KR20000048438A - 활성 화소 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

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로버트 디. 크루그
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Abstract

본 발명은 상관 이중 샘플링(Correlated Double Sampling : CDS)을 수행할 수 있는 고충진율 포토게이트 활성 화소 아키텍쳐(a high fill factor Photogate Active Pixel Architecture)에 관한 것이다. 별도의 행 선택 트랜지스터(row select transistor) 없이도 4 트랜지스터 화소(4 transistor pixel)의 기능성(functionality)이 유지된다. 이는 포토게이트와 행 선택 신호를 위해 동일한 신호를 사용함으로써 달성된다. 본 발명의 바람직한 실시예는 전하에서 전압으로의 변환 노드(charge to voltage conversion node)로서 부동 확산부(a floating diffusion)를 채용하고, 구체적으로 리세트 트랜지스터의 소스가 부동 확산부이며 리세트 트랜지스터의 드레인이 포토게이트 제어 버스에 접속되는 실시예를 구현한다. 또한, 본 발명은 증폭기를 출력 신호 열 버스에 접속시키는 사전결정된 제 1 신호 조합을 리세트 제어 버스와 포토게이트 제어 버스에 대해 채용하고, 증폭기를 출력 신호 열 버스로부터 접속해제하는 사전결정된 제 2 전위로 전하에서 전압으로의 변환 노드를 세팅할 수 있게 하는 사전결정된 제 2 신호 조합을 포토게이트 제어 버스와 리세트 제어 버스에 대해 채용한다.

Description

활성 화소 센서 및 그 제조 방법{PHOTOGATE ACTIVE PIXEL SENSOR WITH HIGH FILL FACTOR AND CORRELATED DOUBLE SAMPLING}
본 발명은 각각의 화소와 연관된 활성 회로 원소(active circuit elements)를 구비하는 활성 화소 센서(Active Pixel Sensors : APS)라 지칭하는 고체 상태 광센서(solid state photo-sensors) 및 이미져(imagers) 분야에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상관 이중 샘플링(Correlated Double Sampling : CDS)을 채용하는 고체 상태 이미져에 관한 것이다.
APS는 각각의 화소가 광감지 수단, 리세트 수단, 전하에서 전압으로의 변환 수단(a charge to voltage conversion means), 추가적으로 증폭기의 전부 또는 일부를 포함하는 전형적인 고체 상태 화소 원소를 포함하는 고체 상태 이미져이다. 에릭 포섬(Eric Fossum)이 1993년 7월 SPIE Vol. 1900-08-8194-1133에 게재한 "Active Pixel Sensors : Are CCD's Dinosaurs?"와 같은 종래 기술 문헌에서 논의한 바와 같이, 화소 내에 수집된 광전하(photocharge)는 화소 내의 대응하는 전압이나 전류로 변환된다. 에릭 포섬(Eric Fossum)이 1993년 7월 SPIE Vol. 1900-08-8194-1133에 게재한 "Active Pixel Sensors : Are CCD's Dinosaurs?" 및 알 에이치 닉슨(R. H. Nixon), 에스 이 케메니(S. E. Kemeny), 시 오 스톨러(C. O. Staller), 이 알 포섬(E. R. Fossum)이 SPIE vol. 2415, Charge-Coupled Devices and Solid-State Optical Sensors V, paper 34(1995)에 개재한 "128 × 128 CMOS Photodiode-type Active Pixel Sensor with On-chip Timing, Control and Signal Chain Electronics"에서 논의한 바와 같이, APS 소자는 이미져의 각각의 라인이나 행이 선택된 후 열 선택 신호를 이용하여 판독되는 방식으로 동작해 왔다. 