하지 않는 액, 예를들면 플루오르화 수소산수용액으로 하면 이하와 같은 효과가 또한 얻어진다.
첫째, 연마액의 종류를 단일한 종류로 할 수 있다. 연마액은 일반적으로 고가이므로 될 수 있는 한 적은 종류의 연마액으로 하는 것이 바람직하다. 본 발명은 플루오르화 수소산 함유액을 연마액과는 독립적으로 첨가할 수 있기 때문에 플루오르화 수소산 함유액의 첨가량이나 첨가 시기를 적당히 조정함으로서 단일의 연마액으로 다양한 CMP 프로세스에 대응하는 것이 가능해진다.
둘째, 마이크로 스크래치를 방지할 수 있다고 하는 효과가 얻어진다. 보통의 CMP에서는 배리어 금속막이 제거되어 절연막이 노출한 후의 연마공정에서 연마액에 포함되는 연마재에 의해 절연막 표면에 작은 상처가 발생한다. 마이크로 스크래치가 발생하면 후 공정의 리소그래피의 줄마춤이 곤란하여 진다. 또한, 다음 공정에서 성장시킨 배선용 금속이 마이크로 스크래치 안에 잔존하여 회로가 쇼트되는 위험성이 있다.
또한 본 발명에 의하면, 웨이퍼 표면에 절연막을 형성하고 당해 절연막의 소정의 위치에 오목부를 마련하고 전면에 배리어 금속막, 및 금속막을 순서대로 형성한 후 웨이퍼 표면을 연마 패드를 써서 연마할 때에 쓰이는 연마액으로서 플루오르화 수소산을 함유하는 것을 특징으로 하는 연마액이 제공된다.
상기 연마액에 의하면 전술한 바와 같이 배리어 금속막이나 절연막을 선택적으로 용해,제거할 수가 있어서 배리어 금속막이나 절연막과 금속막과의 사이의 연마속도의 차이에 기인하여 생기는 부식이나 디싱를 유효하게 방지할 수 있다.
본 발명에 있어서의 제2의 연마액 또는 플루오르화 수소산 함유액은 완충 플루오르화 수소산, 묽은 플루오르화 수소산, 또는 과산화수소와 플루오르화 수소산의 혼합액을 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 종류의 액은 배리어 금속막이나 절연막에 대하여 양호한 용해성을 나타내고 디싱이나 부식을 유효하게 방지할 수 있다. 여기서 완충 플루오르화 수소산이란 플루오르화 수소산을 함유하는 완충액을 말하며 예를들면 플루오르화 수소산과 플루오르화암모늄의 혼합액등을 말한다.
본 발명에 있어서, 제2의 연마액 또는 플루오르화 수소산 함유액의 플루오르화 수소산 농도는 바람직하기는 1 내지 5O중량%, 더욱 바람직하기는 10 내지 3O 중량%로 한다. 상기와 같은 조성으로 배리어 금속막이나 절연막의 용해작용이 높아지고 디싱이나 부식을 더욱 유효하게 방지할 수 있다.
본 발명에 있어서의 배리어 금속막은 금속막이 절연막중을 확산하는 것을 방지하기위해서 마련되는 막이다. 구체적으로는, Ta, TaN, Ti, TiN, W, WN 또는 이들의 적층막이 쓰인다. 배리어 금속막은 PVD, CVD 등의 방법에 의해서 형성할 수가 있다.
본 발명은 배리어 금속막이 Ta 함유막 또는 Ti 함유막인 때에, 특히 Ta 및/또는 TaN을 포함할 때에 한층 현저한 효과를 발휘한다. 이들의 막은 배리어 금속막으로서 널리 이용되며, 특히 Ta나 TaN은 높은 배리어성을 나타내기 때문에 구리 등의 매입금속막의 배리어 금속막으로서 아주 양호하게 사용된다. 그런데 이들의 막은 경도가 높고 CMP 연마되기 어렵기 때문에 디싱나 부식이 생기기 쉽다고 하는 문제를 또한 가지고 있다. 본 발명에 의하면 이러한 문제가 해소되기 때문에 상기 재료로 이루어지는 배리어 금속막의 뛰어난 배리어성 등을 충분히 살릴 수 있다.
