KR20000045296A - 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유전율을 향상시키고 누설전류를 최소화할 수 있는 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법을 제공한다.
본 발명에 따른 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법은 내부에 접합영역이 구비되고, 상부에는 접합영역을 노출시키는 캐패시터용 콘택홀이 구비된 절연막이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계; 콘택홀에 매립되도록 절연막 상에 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계; 폴리실리콘막 패턴 상부에 확산방지막, 알루미늄막, 및 Ta2O5막을 형성하는 단계; 및, Ta2O5막을 저온열처리하여 상기 확산방지막과 Ta2O5막 사이에 알루미늄 화합물을 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 저온열처리는 약 350℃ 이하의 온도에서 익스-시튜 플라즈마 N2O 처리나 UV/O3처리로 진행하고, 알루미늄 화합물은 Al2O3막/AlN막인 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법
본 발명은 반도체 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 디램과 같은 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법에 관한 것이다.
디램(DRAM ; Dynamic Random Access Memory)과 같은 반도체 메모리 소자의 집적도가 증가됨에 따라, 셀면적 및 셀 사이의 간격은 축소되는 반면, 캐패시터는 일정용량을 보유해야 하기 때문에, 좁은 면적에 큰 용량을 가지는 캐패시터가 요구된다.
이에 대하여, 종래에는 캐패시터의 용량을 극대화하기 위하여, 고유전율을 갖는 물질를 유전막으로 이용하여 캐패시터를 형성하였다. 이러한 고유전율을 갖는 물질 중 Ta2O5막은 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)막보다 5배 정도 큰 유전율을 갖는 물질로서, 1G 이상의 고집적 반도체 메모리 소자에 적용하기에 적합하다. 특히, Ta2O5막은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)으로 형성하기 때문에, 스텝 커버리지가 우수하고 후속 열처리 공정에 의해 유전특성이 향상될 뿐만 아니라 누설전류 발생이 적다. 예컨대, 금속-절연막-반도체(MIS; Metal-Insulator- Semiconductor) 구조의 캐패시터에 Ta2O5막을 적용한 경우, 캐패시턴스가 30fF 이상이고, 누설전류는 약 1fA 이하로 나타난다.
또한, 종래에는 반도체 메모리 소자의 집적도를 더욱더 향상시키기 위하여, 캐패시터의 하부 및 상부전극을 모두 금속을 사용한 금속-절연층-금속(MIM; Metal- Insulator-Metal) 구조의 캐패시터에 Ta2O5막을 적용하는 방법이 제시되었다. 즉, Ta2O5막이 금속전극 상부에 피복되면 결정성이 향상되어 유전율이 더욱더 증가할 뿐만 아니라 금속의 일함수가 크기 때문에 Ta2O5막의 누설전류 특성이 우수해진다. 또한, 이러한 MIM 구조에서는 하부전극 물질로서 W, WN, WSix, TiN등이 사용된다.
한편, 상기한 Ta2O5막을 적용한 MIM 구조의 캐패시터에서, Ta2O5막의 형성후 유전특성을 향상시키기 위하여 MIS 구조에서와 마찬가지로 열처리 공정을 진행하는데, 일반적으로 열처리 공정은 O2또는 N2O개스 분위기에서 700℃ 이상의 고온에서 진행된다. 그러나, 이러한 열처리 공정시 하부전극의 산화가 일어날 뿐만 아니라, 하부금속 및 Ta2O5막의 계면사이에서 반응이 일어나서, Ta2O5막 이외의 산화물이 형성되어 캐패시터의 유전율이 감소되고 누설전류가 야기되어, 고집적화에 따른 캐패시턴스를 확보하기가 어렵다.
따라서, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 유전율을 향상시키고 누설전류를 최소화할 수 있는 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법을 설명하기 위한 단면도.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따라 열처리전 도 1의 "A" 부분을 나타낸 확대도.
도 2b는 본 발명의 실시예에 따라 열처리후 도 1의 "A" 부분을 나타낸 확대도.
〔도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〕
10 : 반도체 기판 11 : 접합영역
12 : 층간절연막 13 : 스페이서
14 : 배리어막 15 : 폴리실리콘막 패턴
16 : 확산방지막 17 : 알루미늄막
17A : 알루미늄 화합물 18 : Ta2O5막
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법은 내부에 접합영역이 구비되고, 상부에는 접합영역을 노출시키는 캐패시터용 콘택홀이 구비된 절연막이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계; 콘택홀에 매립되도록 절연막 상에 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계; 폴리실리콘막 패턴 상부에 확산방지막, 알루미늄막, 및 Ta2O5막을 형성하는 단계; 및, Ta2O5막을 저온열처리하여 상기 확산방지막과 Ta2O5막 사이에 알루미늄 화합물을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 저온열처리는 약 350℃ 이하의 온도에서 익스-시튜 플라즈마 N2O 처리나 UV/O3처리로 진행하고, 알루미늄 화합물은 Al2O3막/AlN막인 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 접합영역(11)이 구비된 반도체 기판(10) 상부에 층간절연막(12)을 형성하고, 접합영역(11)의 일부가 노출되도록 층간절연막(12)을 식각하여 캐패시터용 콘택홀을 형성한다. 그런 다음, 상기 콘택홀 표면 및 층간절연막(12) 상부에 절연막을 증착하고 층간절연막(12)의 콘택홀의 저부 표면이 노출될 때까지 블랭킷 식각하여 콘택홀의 측벽에 스페이서(13)를 형성한다.