활성 화소 센서 내에서 행과 열을 선택하는 것은 메모리 소자에서 워드(words)와 비트(bits)를 선택하는 것과 유사하다. 여기서, 한 행 전체를 선택하는 것은 한 워드를 선택하는 것과 유사하고, 활성 화소 센서의 한 열을 판독하는 것은 그 워드 내의 단일 비트를 선택하거나 인에이블시키는 것과 유사하다. 통상적인 종래 기술의 포토게이트 소자는 4 트랜지스터(4T) 설계를 채용하는 아키텍쳐를 교시하고 있는데, 여기서 4 트랜지스터는 전형적으로 포토게이트, 행 선택, 리세트, 소스 추종 증폭 트랜지스터(Source Follower Amplifier transistors)이다. 이러한 아키텍쳐는 용이하게 CDS를 수행하고 낮은 판독 노이즈를 제공하는 능력을 갖는 APS 소자를 생산한다는 장점을 갖지만, 이들 4T 화소는 충진율(low fill factor)이 낮다는 단점을 갖는다. 충진율은 광센서에 사용하는 화소 면적의 퍼센트 비율을 말한다. 각각은 연관된 컨택트 영역과 신호 버스를 구비한다. 이들 컨택트 영역은 각각의 화소 내에 위치하고 중복된(overlap) 금속 층을 필요로 하기 때문에 전형적으로 많은 양의 화소 면적을 소비하므로, 각각의 화소에 이들 컨택트 영역을 포함시키면 광감지기(photodetector)에 사용될 면적을 차지하게 되어 화소에 대한 충진율이 감소한다. 화소의 전체 행을 가로지르는 금속 버스를 이용하여 이들 각각의 성분을 적절한 타이밍 신호에 접속시킨다. 이들 금속 버스는 광학적으로 불투명하며, 광감지기 영역을 화소 피치(pitch)에 맞추기(fit) 위해 광감지기 영역을 막을(occlude) 수 있다. 이 또한 화소의 충진율을 감소시킨다. 충진율이 감소하면 센서의 감도(sensitivity)와 포화 신호(saturation signal)가 감소한다. 이는 우수한 화질을 얻는 데 있어서 필수적인 촬영 속도(photographic speed), 센서의 동적 범위, 성능 척도에 나쁜 영향을 미친다.
3 트랜지스터(3T) 기반 화소를 채용하는 종래 기술의 소자는 4 T 화소보다 높은 충진율을 갖지만, 이들 3T 화소는 CDS를 용이하게 수행할 수 없다. 3 트랜지스터 기반 화소를 채용하여 CDS를 수행하는 센서는 전형적으로 센서 상의 각 화소에 대한 리세트 레벨을 포함하는 화상 프레임을 먼저 판독하고 저장한다. 다음에는 신호 프레임을 포착하고 판독한다. 이어서, 각 화소에서 메모리에 저장된 리세트 레벨 프레임을 신호 프레임으로부터 감산하여 집적(integration) 이전에 화소 리세트 레벨로 참조되는 화소 신호 레벨을 제공해야 한다. 이는 촬상 시스템 내에 여분의 메모리 프레임을 필요로 하고 디지털 신호 처리 사슬에서 여분의 단계를 필요로 하여, 시스템의 속도, 크기, 비용에 나쁜 영향을 미친다.
전형적인 종래 기술의 포토게이트 APS 화소를 도 1a 및 도 1b에 도시하고 있다. 도 1a의 화소는 포토게이트 광감지기(a photogate photodetector : PG)와 전달 트랜지스터(transfer transistor : TG), 부동 확산부(floating diffusion : FD), 리세트 게이트(a reset gate : RG)를 구비하는 리세트 트랜지스터, 행 선택 게이트(a row select gate : RSG)를 구비하는 행 선택 트랜지스터, 소스 팔로워 입력 신호 트랜지스터(a source follower input signal transistor : SIG)를 포함하는 종래 기술의 4 트랜지스터 화소이다. 도 1b의 화소도 종래 기술의 4 트랜지스터 화소이고, 여기서 TG는 가상 TG로 대체되고 별도의 폴리실리콘 게이트, 연관된 컨택트, 신호 버스가 불필요하다. 전술한 바와 같이, 이들 4 트랜지스터 화소는 화소 당 여분의 트랜지스터를 포함하고 CDS를 이용함으로써 판독 노이즈가 낮다. 그러나, 4 번째 트랜지스터를 구현하는 데 필요한 면적으로 인해 3 트랜지스터 화소에 비해 화소의 충진율이 감소한다.