본 발명에 있어서, 금속막의 재료는 구리, 은, 또는 이들의 합금으로 이루어지는 것이 바람직하고, 특히 구리이나 구리합금으로 이루어지는 구리계 금속이 바람직하다. 이들의 금속재료는 저 저항이며 또한 일렉트로 마이그레이션등의 문제가 적기 때문이다. 금속막의 형성방법은 특히 제한이 없고 도금법, CVD법, 스퍼터링법등을 들수있다. 도금법에 의한 경우는 시딩 금속막 형성후 도금처리를 하여 형성하여도 좋다.
본 발명의 연마방법에 있어서, 플루오르화 수소산을 함유하는 제2의 연마액 또는 플루오르화 수소산 함유액을 공급하는 시기는 배리어 금속막이 노출한 시점으로 하는 것이 바람직하고 웨이퍼또는 연마 패드의 회전 토크가 소정의 레벨에 달한 후에 하는 것이 바람직하다. CMP의 전반에 있어서는 금속막이 연마되지만 소정시간이 경과하면 배리어 금속막이 노출한다. 이 때, 금속막과 배리어 금속막의 경도가 다름에 의해 회전 토크가 변화되기 때문에 이 시점에서 플루오르화 수소산 함유액 등을 공급하는 것이 바람직하다. 이에 의해 배리어 금속막의 용해가 진행하여 디싱이나 부식을 유효하게 방지할 수 있다.
본 발명에 있어서「오목부」란 매입 배선이나 플러그를 형성하기 위한 구멍 또는 홈을 말한다. 오목부에는 구리등의 금속막이 매입되어 매입 배선이나 플러그가 형성된다. 오목부의 폭은 예를들면 0.1 내지 1μm 정도이다.
본 발명에 있어서의 절연막으로서는 종래부터 쓰고 있는 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막 이외에 SOG(Spin 0n Glass)막 등의 저 유전율 재료를 쓸 수 있다. 여기서 SOG막의 종류는 특히 한정되지 않고 무기SOG막, 유기SOG막, HSQ(Hydrogen Silisesquioxane)막 등을 쓸 수 있다.
SOG막, 특히 HSQ막, 유기SOG막은 유전율, 가스 발생성 등의 성능의 밸런스가 뛰어 나서 층간절연막으로서 바람직하게 쓸 수 있다. 그런데, 이들의 재료는 CMP에 의한 연마속도가 크기 때문에 부식이 마이크로 스크래치가 발생하기 쉽다고 하는 문제를 갖고 있었다. 본 발명에 의하면, 부식의 문제를 회피하면서 상기 재료의 뛰어난 특성을 이용할 수가 있다.
본 발명은 배리어 금속막과 금속막의 연마속도의 상위에 의한 디싱이나 부식을 방지하는 것이다. 따라서 본 발명의 적용범위는 배리어 금속막과 금속막의 연마속도가 문제로 되는 것 같은 형태이면 특히 제한되지 않고 매입 배선의 형성 프로세스 외에 층간접속 플러그의 형성 프로세스등에 널리 적용할 수가 있다. 예를들면 콘택트홀 내에 Ti/TiN이나 WN 등의 배리어 금속막을 형성하고 그 위에 W(텅스텐)을 형성한 후 CMP를 하는 프로세스에 적용할 수 있다. 또한, 바이어 홀 내에 Ta 등의 배리어 금속막을 형성하고 그 위에 구리막을 형성한 후 CMP를 하는 프로세스에도 적용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 연마방법에 관한 공정단면도.
도 2는 본 발명의 연마방법에 쓰이는 CMP 연마장치의 개략도.
도 3은 본 발명의 연마방법에 있어서 연마액을 공급했을 때의 웨이퍼 표면상태를 도시하는 도면.
도 4는 종래의 연마방법의 공정단면도.
도 5는 종래의 연마방법에 쓰이는 CMP 연마장치의 개략도.
도 6은 종래의 연마방법에 있어서 연마액을 공급했을 때의 웨이퍼 표면상태를 도시하는 도면.
도 7은 디싱이 발생한 상태를 도시하는 도면.
<도면의 주요부호에 대한 간단한 설명>
1 : 실리콘 기판 2 : 실리콘 질화막
3 : 실리콘 산화막 4 : 배리어 금속막
5 : 구리 도금막 10 : 웨이퍼
11 : 웨이퍼 캐리어 12 : 연마 패드
13 : 공급구 14 : 연마액
15 : 펌프 16 : 완충 플루오르화 수소산
본 실시예에 관해서, 도 1을 참조하여 설명한다.