그리고 나서, 콘택홀 양 측의 층간절연막(12) 상에 배리어막(14)을 형성하고, 스페이서(13)가 형성된 콘택홀에 매립되도록 배리어막(14) 상부에 폴리실리콘막을 증착하고 패터닝하여 폴리실리콘막 패턴(15)을 형성한다. 그런 다음, 폴리실리콘막 패턴(15) 표면 상부에 실리콘의 확산을 방지하기 위한 확산방지막(16)으로서 티타늄 질화막(TiN)/티타늄막(Ti)을 CVD로 300 내지 500℃의 온도에서 형성한다. 바람직하게, 티타늄 질화막은 300 내지 500Å의 두께로 형성하고, 티타늄막은 100 내지 200Å의 두께로 형성한다. 이때, 티타늄막은 실리콘과 티타늄 질화막과의 접착력을 향상시키는 완충막으로서 작용한다. 그런 다음, 확산방지막(16) 상부에 캐패시터의 하부전극 물질로서 알루미늄막(Al; 17)을 100 내지 300Å의 두께로 얇게 형성하고, 알루미늄막(17) 상부에 유전체막으로서 Ta2O5막(18)을 CVD로 약 400℃ 이하의 온도에서 100 내지 200Å의 두께로 형성한다.
그리고 나서, Ta2O5막(18)내의 유기체를 감소시키기 위하여 300 내지 350℃의 저온에서 열처리 공정을 진행한다. 열처리 공정은 익스-시튜 플라즈마(ex-situ plasam) N2O 처리나 UV/O3처리로 진행한다.
도 2a 및 도 2b는 상기한 열처리 전과 열처리 후의 도 1의 "A" 부분의 확대도로서, 열처리 전에는 폴리실리콘막 패턴(15), 확산방지막(16), 알루미늄막(17) 및 Ta2O5막(18)의 적층구조가, 열처리 후에는 확산방지막(16)과 Ta2O5막(18) 사이에 Al2O3막/AlN막의 알루미늄 화합물(17A)이 형성된 구조로 변경된다. 즉, 알루미늄막(17)이 Ta2O5막(18)의 열처리 공정시 확산방지막(16)의 티타늄 질화막 중 질소와 반응하여 확산방지막(16) 상에는 AlN막이 형성된다. 또한, 열처리 공정시 Ta2O5막(18)을 통하여 알루미늄막(17)으로 확산된 산소원자가 알루미늄막과 반응하여 AlN막 상에 Al2O3막이 형성된다.
이와 같이 생성된 Al2O3막/AlN막의 알루미늄 화합물(17A)은 1,100℃까지 내산화성을 유지하는 물질로서 캐패시터 형성후 고온 열처리 공정에서도 산소가 하부의 확산방지막(16)과 폴리실리콘막 패턴(15)으로 확산되는 것을 효과적으로 방지한다. 또한, 알루미늄 화합물(17A)은 유전상수가 약 10으로서 Ta2O2막(18)의 유전율 특성을 충분히 유지할 수 있게 된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 열처리의 진행동안 알루미늄 원자가 상부 Ta2O2막(18)으로 확산하면, Ta2O2막(18)과 알루미늄막(17)의 계면에 얇은 (Ta, Al)Ox막이 형성될 수 있고, 이러한 층은 조성에 따라 유전율이 10 내지 20 정도로서 Ta2O2막(18)의 누설전류특성을 크게 개선시킨다.
상기한 본 발명에 의하면, 캐패시터의 하부전극 물질로서 알루미늄막을 적용하여 후속 열처리시 폴리실리콘막의 산화가 효과적으로 방지되고 유전율이 향상된다. 또한, Ta2O2막과 알루미늄 사이에 생성되는 물질에 의해 Ta2O2막의 누설전류특성이 향상된다. 이에 따라, 캐패시턴스가 증가되므로 소자의 고집적를 더욱 높일 수있게 된다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.

Claims (7)

  1. 내부에 접합영역이 구비되고, 상부에는 상기 접합영역은 노출시키는 캐패시터용 콘택홀이 구비된 층간절연막이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계;
    상기 콘택홀에 매립되도록 상기 층간절연막 상에 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 폴리실리콘막 패턴 상부에 확산방지막, 알루미늄막, 및 Ta2O5막을 형성하는 단계; 및,
    상기 Ta2O5막을 저온열처리하여 상기 확산방지막과 Ta2O5막 사이에 알루미늄 화합물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 확산방지막은 티타늄 질화막과 티타늄막의 적층막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 알루미늄막은 100 내지 300Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 Ta2O5막은 화학기상증착으로 약 400℃ 이하의 온도에서 100 내지 200Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 저온열처리는 300 내지 350℃의 온도에서 익스-시튜 플라즈마 N2O 처리나 UV/O3처리로 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법.
  6. 제 2 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 알루미늄 화합물은 Al2O3막/AlN막인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 AlN막은 상기 확산 방지막의 티타늄 질화막 중 질소와 반응하여 상기 확산방지막 상부에 형성되고, 상기 Al2O3막은 상기 AlN막 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 캐패시터 형성방법.
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