따라서, 화상 데이터의 전체 프레임을 포착하고 저장할 필요 없이 보다 높은 충진율과 CDS를 수행하는 능력을 갖는 대체적인 화소 아키텍쳐를 제공할 필요가 있음은 명백하다.
본 발명은 상관 이중 샘플링(Correlated Double Sampling : CDS)을 수행할 수 있는 고충진율 포토게이트 활성 화소 아키텍쳐(a high fill factor Photogate Active Pixel Architecture)를 제공한다. 별도의 행 선택 트랜지스터(row select transistor) 없이도 4 트랜지스터 화소(4 transistor pixel)의 기능성(functionality)이 유지된다. 이는 포토게이트와 행 선택 신호를 위해 동일한 신호를 사용함으로써 달성된다. 본 발명의 바람직한 실시예는 전하에서 전압으로의 변환 노드(charge to voltage conversion node)로서 부동 확산부(a floating diffusion)를 채용하고, 구체적으로 리세트 트랜지스터의 소스가 부동 확산부인 실시예를 계획한다. 또한, 본 발명은 포토게이트 제어 버스에 대해 사전결정된 제 1 신호를 채용하고, 리세트 게이트에 접속된 사전결정된 제 2 신호를 채용하여, 증폭기를 출력 신호 열 버스에 접속시키는 사전결정된 제 1 전위로 전하에서 전압으로의 변환 노드를 리세트시킬 수 있다.
본 발명은 다수의 화소를 구비하는 활성 화소 센서를 제공함으로써 이들 특성을 제공하되, 적어도 하나의 화소는, 전하에서 전압으로의 변환 노드에 기능적으로(operatively) 접속되는 포토게이트 광감지기와, 전하에서 전압으로의 변환 노드에 접속되는 소스를 구비하는 리세트 트랜지스터와, 리세트 제어 버스에 접속되는 리세트 트랜지스터 상의 리세트 게이트 및 포토게이트 제어 버스와 포토게이트에 접속되는 리세트 트랜지스터 상의 드레인과, 전하에서 전압으로의 변환 노드에 기능적으로 접속되는 증폭기를 포함한다.
본 발명은 3 트랜지스터만을 사용하여 진정 상관 이중 샘플링(true CDS)을 통해 포토게이트 활성 화소 센서를 제공하여 보다 높은 충진율을 달성한다. 이로 인해 보다 높은 충진율과 보다 낮은 시간적 노이즈(temporal noise)를 갖게 된다. 단점은 발견되지 않는다.
도 1a는 4 트랜지스터 포토게이트 활성 화소 센서 화소(a four transistor Photogate Active Pixel Sensor pixel)를 위한 종래 기술의 아키텍쳐(architecture),
도 1b는 4 트랜지스터 포토게이트 활성 화소 센서 화소를 위한 종래 기술의 아키텍쳐,
도 2a는 3 트랜지스터 포토게이트 활성 화소 센서 화소를 위한 신규한 아키텍쳐,
도 2b는 3 트랜지스터 포토게이트 활성 화소 센서 화소를 위한 신규한 아키텍쳐,
도 3은 도 2에 도시한 화소의 동작을 나타내는 타이밍도,
도 4는 본 발명의 평면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 화소 12 : 포토게이트
14 : 리세트 트랜지스터 15 : 리세트 게이트
18 : 리세트 드레인 21 : 소스 팔로워 트랜지스터
23 : 전달 게이트 25 : 부동 확산부
26 : 행 선택 및 포토게이트 신호 버스 32 : 차동 증폭기
35 : 가상 전달 게이트
도 2는 본 발명에 의해 구현되는 활성 화소 센서(APS)를 위한 3 트랜지스터 포토게이트 화소 아키텍쳐를 개략적으로 도시하고 있다. 도 2에 도시한 실시예는 발명자에게 알려진 최선 모드를 구현하고 있다. 아래에서 더 논의될 바와 같이, 도 2에서 도시한 실시예의 명백한 변형인 다른 물리적인 실시예도 구현가능하다. 도 2a와 도 2b에 도시한 화소(10)는 다수의 행과 열을 갖는 화소 어레이 내의 단일 화소이다.