우선 도 1(a)에 도시하는 바와 같이, 실리콘 기판(1)상에 실리콘 질화막(2)(막 두께 100nm) 및 실리콘 산화막(3)(막 두께 1000nm)을 순서대로로 형성하고, 그 후, 드라이 에칭에 의해 실리콘 질화막(2)에 도달한 복수의 홀을 소정의 위치에 형성한다. 도면에 도시하는 바와 같이, 배선 밀집부와 배선 고립부와가 마련된다. 여기서, 배선 밀집부라 함은 복수의 오목부가 오목부 폭의 1 내지 3배 정도의 간격을 가지고 배치되어 있는 영역을 말하며 특히, 3개 이상의 오목부가 그들의 폭과 같은 정도의 간격을 갖고 배치되어 있는 영역을 말한다.
다음에 도 1(b)에 도시하는 바와 같이, 전면에 TaN으로 이루어지는 배리어 금속막(4)을 스퍼터링법에 의해 퇴적하였다. 막 두께는 20nm로 하였다. 계속해서 상기 금속막(4)상에 구리도금을 성장시키기 위한 구리로 이루어지는 시딩 금속막을 스퍼터링법에 의해 퇴적하였다 (도시 않함). 계속해서 기판을 액온 약 25℃의 황산구리 수용액에 침지하고 구리로 이루어지는 구리 도금막(5)을 전해도금법에 의해 형성하였다. 여기서 구리 도금막(5)의 막 두께는 평탄부에서 900nm 정도로 하였다. 이 상태를 도 1(b)에 도시한다.
이상과 같이 하여 도금을 시행한 기판에 대해서, 300℃로 30분정도, 어닐링을 행하였다. 이에 의해 그레인 사이즈가 크게 되어 저항치가 저하한다.
어닐링을 한 후 CMP를 행하였다. CMP는 도 2에 도시하는 연마장치를 써서 행하였다. 도면중에 웨이퍼(10)이라 함은 상술 한 바와 같이 하여 기판(1) 표면에 성막된 것을 말한다. 상술한 바와 같이 성막된 웨이퍼(10)는 웨이퍼 캐리어(11) 하면에 설치된다. 웨이퍼(10)의 표면을 연마 패드(12)에 접촉시키면서 웨이퍼 캐리어(11)와 연마 패드(12)의 양쪽을 일정속도로 회전시킨다. 웨이퍼(10)와 연마 패드(12)의 사이에 펌프(15)에 의해 공급구(13)로부터 연마액(14)이 공급된다. 연마액으로서는 과산화수소물, 질산철을 포함하는 용액에 알루미나 입자를 가한 용액을 썼다. 연마압력은 약 3 내지 5psi로 하였다.
일정시간 연마를 계속하니 CMP의 회전 토크가 상승하였다. 이 때, 기판의 단면구조는 도 1(c)에 도시하는 상태로 되어있다. 즉, 절연막 평탄부상의 구리 도금막(5)이 제거되어 배리어 금속막(4)이 노출한 상태로 되어있다. 배리어 금속막(4)을 구성하는 TaN은 구리 도금막(5)을 구성하는 구리보다도 딱딱하여 CMP에 의한 연마가 되기 어렵다. 이 때문에 도 1(c)과 같이 TaN이 노출한 상태로 되면 회전 토크가 상승하는 것이다.
회전 토크가 상승한 시점에서 도 2의 공급구(13)로부터 웨이퍼(10)와 연마 패드(12)의 사이에 완충 플루오르화 수소산(16)을 공급하였다. 도 3은 연마액을 공급했을 때의 웨이퍼 표면의 상태를 도시하는 도면이다. 공급구(13)로부터 연마액(14) 및 완충 플루오르화 수소산(16)이 별개의 펌프에 의해 공급되어 있다.
그 후, 소정시간 연마를 계속함으로서 도 1(d)에 도시하는 바와 같은 매입 배선 구조를 완성하었다. CMP의 종점은 CMP의 회전 토크의 변화를 검지하는 방법을 써서 결정하였다.
완성된 반도체 장치에 대해서 표면 평탄성을 AFM(Atomic Force Microscope)이나 촉침식의 3차원 프로파일러를 써서 평가함에 따라 본 실시예에 의해 제작된 반도체 장치의 표면은 대단히 양호하게 평탄화 되어 있는 것이 확인되었다.