도 2a에서 볼 수 있듯이, 화소(10)는 포토게이트 광감지기(PG)(12)와 전달 게이트(TG)(23), 부동 확산부(FD)(25), 리세트 게이트(RG)(15)를 구비하는 리세트 트랜지스터(14), 행 선택 및 PG(RSPG) 신호 버스(26)에 의해 PG(12)에 접속되는 리세트 트랜지스터(14)를 위한 리세트 드레인(18), 소스 팔로워 입력 신호 트랜지스터(SIG)(21)를 포함하고 있다. 도 2b의 화소(10)는 TG(23)이 가상 전달 게이트(35)로 대체된 것을 제외하고는 도 2a의 화소와 동일하다. 두 경우 모두, 종래 기술 화소의 행 선택 트랜지스터는 제거되었고, 행 선택 과정은 다른 방식으로 달성된다. 도 2a 및 도 2b에서 점선은 그 화소의 영역에 있어 최소 도전 밴드(conduction band)를 나타낸다. PG(12)는 공핍 바이어스(biased in depletion)되어 있다. 부동 확산부는 부동 게이트 또는 전하를 전압으로 변환하는 다른 용량성 소자(capacitive element)로 기능적으로 대체할 수 있다는 점에 주목해야 한다.
도 3을 참조하면, 도 2a 및 도 2b에 도시한 3 트랜지스터 화소의 동작을 묘사하는 데 사용되는 타이밍 도를 도시하고 있다. 묘사한 화소 동작은 CMOS 활성 화소 센서 소자의 표준 라인 당 롤링 셔터 동작의 맥락에서(in the context of the standard per line rolling shutter operation) 화소(10) 행 전체에 대해 발생한다는 점을 이해해야 한다. (도 2a의 전달 게이트(23)와 도 2b의 가상 전달 게이트(35)를 위한) TG 신호는 도 2a의 경우에는 전형적으로 단일 DC 레벨로 유지되고, 도 2b의 화소에는 TG 신호가 인가될 필요가 없기 때문에 타이밍 도에 포함시키지 않는다. 도 2a 및 도 2b에서 점선으로 나타낸 바와 같이, TG 영역(23, 35)의 정전기적 전위(electrostatic potential)는 전형적으로 접지 전위보다는 깊지만 공핍된 포토게이트(12) 전위보다는 얕다. 처음에, 시간 간격 τ0동안 리세트 게이트(15)에는 0 볼트가 인가되고, 리세트 트랜지스터(14)의 드레인(18)과 포토게이트(12)에는 0 볼트 또는 기타 적절한 전위가 인가된다. 리세트 트랜지스터의 드레인(18)과 포토게이트(12)가 동일한 노드에 전기적으로 접속되어 있으므로, 본 발명의 경우에는 행 선택/포토게이트 신호 버스인 포토게이트 신호 버스를 인가함으로써 행 선택 기능을 얻는다. τ0동안 행 선택/포토게이트 신호 버스와 리세트 게이트(15)에 인가된 신호의 조합은 포토게이트(12)로부터 모든 전자를 비운다.