전술한 바와 같이 본 발명에 의하면 연마 시작 후의 소정 시기에 플루오르화 수소산 함유액을 웨이퍼 표면에 공급하기 때문에 디싱이나 부식을 유효하게 방지할 수 있다. 또한, 연마재를 포함하지 않는 플루오르화 수소산 함유액을 쓰면 산화막표면의 마이크로 스크래치의 발생을 방지할 수가 있다.
본 출원은 그 내용이 여기에 인용문으로 병합되어 있는 일본국 특허출원 평성 제11-036020호에 근거한 우선권주장출원이다.
Claims (20)
- (1) 웨이퍼 표면상에 절연막을 형성하고, (2) 상기 절연막의 소정의 위치에 오목부(dents)를 형성하고, (3) 상기 단계를 거친 상기 웨이퍼의 전면상에 배리어 금속막 및 금속막을 순서대로 형성한 후, 상기 웨이퍼 표면에 하중을 걸어 연마 패드를 접촉시켜, 상기 웨이퍼와 상기 연마 패드의 적어도 한쪽을 회전시켜 상기 웨이퍼 표면을 평탄화하는 연마방법에 있어서,상기 웨이퍼 표면에 대하여 연마 시작으로부터 소정의 시간 동안 제1의 연마액이 공급되고, 소정의 시간이 경과했을 때 플루오르화 수소산을 함유하는 제2의 연마액이 공급되는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2의 연마액은 완충 플루오르화 수소산, 묽은 플루오르화 수소산 또는 과산화수소와 플루오르화 수소산의 혼합액을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2의 연마액의 플루오르화 수소산 농도는 1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- (1) 웨이퍼 표면에 절연막을 형성하고, (2) 상기 절연막의 소정의 위치에 오목부를 형성하고, (3) 상기 단계를 거친 웨이퍼의 전면상에 배리어 금속막 및 금속막을 순서대로 형성한 후, 상기 웨이퍼 표면에 하중을 걸어 연마 패드를 접촉시키고 상기 웨이퍼 표면상에 연마액을 공급하면서 상기 웨이퍼와 상기 연마 패드의 적어도 한쪽을 회전시켜 상기 웨이퍼 표면을 평탄화하는 연마방법에 있어서,연마 시작으로부터 소정의 시간이 경과했을 때 상기 웨이퍼 표면에 플루오르화 수소산 함유액이 공급되는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 4항에 있어서,상기 플루오르화 수소산 함유액은 연마재를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제4항에 있어서,단일한 종류의 연마액이 연마액으로 사용되는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제4항에 있어서,상기 플루오르화 수소산 함유액은 완충 플루오르화 수소산, 묽은 플루오르화 수소산 또는 과산화수소와 플루오르화 수소산의 혼합액을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제4항에 있어서,상기 플루오르화 수소산 함유액의 플루오르화 수소산 농도는 1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제1항에 있어서,상기 배리어 금속막은 Ta 함유막 또는 Ti 함유막인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제4항에 있어서,상기 배리어 금속막은 Ta 함유막 또는 Ti 함유막인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제1항에 있어서,상기 배리어 금속막은 Ta 및/또는 TaN으로 구성되는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제4항에 있어서,상기 배리어 금속막은 Ta 및/또는 TaN으로 구성되는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제1항에 있어서,상기 금속막은 은 또는 구리인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제4항에 있어서,상기 금속막은 은 또는 구리인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- (1) 웨이퍼 표면에 절연막을 형성하고, (2) 상기 절연막의 소정의 위치에 오목부를 형성하고, (3) 상기 단계를 거친 상기 웨이퍼의 전면상에 배리어 금속막 및 금속막을 순서대로 형성한 후, 상기 웨이퍼 표면이 연마 패드로 연마될 때 사용되는 연마액으로서, 플루오르화 수소산을 함유하는 것을 특징으로 하는 연마액.
- 제15항에 있어서,상기 배리어 금속막은 Ta 함유막 또는 Ti 함유막인 것을 특징으로 하는 연마액.
- 제16항에 있어서,상기 배리어 금속막은 Ta 및/또는 TaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마액.
- 제15항에 있어서,상기 금속막은 은 또는 구리인 것을 특징으로 하는 연마액.
- 제15항에 있어서,상기 연마액은 완충 플루오르화 수소산, 묽은 플루오르화 수소산, 또는 과산화수소와 플루오르화 수소산의 혼합액을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마액
- 제15항에 있어서,플루오르화 수소산 함유량은 1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 연마액.
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