다음에는, 시간 간격 τ0의 끝에, 여전히 로우(low) 상태로 유지되고 있는 리세트 트랜지스터(14)의 드레인(18)에 인가된 행 선택/포토게이트 신호가 리세트 게이트(15)에 인가되고, (RG 가 하이(high)로 되고), 부동 확산부(24)가 0 볼트(나 리세트 드레인(18)에 인가된 레벨에 의해 결정되는 기타 적절한 전위)로 세팅되어 신호 트랜지스터(signal transistor : SIG)(21)를 차단시켜서, 그 행을 "선택하지 않는다(un-selecting)". 시각 τ1에, 행 선택/포토게이트 신호는 "하이" 전위(전형적으로 VDD)가 되고, 포토게이트(12)가 공핍되어 포토게이트(12) 내의 광전자의 집적(integration)을 발생시킨다. 원하는 집적 시간의 종료 직전인 시각 τ2에, 리세트 게이트(15)는 "하이"로 되어 부동 확산부(25)를 ∼VDD로 리세트한다. 부동 확산부(25)를 리세트하면 신호 트랜지스터(SIG)(21)가 턴 온(turn on)되어, 판독을 위해 화소(실질적으로 그 행에 있는 모든 화소)를 효과적으로 선택한다. 이 때, 센서 내의 모든 다른 행은 자신의 부동 확산부를 ∼0 볼트로 세팅하여 자신의 SIG 트랜지스터가 턴 오프(turn off)되도록 하고, 따라서, 이들 화소가 열 출력 신호 버스(45)로부터 접속해제되도록 한다. 다음으로, 샘플 및 유지 리세트(sample and hold reset : SHR) 신호를 온, 오프시킴으로써 부동 확산부(25)의 리세트 레벨을 캐페시터 Cr에 샘플링하고 유지한다. 다음으로, 시각 τ3에, 행 선택/포토게이트 신호를 "로우"로 함으로써 포토게이트(12)로부터 부동 확산부(25)로 신호 전하가 전달된다. 리세트 게이트(15)가 0 볼트로 유지되므로, 신호 전자는 부동 확산부(25)로만 전달된다. 이제, SHS를 스트로브(strobe)하여 부동 확산부(25) 상에 저장된 신호 레벨을 캐패시터 Cs에서 샘플링하고 유지한다. 이어서, RSPG는 0 볼트로 유지하면서 리세트 트랜지스터에 대한 리세트 게이트(15)를 바꾸어 그 행을 선택하지 않고 다음 프레임을 위해 그 행의 집적을 개시한다. 그런 다음, 화소 소스 팔로워 오프셋 전압(pixel source follower offset voltage)을 취소하기 위해 Cs에 저장된 초기 신호 레벨이 차동 증폭기(difference amplifier)(32)에 의해 Cr에 저장된 클램핑(clamp)된 레벨에 대해 차동적으로(differentially) 판독된다.
이러한 신규한 3 트랜지스터 포토게이트 화소 아키텍쳐가 리세트 프레임을 저장할 필요없이 진정 CDS 출력 신호를 제공한다는 것은 제공한 동작 설명으로부터 명백하다. 도 4는 동일한 행 내의 화소 쌍(10)을 나타내는 본 발명의 평면도이다. 전술한 바와 같이 두 화소(10) 모두 행 선택/포토게이트 신호 버스(26)에 접속되는 포토게이트(12)를 구비하고 있다. 또한, 두 화소(10) 모두 행 선택/포토게이트 신호 버스(26)에 접속되는 리세트 트랜지스터(14)의 드레인(18)을 구비하고 있다. 전술한 바와 같이, 전하는 포토게이트(12) 아래 축적되고 부동 확산부(FD)(25)로 전달된다. 부동 확산부(25)는 리세트 트랜지스터(14)에 대한 소스 역할을 한다. 도 3에서 전술한 바와 같이 리세트 게이트(15)는 행 선택/포토게이트 신호 버스(26)와 함께 동작하여 화소(10)의 동작을 제어한다.
도 1a에 도시한 전형적인 종래 기술의 포토게이트 APS 화소는 4 개의 트랜지스터와 5 개의 버스를 포함하고 있다. 이와 비교할 때, 도 2b의 신규한 화소 아키텍쳐는 단지 3 개의 트랜지스터와 4 개의 버스만을 포함하고 있다. 1 개의 트랜지스터, 버스, 연관된 컨택트 영역을 제거하면 광감지기에 보다 넓은 화소 영역을 할당할 수 있게 된다. 이로 인해, 실질적으로 보다 높은 화소 충진율 및 결과적으로 보다 높은 광학 감도(optical sensitivity)가 제공된다.
전술한 상세한 설명은 발명자에 의해 가장 선호되는 실시예를 설명한 것이다. 이들 실시예의 변형은 당업자에게 있어 명백하다. 따라서, 본 발명의 범주는 첨부하는 청구범위에 의해 판단되어야 한다.
본 발명에 의하면, 포토게이트와 행 선택 신호를 위해 동일한 신호를 사용함으로써 별도의 행 선택 트랜지스터 없이도 4 트랜지스터 화소의 기능성이 유지되어, 상관 이중 샘플링을 수행할 수 있는 고충진율 포토게이트 활성 화소 아키텍쳐가 제공된다.

Claims (21)

  1. 다수의 화소를 구비하는 활성 화소 센서(an active pixel sensor)에 있어서, 적어도 하나의 화소는,
    전하에서 전압으로의 변환 노드(a charge to voltage conversion node)에 기능적으로(operatively) 접속되는 포토게이트 광감지기(a photogate photodetector)와,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 노드에 접속되는 소스를 구비하는 리세트 트랜지스터와,
    리세트 제어 버스에 접속되는 상기 리세트 트랜지스터 상의 리세트 게이트 및 상기 포토게이트와 포토게이트 제어 버스에 접속되는 상기 리세트 트랜지스터 상의 드레인과,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 노드에 기능적으로 접속되는 증폭기
    를 포함하는 활성 화소 센서.
  2. 다수의 화소를 구비하는 활성 화소 센서에 있어서, 적어도 하나의 화소는,
    전하에서 전압으로의 변환 노드에 기능적으로 접속되는 포토게이트 광감지기와,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 노드에 접속되는 소스를 구비하는 리세트 트랜지스터와,
    리세트 제어 버스에 접속되는 상기 리세트 트랜지스터 상의 리세트 게이트 및 상기 포토게이트와 포토게이트 제어 버스에 접속되는 상기 리세트 트랜지스터 상의 드레인과,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 노드와 출력 신호 열 버스에 기능적으로 접속되는 증폭기
    를 포함하는 활성 화소 센서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 노드는 부동 확산부(a floating diffusion)인 활성 화소 센서.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 리세트 트랜지스터의 소스는 부동 확산부인 활성 화소 센서.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 증폭기는 소스 팔로워 증폭기(a source follower amplifier)인 활성 화소 센서.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토게이트 제어 버스로의 사전결정된 제 1 신호와 상기 리세트 제어 버스로 접속되는 사전결정된 제 2 신호는 상기 포토게이트로부터 상기 전하에서 전압으로의 변화 노드로 전자를 전달하고, 상기 증폭기를 턴 오프(turn off)시키는 사전결정된 제 1 전위로 상기 전하에서 전압으로의 변환 노드를 세팅하는 활성 화소 센서.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토게이트 제어 버스로의 사전결정된 제 1 신호는 상기 포토게이트로부터 상기 전하에서 전압으로의 변환 노드로 전자를 전달하는 활성 화소 센서.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토게이트 제어 버스에 대한 사전결정된 제 1 신호와 상기 리세트 제어 버스에 접속되는 사전결정된 제 2 신호는 상기 증폭기를 턴 온(turn on)시키는 사전결정된 제 1 전위로 상기 전하에서 전압으로의 변환 노드를 세팅하는 활성 화소 센서.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 포토게이트 제어 버스에 대한 사전결정된 제 1 신호와 상기 리세트 제어버스에 접속된 사전결정된 제 2 신호는 상기 증폭기를 상기 출력 신호 열 버스로부터 접속해제하는 활성 화소 센서.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 포토게이트 제어 버스로의 사전결정된 제 1 신호와 상기 리세트 제어 버스에 접속된 사전결정된 제 2 신호는 상기 증폭기를 상기 출력 신호 열 버스에 접속시키는 사전결정된 제 1 전위로 상기 전하에서 전압으로의 변환 노드를 리세트하는 활성 화소 센서.
  11. 행이 순차적으로 판독되도록 행과 열로 배열되는 다수의 화소를 구비하는 활성 화소 센서에 있어서, 적어도 하나의 화소는,
    전하에서 전압으로의 변환 수단에 기능적으로 접속되는 광감지기와,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 수단에 전기적으로 접속되는 리세트 소자와,
    상기 광감지기와 상기 리세트 소자에 기능적으로 접속되는 제 1 신호 버스 및 상기 리세트 소자에 접속되는 제 2 신호 버스와,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 수단에 기능적으로 접속되는 증폭기와,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 수단이 제 1 전위와 제 2 전위로 순차적으로 세팅되도록 상기 리세트 소자를 활성화(activate)하는 수단
    을 포함하는 활성 화소 센서.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 리세트 소자를 활성화하는 수단은 상기 전하에서 전압으로의 변환 수단을 리세트하는 상기 제 1 및 제 2 신호 버스 상의 신호의 조합을 더 포함하는 활성 화소 센서.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 리세트 소자를 활성화하는 수단은 상기 화소와 연관된 행을 선택하는 상기 제 1 및 제 2 신호 버스 상의 신호의 조합을 더 포함하는 활성 화소 센서.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 리세트 소자를 활성화하는 수단은 상기 화소와 연관된 행을 선택하지 않는 상기 제 1 및 제 2 신호 버스 상의 신호의 조합을 더 포함하는 활성 화소 센서.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 리세트 소자를 활성화하는 수단은,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 수단을 리세트하고 상기 화소와 연관된 행을 선택하는 상기 제 1 및 제 2 신호 버스 상의 신호의 제 1 조합과,
    상기 화소와 연관된 상기 행을 선택하지 않는 상기 제 1 및 제 2 신호 버스 상의 신호의 제 2 조합
    을 더 포함하는 활성 화소 센서.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 리세트 소자는,
    상기 제 1 신호 버스에 접속되는 드레인과, 상기 전하에서 전압으로의 변환 수단에 접속되는 소스를 구비하는 리세트 트랜지스터와,
    상기 제 2 신호 버스에 접속되는 상기 리세트 트랜지스터의 게이트
    를 더 포함하는 활성 화소 센서.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 증폭기는 상기 전하에서 전압으로의 변환 수단에 접속되는 게이트를 구비하는 소스 팔로워 증폭기인 활성 화소 센서.
  18. 적어도 하나의 전하에서 전압으로의 변환 노드에 기능적으로 접속되는 광감지 원소(a photodetective element)를 구비하는 화소를 제공하는 단계와,
    제 1 신호 버스 상의 상기 광감지기에 접속되는 드레인, 제 2 신호 버스에 접속되는 게이트, 상기 전하에서 전압으로의 변환 수단에 접속되는 소스를 구비하는 리세트 트랜지스터를 상기 화소 내에 생성하는 단계와,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 수단 및 상기 리세트 트랜지스터 양자에 접속되는 증폭기를 형성하는 단계
    를 포함하는 활성 화소 센서 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 생성 단계는 상기 제 1 및 제 2 신호 버스 상의 신호의 조합을 인가하여 상기 전하에서 전압으로의 변환 수단을 리세트하는 수단을 생성하는 단계를 더 포함하는 활성 화소 센서 제조 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 생성 단계는 상기 제 1 및 제 2 신호 버스 상의 신호의 조합을 인가하여 상기 화소와 연관된 행을 선택하는 수단을 생성하는 단계를 더 포함하는 활성 화소 센서 제조 방법.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 생성 단계는 상기 제 1 및 제 2 신호 버스 상의 신호의 조합을 인가하여 상기 화소와 연관된 행을 선택하지 않는 수단을 생성하는 단계를 더 포함하는 활성 화소 센서 제조 방법.
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